JP2010502003A - マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明システム - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
US2006/0152701は、所定の偏光を設定するための選択的局所偏光影響効果を有する遅延構成を用いる投影露光装置の様々な実施形態を説明している。
EUV放射源として機能するアンジュレータ構成は、US5、896、438A及びUS6、498、351B1から公知である。
所定の方法で調節可能な偏光手段により、EUV放射ビームは、照明光学器械の及びその下流に配置することができる投影光学器械の構成要素の偏光要件に十分に適応可能であることが本発明によって見出されている。EUV放射ビームの偏光は、照明光学器械に対して最適化された高EUV照明光収量を有するような方法で調節することができる。更に、EUV放射ビームの偏光は、照明及びその下流に配置することができる投影が例えばコントラスト要件を満たすことができるような方法で適応可能である。所定の方法で調節可能であるEUV光の偏光は、直線偏光、又は楕円又は円偏光のような別の種類の偏光とすることができる。
請求項4によるEUV光源及び下流光束案内構成要素の回転可能な設計は、それらと共に回転する下流構成要素に対する要件を低減するが、その理由は、それらが、放射ビームの偏光が照明サブユニットにおいてそれらと共に回転する下流構成要素に対して変化しないので、放射ビームの様々な直線偏光を案内する必要がないからである。回転された偏光は、回転可能照明サブユニットの下流までは有効ではないことになる。
請求項6による連続的回転可能な構成は、放射ビームの偏光の特に精密な調節を保証する。
所定の角速度で回転可能な請求項7による照明サブユニットは、特に、実質的に非偏光のEUV光の設定を可能にする。これは、EUV照明の均一化に対して使用することができる。
請求項9による少なくとも1つの交換式ビーム案内構成要素は、使用するそれぞれのビーム案内構成要素に対して照明システムの偏光最適化を利用する。
請求項10による相互交換式ビーム案内構成要素は、照明システムの照明設定値を設定する時の柔軟性を増大する。
この目的は、請求項11による投影露光装置、請求項12による生産方法、及び請求項13による構成要素により本発明に従って達成される。
これらの目的の利点は、照明設定値に関連して上述した利点から明らかになるであろう。
本発明の実施形態を図面によってより詳細に以下に説明する。
投影露光装置1の照明システム6の光源は、より詳細に図2に示すアンジュレータシステムの形態のEUV光源7である。交替する南北の向きに連続的に配置された磁石10の2つの列8、9は、電子ビーム11を列8、9の間でほぼ正弦曲線経路に沿って移動させる。電子ビーム11に沿って加速された電子は、正の相互干渉を有する放射ローブ12を放出し、従って、放射ビーム13を形成する。EUV光源7を出た後に、放射ビーム13は、スペクトルフィルタに通すことができる。アンジュレータ構成の代替として、ウィグラー構成は、EUV光源として使用するのに適切である。
EUV光源7は、x軸に一致する回転軸14に関して回転可能である。この目的のために、EUV光源7全体は、軸線方向/半径方向に装着される。EUV光源7の回転可能部分には、対応するワイパを通じて電力が供給される。供給流体は、EUV光源7の可動及び静止部分の間で密封された密封連結ユニットを通じて供給される。
駆動モータ15は、信号線17を通じて投影露光装置1の制御コンピュータ18に接続されている。駆動モータ15は、EUV光源7を回転軸14に関して連続的に回転させる。 EUV光源7の下流の放射ビーム13の方向は、放射ビーム13に対する次の光束案内構成要素までの投影露光装置1の光軸20の第1の部分19を定める。回転軸14は、この第1の光軸部分19に一致する。
EUV光源7は、回転軸14に関して回転可能であるので、EUV光源7のx’z’平面は、x、x’軸が互いに一致する時に静止xz平面に対してあらゆる望ましい角度で配置することができる。
位置制御デバイス21は、EUV光源7の下流に配置される。この位置制御デバイス21は、連続的に配置された放射ビームのための2つの偏向構成要素22、23を有する。偏向構成要素22、23は、図1に概略図で示されている。これらの構成要素は、通常は反射構成要素である。ビーム位置制御デバイス21自体から公知のように、偏向構成要素22、23は、位置感応型EUV放射検出器(図示しない)と相互作用し、第1の偏向構成要素22により、第2の偏向構成要素23上の放射ビーム13の入射点が回転軸14に対するEUV光源の角度位置に関わらず一定に保たれるような方法で2つの軸に関して傾斜可能である。第2の偏向構成要素23は、次に、別の位置感応型EUV検出器と相互作用し、放射ビーム13が第2の偏向構成要素23によって正確に第1の光軸部分19に沿って案内される方法で作動される。これは、位置制御デバイス21の下流で、放射ビーム13のビーム方向が、回転軸14に関するEUV光源7の回転移動に関わらず一定のままであることを保証する。位置制御デバイス21は、信号線23aを通じて制御デバイス18に接続される。
瞳ファセットミラー34の下流で、放射ビーム13は、付加的なEUVミラー37、37aによってレチクル平面2に案内される。レチクル平面2における照明視野は、反射EUVミラー39から42を含む投影対物器械38によってウェーハ平面4内に結像される。
EUV照明光学器械及び投影対物器械38の光学構成は、当業者には公知である。EUV照明光学器械及び投影光学器械38の反射構成要素は、当業者に公知のようなEUV放射を反射するための複数の高反射率の個々の層を含む層状システムである。これらの層状システムの反射率は、入射EUV光の偏光に依存する。
位置制御デバイス21は、位置制御デバイス21の下流で、放射ビーム13がEUV光源の回転位置に関わらず正確に光軸に沿って案内されることを保証する。
EUV光源7は、回転軸14に関して連続的に回転可能とすることができる。代替的に、EUV光源7は、偏光表面の隣接する向きが10°を超えない、好ましくは、5°を超えないピボット角によって互いに離間している直線偏光されたEUV照明光が別様に配向された偏光表面で発生させることができるような方法で回転するように配置することができる。
位置制御デバイス21により、放射ビーム13の位置は、放射ビーム13の実施のビーム方向が望ましいビーム方向から100mradを超えない、及び好ましくは20mradを超えない量だけずれるような方法で制御される。
位置制御デバイス49の機能は、位置制御デバイス21に関連して上述したものに対応する。位置制御デバイス49の下流で、放射ビーム13は、光軸20と正確に一致している。実際のビーム方向は、望ましいビーム方向から100mradを超えない、及び好ましくは20mradを超えない量だけずれている。
2 レチクル平面
6 照明システム
7 EUV光源照明サブユニット
13 EUV放射ビーム
15、18 偏光設定デバイス
20 光軸
24、25、31、37 照明光学器械
Claims (13)
