JP2010280941A - 被膜形成物および被膜形成物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属元素および半金属元素から選択された1以上の元素と、第1元素と、第2元素とを含む化合物被膜を、成膜室に配置された基板の表面に形成することにより、被膜形成物を製造する方法であって、前記第1元素を含む第1ガスおよび前記第2元素を含む第2ガスから選択された1以上のガスを前記成膜室に供給し、前記1以上の元素を含む粒子を、前記ガスの中を通過させて前記基板に照射する段階と、前記成膜室における前記第1ガスと前記第2ガスの分圧比を変化させる段階と、を備えた被膜形成物の製造方法が提供される。
【選択図】図3
Description
図2に示す構成を有する成膜装置200を用いて、図3に示す製造方法に従って、窒素を含む酸化亜鉛薄膜を成膜した。基板102として、合成石英ガラスウェハを使用した。ターゲット214として、99.9%の亜鉛を使用した。酸化ガスとして、酸素ガスを用いて、窒化ガスとして、窒素ガスを用いた。
酸素ガスおよび窒素ガスを導入する方法が上記の実施例と異なる以外、他の条件は同じである。上記の実施例のように、酸素ガスと窒素ガスをパルス状に交互に導入せず、アーク放電と同期させて、酸素ガスおよび窒素ガスを同時に導入して、3600秒の成膜をした。酸素ガスおよび窒素ガスの流量は、それぞれ50sccmと5sccmであった。
102 基板
104 化合物被膜
200 成膜装置
202 成膜室
204 基板ホルダー
208 電圧源
212 カソード
214 ターゲット
216 トリガー
217 粒子
218 電磁気フィルタ
222 バルブ
224 マスフローコントローラ
226 バルブ
228 ガス容器
232 バルブ
234 マスフローコントローラ
236 バルブ
238 ガス容器
242 ロータリーポンプ
244 バルブ
246 ターボー分子ポンプ
248 バルブ
252 バルブ
254 リークバルブ
256 リークバルブ
Claims (15)
- 金属元素および半金属元素から選択された1以上の元素と、第1元素と、第2元素とを含む化合物被膜を、成膜室に配置された基板の表面に形成することにより、被膜形成物を製造する方法であって、
前記第1元素を含む第1ガスおよび前記第2元素を含む第2ガスから選択された1以上のガスを前記成膜室に供給し、前記1以上の元素を含む粒子を、前記ガスの中を通過させて前記基板に照射する段階と、
前記成膜室における前記第1ガスと前記第2ガスの分圧比を変化させる段階と、
を備えた被膜形成物の製造方法。 - 前記第1ガスを供給し、前記第2ガスを供給しない第1状態と、
前記第2ガスを供給し、前記第1ガスを供給しない第2状態と、
を切り替えることで、前記分圧比を変化させる
請求項1に記載の被膜形成物の製造方法。 - 前記第1状態と前記第2状態との切り替えを繰り返す
請求項2に記載の被膜形成物の製造方法。 - 前記第1元素が酸素であり、前記第2元素が窒素であって、
前記化合物被膜の形成を、前記第1状態から開始する
請求項3に記載の被膜形成物の製造方法。 - 前記化合物被膜をフィルタードアークイオンプレーティング法により形成する
請求項1から請求項4の何れかに記載の被膜形成物の製造方法。 - 前記化合物被膜の形成中に、前記基板に、直流または交流のバイアス電圧を印加する
請求項1から請求項5の何れかに記載の被膜形成物の製造方法。 - 前記1以上の元素は、亜鉛、シリコン、チタンおよびアルミニウムから選択された1以上の元素であり、
前記第1元素は酸素であり、
前記第2元素は窒素である
請求項1から請求項6の何れかに記載の被膜形成物の製造方法。 - 基板と、
前記基板の上に形成され、金属元素および半金属元素から選択された1以上の元素、第1元素および第2元素を含む化合物被膜と、を備え、
前記化合物被膜の厚さ方向において、前記第2元素に対する前記第1元素のモル比が、変化している
被膜形成物。 - 前記化合物被膜の前記基板との界面における前記モル比は、前記化合物被膜の膜中における前記モル比の平均値より大きい
請求項8に記載の被膜形成物。 - 前記モル比は、前記化合物被膜の厚さ方向において、周期的に変化している
請求項8または請求項9に記載の被膜形成物。 - 前記1以上の元素は、亜鉛、シリコン、チタンおよびアルミニウムから選択された1以上の元素であり、
前記第1元素は酸素であり、
前記第2元素は窒素である
請求項8から請求項10の何れかに記載の被膜形成物。 - 前記金属は亜鉛であり、
前記窒素を、1×1021[cm−3]以上の濃度で含有する
請求項11に記載の被膜形成物。 - 前記金属は亜鉛であり、
前記窒素を、固溶限界濃度以上の濃度で含有する
請求項11に記載の被膜形成物。 - 前記基板は、多結晶または非晶質の材料からなる
請求項8から請求項13の何れかに記載の被膜形成物。 - 前記基板は、樹脂からなる
請求項14に記載の被膜形成物。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014522916A (ja) * | 2011-08-10 | 2014-09-08 | インテグリス・インコーポレーテッド | 任意のイットリア被覆層を有するAlONコーティングされた基体 |
WO2015174517A1 (ja) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | 国立大学法人名古屋工業大学 | p型酸化亜鉛膜の製造方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6081048A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-09 | Toyota Motor Corp | 窒化チタン薄膜付きガラスおよびその作製方法 |
JPH02263416A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性合金膜の製造方法 |
JPH09228028A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-02 | Nippon Paint Co Ltd | 複合薄膜及び薄膜の形成方法 |
JPH10227360A (ja) * | 1992-09-16 | 1998-08-25 | Riken Corp | 摺動材料及びピストンリングならびに摺動材料の製造方法 |
