JP2010278168A - Coverlay film, board for mounting light emitting element thereon, and light source device - Google Patents
Coverlay film, board for mounting light emitting element thereon, and light source device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010278168A JP2010278168A JP2009128391A JP2009128391A JP2010278168A JP 2010278168 A JP2010278168 A JP 2010278168A JP 2009128391 A JP2009128391 A JP 2009128391A JP 2009128391 A JP2009128391 A JP 2009128391A JP 2010278168 A JP2010278168 A JP 2010278168A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resin
- thermoplastic resin
- coverlay film
- reflectance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
Description
本発明は、プリント配線板、特にＬＥＤ等の発光素子を搭載した基板の表面を保護する導体回路保護用のカバーレイフィルム、該カバーレイフィルムを積層してなる発光素子搭載用基板及び光源装置に関し、より詳細には、高反射率を有し、高温熱負荷環境下においても、反射率低下が抑制されたカバーレイフィルム等に関する。 The present invention relates to a printed circuit board, in particular, a coverlay film for protecting a conductor circuit that protects the surface of a substrate on which a light emitting element such as an LED is mounted, a light emitting element mounting substrate formed by laminating the coverlay film, and a light source device. More specifically, the present invention relates to a coverlay film or the like that has a high reflectivity and suppresses a decrease in reflectivity even under a high temperature heat load environment.
プリント配線基板のパターン上に直接素子を実装し、樹脂封止されたチップタイプＬＥＤは小型化、薄型化に有利なことから、携帯電話のテンキー照明や、小型液晶ディスプレーのバックライトなど電子機器に幅広く使用されてきた。 Since chip-type LEDs that are mounted directly on the printed circuit board pattern and are resin-sealed are advantageous for miniaturization and thinning, they can be used in electronic devices such as numeric keypad lighting for mobile phones and backlights for small liquid crystal displays. Widely used.
近年、ＬＥＤの高輝度化技術の向上が著しく、ＬＥＤはより高輝度化しているが、それに伴いＬＥＤ素子自体の発熱量も増大し、プリント配線基板等周辺にかかる熱負荷も増大しており、ＬＥＤ素子周辺温度は１００℃超になる場合もあるのが現状である。またＬＥＤ搭載基板の製造工程において、封止樹脂の熱硬化処理や、鉛（Ｐｂ）フリー半田の採用が進み、リフロー工程においても、２６０〜３００℃程度の温度がかかる場合があり、高温の熱環境下にさらされる。そういった熱負荷の環境下では、従来使用されてきた白色の光硬化性、熱硬化性のソルダーレジストを被覆形成してなり、熱硬化系樹脂組成物からなる白色のプリント配線基板では、ソルダーレジストやプリント配線板が黄変するなど白色度が低下し、反射効率が劣る傾向が見られ、今後の次世代高輝度ＬＥＤ搭載向け基板としては、依然改良の余地があった。また白色のソルダーレジストを被覆形成してなる白色のプリント配線板を搭載した製品は、今後長期の信頼性が求められており、ＵＶ環境下においても同様に、黄変するなど白色度が低下し、反射率が劣る傾向が見られていた。それに対し、セラミック基板については、耐熱性の点では優れているものの、硬く脆い性質から大面積、薄型化には限界があり、今後の一般照明用途や、ディスプレー用途用の基板としては対応が困難になる可能性があり、高温熱負荷下で、変色しない、反射率の低下しない、大面積化に対応可能な、耐熱性を有するカバーレイフィルム及びカバーレイフィルムを積層してなるプリント配線板の開発が求められていた。 In recent years, the improvement in the technology for increasing the brightness of LEDs has been remarkably improved, and LEDs have become more bright. The LED element ambient temperature is sometimes over 100 ° C. Moreover, in the manufacturing process of the LED mounting substrate, the thermosetting treatment of the sealing resin and the use of lead (Pb) -free solder have progressed, and the reflow process may take a temperature of about 260 to 300 ° C. Exposed to the environment. Under such a heat load environment, a conventional white photo-curing and thermosetting solder resist is coated to form a white printed wiring board made of a thermosetting resin composition. As the printed wiring board turns yellow, the whiteness is lowered and the reflection efficiency tends to be inferior, and there is still room for improvement as a substrate for mounting a next-generation high-brightness LED. In addition, products equipped with a white printed wiring board that is coated with a white solder resist are expected to have long-term reliability in the future. There was a tendency for the reflectance to be inferior. On the other hand, ceramic substrates are superior in terms of heat resistance, but due to their hard and brittle nature, there is a limit to reducing the area and thickness, making it difficult to handle as a substrate for future general lighting and display applications. Of a heat-resistant coverlay film and a printed wiring board formed by laminating a coverlay film that does not discolor under high-temperature heat load, does not deteriorate reflectance, and can handle a large area Development was required.
また、プリント配線板の表面には、精密に設計された導体回路等が印刷の手法で形成されており、導体回路の絶縁、防錆、傷付きの防止といった保護のためにカバーレイフィルムが被覆されている。例えば、特許文献１には、結晶融解ピーク温度２６０℃以上のポリアリールケトン樹脂６５〜３５重量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂３５〜６５重量％とを含有する樹脂組成物からなり、該組成物の結晶性を適当に進行させたカバーレイフィルムについて開示されている。 In addition, printed circuit boards are formed with precisely designed conductor circuits, etc., using a printing method, and covered with a coverlay film to protect conductor circuits such as insulation, rust prevention, and scratch protection. Has been. For example, Patent Document 1 includes a resin composition containing 65 to 35% by weight of a polyaryl ketone resin having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher and 35 to 65% by weight of an amorphous polyetherimide resin, A coverlay film in which the crystallinity of the composition is appropriately advanced is disclosed.
１つ又は複数のＬＥＤ等の発光素子を実装させたプリント配線基板は、導体回路が形成されるため、導体回路の保護が必要となる。上記特許文献１には、熱可塑性樹脂組成物の結晶性を利用して、２６０℃以下の低温に加熱した際にプリント配線板の表面との接着に適した特性を示して比較的短時間で接着可能であり、しかも熱融着後には２６０℃に耐える耐熱性を示すカバーレイフィルムについて開示されているが、特にＬＥＤが実装されたプリント配線基板に積層するためには、特許文献１に記載のような反射率を考慮していないカバーレイフィルムをそのまま使用することはできない。 Since a printed circuit board on which a light emitting element such as one or a plurality of LEDs is mounted has a conductor circuit, the conductor circuit needs to be protected. The above-mentioned Patent Document 1 shows characteristics suitable for adhesion to the surface of a printed wiring board when heated to a low temperature of 260 ° C. or lower by utilizing the crystallinity of the thermoplastic resin composition, and in a relatively short time. A cover lay film that can be bonded and exhibits heat resistance that can withstand 260 ° C. after heat fusion is disclosed. In particular, in order to laminate on a printed wiring board on which an LED is mounted, it is described in Patent Document 1. A coverlay film that does not take into account the reflectance cannot be used as it is.
また本発明者等は、先に耐熱性が高く、可視光領域において反射率が高く、及び高温熱負荷環境下における反射率の低下が少ない、大面積化に対応可能な、特にＬＥＤ実装用プリント配線基板に使用可能なカバーレイフィルム等を見出している（特願２００８−１５１５５１）。しかしながら、このカバーレイフィルムは、反射率の観点からは必ずしも満足できるものではなかった。 In addition, the present inventors have previously proposed a LED mounting print that has a high heat resistance, a high reflectance in the visible light region, and a low decrease in the reflectance under a high-temperature heat load environment, and can cope with a large area. A coverlay film that can be used for a wiring board has been found (Japanese Patent Application No. 2008-151551). However, this cover lay film is not always satisfactory from the viewpoint of reflectance.
そこで、本発明の課題は、可視光領域において反射率が高く、耐熱性が高く、高温熱負荷環境下における反射率の低下が少ない、大面積化に対応可能な、特にＬＥＤ実装用プリント配線基板に使用可能なカバーレイフィルム、該カバーレイフィルムを積層してなる発光素子搭載用基板及び光源装置を提供することである。 Therefore, the problem of the present invention is that the printed wiring board for LED mounting, which has a high reflectance in the visible light region, has high heat resistance, has a small decrease in reflectance under a high-temperature heat load environment, and can cope with a large area. And a light source device mounting substrate and a light source device obtained by laminating the coverlay film.
上記反射率の問題点をさらに改良すべく、鋭意検討した結果、熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）と、シリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）とを備えてなり、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であるプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルムが、上記課題を解決することを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies to further improve the problem of reflectance, a layer (A) containing a thermoplastic resin and a layer (B) containing an inorganic filler in a silicone resin are provided. For protecting a printed circuit board having a mean reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm of 70% or more and a reduction rate of the reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 200 ° C. for 4 hours at 10% or less. It has been found that the above-mentioned coverlay film solves the above-mentioned problems, and the present invention has been completed.
すなわち第１の本発明は、熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）と、シリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）とを備えてなり、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であるプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルムである。 That is, the first present invention comprises a layer (A) containing a thermoplastic resin and a layer (B) containing an inorganic filler in a silicone resin, and an average reflection at a wavelength of 400 to 800 nm. It is a coverlay film for protecting a conductor circuit of a printed wiring board having a rate of 70% or more and a reduction rate of reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 200 ° C. for 4 hours.
第１の本発明において、前記熱可塑性樹脂は、結晶融解ピーク温度が２６０以上の結晶性熱可塑性樹脂、ガラス転移温度が２６０℃以上の非晶性熱可塑性樹脂、及び液晶転移温度が２６０℃以上の液晶ポリマーから選択されるいずれか１種以上であることが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the thermoplastic resin includes a crystalline thermoplastic resin having a crystal melting peak temperature of 260 or higher, an amorphous thermoplastic resin having a glass transition temperature of 260 ° C. or higher, and a liquid crystal transition temperature of 260 ° C. or higher. Any one or more selected from the above liquid crystal polymers is preferable.
また第１の本発明において、前記無機充填材は、少なくとも酸化チタンを含有することが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the inorganic filler preferably contains at least titanium oxide.