- 直線偏光されたEUV照明光の放射ビーム(13)を発生するEUV光源(7)と、
光軸(20)に沿って前記放射ビーム(13)を案内し、レチクル平面(2)における照明視野を該放射ビーム(13)によって照明させる照明光学器械(25、31、37、37a)と、
を含む、マイクロリソグラフィ投影露光装置(1)のための照明システム(6)であって、
照明システム(6)の照明サブユニット(7;43)が、少なくともEUV光源(7)を含み、かつ照明サブユニット(7;43)のEUV放射ビーム(13)の所定の偏光を該照明サブユニットの回転及び/又は平行移動によって設定するための偏光設定デバイス(15、18;44、47)を含む、
ことを特徴とする照明システム(6)。 - 前記照明サブユニット(7;43)は、該照明サブユニット(7;43)の下流に配置され、かつ最も近い偏向EUV光束案内構成要素(24;25)まで延びる前記光軸(20)の部分(19、26)に関して回転するように配置されることを特徴とする請求項1に記載の照明システム。
- 前記EUV光源(7)は、前記放射ビームに関して回転可能であるアンジュレータ構成(8、9)又はウィグラー構成を含むことを特徴とする請求項2に記載の照明システム。
- 前記放射ビーム(13)の発散を増大させるための散乱構成要素(24)が、前記EUV光源(7)の下流に配置され、該EUV光源(7)は、該散乱構成要素(24)と共に、該散乱構成要素(24)の下流に配置されて前記最も近い偏向EUV光束案内構成要素(25)まで延びる前記光軸(20)の部分(26)に関して回転するように配置された照明サブユニット(43)であることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の照明システム。
- 偏光平面の隣接する向きが10°を超えない、好ましくは、5°を超えないピボット角によって互いに離間した異なる向きの偏光平面で直線偏光された放射ビーム(13)が発生されるような前記照明サブユニット(7;43)の回転可能な構成を特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の照明システム。
- 前記照明サブユニット(7;23)の連続的に回転可能な構成を特徴とする請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の照明システム。
- 事前設定可能な角速度で回転可能な照明サブユニット(7;43)を特徴とする請求項2から請求項6のいずれか1項に記載の照明システム。
- 前記放射ビーム(13)の実際のビーム方向が、100mradを超えない、好ましくは、20mradを超えない量だけ制御デバイスの下流で望ましいビーム方向からずれるような方法で配置された該放射ビーム(13)の位置制御デバイス(21;49)を特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の照明システム。
- 交換用光束案内構成要素(30;34)によって交換可能であるように交換ホルダ(27;33)により定位置に保持され、かつ一方において光束案内構成要素及び他方において該交換用光束案内構成要素(30;34)のビーム光束案内特性が、各々の場合に前記放射ビーム(13)の異なる向きの偏光平面に対して構成されている、前記照明サブユニット(7;43)の下流の少なくとも1つの光束案内構成要素(25;31)を特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の照明システム。
- 前記交換ホルダ(27;33)によって保持された前記交換用光束案内構成要素(25;31)は、照明システムの照明環境を設定するためのデバイスの一部であることを特徴とする請求項9に記載の照明システム。
- 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の照明システムを含む投影露光装置。
- 微小構造構成要素を生成する方法であって、
レチクル(3)及びウェーハ(5)を準備する段階と、
請求項11に記載の投影露光装置の投影対物器械(18)を使用して、前記レチクル(3)上の構造を前記ウェーハ(5)の感光層上に投影する段階と、
前記ウェーハ(5)上に微小構造を生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項12に記載の方法に従って生成された微小構造構成要素。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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JP2010502003A true JP2010502003A (ja) | 2010-01-21 |
JP5021031B2 JP5021031B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=38567084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009524913A Expired - Fee Related JP5021031B2 (ja) | 2006-08-24 | 2007-07-20 | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明システム |
Country Status (4)
Country | Link |
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US (1) | US8305558B2 (ja) |
JP (1) | JP5021031B2 (ja) |
DE (1) | DE102006039655A1 (ja) |
WO (1) | WO2008022680A1 (ja) |
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US10739686B2 (en) | 2016-02-26 | 2020-08-11 | Gigaphoton Inc. | Beam transmission system, exposure device, and illumination optical system of the exposure device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US8305558B2 (en) | 2012-11-06 |
DE102006039655A1 (de) | 2008-03-20 |
JP5021031B2 (ja) | 2012-09-05 |
US20090213356A1 (en) | 2009-08-27 |
WO2008022680A1 (de) | 2008-02-28 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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