JPH11246961A (ja) * | 1998-02-28 | 1999-09-14 | Hitachi Tool Eng Ltd | 積層被覆工具及びその製造法 |
JP2003344621A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-12-03 | ▲らい▼徳科技股▲ふん▼有限公司 | 多層膜反射鏡の製造プロセス |
JP2004095634A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2004322267A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Mitsubishi Materials Kobe Tools Corp | 高速切削条件で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具およびその製造方法 |
JP2006267561A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 光学素子およびその製造方法 |
JP2007073672A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Citizen Tohoku Kk | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2007077494A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-03-29 | Nanofilm Technologies Internatl Pte Ltd | 金属コーティング |
JP2008168365A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面被覆切削工具 |
-
2009
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6081048A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-09 | Toyota Motor Corp | 窒化チタン薄膜付きガラスおよびその作製方法 |
JPH02263416A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性合金膜の製造方法 |
JPH10227360A (ja) * | 1992-09-16 | 1998-08-25 | Riken Corp | 摺動材料及びピストンリングならびに摺動材料の製造方法 |
JPH09228028A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-02 | Nippon Paint Co Ltd | 複合薄膜及び薄膜の形成方法 |
JPH11246961A (ja) * | 1998-02-28 | 1999-09-14 | Hitachi Tool Eng Ltd | 積層被覆工具及びその製造法 |
JP2003344621A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-12-03 | ▲らい▼徳科技股▲ふん▼有限公司 | 多層膜反射鏡の製造プロセス |
JP2004095634A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2004322267A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Mitsubishi Materials Kobe Tools Corp | 高速切削条件で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具およびその製造方法 |
JP2006267561A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 光学素子およびその製造方法 |
JP2007077494A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-03-29 | Nanofilm Technologies Internatl Pte Ltd | 金属コーティング |
JP2007073672A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Citizen Tohoku Kk | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2008168365A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面被覆切削工具 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014522916A (ja) * | 2011-08-10 | 2014-09-08 | インテグリス・インコーポレーテッド | 任意のイットリア被覆層を有するAlONコーティングされた基体 |
JP2017128811A (ja) * | 2011-08-10 | 2017-07-27 | インテグリス・インコーポレーテッド | 任意のイットリア被覆層を有するAlONコーティングされた基体 |
US10840067B2 (en) | 2011-08-10 | 2020-11-17 | Entegris, Inc. | AlON coated substrate with optional yttria overlayer |
WO2015174517A1 (ja) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | 国立大学法人名古屋工業大学 | p型酸化亜鉛膜の製造方法 |
US9934968B2 (en) | 2014-05-16 | 2018-04-03 | Nagoya Institute Of Technology | Method for manufacturing p-type zinc oxide film |
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