さらに第１の本発明において、前記熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）のＭＤ及びＴＤの線膨張係数の平均値は、３５×１０−６／℃以下であることが好ましい。 Furthermore, in the first aspect of the present invention, the average value of the linear expansion coefficients of MD and TD of the layer (A) containing the thermoplastic resin is preferably 35 × 10 −6 / ° C. or less.
また第１の本発明において、フィルムの厚みは、３〜２００μｍであることが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the thickness of the film is preferably 3 to 200 μm.
さらに第１の本発明において、２６０℃で５分間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率は、１０％以下であることが好ましい。 Furthermore, in the first aspect of the present invention, it is preferable that the rate of decrease in reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 5 minutes is 10% or less.
第１の本発明において、波長３００〜４００ｎｍにおける平均反射率は、４０％以上であることが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the average reflectance at a wavelength of 300 to 400 nm is preferably 40% or more.
第２の本発明は、少なくとも１つ以上の発光素子を搭載する基板上に、熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）とシリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）とを有する保護層を形成してなり、該保護層は、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを特徴とする発光素子搭載用基板である。 According to a second aspect of the present invention, a layer (A) containing a thermoplastic resin and a layer (B) containing an inorganic filler in a silicone resin on a substrate on which at least one light emitting element is mounted. The protective layer has an average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm of 70% or more, and a reflectance reduction rate at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 200 ° C. for 4 hours. It is a light emitting element mounting substrate characterized by being 10% or less.
第３の本発明は、第２の本発明である発光素子搭載用基板に導体回路を形成して、該基板と該基板に搭載された発光素子とを導通させ、該発光素子を樹脂封止してなることを特徴とする光源装置である。 In the third aspect of the present invention, a conductor circuit is formed on the light emitting element mounting substrate according to the second aspect of the present invention, the substrate and the light emitting element mounted on the substrate are electrically connected, and the light emitting element is sealed with resin. It is the light source device characterized by being formed.
本発明によると、可視光領域において反射率が高く、耐熱性が高く、寸法安定性に優れ、また高温熱負荷環境下における反射率の低下が少ないプリント配線基板の導体回路保護用のカバーレイフィルム、導体回路保護層が形成された発光素子搭載用基板及び光源装置を提供することができ、これらはその特性から、特に発光素子搭載基板の導体回路保護用に好適に使用可能なものである。 According to the present invention, a coverlay film for protecting a conductor circuit of a printed wiring board having high reflectivity in the visible light region, high heat resistance, excellent dimensional stability, and little reduction in reflectivity under a high-temperature heat load environment. The light emitting element mounting substrate and the light source device in which the conductor circuit protective layer is formed can be provided, and these can be suitably used particularly for protecting the conductor circuit of the light emitting element mounting substrate because of its characteristics.
以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明の範囲がこの実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, although embodiment of this invention is described, the scope of the present invention is not limited to this embodiment.
＜カバーレイフィルム＞
第１の本発明であるカバーレイフィルムとしては、熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）と、シリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）とを備えてなり、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下のものであれば、特に制限されるものではなく、熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）に、シリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）を積層させた構成を備えることで、極めて高い反射特性を有することができる。
<Coverlay film>
The coverlay film according to the first aspect of the present invention includes a layer (A) containing a thermoplastic resin and a layer (B) containing an inorganic filler in a silicone resin, and has a wavelength of 400 If the average reflectance at ˜800 nm is 70% or more and the rate of decrease in reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 200 ° C. for 4 hours is 10% or less, it is not particularly limited. By providing the layer (A) containing a thermoplastic resin with a layer (B) containing an inorganic filler in a silicone resin, it can have extremely high reflection characteristics.
上記のとおり、第１の本発明であるカバーレイフィルムは、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であることを必要とするが、これは可視光領域の反射率が高いほど、搭載するＬＥＤの輝度が高くなる傾向があり、上記範囲であれば、ＬＥＤ搭載向け基板のカバーレイフィルムとして好適に利用可能であるからである。また、青色ＬＥＤの平均波長（４７０ｎｍ）に対応した４７０ｎｍ付近の反射率が高いほど輝度が高くなる傾向があるため、４７０ｎｍにおける反射率が７０％以上であることがより好ましく、反射率が７５％以上であることがより好ましい。
また、現在主流の青色ＬＥＤを用いた白色光を得る場合には４７０ｎｍ付近の反射率が重要になってくるが、より高演色性の白色光を得るために、紫外（近紫外）ＬＥＤと赤、緑、青色の蛍光体を組み合わせたタイプが開発されている。その場合には、カバーレイフィルムにも紫外（近紫外）ＬＥＤの発光波長に対応した、３００〜４００ｎｍの波長の光を反射することと、可視光領域（４００〜８００ｎｍ）の波長の光を反射することが必要になってくる。
したがって、第一の本発明のカバーレイフィルムは、３００〜４００ｎｍの平均反射率が４０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましく、６０％以上が更に好ましい。
As described above, the cover lay film according to the first aspect of the present invention requires an average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm to be 70% or more, which is higher as the reflectance in the visible light region is higher. It is because the brightness | luminance of LED to perform tends to become high, and if it is the said range, it can utilize suitably as a coverlay film of the board | substrate for LED mounting. Moreover, since there exists a tendency for a brightness | luminance to become high so that the reflectance of 470 nm vicinity corresponding to the average wavelength (470 nm) of blue LED is high, it is more preferable that the reflectance in 470 nm is 70% or more, and a reflectance is 75%. More preferably.
Also, when obtaining white light using a currently mainstream blue LED, the reflectance near 470 nm is important. In order to obtain white light with higher color rendering properties, an ultraviolet (near ultraviolet) LED and a red LED are used. A combination of green, blue and phosphors has been developed. In that case, the coverlay film also reflects light with a wavelength of 300 to 400 nm corresponding to the emission wavelength of the ultraviolet (near ultraviolet) LED, and reflects light with a wavelength in the visible light region (400 to 800 nm). It becomes necessary to do.
Therefore, the coverlay film of the first invention preferably has an average reflectance of 300 to 400 nm of 40% or more, more preferably 50% or more, and further preferably 60% or more.
［熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ)］
第１の本発明であるカバーレイフィルムは、熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）を備えるものであり、以下に示すように、熱可塑性樹脂としては、何ら制限されることなく用いることができ、さらに各種無機充填材や添加剤を含有するものであっても良い。
[Layer containing thermoplastic resin (A)]
The coverlay film according to the first aspect of the present invention includes a layer (A) containing a thermoplastic resin, and as shown below, the thermoplastic resin is used without any limitation. Further, various inorganic fillers and additives may be contained.
（熱可塑性樹脂）
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニルサルフォン（ＰＰＳＵ）等が挙げられ、これらを１種又は２種以上用いても良い。これらの中でも、耐熱性の理由から、特に結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂、ガラス転移温度が２６０℃以上の非晶性熱可塑性樹脂及び液晶転移温度が２６０℃以上の液晶ポリマーから選択されるいずれか１種以上を用いることが好ましく、結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂、及びガラス転移温度（Ｔｇ）が２６０℃以上の非晶性熱可塑性樹脂から選択されるいずれか１種以上を用いることがさらに好ましい。上記範囲の熱可塑性樹脂を用いることによって、Ｐｂフリー半田リフローに対する耐熱性を有することが可能である。また、高熱環境下での酸化劣化を防止し、反射率の低下を抑えることが可能である。結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ：Ｔｇ ＝１４５℃、Ｔｍ＝３３５℃）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ：Ｔｇ＝１６５℃、Ｔｍ＝３５５℃）等のポリアリールケトン（ＰＡｒ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ：Ｔｇ＝１００℃、Ｔｍ＝２８０℃）等が好適に用いられる。ガラス転移温度が２６０℃以上の非晶性熱可塑性樹脂としては、ポリアミドイミド（ＰＡＩ：Ｔｇ＝２８０℃）や２６０℃以上の高Ｔｇを有するポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等が好適に用いられる。
(Thermoplastic resin)
Examples of the thermoplastic resin include polyether ether ketone (PEEK), polyether ketone (PEK), polyphenylene sulfide (PPS), polyether sulfone (PES), polyphenylene ether (PPE), polyamideimide (PAI), Examples include polyetherimide (PEI) and polyphenylsulfone (PPSU), and these may be used alone or in combination. Among these, for reasons of heat resistance, a crystalline thermoplastic resin having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher, an amorphous thermoplastic resin having a glass transition temperature of 260 ° C. or higher, and a liquid crystal having a liquid crystal transition temperature of 260 ° C. or higher. It is preferable to use at least one selected from polymers, a crystalline thermoplastic resin having a crystal melting peak temperature (Tm) of 260 ° C. or higher, and an amorphous heat having a glass transition temperature (Tg) of 260 ° C. or higher. It is more preferable to use at least one selected from plastic resins. By using a thermoplastic resin in the above range, it is possible to have heat resistance against Pb-free solder reflow. In addition, it is possible to prevent oxidative deterioration in a high heat environment and suppress a decrease in reflectance. Crystalline thermoplastic resins having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher include polyether ether ketone (PEEK: Tg = 145 ° C., Tm = 335 ° C.), polyether ketone (PEK: Tg = 165 ° C., Tm = 355 ° C.). Polyaryl ketones (PAr), polyphenylene sulfide (PPS: Tg = 100 ° C., Tm = 280 ° C.) and the like are preferably used. As the amorphous thermoplastic resin having a glass transition temperature of 260 ° C. or higher, polyamideimide (PAI: Tg = 280 ° C.), polyetherimide (PEI) having a high Tg of 260 ° C. or higher, and the like are preferably used.
このポリアリールケトン樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合及びケトン結合を含む熱可塑性樹脂であり、その代表例としては、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン等があり、中でも、ポリエーテルエーテルケトンが好ましい。なお、ポリエーテルエーテルケトンは、「ＰＥＥＫ１５１Ｇ」、「ＰＥＥＫ３８１Ｇ」、「ＰＥＥＫ４５０Ｇ」（いずれもＶＩＣＴＲＥＸ社の商品名）等として市販されている。 This polyaryl ketone resin is a thermoplastic resin having an aromatic nucleus bond, an ether bond and a ketone bond in its structural unit, and representative examples thereof include polyether ketone, polyether ether ketone, polyether ketone ketone and the like. Of these, polyetheretherketone is preferred. Polyether ether ketone is commercially available as “PEEK151G”, “PEEK381G”, “PEEK450G” (all are trade names of VICTREX), and the like.
この結晶性熱可塑性樹脂は単一で用いてもよく、複数の結晶性熱可塑性樹脂を混合した混合樹脂組成物を用いてもよい。また、この結晶性熱可塑性樹脂にポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等の非晶性熱可塑性樹脂を混合した混合樹脂組成物を用いてもよい。中でも、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上である結晶性ポリアリールケトン樹脂（Ａ）８０〜２０重量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）２０〜８０重量％とからなる樹脂組成物を用いることがより好ましい。この樹脂組成物を用いることによって、後述するＬＥＤが搭載された基板（以下、単に「基板」ともいう。）との極めて良好な密着性を確保することが可能となり、積層後はＰｂフリーの半田耐熱性を有する。 This crystalline thermoplastic resin may be used alone, or a mixed resin composition obtained by mixing a plurality of crystalline thermoplastic resins may be used. Moreover, you may use the mixed resin composition which mixed amorphous thermoplastic resins, such as polyetherimide (PEI), with this crystalline thermoplastic resin. Among them, a resin composition comprising a crystalline polyaryl ketone resin (A) having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher and 80 to 20% by weight and an amorphous polyetherimide resin (B) 20 to 80% by weight. More preferably, it is used. By using this resin composition, it becomes possible to ensure extremely good adhesion to a substrate (hereinafter also simply referred to as “substrate”) on which an LED, which will be described later, is mounted. Has heat resistance.
上記ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合割合としては、基板との密着性を考慮すると、ポリアリールケトン樹脂を２０質量％以上、８０質量％以下含有し、残部を非晶性ポリエーテルイミド樹脂及び不可避不純物とした混合組成物を用いることが好ましい。より好ましくは３０質量％以上、７５質量％以下、さらに好ましくは、４０質量％以上、７０質量％以下である。ポリアリールケトン樹脂の含有率の上限を前記範囲内とすることで、カバーレイフィルムを構成する熱可塑性樹脂の結晶性が高くなるのを抑えることができ、基板との密着性の低下を防ぐことができる。また、ポリアリールケトン樹脂の含有率の下限を前記範囲内とすることで、カバーレイフィルムを構成する熱可塑性樹脂組成物の結晶性が低くなるのを抑えることができ、耐熱性の低下を防ぐことができる。 As a mixing ratio of the polyaryl ketone resin and the amorphous polyetherimide resin, considering the adhesion to the substrate, the polyaryl ketone resin is contained in an amount of 20% by mass to 80% by mass, and the balance is amorphous. It is preferable to use a mixed composition containing a polyetherimide resin and inevitable impurities. More preferably, they are 30 mass% or more and 75 mass% or less, More preferably, they are 40 mass% or more and 70 mass% or less. By setting the upper limit of the content of the polyaryl ketone resin within the above range, it is possible to suppress the increase in crystallinity of the thermoplastic resin constituting the coverlay film, and to prevent a decrease in adhesion to the substrate. Can do. Moreover, by setting the lower limit of the content of the polyaryl ketone resin within the above range, it is possible to prevent the crystallinity of the thermoplastic resin composition constituting the cover lay film from being lowered, and to prevent a decrease in heat resistance. be able to.
前記ポリアリールケトン系樹脂（Ａ）は、その構造単位に芳香族核結合、エーテル結合及びケトン結合を含む熱可塑性樹脂である。その具体例としては、ポリエーテルケトン（ガラス転移温度〔以下、「Ｔｇ」という〕：１５７℃、結晶融解ピーク温度〔以下、「Ｔｍ」という〕：３７３℃）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｔｇ：１４３℃、Ｔｍ：３３４℃）、ポリエーテルエーテルケトンケトン（Ｔｇ：１５３℃、Ｔｍ：３７０℃）等を挙げることができる。これらの中では、耐熱性向上の観点から、結晶性を示し、Ｔｍが２６０℃以上、特に３００〜３８０℃のものが好ましい。また、本発明の効果を阻害しない限り、ビフェニル構造、スルホニル基等又はその他の繰り返し単位を含むものであってもよい。 The polyaryl ketone resin (A) is a thermoplastic resin having an aromatic nucleus bond, an ether bond and a ketone bond in its structural unit. Specific examples thereof include polyether ketone (glass transition temperature [hereinafter referred to as “Tg”]: 157 ° C., crystal melting peak temperature (hereinafter referred to as “Tm”]: 373 ° C.), polyether ether ketone (Tg: 143 C, Tm: 334 ° C.), polyether ether ketone ketone (Tg: 153 ° C., Tm: 370 ° C.), and the like. Among these, from the viewpoint of improving the heat resistance, it exhibits crystallinity and preferably has a Tm of 260 ° C. or higher, particularly 300 to 380 ° C. Moreover, as long as the effect of this invention is not inhibited, you may contain a biphenyl structure, a sulfonyl group, etc., or another repeating unit.
前記ポリアリールケトン系樹脂（Ａ）の中でも、下記構造式（１）で表される繰り返し単位を有するポリエーテルエーテルケトンを主成分とするポリアリールケトン系樹脂（Ａ）が特に好ましく用いられる。ここで主成分とは、その含有量が５０質量％を超えることを意味する。市販されているポリエーテルエーテルケトンとしては、ＶＩＣＴＲＥＸ社製の商品名「ＰＥＥＫ１５１Ｇ」（Ｔｇ：１４３℃、Ｔｍ：３３４℃）、「ＰＥＥＫ３８１Ｇ」（Ｔｇ：１４３℃、Ｔｍ：３３４℃）、「ＰＥＥＫ４５０Ｇ」（Ｔｇ：１４３℃、Ｔｍ：３３４℃）等を挙げることができる。なお、ポリアリールケトン系樹脂（Ａ）は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
上記非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）としては、具体的に下記構造式（２）又は（３）で表される繰り返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂が挙げられる。 Specific examples of the amorphous polyetherimide resin (B) include an amorphous polyetherimide resin having a repeating unit represented by the following structural formula (2) or (3).
構造式（２）又は（３）で表される繰り返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂は、４，４’−［イソプロピリデンビス（ｐ−フェニレンオキシ）］ジフタル酸二無水物とｐ−フェニレンジアミン又はｍ−フェニレンジアミンとの重縮合物として、公知の方法により製造することができる。これらの非晶性ポリエーテルイミド樹脂の市販品としては、ゼネラルエレクトリック社製の商品名「Ｕｌｔｅｍ １０００」（Ｔｇ：２１６℃）、「Ｕｌｔｅｍ １０１０」（Ｔｇ：２１６℃）又は「Ｕｌｔｅｍ ＣＲＳ５００１」（Ｔｇ２２６℃）等が挙げられ、これらの中でも、前記構造式（２）で表される繰り返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂が特に好ましい。なお、ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。 The amorphous polyetherimide resin having a repeating unit represented by the structural formula (2) or (3) is composed of 4,4 ′-[isopropylidenebis (p-phenyleneoxy)] diphthalic dianhydride and p- As a polycondensate with phenylenediamine or m-phenylenediamine, it can be produced by a known method. Commercially available products of these amorphous polyetherimide resins include “Ultem 1000” (Tg: 216 ° C.), “Ultem 1010” (Tg: 216 ° C.) or “Ultem CRS 5001” (Tg 226) manufactured by General Electric. Among them, an amorphous polyetherimide resin having a repeating unit represented by the structural formula (2) is particularly preferable. In addition, polyetherimide resin (B) can be used individually or in combination of 2 or more types.
（無機充填材）
上記無機充填材としては、例えば、タルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、チタン酸塩（チタン酸カリウム等）、硫酸バリウム、アルミナ、カオリン、クレー、酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、チタン酸鉛、酸化ジルコン、酸化アンチモン、酸化マグネシウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で添加してもよく、２種類以上を組み合わせて添加してもよい。
(Inorganic filler)
Examples of the inorganic filler include talc, mica, mica, glass flake, boron nitride (BN), calcium carbonate, aluminum hydroxide, silica, titanate (potassium titanate, etc.), barium sulfate, alumina, kaolin, Examples include clay, titanium oxide, zinc oxide, zinc sulfide, lead titanate, zircon oxide, antimony oxide, and magnesium oxide. These may be added singly or in combination of two or more.
無機充填材は、熱可塑性樹脂への分散性を向上させるために、無機充填材の表面を、シリコーン系化合物、多価アルコール系化合物、アミン系化合物、脂肪酸、脂肪酸エステル等で表面処理されたものを使用することができる。その中でもシリコーン系化合物（シランカップリング剤）で処理されたものを好適に使用することができる。 Inorganic fillers are those whose surface is treated with silicone compounds, polyhydric alcohol compounds, amine compounds, fatty acids, fatty acid esters, etc. in order to improve dispersibility in thermoplastic resins. Can be used. Among them, those treated with a silicone compound (silane coupling agent) can be preferably used.
（ＭＤ及びＴＤの線膨張係数）
上記熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）は、ＭＤ及びＴＤの線膨張係数の平均値が３５×１０−６／℃以下であることが好ましい。より好適な線膨張係数の範囲は、使用する基板の種類や、表裏面に形成する回路パターン、積層構成によっても異なるが、概ね１０×１０−６〜３０×１０−６／℃程度である。また、ＭＤ、ＴＤの線膨張係数差は２０×１０−６／℃以下であることが好ましく、１５×１０−６／℃以下であることがより好ましく、さらには１０×１０−６／℃以下であることが最も好ましい。このように異方性（ＭＤ、ＴＤの線膨張係数差）を小さくさせることによって、線膨張係数が大きい方にカールや反りを生じたり、寸法安定性が不十分となったりする問題がない。
(Linear expansion coefficient of MD and TD)
The layer (A) containing the thermoplastic resin preferably has an average value of the linear expansion coefficients of MD and TD of 35 × 10 −6 / ° C. or less. A more preferable range of the linear expansion coefficient is about 10 × 10 −6 to 30 × 10 −6 / ° C., although it varies depending on the type of substrate used, the circuit pattern formed on the front and back surfaces, and the laminated configuration. Further, the difference in linear expansion coefficient between MD and TD is preferably 20 × 10 −6 / ° C. or less, more preferably 15 × 10 −6 / ° C. or less, and further 10 × 10 −6 / ° C. or less. Most preferably. By reducing the anisotropy (difference between the linear expansion coefficients of MD and TD) in this way, there is no problem of curling or warping on the larger linear expansion coefficient or insufficient dimensional stability.
基板との積層におけるカールの防止や寸法安定性を考慮して線膨張係数の値を上記範囲内にする具体的方法としては、平均粒径１５μｍ以下、かつ平均アスペクト比（平均粒径／平均厚み）３０以上の充填材１を用いる方法を挙げることができ、この充填材１としては、例えば、合成マイカ、天然マイカ（マスコバイト、フロゴパイト、セリサイト、スゾライト等）、焼成された天然又は合成のマイカ、ベーマイト、タルク、イライト、カオリナイト、モンモリロナイト、バーミキュライト、スメクタイト、及び板状アルミナ等の無機鱗片状（板状）充填材や、鱗片状チタン酸塩を挙げることができる。これらの充填材１によれば、平面方向と厚み方向の線膨張係数比を低く抑えることができる。 In consideration of prevention of curling in the lamination with the substrate and dimensional stability, a specific method for setting the value of the linear expansion coefficient within the above range is an average particle diameter of 15 μm or less and an average aspect ratio (average particle diameter / average thickness). ) A method using 30 or more fillers 1 can be mentioned. Examples of the filler 1 include synthetic mica, natural mica (mascobite, phlogopite, sericite, szolite, etc.), baked natural or synthetic Mention may be made of inorganic flaky (plate-like) fillers such as mica, boehmite, talc, illite, kaolinite, montmorillonite, vermiculite, smectite, and plate-like alumina, and flaky titanates. According to these fillers 1, the linear expansion coefficient ratio in the plane direction and the thickness direction can be kept low.
前記充填材１の含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、１０質量部以上であることが好ましく、２０質量部以上であることがより好ましく、さらには３０質量部以上であることが好ましい。上記範囲とすることで、得られるカバーレイフィルムの線膨張係数を所望の範囲にまで効果的に低下させることが可能である。 The content of the filler 1 is preferably 10 parts by mass or more, more preferably 20 parts by mass or more, and further preferably 30 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. . By setting it as the said range, it is possible to reduce effectively the linear expansion coefficient of the coverlay film obtained to a desired range.
また、光反射性を考慮した場合には、上記熱可塑性樹脂との屈折率差が大きい無機充填材２を熱可塑性樹脂に含有させることが好ましい。具体的には、屈折率が１．６以上である炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化チタン、チタン酸塩等を用いることが好ましく、特に酸化チタンを用いることが好ましい。 In consideration of light reflectivity, it is preferable that the thermoplastic resin contains the inorganic filler 2 having a large refractive index difference from the thermoplastic resin. Specifically, calcium carbonate, barium sulfate, zinc oxide, titanium oxide, titanate, or the like having a refractive index of 1.6 or more is preferably used, and titanium oxide is particularly preferably used.
前記酸化チタンは、他の無機充填材に比べて、顕著に屈折率が高く、熱可塑性樹脂との屈折率差を大きくすることができるため、他の充填材を使用した場合よりも、少ない配合量で優れた反射性を得ることができる。またフィルムを薄くしても、高い反射性を有するカバーレイフィルムを得ることができる。 The titanium oxide has a significantly higher refractive index than other inorganic fillers, and can increase the difference in refractive index from the thermoplastic resin. Therefore, the titanium oxide is less blended than when other fillers are used. Excellent reflectivity can be obtained in an amount. Even if the film is thinned, a coverlay film having high reflectivity can be obtained.
酸化チタンは、アナターゼ型やルチル型のような結晶型の酸化チタンが好ましく、その中でもベース樹脂との屈折率差が大きくなるといった観点から、ルチル型の酸化チタンが好ましい。 The titanium oxide is preferably a crystalline titanium oxide such as anatase type or rutile type. Among them, a rutile type titanium oxide is preferable from the viewpoint of a large difference in refractive index from the base resin.
また酸化チタンの製造方法は、塩素法と硫酸法があるが、白色度の点からは、塩素法で製造された酸化チタンを使用することが好ましい。 Moreover, although the manufacturing method of a titanium oxide has a chlorine method and a sulfuric acid method, it is preferable to use the titanium oxide manufactured by the chlorine method from the point of whiteness.
酸化チタンは、その表面が不活性無機酸化物で被覆処理されたものが好ましい。酸化チタンの表面を不活性無機酸化物で被覆処理することにより、酸化チタンの光触媒活性を抑制することができ、フィルムが劣化することを防ぐことができる。不活性無機酸化物としては、シリカ、アルミナ、及びジルコニアからなる群から選ばれる少なくとも１種類を用いることが好ましい。これらの不活性無機酸化物を用いれば、高い反射性を損なうことなく、高温溶融時に、熱可塑性樹脂の分子量低下や、黄変を抑制することができる。 The titanium oxide is preferably one whose surface is coated with an inert inorganic oxide. By coating the surface of titanium oxide with an inert inorganic oxide, the photocatalytic activity of titanium oxide can be suppressed, and deterioration of the film can be prevented. As the inert inorganic oxide, it is preferable to use at least one selected from the group consisting of silica, alumina, and zirconia. When these inert inorganic oxides are used, a decrease in the molecular weight of the thermoplastic resin and yellowing can be suppressed during high temperature melting without impairing high reflectivity.
また、酸化チタンは、樹脂組成物への分散性を高めるために、その表面がシロキサン化合物、シランカップリング剤等からなる群から選ばれる少なくとも１種類の無機化合物や、ポリオール、ポリエチレングリコール等からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機化合物で表面されたものが好ましい。特に耐熱性の点からは、シランカップリング剤で処理されたものが好ましい。 In addition, in order to improve dispersibility in the resin composition, titanium oxide has at least one inorganic compound selected from the group consisting of siloxane compounds, silane coupling agents, etc., a polyol, polyethylene glycol, and the like. Those surfaced with at least one organic compound selected from the group are preferred. In particular, those treated with a silane coupling agent are preferable from the viewpoint of heat resistance.
酸化チタンの粒径は、０．１〜１．０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．２〜０．５μｍである。酸化チタンの粒径が上記範囲であれば、樹脂組成物への分散性が良好で、それとの界面が緻密に形成され、高い反射性を付与することができる。 The particle size of titanium oxide is preferably 0.1 to 1.0 μm, more preferably 0.2 to 0.5 μm. When the particle size of titanium oxide is in the above range, the dispersibility in the resin composition is good, the interface with the resin composition is densely formed, and high reflectivity can be imparted.
酸化チタンの含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、１０質量部以上であることが好ましく、２０質量部以上であることがより好ましく、さらには２５質量部以上であることが最も好ましい。上記範囲内とすることで、良好な反射特性を得られ、またフィルムの厚みが薄くなっても良好な反射特性を得ることが可能である。 The content of titanium oxide is preferably 10 parts by mass or more, more preferably 20 parts by mass or more, and most preferably 25 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. By setting it within the above range, good reflection characteristics can be obtained, and good reflection characteristics can be obtained even when the thickness of the film is reduced.
［シリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）］
第１の本発明であるカバーレイフィルムは、シリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）を備えるものであり、以下に示すように、シリコーン樹脂及び無機充填材としては、何ら制限されることなく用いることができ、後述する添加剤を含有するものであっても良い。
[Layer (B) made of silicone resin containing inorganic filler]
The cover lay film according to the first aspect of the present invention includes a layer (B) formed by containing an inorganic filler in a silicone resin, and as shown below, the silicone resin and the inorganic filler are not limited. It may be used without being added, and may contain an additive to be described later.
（シリコーン樹脂）
上記シリコーン樹脂としては、特に制限されるものではなく、例えば、ケイ素原子に結合したメチル基及び／又はフェニル基を有するものを例示することができる。
(Silicone resin)
The silicone resin is not particularly limited, and examples thereof include those having a methyl group and / or a phenyl group bonded to a silicon atom.
さらに詳しくは、メチルシリコーン樹脂、メチルフェニルシリコーン樹脂を例示することができ、メチルフェニルシリコーン樹脂の場合は、メチル基及びフェニル基の含有比がＣＨ３：Ｃ６Ｈ５＝９５：５〜４０：６０の範囲であることが耐熱性の点から好ましく、ＣＨ３：Ｃ６Ｈ５＝８０：２０〜４５：５５の範囲であることがより好ましい。 More specifically, it can be exemplified by methyl silicone resin, a methylphenyl silicone resin, in the case of methyl phenyl silicone resin, containing ratio CH methyl group and a phenyl group 3: C 6 H 5 = 95 : 5~40: The range of 60 is preferable from the viewpoint of heat resistance, and the range of CH 3 : C 6 H 5 = 80: 20 to 45:55 is more preferable.
また、シリコーン樹脂としてメチル基、フェニル基の一部を変性したシリコーンを用いても良い。変性シリコーンの具体的な例としては、アルキル変性、アラルキル変性、フルオロアルキル変性、ポリエーテル変性、アミノ変性、アクリル変性、エポキシ変性などが挙げられる。 Moreover, you may use the silicone which modify | denatured some methyl groups and a phenyl group as a silicone resin. Specific examples of the modified silicone include alkyl modification, aralkyl modification, fluoroalkyl modification, polyether modification, amino modification, acrylic modification, and epoxy modification.
シリコーン樹脂としての形態は、ゴム、ミラブル、ワニス、レジン、エラストマー、ゲルなどがあるが、特に規定されるものではない。
またシリコーン樹脂を溶剤に溶かして、溶液タイプにしてもよい。溶剤には、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルアセテートなどのエステル類などがあげられるがこれに限定されるものではない。
Examples of the silicone resin include rubber, millable, varnish, resin, elastomer, and gel, but are not particularly limited.
Alternatively, a silicone resin may be dissolved in a solvent to form a solution type. Solvents include hydrocarbons such as toluene and xylene, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, ethers such as diethyl ether and tetrahydrofuran, and esters such as propylene glycol monomethyl ether acetate and ethyl acetate. Is not to be done.
シリコーン樹脂の硬化手段としては、付加型、縮合型、過酸化物硬化型等が挙げられる。縮合型としては、脱アルコール、脱酢酸、脱オキシム、脱水素型が挙げられる。これらの中でも、硬化の際に副生成物が生じない付加型のシリコーン樹脂を用いることが好ましい。 Examples of the curing means for the silicone resin include addition type, condensation type, and peroxide curing type. Examples of the condensation type include dealcohol, deacetic acid, deoxime, and dehydrogenation types. Among these, it is preferable to use an addition type silicone resin that does not generate a by-product during curing.
またシリコーン樹脂を硬化させる方法は、高温加熱する方法、硬化触媒を添加する方法、架橋剤を添加する方法などが挙げられる。硬化触媒として、アミノシラン系、ニッケル塩系、アンモニウム塩系の触媒があげられる。また、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｎなどのオクチル酸塩、ナフテン酸塩などの金属石鹸類、白金触媒などがあげられる。 Examples of the method for curing the silicone resin include a method of heating at a high temperature, a method of adding a curing catalyst, and a method of adding a crosslinking agent. Examples of the curing catalyst include aminosilane, nickel salt, and ammonium salt catalysts. Moreover, metal soaps, such as octylate and naphthenate, such as Al, Fe, Co, Mn, and Zn, platinum catalyst, etc. are mention | raise | lifted.
さらに、高温加熱する場合、例えば、１５０℃〜２５０℃で、３０分〜２時間程度加熱することで硬化することができる。上記の触媒を添加することで、１００℃〜１８０℃で、１０分〜３０分程度の加熱で硬化することができる。 Furthermore, when heating at high temperature, it can be cured by heating at 150 ° C. to 250 ° C. for about 30 minutes to 2 hours, for example. By adding said catalyst, it can harden | cure by heating for about 10 minutes-30 minutes at 100 to 180 degreeC.
（シリコーン樹脂に含有される無機充填材）
シリコーン樹脂に含有される無機充填材としては、上述した熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）と同様の無機充填材を挙げることができ、中でも上述した酸化チタンを用いることが好ましい。この酸化チタンを用いることによって、高い反射率を有するカバーレイフィルムを得ることが可能となる。
また、白色光を得るためには、現在主流である青色ＬＥＤと黄色蛍光体の他に、紫外ＬＥＤと赤、青、緑の蛍光体の組み合わせがあるが、紫外領域での反射が必要な場合は、アルミナ、硫酸バリウム、チタン酸塩等、紫外光の吸収が少ない無機充填材を１種以上使用することが好ましい。
(Inorganic filler contained in silicone resin)
Examples of the inorganic filler contained in the silicone resin include the same inorganic filler as that of the layer (A) containing the thermoplastic resin described above. Among them, the above-described titanium oxide is preferably used. By using this titanium oxide, it is possible to obtain a coverlay film having a high reflectance.
Also, in order to obtain white light, there are combinations of ultraviolet LEDs and red, blue, and green phosphors in addition to the current mainstream blue LEDs and yellow phosphors, but reflection in the ultraviolet region is required. It is preferable to use one or more inorganic fillers that absorb less ultraviolet light, such as alumina, barium sulfate, and titanate.
酸化チタン又は紫外光の吸収が少ない無機充填材の含有量は、シリコーン樹脂１００質量部に対し、１０質量部以上１５０質量部以下であることが好ましく、１５質量部以上１００質量部以下であることがより好ましく、さらには２０質量部以上７５質量部以下であることが最も好ましい。上記範囲内とすることで、良好な反射特性を得られ、またフィルムの厚みが薄くなっても良好な反射特性を得ることが可能である。 The content of the inorganic filler with little absorption of titanium oxide or ultraviolet light is preferably 10 parts by mass or more and 150 parts by mass or less, and 15 parts by mass or more and 100 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the silicone resin. Is more preferable, and most preferably 20 parts by mass or more and 75 parts by mass or less. By setting it within the above range, good reflection characteristics can be obtained, and good reflection characteristics can be obtained even when the thickness of the film is reduced.
（添加剤等）
上記熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ)やシリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）の構成成分には、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填材以外の各種添加剤、例えば、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜配合しても良い。また前記樹脂組成物の調製方法としては、特に制限されるものではなく、公知の方法を用いることができる。例えば、（ａ）各種添加剤を熱可塑性樹脂又はシリコーン樹脂などの適当なベース樹脂に高濃度（代表的な含有量としては１０〜６０重量％）に混合したマスターバッチを別途作製しておき、これを使用する樹脂に濃度を調整して混合し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法、（ｂ）使用する樹脂に直接各種添加剤をニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法などが挙げられる。上記混合方法の中では、（ａ）のマスターバッチを作製し、混合する方法が分散性や作業性の点から好ましい。さらに、フィルムの表面にはハンドリング性の改良等のために、エンボス加工やコロナ処理等を適宜施しても良い。
(Additives, etc.)
The constituent components of the layer (A) containing the thermoplastic resin and the layer (B) containing the inorganic filler in the silicone resin may contain other resins and inorganic fillers as long as the properties are not impaired. Various additives other than, for example, heat stabilizers, ultraviolet absorbers, light stabilizers, nucleating agents, colorants, lubricants, flame retardants, and the like may be appropriately blended. The method for preparing the resin composition is not particularly limited, and a known method can be used. For example, (a) separately preparing a master batch in which various additives are mixed in a suitable base resin such as a thermoplastic resin or silicone resin at a high concentration (typically 10 to 60% by weight); A method in which the concentration of the resin used is adjusted and mixed, and mechanical blending is performed using a kneader or an extruder. (B) Various additives are directly added to the resin used by a kneader or an extruder. For example, a blending method. Among the above mixing methods, the method of preparing and mixing the master batch (a) is preferable from the viewpoint of dispersibility and workability. Furthermore, the surface of the film may be appropriately subjected to embossing, corona treatment or the like for improving handling properties.
（反射率の低下率）
第１の本発明であるカバーレイフィルムは、２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを必要とし、また中でも、２６０℃で５分間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることが好ましい。
(Reduction rate of reflectivity)
The cover lay film according to the first aspect of the present invention requires that the reflectance decrease rate at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 200 ° C. for 4 hours is 10% or less, and among others, heat treatment is performed at 260 ° C. for 5 minutes. It is preferable that the rate of decrease in reflectance at a later wavelength of 470 nm is 10% or less.
上記条件の根拠について以下に記載する。ＬＥＤ搭載基板を製造する際に、導電接着剤やエポキシ、シリコーン樹脂等の封止剤の熱硬化工程（１００〜２００℃、数時間）、半田付け工程（Ｐｂフリー半田リフロー、ピーク温度２６０℃、数分間）やワイヤボンディング工程等、高熱負荷がかかる状況にある。また実際の使用環境下においても、高輝度ＬＥＤの開発が進み、基板への熱負荷は高まる傾向にあり、ＬＥＤ素子周辺温度は１００℃超になる場合もある。今後このような高熱負荷環境下においても、変色することなく、高い反射率を維持することが重要になってきている。また波長４７０ｎｍは青色ＬＥＤの平均波長である。 The grounds for the above conditions are described below. When manufacturing an LED mounting substrate, a thermosetting process (100 to 200 ° C., several hours) of a sealing agent such as a conductive adhesive, epoxy, or silicone resin, a soldering process (Pb-free solder reflow, peak temperature 260 ° C., (Several minutes) and wire bonding process, and so on. Further, even in an actual use environment, development of high-brightness LEDs has progressed, the thermal load on the substrate tends to increase, and the LED element ambient temperature may exceed 100 ° C. in some cases. In the future, it will be important to maintain a high reflectance without discoloration even under such a high heat load environment. The wavelength 470 nm is the average wavelength of the blue LED.
したがって、上記条件下（２００℃、４時間後、２６０℃、５分間後）での波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であれば、製造工程での反射率の低下を抑制することが可能であり、また、実際の使用時の反射率の低下を抑制することが可能であるため、ＬＥＤ搭載基板に好適に使用できる。より好ましくは５％以下であり、さらに好ましくは３％以下であり、特に好ましくは２％以下である。 Therefore, if the rate of decrease in reflectance at a wavelength of 470 nm under the above conditions (200 ° C., 4 hours later, 260 ° C., 5 minutes later) is 10% or less, the decrease in reflectance in the manufacturing process is suppressed. In addition, since it is possible to suppress a decrease in reflectance during actual use, it can be suitably used for an LED mounting substrate. More preferably, it is 5% or less, More preferably, it is 3% or less, Especially preferably, it is 2% or less.
（カバーレイフィルムの厚み）
第１の本発明であるカバーレイフィルムの厚みは、３〜２００μｍであることが好ましい。より好ましくは、１０〜１５０μｍであり、さらには２０〜１００μｍである。かかる範囲であれば、薄型が要求される携帯電話用バックライトや、液晶ディスプレー用バックライト用の面光源として使用されるチップＬＥＤ搭載基板の導体回路保護用カバーレイフィルムとして好適に使用することができる。
(Thickness of coverlay film)
The coverlay film according to the first aspect of the present invention preferably has a thickness of 3 to 200 μm. More preferably, it is 10-150 micrometers, Furthermore, it is 20-100 micrometers. Within such a range, it can be suitably used as a coverlay film for protecting a conductor circuit of a chip LED mounting substrate used as a surface light source for a mobile phone backlight or a liquid crystal display backlight that is required to be thin. it can.
（カバーレイフィルムの製膜方法）
第１の本発明であるカバーレイフィルムの製膜方法としては、公知の製膜方法を挙げることができ、例えば、熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）を、Ｔダイを用いる押出キャスト法やカレンダー法等で成形し、これにシリコーン樹脂と無機フィラーとを攪拌機で攪拌させてなる溶液を塗工して、シリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）を積層させる方法などを挙げることができる。Ｔダイを用いる押出キャスト法での成形温度は、組成物の流動特性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ね融点以上、４３０℃以下である。また、結晶性樹脂を使用した場合、耐熱性を付与するための結晶化処理方法は、特に限定されるものではないが、例えば、押出キャスト時に結晶化させる方法（キャスト結晶化法）や製膜ライン内で、熱処理ロールや熱風炉等により結晶化させる方法（インライン結晶化法）及び製膜ライン外で、熱風炉や熱プレス等により結晶化させる方法（アウトライン結晶化法） などを挙げることができる。
(Coverlay film forming method)
Examples of the film forming method of the cover lay film according to the first invention include a known film forming method. For example, a layer (A) containing a thermoplastic resin is extruded using a T die. A method of forming a layer (B) containing an inorganic filler on a silicone resin by applying a solution obtained by molding a silicone resin and an inorganic filler with a stirrer, by molding by a method or a calender method And so on. The molding temperature in the extrusion casting method using a T-die is appropriately adjusted depending on the flow characteristics and film forming properties of the composition, but is generally about the melting point or higher and 430 ° C. or lower. In addition, when a crystalline resin is used, a crystallization treatment method for imparting heat resistance is not particularly limited. For example, a method of crystallization at the time of extrusion casting (cast crystallization method) or film formation In-line crystallization methods using heat treatment rolls or hot-air ovens (in-line crystallization method) and out-of-film crystallization methods in hot-air ovens or hot presses (outline crystallization methods). it can.
（積層構成）
第１の本発明であるカバーレイフィルムは、少なくとも、熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）と、シリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）とを備えるものであれば良く、（Ａ）層と（Ｂ）層との間や（Ｂ）層と基板との間に、接着剤層等の他の層が介在してもよい。シリコーン樹脂との接着性を向上させるために、（Ａ）層の表面をコロナ処理、ＵＶ処理、プラズマ処理等をしてもよい。シランカップリング剤やプライマー処理を行ってもよい。
(Laminated structure)
If the coverlay film which is 1st this invention is equipped with the layer (A) which contains a thermoplastic resin at least, and the layer (B) which contains an inorganic filler in a silicone resin, at least Alternatively, another layer such as an adhesive layer may be interposed between the (A) layer and the (B) layer or between the (B) layer and the substrate. In order to improve the adhesion to the silicone resin, the surface of the layer (A) may be subjected to corona treatment, UV treatment, plasma treatment, or the like. A silane coupling agent or primer treatment may be performed.
＜発光素子搭載用基板＞
第２の本発明である発光素子搭載用基板としては、少なくとも１つ以上の発光素子を搭載する基板上に、熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）とシリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）とを有する保護層を形成してなり、該保護層は、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下のものであれば、特に制限されるものではなく、該発光素子を搭載する基板としては、例えば、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂からなる基板の少なくとも片面に金属層を積層させた金属積層体に所定の導体パターンを形成させた各種配線基板を利用することができる。このような基板上に、特定の物性を備えた、熱可塑性樹脂を含有してなる層（Ａ）とシリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（Ｂ）とを有する保護層を形成させれば、導体回路を保護することが可能となり、該保護層は、高い反射率を有することからリフレクターとしての機能をも発揮し、該基板の反射率の向上に寄与することも可能となる。
<Light emitting element mounting substrate>
The substrate for mounting a light-emitting element according to the second invention includes a layer (A) containing a thermoplastic resin and an inorganic filler in a silicone resin on a substrate on which at least one light-emitting element is mounted. And a protective layer having a layer (B) having an average reflectance of 70% or more at a wavelength of 400 to 800 nm, and a wavelength after heat treatment at 200 ° C. for 4 hours. There is no particular limitation as long as the reduction rate of the reflectance at 470 nm is 10% or less, and the substrate on which the light emitting element is mounted is, for example, at least a substrate made of a thermosetting resin or a thermoplastic resin. Various wiring boards in which a predetermined conductive pattern is formed on a metal laminate in which a metal layer is laminated on one side can be used. A protective layer having a layer (A) containing a thermoplastic resin and having a specific physical property and a layer (B) containing an inorganic filler in a silicone resin is formed on such a substrate. Then, it becomes possible to protect the conductor circuit, and since the protective layer has a high reflectance, it can also function as a reflector and contribute to an improvement in the reflectance of the substrate.
（金属層）
上記金属層としては、例えば、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、錫等の、厚さ５〜７０μｍ程度の金属箔を使用することができる。これらの中でも、金属箔としては、通常銅箔が使用され、さらに表面を黒色酸化処理等の化成処理を施したものが好適に使用される。導体箔は、接着効果を高めるために、フィルムとの接触面（重ねる面）側を予め化学的又は機械的に粗化したものを用いることが好ましい。表面粗化処理された導体箔の具体例としては、電解銅箔を製造する際に電気化学的に処理された粗化銅箔などが挙げられる。また、上記金属箔の積層方法については、接着層を介することのない熱融着方法として、加熱、加圧による方法であれば公知の方法を採用することができ、例えば、熱プレス法や熱ラミネートロール法、押出した樹脂にキャストロールで積層する押出ラミネート法、又はこれらを組み合わせた方法を好適に採用することができる。
(Metal layer)
As said metal layer, metal foil with a thickness of about 5-70 micrometers, such as copper, gold | metal | money, silver, aluminum, nickel, tin, can be used, for example. Among these, as the metal foil, a copper foil is usually used, and a metal foil having a surface subjected to chemical conversion treatment such as black oxidation treatment is preferably used. In order to enhance the adhesive effect, it is preferable to use a conductor foil that has been chemically or mechanically roughened on the contact surface (surface to be overlapped) side in advance. Specific examples of the conductor foil that has been subjected to surface roughening treatment include a roughened copper foil that has been electrochemically treated when an electrolytic copper foil is produced. As for the method for laminating the metal foil, a publicly known method can be adopted as a heat fusion method without using an adhesive layer as long as it is a method using heating and pressurization. A laminating roll method, an extrusion laminating method in which the extruded resin is laminated with a cast roll, or a method combining these can be suitably employed.
また発光素子を搭載する基板として、より放熱性が要求される場合には、銅板、アルミ板等の金属材料、窒化アルミなどのセラミック、又は黒鉛板等の熱伝導率の高い材料と複合化することにより放熱性を向上させることも可能である。例えば、アルミ板との複合基板の構成としては、アルミ板全面に、上記のような金属積層体を積層する場合や、該金属積層体にキャビティー（凹部）構造用の窓枠を抜き、積層する場合が挙げられる。使用するアルミについては、樹脂との密着性を考慮すると粗化されていることが望ましいが、キャビティー構造を考慮した場合には、ＬＥＤからの光を効率よく反射させるために鏡面アルミを用いることが好ましい。 When heat dissipation is required as a substrate on which a light emitting element is mounted, it is compounded with a metal material such as a copper plate or an aluminum plate, a ceramic such as aluminum nitride, or a material having a high thermal conductivity such as a graphite plate. It is also possible to improve heat dissipation. For example, as a composite substrate structure with an aluminum plate, the above-mentioned metal laminate is laminated on the entire surface of the aluminum plate, or a window frame for a cavity (recess) structure is removed from the metal laminate and laminated. If you want to. As for the aluminum used, it is desirable that it is roughened considering the adhesiveness with the resin, but when considering the cavity structure, mirror surface aluminum should be used to efficiently reflect the light from the LED. Is preferred.
（発光素子搭載用基板の製造方法）
第２の本発明である発光素子搭載用基板の製造方法としては、特に制限されるものではなく、両面に金属層を積層させた両面基板の場合には、例えば、図１に示す方法にしたがって製造することができる。図１に示すように、（ａ）まず、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板（１００）と、金属層となる２枚の銅箔（１０）とを用意し、（ｂ）熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板（１００）の両面に銅箔（１０）を真空プレスにより積層して金属積層体を製造し、（ｃ）銅箔（１０）をエッチング又は銅上にメッキして配線パターン（２０）を形成し、発光素子を搭載する配線基板を作製する。（ｄ）この基板に、実装する箇所を窓抜き加工した、熱可塑性樹脂を含有してなる層（３０）と、シリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（４０）とを備えてなる保護層（２００）を一括積層し（なお、ここでは第１の本発明であるカバーレイフィルムを積層させている。）、発光素子搭載用基板とする。（ｅ）その後金メッキ加工して、ＬＥＤ（３００）を実装させ、ボンディングワイヤ（５０）により配線パターン（２０）と接続させ、所定の樹脂で封止して使用する（光源装置）。なお、窓抜き加工する方法としては、特に制限されるものではなくビク型を用いる方法や、ルーター加工する方法、レーザー加工する方法等を用いることができる。また保護層の形成において、上記以外にも、フィルム状の熱可塑性樹脂からなる層（３０）を基板上に積層させた後、溶液状のシリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層（４０）を塗工させて保護層を形成しても良い。
(Manufacturing method of light emitting element mounting substrate)
The method for producing the light emitting element mounting substrate according to the second invention is not particularly limited. In the case of a double-sided substrate in which metal layers are laminated on both sides, for example, according to the method shown in FIG. Can be manufactured. As shown in FIG. 1, (a) First, a substrate (100) made of a thermoplastic resin or a thermosetting resin and two copper foils (10) to be a metal layer are prepared, and (b) thermoplasticity. A copper foil (10) is laminated on both sides of a substrate (100) made of resin or thermosetting resin by vacuum pressing to produce a metal laminate, and (c) the copper foil (10) is etched or plated on copper. Then, a wiring pattern (20) is formed, and a wiring board on which the light emitting element is mounted is manufactured. (D) The substrate is provided with a layer (30) containing a thermoplastic resin obtained by window-cutting a place to be mounted, and a layer (40) containing an inorganic filler in a silicone resin. The protective layer (200) is laminated at once (here, the cover lay film according to the first aspect of the present invention is laminated) to form a light emitting element mounting substrate. (E) After that, gold plating is performed, the LED (300) is mounted, connected to the wiring pattern (20) by the bonding wire (50), and sealed with a predetermined resin for use (light source device). In addition, the method for performing window cutting is not particularly limited, and a method using a big die, a router processing method, a laser processing method, and the like can be used. In addition to the above, in the formation of the protective layer, a layer (40) made of a film-like thermoplastic resin is laminated on the substrate, and then a layer (40) containing an inorganic filler in a solution-like silicone resin. ) May be applied to form a protective layer.
また第２の本発明である発光素子搭載用基板は、アルミ複合基板とすることもできる。例えば、図２に示すように、（ａ）熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板（１００）の片面に銅箔（１０）を積層して金属積層体を製造し、（ｂ）銅箔（１０）をエッチングして配線パターン（２０）を形成し、金メッキ加工を施して、さらに基板（１００）をビク型を用いてキャビティー枠（６０）に打ち抜き、（ｃ）窓抜き加工した保護層（２００）と配線パターン（２０）が形成された面とは反対面にアルミ板（４００）を真空プレスにより積層して発光素子搭載用基板とする。この基板に、（ｄ）ＬＥＤ（３００）を実装させ、ボンディングワイヤ（５０）により配線パターン（２０）と接続させ、所定の樹脂で封止して使用する（光源装置）。なお、キャビティー枠に打ち抜く方法としては、上記ビク型を用いる方法に制限されるものではなく、例えば、ルーター加工や、レーザーを用いて形成することもできる。なお、上記製造方法においては、片面銅箔付きフィルム（図２中（ｂ））、保護層及びアルミ板の積層を一括して行っているが、これらを逐次的に積層させ、その後に枠抜き及び導体パターンを形成することもできる。 The light emitting element mounting substrate according to the second aspect of the present invention may be an aluminum composite substrate. For example, as shown in FIG. 2, a metal laminate is manufactured by laminating a copper foil (10) on one side of a substrate (100) made of a thermoplastic resin or a thermosetting resin, and (b) a copper foil. (10) is etched to form a wiring pattern (20), gold-plated, and the substrate (100) is punched into a cavity frame (60) using a big die, and (c) a window-cut protection An aluminum plate (400) is laminated by a vacuum press on the surface opposite to the surface on which the layer (200) and the wiring pattern (20) are formed to form a light emitting element mounting substrate. (D) The LED (300) is mounted on this substrate, connected to the wiring pattern (20) with a bonding wire (50), and sealed with a predetermined resin for use (light source device). Note that the method of punching into the cavity frame is not limited to the method using the Bic die, and for example, it can be formed by router processing or using a laser. In addition, in the said manufacturing method, although lamination | stacking of the film with a single-sided copper foil ((b) in FIG. 2), a protective layer, and an aluminum plate is performed collectively, these are laminated | stacked sequentially, and frame extraction is carried out after that. A conductor pattern can also be formed.
＜光源装置＞
第３の本発明である光源装置としては、第２の本発明である発光素子搭載基板に導体回路を形成して、該基板と該基板に搭載された発光素子とを導通させ、該発光素子を樹脂封止してなるものであれば特に制限されるものではなく、保護層が形成されていることにより、導体回路を効果的に保護することが可能となり、高温熱負荷環境下や、耐光性試験環境下においても、反射率の低下を引き起こすことがないので、本発明の光源装置は、照明用、プロジェクタ光源、液晶表示装置等のバックライト装置、車載用途、携帯電話用途等の各種用途に用いることができる。
<Light source device>
As the light source device according to the third aspect of the present invention, a conductor circuit is formed on the light emitting element mounting substrate according to the second aspect of the present invention, and the light emitting element mounted on the substrate is electrically connected to the light emitting element. As long as it is made of resin-sealed, there is no particular limitation. By forming a protective layer, it is possible to effectively protect the conductor circuit, under high temperature heat load environment and light resistance. The light source device of the present invention does not cause a decrease in reflectivity even in a property test environment. Can be used.
以下、実施例及び比較例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書中に示されるフィルム等についての種々の測定値及び評価は以下のようにして求めた。 Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate in more detail, this invention is not limited to these. In addition, the various measured values and evaluation about the film etc. which are shown in this specification were calculated | required as follows.
［結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）］
示差走査熱量計「ＤＳＣ−７」（パーキンエルマー製）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１２１に準じて、試料１０ｍｇを加熱速度１０℃／分で昇温したときのサーモグラフから求めた。
[Crystal melting peak temperature (Tm)]
Using a differential scanning calorimeter “DSC-7” (manufactured by Perkin Elmer), the temperature was determined from a thermograph when 10 mg of a sample was heated at a heating rate of 10 ° C./min according to JIS K7121.
［平均反射率］
分光光度計（「Ｕ−４０００」、株式会社日立製作所製）に積分球を取りつけ、アルミナ白板の反射率が１００％としたときの反射率を、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにわたって、０．５ｎｍ間隔で測定した。得られた測定値の平均値を計算し、この値を平均反射率とした。
[Average reflectance]
An integrating sphere is attached to a spectrophotometer ("U-4000", manufactured by Hitachi, Ltd.), and the reflectance when the reflectance of the alumina white plate is 100% is measured at intervals of 0.5 nm over a wavelength range of 400 nm to 800 nm. did. The average value of the measured values obtained was calculated, and this value was taken as the average reflectance.
［加熱処理後の反射率］
得られた白色フィルムを２６０℃のピーク温度で３０分間真空プレス器にて熱処理（結晶化処理）した後に、熱風循環式オーブンに、２００℃で４時間、２６０℃で５分間加熱処理し、加熱処理後の反射率を上記の方法と同様に測定して、４７０ｎｍにおける反射率を読みとった。
[Reflectance after heat treatment]
The obtained white film was heat-treated (crystallization treatment) at a peak temperature of 260 ° C. for 30 minutes in a vacuum press, and then heat-treated in a hot-air circulating oven for 4 hours at 200 ° C. and for 5 minutes at 260 ° C. The reflectance after the treatment was measured in the same manner as described above, and the reflectance at 470 nm was read.
［線膨張係数測定］
セイコーインスツルメンツ（株）製の熱応力歪み測定装置ＴＭＡ／ＳＳ６１００を用いて、フィルムから切り出した短冊状の試験片（長さ１０ｍｍ）を引張荷重０．１ｇで固定し、３０℃から５℃／分の割合で３００℃まで昇温させ、ＭＤ（α１（ＭＤ））とＴＤ（α１（ＴＤ））の熱膨張量の降温時の３０℃〜１４０℃の温度依存性を求めた。
[Measurement of linear expansion coefficient]
Using a thermal stress strain measuring device TMA / SS6100 manufactured by Seiko Instruments Inc., a strip-shaped test piece (length: 10 mm) cut out from the film is fixed with a tensile load of 0.1 g, and from 30 ° C. to 5 ° C./min. The temperature dependence was raised to 300 ° C. at a rate of 30 ° C. to 140 ° C. when the thermal expansion amounts of MD (α1 (MD)) and TD (α1 (TD)) were lowered.
［平均粒径］
（株）島津製作所製の型式「ＳＳ−１００」の粉体比表面測定器（透過法）を用い、断面積２ｃｍ２、高さ１ｃｍの試料筒に試料３ｇを充填して、５００ｍｍ水柱で２０ｃｃの空気透過時間を計測し、これより酸化チタンの平均粒径を算出した。
[Average particle size]
Using a powder specific surface measuring instrument (transmission method) of model “SS-100” manufactured by Shimadzu Corporation, a sample tube having a cross-sectional area of 2 cm 2 and a height of 1 cm was filled with 3 g of sample, and 20 cc with a 500 mm water column. The air permeation time was measured, and the average particle size of titanium oxide was calculated from this.
ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）４０質量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ １０００）６０質量％とからなる樹脂混合物１００質量部に対して、塩素法で製造された酸化チタン（平均粒径０．２３μｍ、アルミナ処理、シランカップリング剤処理）を３０質量部、平均粒径５μｍ、平均アスペクト比５０の合成マイカを２１質量部混合して得られた樹脂組成物を溶融混練し、Ｔダイを備えた押出機を用いて設定温度３８０℃で、厚さ５０μｍのフィルムを作製した。その後、フィルム上にシリコーン樹脂（東レダウコーニング製 ＯＥ６６６５）１００質量部に対し、上記酸化チタンを６７質量部に調整した塗液を厚み５０μｍになるように塗布し、１５０℃で１時間加熱してカバーレイフィルムを作製した。 Produced by the chlorine method with respect to 100 parts by mass of a resin mixture consisting of 40% by mass of polyetheretherketone resin (PEEK450G, Tm = 335 ° C.) and 60% by mass of amorphous polyetherimide resin (Ultem 1000). A resin composition obtained by mixing 30 parts by mass of titanium oxide (average particle size 0.23 μm, alumina treatment, silane coupling agent treatment), 21 parts by mass of synthetic mica having an average particle diameter of 5 μm and an average aspect ratio of 50. A film having a thickness of 50 μm was produced at a set temperature of 380 ° C. using an extruder equipped with a melt-kneading and a T-die. Thereafter, a coating solution prepared by adjusting the titanium oxide to 67 parts by mass with respect to 100 parts by mass of a silicone resin (OE6665 made by Toray Dow Corning) on the film was applied to a thickness of 50 μm and heated at 150 ° C. for 1 hour. A coverlay film was prepared.
実施例１において、シリコーン樹脂にアルミナ（住友化学製 ＡＫＰ−３０）を６７質量部充填した以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。 In Example 1, a coverlay film was produced in the same manner except that 67 parts by mass of alumina (AKP-30 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was filled in the silicone resin.
実施例１において、シリコーン樹脂（モメンティブ製 ＴＳＲ−１１７）を６７質量部充填した以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。 A coverlay film was produced in the same manner as in Example 1 except that 67 parts by mass of silicone resin (Momentive TSR-117) was filled.
実施例１において、シリコーン樹脂（信越化学工業製 ＫＥＲ−２５００）を６７質量部充填した以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。 A coverlay film was produced in the same manner as in Example 1 except that 67 parts by mass of silicone resin (Ker-2500 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was filled.
実施例１において、シリコーン樹脂層の厚みを３０μｍとした以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。 A coverlay film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the silicone resin layer was 30 μm.
実施例１において、シリコーン樹脂層１００質量部に対し、上記酸化チタンを２５質量部に調整した以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。 In Example 1, a coverlay film was produced in the same manner except that the titanium oxide was adjusted to 25 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the silicone resin layer.
実施例１において、非晶性ポリエーテルイミド樹脂を混合せず、ポリエーテルエーテルケトン樹脂のみの樹脂組成物を使用した以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。
［比較例１］
実施例１において、シリコーン樹脂層を設けないこと以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。
A coverlay film was produced in the same manner as in Example 1 except that the amorphous polyetherimide resin was not mixed and a resin composition containing only the polyetheretherketone resin was used.
[Comparative Example 1]
In Example 1, a coverlay film was produced in the same manner except that the silicone resin layer was not provided.
表１に示した結果から分かるように、実施例１〜６においては、反射率特性、寸法安定性、及び加熱試験後の反射率変化の少ないカバーレイフィルムを得ることができた。特に実施例１、３〜６ではシリコーン樹脂層に酸化チタンを充填しているため可視光域（４００〜８００ｎｍ）に特に高い反射率を示した。
また実施例２ではシリコーン樹脂層にアルミナを充填しているため可視光域での反射率も高いが、紫外光域（３００〜４００ｎｍ）での反射率も向上している。
一方、比較例１においては、シリコーン樹脂層を設けていないため、可視光域での反射率が劣るものとなった。
As can be seen from the results shown in Table 1, in Examples 1 to 6, it was possible to obtain coverlay films with little reflectance characteristics, dimensional stability, and reflectance change after the heating test. Particularly in Examples 1 and 3 to 6, since the silicone resin layer was filled with titanium oxide, a particularly high reflectance was shown in the visible light region (400 to 800 nm).
In Example 2, since the silicone resin layer is filled with alumina, the reflectance in the visible light region is high, but the reflectance in the ultraviolet light region (300 to 400 nm) is also improved.
On the other hand, in Comparative Example 1, since the silicone resin layer was not provided, the reflectance in the visible light region was inferior.
１０ 銅箔
２０ 配線パターン
３０ 熱可塑性樹脂を含有してなる層
４０ シリコーン樹脂に無機充填材を含有してなる層
５０ ボンディングワイヤ
１００ 熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板
２００ 保護層
３００ ＬＥＤ
４００ アルミ板
DESCRIPTION OF
400 aluminum plate
Claims (9)
波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であるプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルム。 A layer (A) containing a thermoplastic resin and a layer (B) containing an inorganic filler in a silicone resin;
Cover for protecting a conductor circuit of a printed wiring board having an average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm of 70% or more and a reduction rate of the reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 200 ° C. for 4 hours is 10% or less Ray film.
該保護層は、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であり、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを特徴とする発光素子搭載用基板。 A protective layer having a layer (A) containing a thermoplastic resin and a layer (B) containing an inorganic filler in a silicone resin is formed on a substrate on which at least one light emitting element is mounted. And
The protective layer has an average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm of 70% or more, and a reflectance reduction rate at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 200 ° C. for 4 hours is 10% or less. Device mounting board.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009128391A JP5385685B2 (en) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009128391A JP5385685B2 (en) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010278168A true JP2010278168A (en) | 2010-12-09 |
| JP2010278168A5 JP2010278168A5 (en) | 2011-01-27 |
| JP5385685B2 JP5385685B2 (en) | 2014-01-08 |
Family
ID=43424874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009128391A Expired - Fee Related JP5385685B2 (en) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5385685B2 (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012224086A (en) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Evonik Degussa Gmbh | Adhesive-free composite made of polyarylene ether ketone foil and metal foil |
| JP2012244058A (en) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Du Pont Mitsui Fluorochem Co Ltd | Reflector for light emitting diode and housing |
| JP2013074129A (en) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Kuraray Co Ltd | Lcp board cover material and lcp circuit board using the same |
| JP2014017303A (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Citizen Holdings Co Ltd | Led light source device and light reflective substrate |
| JP2015134939A (en) * | 2015-05-07 | 2015-07-27 | 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 | molding |
| JP2015146469A (en) * | 2015-05-22 | 2015-08-13 | 株式会社クラレ | Lcp board cover material and lcp circuit board using the same |
| JP2015191906A (en) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 台虹科技股▲分▼有限公司 | Coating protection film having high temperature heat resistance and high reflectance for printed board |
| CN110800118A (en) * | 2017-06-29 | 2020-02-14 | 京瓷株式会社 | Circuit board and light-emitting device provided with same |
| US20220238761A1 (en) * | 2019-06-25 | 2022-07-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing same |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015897A (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | Coverlay film |
| JP2006140207A (en) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | Thermosetting resin composition for light reflection, optical semiconductor loading substrate using the same, its manufacturing method and optical semiconductor device |
| JP2006257314A (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Kuraray Co Ltd | Polyamide resin composition for molding led reflector and led reflector |
| JP2007042668A (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led light emitting device |
| JP2007297601A (en) * | 2006-04-06 | 2007-11-15 | Hitachi Chem Co Ltd | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for loading photosemiconductor device using the same, method for producing the same, and photosemiconductor device |
| JP2008169513A (en) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Teijin Ltd | Light-reflecting heat-conductive filler, light-reflecting heat-conductive resin composition, light-reflecting heat-conductive layer, light-reflecting film, electronic mounting substrate, and light-reflecting heat-conductive coverlay film |
| JP2008211036A (en) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Tamura Kaken Co Ltd | Photosensitive resin composition, solder resist composition for printed wiring board, and printed wiring board |
-
2009
- 2009-05-28 JP JP2009128391A patent/JP5385685B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015897A (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | Coverlay film |
| JP2006140207A (en) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | Thermosetting resin composition for light reflection, optical semiconductor loading substrate using the same, its manufacturing method and optical semiconductor device |
| JP2006257314A (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Kuraray Co Ltd | Polyamide resin composition for molding led reflector and led reflector |
| JP2007042668A (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led light emitting device |
| JP2007297601A (en) * | 2006-04-06 | 2007-11-15 | Hitachi Chem Co Ltd | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for loading photosemiconductor device using the same, method for producing the same, and photosemiconductor device |
| JP2008169513A (en) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Teijin Ltd | Light-reflecting heat-conductive filler, light-reflecting heat-conductive resin composition, light-reflecting heat-conductive layer, light-reflecting film, electronic mounting substrate, and light-reflecting heat-conductive coverlay film |
| JP2008211036A (en) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Tamura Kaken Co Ltd | Photosensitive resin composition, solder resist composition for printed wiring board, and printed wiring board |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012224086A (en) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Evonik Degussa Gmbh | Adhesive-free composite made of polyarylene ether ketone foil and metal foil |
| JP2012244058A (en) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Du Pont Mitsui Fluorochem Co Ltd | Reflector for light emitting diode and housing |
| JP2013074129A (en) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Kuraray Co Ltd | Lcp board cover material and lcp circuit board using the same |
| JP2014017303A (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Citizen Holdings Co Ltd | Led light source device and light reflective substrate |
| JP2015191906A (en) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 台虹科技股▲分▼有限公司 | Coating protection film having high temperature heat resistance and high reflectance for printed board |
| JP2015134939A (en) * | 2015-05-07 | 2015-07-27 | 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 | molding |
| JP2015146469A (en) * | 2015-05-22 | 2015-08-13 | 株式会社クラレ | Lcp board cover material and lcp circuit board using the same |
| CN110800118A (en) * | 2017-06-29 | 2020-02-14 | 京瓷株式会社 | Circuit board and light-emitting device provided with same |
| CN110800118B (en) * | 2017-06-29 | 2022-10-28 | 京瓷株式会社 | Circuit board and light-emitting device provided with same |
| US20220238761A1 (en) * | 2019-06-25 | 2022-07-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5385685B2 (en) | 2014-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5385685B2 (en) | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device | |
| JP5306226B2 (en) | Metal laminate, LED mounting substrate, and white film | |
| JP4709326B1 (en) | Polyimide resin composition and polyimide resin comprising the polyimide resin composition | |
| TWI446065B (en) | Metal base circuit substrate | |
| JP5230532B2 (en) | White film, metal laminate, LED mounting substrate and light source device | |
| KR101496061B1 (en) | Metal foil laminate, substrate for mounting led, and light source device | |
| JP2009302110A (en) | Cover ray film | |
| JP2010263165A (en) | Reflective substrate for led, and light emitting device | |
| CN105009692A (en) | Heat dissipating circuit board and method for manufacturing same | |
| TW201004501A (en) | Metal base circuit board | |
| JP5676785B2 (en) | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device | |
| JP2015043417A (en) | Power module metal wiring board, power module, power module board, and method for manufacturing power module metal wiring board | |
| JP2009298832A (en) | White-colored film and metal laminate | |
| KR102106176B1 (en) | Aromatic polyamide resin and Aromatic polyamide film using that | |
| TWI777939B (en) | Copper clad laminate and method of making the same | |
| JP5514702B2 (en) | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device | |
| JP2012116003A (en) | Metal laminate, board for mounting led, and light source device | |
| JP2010275404A (en) | Glass cloth-containing white film, metal laminate and substrate for led loading | |
| KR101126972B1 (en) | Releasing film for hot press processing and method for preparing the same | |
| JP2010275331A (en) | White film, metal laminate and substrate for led loading | |
| JP2010275333A (en) | White film, metal laminate and substrate for led loading | |
| CN116406331A (en) | Photosensitive laminated resin structure, dry film, cured product, and electronic component | |
| JP2011127073A (en) | Adhesive resin composition and adhesive sheet |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101201 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120126 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120126 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130124 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130502 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130910 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131004 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |