JP2010275331A - White film, metal laminate and substrate for led loading - Google Patents
White film, metal laminate and substrate for led loading Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010275331A JP2010275331A JP2009125912A JP2009125912A JP2010275331A JP 2010275331 A JP2010275331 A JP 2010275331A JP 2009125912 A JP2009125912 A JP 2009125912A JP 2009125912 A JP2009125912 A JP 2009125912A JP 2010275331 A JP2010275331 A JP 2010275331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- white film
- reflectance
- mass
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 0 CCC*(C)C(Cc(c1c2)ccc2Oc2ccc([C@@](C)(*)c(cc3)ccc3Oc(cc3C(N4c5ccc(*(C)CC)cc5)=O)ccc3C4=O)cc2)C1O Chemical compound CCC*(C)C(Cc(c1c2)ccc2Oc2ccc([C@@](C)(*)c(cc3)ccc3Oc(cc3C(N4c5ccc(*(C)CC)cc5)=O)ccc3C4=O)cc2)C1O 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
本発明は、耐熱性に優れ、異方性が低減化され、かつ高い反射率特性を備えた白色フィルム、該白色フィルムを用いた金属積層体及びＬＥＤ搭載用基板に関し、より詳細には、高温熱負荷環境下においても、反射率低下が抑制され、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）等を実装可能とする白色フィルム等に関するものである。 The present invention relates to a white film having excellent heat resistance, reduced anisotropy, and high reflectance characteristics, a metal laminate using the white film, and an LED mounting substrate. The present invention relates to a white film or the like that is capable of mounting a light emitting diode (LED) or the like, in which a decrease in reflectance is suppressed even under a thermal load environment.
プリント配線基板のパターン上に直接素子を実装し、樹脂封止されたチップタイプＬＥＤは小型化、薄型化に有利なことから、携帯電話のテンキー照明や、小型液晶ディスプレーのバックライトなど電子機器に幅広く使用されてきた。 Since chip-type LEDs that are mounted directly on the printed circuit board pattern and are resin-sealed are advantageous for miniaturization and thinning, they can be used in electronic devices such as numeric keypad lighting for mobile phones and backlights for small liquid crystal displays. Widely used.
近年、ＬＥＤの高輝度化技術の向上が著しく、ＬＥＤはより高輝度化しているが、それに伴いＬＥＤ素子自体の発熱量も増大し、プリント配線基板等周辺にかかる熱負荷も増大しており、ＬＥＤ素子周辺温度は１００℃超になる場合もあるのが現状である。またＬＥＤ搭載基板の製造工程において、封止樹脂の熱硬化処理や、鉛（Ｐｂ）フリー半田の採用が進み、リフロー工程においても、２６０〜３００℃程度の温度がかかる場合があり、高温の熱環境下にさらされる。そういった熱負荷の環境下では、従来使用されてきた熱硬化系樹脂組成物からなる白色のプリント配線基板では、黄変するなど白色度が低下し、反射効率が劣る傾向が見られ、今後の次世代高輝度ＬＥＤ搭載向け基板としては、依然改良の余地があった。また、従来の白色のプリント配線板を搭載した製品は、光照射下、特に紫外線照射下で黄変するなど白色度が低下し、反射率が劣る傾向が見られ、依然改良の余地があった。それに対し、セラミック基板については、耐熱性の点では優れているものの、硬く脆い性質から大面積、薄型化には限界があり、今後の一般照明用途や、ディスプレー用途向けの基板としては対応が困難になる可能性があり、高温熱負荷下、ＵＶ照射下で、変色しない、反射率の低下しない、大面積化に対応可能な、耐熱性を有する白色プリント配線板の開発が求められていた。
また、現在主流である白色ＬＥＤは、青色ＬＥＤ（波長４７０ｎｍ）と黄色蛍光体等から構成されており、波長４７０ｎｍの反射率が高いことが求められていた。
In recent years, the improvement in the technology for increasing the brightness of LEDs has been remarkably improved, and the LEDs have become more bright, but along with this, the amount of heat generated by the LED elements themselves has increased, and the thermal load on the periphery of the printed circuit board has increased, The LED element ambient temperature is sometimes over 100 ° C. Moreover, in the manufacturing process of the LED mounting substrate, the thermosetting treatment of the sealing resin and the use of lead (Pb) -free solder have progressed, and the reflow process may take a temperature of about 260 to 300 ° C. Exposed to the environment. Under such heat load environment, the white printed wiring board made of the thermosetting resin composition that has been used in the past has a tendency to decrease in whiteness such as yellowing and inferior reflection efficiency. There was still room for improvement as a substrate for the generation high-intensity LED mounting. In addition, products equipped with conventional white printed wiring boards have a tendency to deteriorate in whiteness, such as yellowing under light irradiation, particularly under ultraviolet irradiation, and have a tendency to have poor reflectance, and there is still room for improvement. . On the other hand, ceramic substrates are superior in heat resistance, but they are hard and brittle, so there is a limit to reducing the area and thickness due to their hard and brittle nature, making it difficult to handle as a substrate for future general lighting and display applications. There has been a demand for the development of a white printed wiring board having heat resistance that does not change color, does not decrease reflectance, and can cope with a large area under high-temperature heat load and UV irradiation.
Further, white LEDs, which are currently mainstream, are composed of blue LEDs (wavelength 470 nm), yellow phosphors, and the like, and are required to have a high reflectance at a wavelength of 470 nm.
これらの問題に対し、特許文献１には、熱可塑性樹脂１００重量部、特定の珪素化合物０．００１〜１０重量部、及び平均粒径０．０５〜１．０μｍで、アルミナ水和物、ケイ酸水和物から選ばれた少なくとも１種の化合物で表面処理された結晶形態がルチル形の酸化チタン０．０５〜２５重量部からなる熱可塑性樹脂組成物について記載され、該熱可塑性樹脂組成物からなる成形品（具体的には、前記熱可塑性樹脂組成物を射出成形させた１００×１００×２ｍｍの角板）は、９０％程度と高い反射率で、かつ分散性、表面外観、機械的強度に優れ、幅広い産業分野で好適に使用できる旨の記載がある。 In order to solve these problems, Patent Document 1 discloses that 100 parts by weight of a thermoplastic resin, 0.001 to 10 parts by weight of a specific silicon compound, and 0.05 to 1.0 μm in average particle diameter are used. A thermoplastic resin composition comprising 0.05 to 25 parts by weight of rutile titanium oxide whose surface is treated with at least one compound selected from acid hydrates is described, and the thermoplastic resin composition (Specifically, a 100 × 100 × 2 mm square plate obtained by injection-molding the thermoplastic resin composition) has a high reflectivity of about 90%, dispersibility, surface appearance, and mechanical properties. There is a description that it is excellent in strength and can be suitably used in a wide range of industrial fields.
また特許文献２には、面倒な工程を必要とせず、かつ高い反射率を有する、照明や表示装置等に使用される反射体として、結晶性樹脂に、平均粒径０．０５μｍ〜５μｍの白色顔料、及び平均粒径が０．５μｍ〜１０ｍｍの無機フィラーを含む樹脂組成物からなる表面粗さが０．５〜５０μｍである反射体が記載されており、例えば、ポリアリールケトン、酸化チタン及びガラス繊維を含有させた樹脂組成物を射出成形させた３ｃｍ角１ｍｍの角板が開示されている。 Patent Document 2 discloses a white material having an average particle diameter of 0.05 μm to 5 μm as a reflector used in lighting, a display device or the like that does not require a troublesome process and has a high reflectance. A reflector having a surface roughness of 0.5 to 50 μm made of a resin composition containing a pigment and an inorganic filler having an average particle diameter of 0.5 μm to 10 mm is described, for example, polyaryl ketone, titanium oxide, and A 3 cm square 1 mm square plate in which a resin composition containing glass fiber is injection-molded is disclosed.
また特許文献３には、特定のポリアミド樹脂１００質量部に対して、酸化チタンを５〜１００質量部、水酸化マグネシウムを０．５〜３０質量部、及び繊維状充填材や針状充填材等の強化剤を２０〜１００質量部含有するＬＥＤリフレクター成形用ポリアミド樹脂組成物について記載されており、具体的には、前記ポリアミド樹脂組成物を射出成形させた厚さ１ｍｍ、幅４０ｍｍ、長さ１００ｍｍの板が開示されている。前記樹脂組成物からなるリフレクターは、熱負荷下（１７０℃で２時間）でも、波長４７０ｎｍの反射率が低下せずに、高い白色度が維持される。 Patent Document 3 discloses that 5 to 100 parts by mass of titanium oxide, 0.5 to 30 parts by mass of magnesium hydroxide, and fibrous fillers and needle-like fillers with respect to 100 parts by mass of a specific polyamide resin. The polyamide resin composition for molding an LED reflector containing 20 to 100 parts by mass of the reinforcing agent is described. Specifically, the polyamide resin composition is injection-molded with a thickness of 1 mm, a width of 40 mm, and a length of 100 mm. A plate is disclosed. The reflector made of the resin composition maintains high whiteness without decreasing the reflectance at a wavelength of 470 nm even under a heat load (2 hours at 170 ° C.).
さらに、特許文献４には、シアン酸エステル化合物とノボラック型エポキシ樹脂と二酸化チタンの含有する樹脂組成物と基材からなるプリプレグ及び銅張積層板が開示されている。 Further, Patent Document 4 discloses a prepreg and a copper-clad laminate comprising a resin composition containing a cyanate ester compound, a novolac-type epoxy resin and titanium dioxide, and a base material.
上記特許文献１〜３には、熱可塑性樹脂組成物に酸化チタン等を添加して、反射率を高めた成型品について開示されているものの、いずれも具体的に開示されている形態は射出成形された成型品のみであって、フィルム状に加工され、耐熱性等が改善された白色フィルムについては検討されてはいない。また、特許文献４記載の銅張積層板は、従来の基板に比べ、熱負荷下（１８０℃１時間）での反射率の低下は抑えられているが（８０％から６４％に低下）、今後ＬＥＤが高輝度化していき、またＰｂフリーの半田リフロー工程を考慮すると、より高温環境下での耐熱性が充分とはいえない。 Although the above Patent Documents 1 to 3 disclose a molded article in which a titanium oxide or the like is added to a thermoplastic resin composition to increase the reflectance, all of the disclosed forms are injection molded. A white film that is only a molded product that has been processed into a film and has improved heat resistance or the like has not been studied. Moreover, although the copper clad laminated board of patent document 4 is suppressing the fall of the reflectance under a heat load (180 degreeC 1 hour) compared with the conventional board | substrate (it falls from 80% to 64%), Considering the Pb-free solder reflow process in the future, the LED will become brighter, and it cannot be said that the heat resistance in a higher temperature environment is sufficient.
そこで、本発明の課題は、耐熱性が高く、可視光領域（特に波長４７０ｎｍ）において反射率が高く、及び高温熱負荷環境下における反射率の低下が少ない、大面積化に対応可能な、ＬＥＤ実装用プリント配線基板に使用可能な白色フィルム、該白色フィルムを用いてなる金属積層体及びＬＥＤ搭載用基板を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is an LED that has high heat resistance, high reflectivity in the visible light region (especially wavelength 470 nm), and little reduction in reflectivity under a high temperature heat load environment, and can cope with a large area. It is providing the white film which can be used for the printed wiring board for mounting, the metal laminated body which uses this white film, and the board | substrate for LED mounting.
本発明者等は、先に耐熱性が高く、可視光領域において反射率が高く、高温熱負荷環境下における反射率の低下が少ない白色フィルム及び金属積層体等を見出している（特願２００７−３０９０３５）。またＵＶ照射下における反射率の低下が少ない白色フィルム及び金属積層体等も見出している（特願２００８−１５１５４７）。これらの白色フィルムは、その特性から、Ｐｂフリー耐熱性を有するＬＥＤ実装用プリント配線基板として好適に使用することができるものであるが、いずれも反射率（特に波長４７０ｎｍにおける反射率）の観点からは必ずしも満足できるものではなかった。 The present inventors have previously found a white film, a metal laminate, and the like that have high heat resistance, high reflectance in the visible light region, and little reduction in reflectance under a high-temperature heat load environment (Japanese Patent Application No. 2007- 309035). In addition, a white film and a metal laminate with little decrease in reflectance under UV irradiation have been found (Japanese Patent Application No. 2008-151547). Although these white films can be suitably used as a printed wiring board for LED mounting having Pb-free heat resistance due to their characteristics, both are from the viewpoint of reflectivity (particularly reflectivity at a wavelength of 470 nm). Was not always satisfactory.
そこで、反射率の問題点をさらに改良すべく、熱可塑性樹脂の構成材料に着目して、鋭意検討した結果、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性ポリアリールエーテルケトン樹脂（Ａ）と、下記構造式（１）の繰返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）とを含有してなる樹脂組成物１００質量部に対し、無機充填材２５〜１００質量部を含有する組成物を用いることによって、高い反射率（特に波長４７０ｎｍにおける反射率）を有し、耐熱性が高く、高温熱負荷環境下でも反射率の低下が少ない白色フィルムを得ることができること、及びこの白色フィルムがＬＥＤ実装用プリント配線基板として好適に利用可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。 Therefore, as a result of diligent investigation focusing on the constituent material of the thermoplastic resin in order to further improve the problem of reflectance, the crystalline polyaryletherketone resin (A) having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher, A composition containing 25 to 100 parts by weight of an inorganic filler with respect to 100 parts by weight of a resin composition containing an amorphous polyetherimide resin (B) having a repeating unit of the following structural formula (1) By using it, it is possible to obtain a white film having high reflectance (particularly reflectance at a wavelength of 470 nm), high heat resistance, and little reduction in reflectance even under a high temperature heat load environment, and this white film is an LED. The present invention has been completed by finding that it can be suitably used as a printed wiring board for mounting.
すなわち、第１の本発明は、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性ポリアリールエーテルケトン樹脂（Ａ）と、下記構造式（１）の繰返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）とを含有してなる樹脂組成物１００質量部に対し、無機充填材２５〜１００質量部を含有する組成物からなり、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であり、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを特徴とする白色フィルムである。 That is, the first present invention relates to a crystalline polyaryletherketone resin (A) having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher and an amorphous polyetherimide resin (B) having a repeating unit of the following structural formula (1). ) With respect to 100 parts by mass of the resin composition, the average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm is 70% or more, and 200 ° C. The white film is characterized in that the rate of decrease in reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment for 4 hours is 10% or less.
第１の本発明において、前記樹脂組成物は、前記結晶性ポリアリールエーテルケトン樹脂（Ａ）８０〜２０質量％と、前記非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）２０〜８０質量％とからなることが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the resin composition comprises 80 to 20% by mass of the crystalline polyaryletherketone resin (A) and 20 to 80% by mass of the amorphous polyetherimide resin (B). It is preferable.
また第１の本発明において、無機充填材は、平均粒径１５μｍ以下、かつ平均アスペクト比３０以上の充填材を少なくとも含有することが好ましく、また無機充填材は、少なくとも酸化チタンを含有することが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the inorganic filler preferably contains at least a filler having an average particle diameter of 15 μm or less and an average aspect ratio of 30 or more, and the inorganic filler preferably contains at least titanium oxide. preferable.
第１の本発明において、ＭＤ及びＴＤの線膨張係数の平均値は、３５×１０−６／℃以下であることが好ましく、フィルムの厚みは、３〜５００μｍであることが好ましい。 In 1st this invention, it is preferable that the average value of the linear expansion coefficient of MD and TD is 35x10 < -6 > / degrees C or less, and it is preferable that the thickness of a film is 3-500 micrometers.
さらに第１の本発明において、２６０℃で５分間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率は、１０％以下であることが好ましい。 Furthermore, in the first aspect of the present invention, it is preferable that the rate of decrease in reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 5 minutes is 10% or less.
第２の本発明は、第１の本発明の白色フィルムの少なくとも片面に、金属層を積層してなる金属積層体である。 2nd this invention is a metal laminated body formed by laminating | stacking a metal layer on the at least single side | surface of the white film of 1st this invention.
第３の本発明は、第２の本発明の金属積層体を用いてなるＬＥＤ搭載用基板である。 3rd this invention is a board | substrate for LED mounting formed using the metal laminated body of 2nd this invention.
本発明によると、可視光領域（特に波長４７０ｎｍ）において反射率が高く、耐熱性が高く、寸法安定性に優れ、かつ高温熱負荷環境下における反射率の低下が少ない白色フィルム、及び該白色フィルムを用いてなる金属積層体を提供することができ、これらはその特性から、ＬＥＤ実装用プリント配線基板に好適に使用可能なものである。 According to the present invention, a white film having a high reflectance in the visible light region (particularly a wavelength of 470 nm), high heat resistance, excellent dimensional stability, and little reduction in reflectance under a high-temperature heat load environment, and the white film The metal laminated body which uses can be provided, These can be used suitably for the printed wiring board for LED mounting from the characteristic.
以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明の範囲がこの実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, although embodiment of this invention is described, the scope of the present invention is not limited to this embodiment.
＜白色フィルム＞
第１の本発明である白色フィルムとしては、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性ポリアリールエーテルケトン樹脂（Ａ）と、下記構造式（１）の繰返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）とを含有してなる樹脂組成物１００質量部に対し、無機充填材２５〜１００質量部を含有する組成物からなり、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であり、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下のものであれば、特に制限されず、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）として、下記構造式（１）の繰返し単位を有する樹脂を用いることで、特に波長４７０ｎｍにおける反射率が高く、かつ高温熱負荷環境下における反射率の低下が極めて少ないという、優れた効果を奏することができる。
The white film according to the first aspect of the present invention includes a crystalline polyaryletherketone resin (A) having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher, and an amorphous polyetherimide having a repeating unit of the following structural formula (1) It consists of a composition containing 25 to 100 parts by mass of an inorganic filler with respect to 100 parts by mass of the resin composition containing the resin (B), and the average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm is 70% or more, And if the reflectance reduction | decrease rate in wavelength 470nm after heat-processing for 4 hours at 200 degreeC is a thing of 10% or less, it will not restrict | limit, As amorphous polyetherimide resin (B), following Structural formula (1) ), The reflectance is particularly high at a wavelength of 470 nm, and the reduction in reflectance under a high-temperature heat load environment is extremely small. Effect can be achieved was.
上記のとおり、第１の本発明である白色フィルムは、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であることを必要とするが、これは可視光領域の反射率が高いほど、搭載するＬＥＤの輝度が高くなる傾向があり、上記範囲であれば、白色ＬＥＤ搭載向け基板として好適に利用可能であるからである。また、青色ＬＥＤの平均波長（４７０ｎｍ）に対応した４７０ｎｍ付近の反射率が高いほど輝度が高くなる傾向があるため、４７０ｎｍにおける反射率が７０％以上であることがより好ましく、反射率が７５％以上であることがより好ましい。 As above-mentioned, although the white film which is 1st this invention requires that the average reflectance in wavelength 400-800nm is 70% or more, this is mounted, so that the reflectance of visible region is high. This is because the brightness of the LED tends to be high, and if it is in the above range, it can be suitably used as a substrate for mounting a white LED. Moreover, since there exists a tendency for a brightness | luminance to become high so that the reflectance of 470 nm vicinity corresponding to the average wavelength (470 nm) of blue LED is high, it is more preferable that the reflectance in 470 nm is 70% or more, and a reflectance is 75%. More preferably.
（樹脂組成物）
第１の本発明である白色フィルムを構成する樹脂組成物は、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性ポリアリールエーテルケトン樹脂（Ａ）と、構造式（１）の繰返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）とを含有してなるものであるが、前記結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性ポリアリールエーテルケトン樹脂（Ａ）としては、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ：Ｔｇ ＝１４５℃、Ｔｍ＝３３５℃）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ：Ｔｇ＝１６５℃、Ｔｍ＝３５５℃）等が挙げられる。上記範囲の結晶性ポリアリールエーテルケトン樹脂を用いることによって、Ｐｂフリー半田リフローに対する耐熱性を有することが可能である。また、高熱環境下での酸化劣化を防止し、反射率の低下を抑えることが可能である。
(Resin composition)
The resin composition constituting the white film according to the first aspect of the present invention comprises an amorphous polyaryletherketone resin (A) having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher and a repeating unit of the structural formula (1). The crystalline polyaryletherketone resin (A) having a crystalline melting peak temperature of 260 ° C. or higher is, for example, polyetheretherketone (PEEK). : Tg = 145 ° C., Tm = 335 ° C.), polyether ketone (PEK: Tg = 165 ° C., Tm = 355 ° C.) and the like. By using a crystalline polyaryletherketone resin in the above range, it is possible to have heat resistance against Pb-free solder reflow. In addition, it is possible to prevent oxidative deterioration in a high heat environment and suppress a decrease in reflectance.
前記ポリアリールエーテルケトン樹脂（Ａ）は、その構造単位に芳香族核結合、エーテル結合及びケトン結合を含む熱可塑性樹脂である。その具体例としては、ポリエーテルケトン（ガラス転移温度〔以下、「Ｔｇ」という〕：１５７℃、結晶融解ピーク温度〔以下、「Ｔｍ」という〕：３７３℃）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｔｇ：１４３℃、Ｔｍ：３３４℃）、ポリエーテルエーテルケトンケトン（Ｔｇ：１５３℃、Ｔｍ：３７０℃）等を挙げることができる。これらの中でも、耐熱性向上の観点から、結晶性を示し、Ｔｍが２６０℃以上、特に３００〜３８０℃のものが好ましい。また、本発明の効果を阻害しない限り、ビフェニル構造、スルホニル基等又はその他の繰り返し単位を含むものであってもよい。 The polyaryl ether ketone resin (A) is a thermoplastic resin having an aromatic nucleus bond, an ether bond and a ketone bond in its structural unit. Specific examples thereof include polyether ketone (glass transition temperature [hereinafter referred to as “Tg”]: 157 ° C., crystal melting peak temperature (hereinafter referred to as “Tm”]: 373 ° C.), polyether ether ketone (Tg: 143 C, Tm: 334 ° C.), polyether ether ketone ketone (Tg: 153 ° C., Tm: 370 ° C.), and the like. Among these, from the viewpoint of improving heat resistance, crystallinity is exhibited, and Tm of 260 ° C. or higher, particularly 300 to 380 ° C. is preferable. Moreover, as long as the effect of this invention is not inhibited, you may contain a biphenyl structure, a sulfonyl group, etc., or another repeating unit.
前記ポリアリールエーテルケトン樹脂（Ａ）の中でも、下記構造式（２）で表される繰り返し単位を有するポリエーテルエーテルケトンを主成分とするポリアリールエーテルケトン樹脂（Ａ）が特に好ましく用いられる。ここで主成分とは、その含有量が５０質量％を超えることを意味する。市販されているポリエーテルエーテルケトンとしては、ＶＩＣＴＲＥＸ社製の商品名「ＰＥＥＫ１５１Ｇ」（Ｔｇ：１４３℃、Ｔｍ：３３４℃）、「ＰＥＥＫ３８１Ｇ」（Ｔｇ：１４３℃、Ｔｍ：３３４℃）、「ＰＥＥＫ４５０Ｇ」（Ｔｇ：１４３℃、Ｔｍ：３３４℃）等を挙げることができる。なお、ポリアリールケトン系樹脂（Ａ）は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
上記非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）は、下記構造式（１）で表される繰り返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂であり、市販品としては、ゼネラルエレクトリック社製の商品名「Ｕｌｔｅｍ ＣＲＳ５００１」（Ｔｇ：２２６℃）、「Ｕｌｔｅｍ ＵＦ５０１１Ｓ」（Ｔｇ２２６℃）等が挙げられる。
本発明の白色フィルムに、金属層を積層させて金属積層体としたりすることを考慮した場合においては、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上である結晶性ポリアリールケトン樹脂（Ａ）８０〜２０重量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）２０〜８０重量％とからなる樹脂組成物を用いることがより好ましい。また前記結晶性ポリアリールケトン樹脂（Ａ）を３０質量％以上７５質量％以下とすることがより好ましく、４０質量％以上７０質量％以下とすることが最も好ましい。ポリアリールケトン樹脂の含有率の上限を前記範囲内とすることで、白色フィルムを構成する樹脂組成物の結晶性が高くなるのを抑えることができ、金属と積層する際の密着性の低下を防ぐことができる。また、ポリアリールケトン樹脂の含有率の下限を前記範囲内とすることで、白色フィルムを構成する熱可塑性樹脂組成物の結晶性が低くなるのを抑えることができ、多層化して作製した多層基板のリフロー耐熱性の低下を防ぐことができる。 In consideration of laminating a metal layer on the white film of the present invention to form a metal laminate, the crystalline polyaryl ketone resin (A) having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher is 80 to 20 wt. % And an amorphous polyetherimide resin (B) 20 to 80% by weight is more preferably used. The crystalline polyaryl ketone resin (A) is more preferably 30% by mass to 75% by mass, and most preferably 40% by mass to 70% by mass. By setting the upper limit of the content of the polyaryl ketone resin within the above range, it is possible to suppress an increase in crystallinity of the resin composition constituting the white film, and to reduce the adhesion when laminating with a metal. Can be prevented. In addition, by setting the lower limit of the content of the polyaryl ketone resin within the above range, it is possible to prevent the crystallinity of the thermoplastic resin composition constituting the white film from being lowered, and a multilayer substrate produced by multilayering Reflow heat resistance can be prevented from decreasing.
（無機充填材）
第１の本発明である白色フィルムに含有される無機充填材としては、例えば、タルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、チタン酸塩（チタン酸カリウム等）、硫酸バリウム、アルミナ、カオリン、クレー、酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、チタン酸鉛、酸化ジルコン、酸化アンチモン、酸化マグネシウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で添加してもよく、２種類以上を組み合わせて添加してもよい。
(Inorganic filler)
Examples of the inorganic filler contained in the white film of the first invention include talc, mica, mica, glass flake, boron nitride (BN), calcium carbonate, aluminum hydroxide, silica, and titanate (titanium). Potassium oxide, etc.), barium sulfate, alumina, kaolin, clay, titanium oxide, zinc oxide, zinc sulfide, lead titanate, zircon oxide, antimony oxide, magnesium oxide and the like. These may be added singly or in combination of two or more.
無機充填材は、熱可塑性樹脂への分散性を向上させるために、無機充填材の表面を、シリコン系化合物、多価アルコール系化合物、アミン系化合物、脂肪酸、脂肪酸エステル等で表面処理されたものを使用することができる。その中でもシリコン系化合物（シランカップリング剤）で処理されたものを好適に使用することができる。 Inorganic fillers are those whose surface is treated with silicon compounds, polyhydric alcohol compounds, amine compounds, fatty acids, fatty acid esters, etc., in order to improve dispersibility in thermoplastic resins. Can be used. Among them, those treated with a silicon compound (silane coupling agent) can be preferably used.
第１の本発明である白色フィルムは、ＭＤ（フィルムの流れ方向）及びＴＤ（流れ方向と直交する方向）の線膨張係数の平均値を３５×１０−６／℃以下とすることが好ましい。線膨張係数をこのような範囲内とすることで、寸法安定性に優れ、かつ反射率が高く、また高温熱負荷環境下における反射率の低下が極めて少ないという、優れた効果を奏することができる。 The white film according to the first aspect of the present invention preferably has an average value of linear expansion coefficients of MD (film flow direction) and TD (direction orthogonal to the flow direction) of 35 × 10 −6 / ° C. or less. By setting the linear expansion coefficient within such a range, it is possible to achieve an excellent effect that the dimensional stability is excellent, the reflectance is high, and the reflectance is hardly reduced under a high-temperature heat load environment. .
反射率及び線膨張係数の値を前記範囲内にする具体的方法としては、樹脂組成物１００質量部に対して、平均粒径１５μｍ以下、かつ平均アスペクト比（平均粒径／平均厚み）３０以上の充填材１と、ベース樹脂となる結晶性ポリアリールエーテルケトン樹脂（Ａ）及び／又は非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）との屈折率差の大きい充填材２（概ね充填材２の屈折率が１．６以上）とを少なくとも含有する無機充填材を２５〜１００質量部用いる方法を挙げることができる。無機充填材が２５質量部より少ないと、反射率と線膨張係数のバランスを取ることが困難になり好ましくなく、１００質量部を超えると、無機充填材の分散性不良や、フィルムの成形時に破断するといった成形性に問題が生じる場合があり好ましくない。このように、無機充填材として、上記で特定された物性値を有する各種充填材（充填材１及び充填材２）を含有させることによって、良好な反射率と異方性のない寸法安定性に優れた白色フィルムを得ることができる。 As a specific method for setting the values of the reflectance and the linear expansion coefficient within the above ranges, the average particle size is 15 μm or less and the average aspect ratio (average particle size / average thickness) is 30 or more with respect to 100 parts by mass of the resin composition. The filler 2 having a large refractive index difference between the filler 1 and the crystalline polyaryletherketone resin (A) and / or the amorphous polyetherimide resin (B) as the base resin (generally the refraction of the filler 2). And a method using 25 to 100 parts by mass of an inorganic filler containing at least a ratio of 1.6 or more. When the amount of the inorganic filler is less than 25 parts by mass, it is difficult to balance the reflectance and the linear expansion coefficient, and when it exceeds 100 parts by mass, the inorganic filler is poorly dispersible or breaks when the film is formed. This may cause problems in moldability, and is not preferable. Thus, by including various fillers (filler 1 and filler 2) having the physical property values specified above as inorganic fillers, good reflectivity and dimensional stability without anisotropy are achieved. An excellent white film can be obtained.
上記平均粒径１５μｍ以下、かつ平均アスペクト比（平均粒径／平均厚み）３０以上の充填材１としては、例えば、合成マイカ、天然マイカ（マスコバイト、フロゴパイト、セリサイト、スゾライト等）、焼成された天然又は合成のマイカ、ベーマイト、タルク、イライト、カオリナイト、モンモリロナイト、バーミキュライト、スメクタイト、及び板状アルミナ等の無機鱗片状（板状）充填材や、鱗片状チタン酸塩を挙げることができる。これらの充填材１によれば、平面方向と厚み方向の線膨張係数比を低く抑えることができる。また、光反射性を考慮した場合には、鱗片状チタン酸塩が、屈折率が高いためより好ましい。なお、前記充填材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。アスペクト比の高い鱗片状充填材を用いることにより、フィルムへの透湿（吸湿）を抑えることができ、熱可塑性樹脂の高熱環境下での酸化劣化を防止し、反射率の低下を抑えることが可能であり、またフィルムの剛性も向上し、より薄型の基板に使用することが可能である。 Examples of the filler 1 having an average particle size of 15 μm or less and an average aspect ratio (average particle size / average thickness) of 30 or more are, for example, synthetic mica, natural mica (mascobite, phlogopite, sericite, szolite, etc.), fired. In addition, inorganic scale-like (plate-like) fillers such as natural or synthetic mica, boehmite, talc, illite, kaolinite, montmorillonite, vermiculite, smectite, and plate-like alumina, and scale-like titanates can be mentioned. According to these fillers 1, the linear expansion coefficient ratio in the plane direction and the thickness direction can be kept low. In consideration of light reflectivity, scaly titanate is more preferable because of its high refractive index. In addition, the said filler can be used individually or in combination of 2 or more types. By using a scaly filler with a high aspect ratio, moisture permeation (moisture absorption) to the film can be suppressed, oxidation deterioration of the thermoplastic resin in a high heat environment can be prevented, and reduction in reflectance can be suppressed. In addition, the rigidity of the film is improved and it can be used for a thinner substrate.
上記充填材１の含有量は、樹脂組成物１００質量部に対し、１０質量部以上であることが好ましく、２０質量部以上であることがより好ましく、さらには３０質量部以上であることが好ましい。上記範囲であれば、得られる白色フィルムの線膨張係数を所望の範囲にまで低下させることが可能である。 The content of the filler 1 is preferably 10 parts by mass or more, more preferably 20 parts by mass or more, and further preferably 30 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin composition. . If it is the said range, it is possible to reduce the linear expansion coefficient of the white film obtained to a desired range.
上記充填材２は、上記ベース樹脂との屈折率差が大きい無機充填材である。すなわち、無機充填材として屈折率が大きいもの、基準としては１．６以上の無機充填材が好ましい。具体的には、屈折率が１．６以上である炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化チタン、チタン酸塩等を用いることが好ましく、特に酸化チタンを用いることが好ましい。 The filler 2 is an inorganic filler having a large refractive index difference from the base resin. That is, an inorganic filler having a large refractive index and a reference inorganic filler of 1.6 or more are preferable. Specifically, calcium carbonate, barium sulfate, zinc oxide, titanium oxide, titanate, or the like having a refractive index of 1.6 or more is preferably used, and titanium oxide is particularly preferably used.
酸化チタンは、他の無機充填材に比べて、顕著に屈折率が高く、上記ベース樹脂との屈折率差を大きくすることができるため、他の充填材を使用した場合よりも、少ない配合量で優れた反射性を得ることができる。またフィルムを薄くしても、高い反射性を有する白色フィルムを得ることができる。 Titanium oxide has a significantly higher refractive index than other inorganic fillers, and can increase the difference in refractive index from the base resin. Therefore, the amount of titanium oxide is smaller than when other fillers are used. Excellent reflectivity can be obtained. Even if the film is thinned, a white film having high reflectivity can be obtained.
酸化チタンは、アナターゼ型やルチル型のような結晶型の酸化チタンが好ましく、その中でもベース樹脂との屈折率差が大きくなるといった観点から、ルチル型の酸化チタンが好ましい。 The titanium oxide is preferably a crystalline titanium oxide such as anatase type or rutile type. Among them, a rutile type titanium oxide is preferable from the viewpoint of a large difference in refractive index from the base resin.
また酸化チタンの製造方法は、塩素法と硫酸法があるが、白色度の点からは、塩素法で製造された酸化チタンを使用することが好ましい。 Moreover, although the manufacturing method of a titanium oxide has a chlorine method and a sulfuric acid method, it is preferable to use the titanium oxide manufactured by the chlorine method from the point of whiteness.
酸化チタンは、その表面が不活性無機酸化物で被覆処理されたものが好ましい。酸化チタンの表面を不活性無機酸化物で被覆処理することにより、酸化チタンの光触媒活性を抑制することができ、フィルムが劣化することを防ぐことができる。不活性無機酸化物としては、シリカ、アルミナ、及びジルコニアからなる群から選ばれる少なくとも１種類を用いることが好ましい。これらの不活性無機酸化物を用いれば、高い反射性を損なうことなく、高温溶融時に、熱可塑性樹脂の分子量低下や、黄変を抑制することができる。 The titanium oxide is preferably one whose surface is coated with an inert inorganic oxide. By coating the surface of titanium oxide with an inert inorganic oxide, the photocatalytic activity of titanium oxide can be suppressed, and deterioration of the film can be prevented. As the inert inorganic oxide, it is preferable to use at least one selected from the group consisting of silica, alumina, and zirconia. When these inert inorganic oxides are used, a decrease in the molecular weight of the thermoplastic resin and yellowing can be suppressed during high temperature melting without impairing high reflectivity.
また、酸化チタンは、ベース樹脂への分散性を高めるために、その表面がシロキサン化合物、シランカップリング剤等からなる群から選ばれる少なくとも１種類の無機化合物や、ポリオール、ポリエチレングリコール等からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機化合物で表面されたものが好ましい。特に耐熱性の点からは、シランカップリング剤で処理されたものが好ましい。 In addition, in order to enhance dispersibility in the base resin, titanium oxide has a surface made of at least one inorganic compound selected from the group consisting of siloxane compounds, silane coupling agents, etc., a group consisting of polyol, polyethylene glycol, and the like. Those which are surfaced with at least one organic compound selected from In particular, those treated with a silane coupling agent are preferable from the viewpoint of heat resistance.
酸化チタンの粒径は、０．１〜１．０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．２〜０．５μｍである。酸化チタンの粒径が上記範囲であれば、熱可塑性樹脂への分散性が良好で、それとの界面が緻密に形成され、高い反射性を付与することができる。 The particle size of titanium oxide is preferably 0.1 to 1.0 μm, more preferably 0.2 to 0.5 μm. When the particle size of titanium oxide is in the above range, the dispersibility in the thermoplastic resin is good, the interface with it is densely formed, and high reflectivity can be imparted.
酸化チタンの含有量は、樹脂組成物１００質量部に対し、１５質量部以上であることが好ましく、２０質量部以上であることがより好ましく、さらには２５質量部以上であることが最も好ましい。上記範囲内であれば、良好な反射特性を得られ、またフィルムの厚みが薄くなっても良好な反射特性を得ることが可能である。 The content of titanium oxide is preferably 15 parts by mass or more, more preferably 20 parts by mass or more, and most preferably 25 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin composition. Within the above range, good reflection characteristics can be obtained, and good reflection characteristics can be obtained even when the film is thin.
上記充填材１と充填材２の組み合わせとしては、反射率と線膨張係数のバランスを取る上で、上記酸化チタンと鱗片状の無機充填材を適宜配合することが好ましい。 As a combination of the filler 1 and the filler 2, it is preferable that the titanium oxide and the scale-like inorganic filler are appropriately blended in order to balance the reflectance and the linear expansion coefficient.
（反射率の低下率）
本発明の白色フィルムは、２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを必要とし、また中でも、２６０℃で５分間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることが好ましい。
(Reduction rate of reflectivity)
The white film of the present invention requires that the reflectance decrease rate at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 200 ° C. for 4 hours is 10% or less, and among others, at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 5 minutes. It is preferable that the reflectance decrease rate is 10% or less.
上記条件の根拠について以下に記載する。ＬＥＤ搭載基板を製造する際に、導電接着剤やエポキシ、シリコン樹脂等の封止剤の熱硬化工程（１００〜２００℃、数時間）、半田付け工程（Ｐｂフリー半田リフロー、ピーク温度２６０℃、数分間）やワイヤボンディング工程等、高熱負荷がかかる状況にある。また実際の使用環境下においても、高輝度ＬＥＤの開発が進み、基板への熱負荷は高まる傾向にあり、ＬＥＤ素子周辺温度は１００℃超になる場合もある。今後このような高熱負荷環境下においても、変色することなく、高い反射率を維持することが重要になってきている。また波長４７０ｎｍは青色ＬＥＤの平均波長である。 The grounds for the above conditions are described below. When manufacturing an LED mounting substrate, a thermosetting process (100 to 200 ° C., several hours) of a sealing agent such as a conductive adhesive, epoxy, or silicon resin, soldering process (Pb-free solder reflow, peak temperature 260 ° C., (Several minutes) and wire bonding process, and so on. Further, even in an actual use environment, development of high-brightness LEDs has progressed, the thermal load on the substrate tends to increase, and the LED element ambient temperature may exceed 100 ° C. in some cases. In the future, it will be important to maintain a high reflectance without discoloration even under such a high heat load environment. The wavelength 470 nm is the average wavelength of the blue LED.
したがって、上記条件下（２００℃、４時間後、２６０℃、５分間後）での波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であれば、製造工程での反射率の低下を抑制することが可能であり、また実際の使用時の反射率の低下を抑制することが可能であるため、ＬＥＤ搭載基板として好適に使用できる。より好ましくは５％以下であり、さらに好ましくは３％以下であり、特に好ましくは２％以下である。 Therefore, if the rate of decrease in reflectance at a wavelength of 470 nm under the above conditions (200 ° C., 4 hours later, 260 ° C., 5 minutes later) is 10% or less, the decrease in reflectance in the manufacturing process is suppressed. In addition, since it is possible to suppress a decrease in reflectance during actual use, it can be suitably used as an LED mounting substrate. More preferably, it is 5% or less, More preferably, it is 3% or less, Especially preferably, it is 2% or less.
（白色フィルムの厚み）
第１の本発明の白色フィルムの厚みは、３〜５００μｍであることが好ましい。より好ましくは、１０〜３００μｍであり、さらには２０〜１００μｍである。かかる範囲であれば、薄型が要求される携帯電話用バックライトや、液晶ディスプレー用バックライト用の面光源として使用されるチップＬＥＤとして好適に使用することができる。
(White film thickness)
The thickness of the white film of the first invention is preferably 3 to 500 μm. More preferably, it is 10-300 micrometers, Furthermore, it is 20-100 micrometers. Within such a range, it can be suitably used as a chip LED used as a surface light source for a cellular phone backlight or a liquid crystal display backlight that is required to be thin.
（添加剤等）
第１の本発明の白色フィルムを構成する組成物には、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填材以外の各種添加剤、例えば、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜配合しても良い。また本発明の樹脂組成物の調製方法としては、特に制限されるものではなく、公知の方法を用いることができる。例えば、（ａ）各種添加剤をポリアリールケトン樹脂及び／又は非晶性ポリエーテルイミド樹脂などの適当なベース樹脂に高濃度（代表的な含有量としては１０〜６０重量％）に混合したマスターバッチを別途作製しておき、これを使用する樹脂に濃度を調整して混合し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法、（ｂ）使用する樹脂に直接各種添加剤をニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法などが挙げられる。上記混合方法の中では、（ａ）のマスターバッチを作製し、混合する方法が分散性や作業性の点から好ましい。さらに、フィルムの表面にはハンドリング性の改良等のために、エンボス加工やコロナ処理等を適宜施しても良い。
(Additives, etc.)
In the composition constituting the white film of the first invention, various additives other than other resins and inorganic fillers, such as heat stabilizers, ultraviolet absorbers, and light stabilizers, are added to such an extent that the properties are not impaired. Further, a nucleating agent, a coloring agent, a lubricant, a flame retardant and the like may be appropriately blended. Moreover, it does not restrict | limit especially as a preparation method of the resin composition of this invention, A well-known method can be used. For example, (a) a master obtained by mixing various additives in a suitable base resin such as a polyaryl ketone resin and / or an amorphous polyetherimide resin at a high concentration (typically 10 to 60% by weight). A batch is prepared separately, the concentration is adjusted and mixed with the resin to be used, and mechanically blended with a kneader or an extruder. (B) Various additives are directly kneaded with the resin to be used. Or a mechanical blending method using an extruder or the like. Among the above mixing methods, the method of preparing and mixing the master batch (a) is preferable from the viewpoint of dispersibility and workability. Furthermore, the surface of the film may be appropriately subjected to embossing, corona treatment or the like for improving handling properties.
（白色フィルムの製膜方法）
第１の本発明の白色フィルムの製膜方法としては、公知の方法、例えばＴダイを用いる押出キャスト法やカレンダー法等を採用することができ、特に限定されるものではないが、シートの製膜性や安定生産性等の面から、Ｔダイを用いる押出キャスト法が好ましい。Ｔダイを用いる押出キャスト法での成形温度は、組成物の流動特性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ね融点以上、４３０℃以下である。また結晶性樹脂を使用した場合、耐熱性を付与するための結晶化処理方法は、特に限定されるものではないが、例えば、押出キャスト時に結晶化させる方法（キャスト結晶化法）や製膜ライン内で、熱処理ロールや熱風炉等により結晶化させる方法（インライン結晶化法）及び製膜ライン外で、熱風炉や熱プレス等により結晶化させる方法（アウトライン結晶化法） などを挙げることができる。
(Method for forming white film)
As a method for forming the white film of the first present invention, a known method such as an extrusion casting method using a T-die or a calendar method can be employed, and although not particularly limited, From the viewpoint of film properties and stable productivity, an extrusion casting method using a T die is preferable. The molding temperature in the extrusion casting method using a T-die is appropriately adjusted depending on the flow characteristics and film forming properties of the composition, but is generally about the melting point or higher and 430 ° C. or lower. In addition, when a crystalline resin is used, the crystallization treatment method for imparting heat resistance is not particularly limited. For example, a method of crystallization at the time of extrusion casting (cast crystallization method) or a film production line Among them, there can be mentioned a method of crystallization by a heat treatment roll or a hot air furnace (inline crystallization method) and a method of crystallization by a hot air furnace or hot press outside the film forming line (outline crystallization method). .
＜金属積層体＞
第２の本発明である金属積層体としては、上記白色フィルムの少なくとも片面に金属層を積層したものであれば特に制限されず、金属層としては、例えば、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、錫等の、厚さ５〜７０μｍ程度の金属箔を使用することができる。これらの中でも、金属箔としては、通常銅箔が使用され、さらに表面を黒色酸化処理等の化成処理を施したものが好適に使用される。導体箔は、接着効果を高めるために、フィルムとの接触面（重ねる面）側を予め化学的又は機械的に粗化したものを用いることが好ましい。表面粗化処理された導体箔の具体例としては、電解銅箔を製造する際に電気化学的に処理された粗化銅箔などが挙げられる。
<Metal laminate>
The metal laminate according to the second invention is not particularly limited as long as a metal layer is laminated on at least one surface of the white film. Examples of the metal layer include copper, gold, silver, aluminum, nickel. A metal foil having a thickness of about 5 to 70 μm, such as tin, can be used. Among these, as the metal foil, a copper foil is usually used, and a metal foil having a surface subjected to chemical conversion treatment such as black oxidation treatment is preferably used. In order to enhance the adhesive effect, it is preferable to use a conductor foil that has been chemically or mechanically roughened on the contact surface (surface to be overlapped) side in advance. Specific examples of the conductor foil that has been subjected to surface roughening treatment include a roughened copper foil that has been electrochemically treated when an electrolytic copper foil is produced.
上記金属箔の積層方法については、接着層を介することのない熱融着方法として、加熱、加圧による方法であれば公知の方法を採用することができ、特に限定されるものではないが、例えば、熱プレス法や熱ラミネートロール法、押出した樹脂にキャストロールで積層する押出ラミネート法、又はこれらを組み合わせた方法を好適に採用することができる。 As for the method for laminating the metal foil, a known method can be adopted as a heat fusion method without interposing an adhesive layer as long as it is a method by heating and pressurization, and is not particularly limited. For example, a hot pressing method, a hot laminating roll method, an extrusion laminating method in which the extruded resin is laminated with a cast roll, or a method combining these can be suitably employed.
＜ＬＥＤ搭載用基板＞
本発明のＬＥＤ搭載用基板としては、上記金属積層体を用いてなるものであれば、特に制限されることはなく、例えば、両面基板やアルミ板との複合基板が挙げられる。従来の熱硬化系樹脂からなる白色基板は、ガラスクロスを含有しているため、製造工程において、ボイド（気泡）が残りやすい等の問題が生じたり、薄型化は難しく、またセラミック基板においても、硬く脆い性質から薄型化は困難であるが、本発明の白色フィルム及びそれからなる金属積層体を使用することにより、より薄型化が可能であり、薄型化の要求が激しい携帯電話のバックライト用基板として好適に使用可能である。また充填材として、特定の物性値を有する各種充填材（充填材１及び充填材２）を含有させることにより、反射特性、寸法安定性、剛性のバランスの取れた両面基板を提供することが可能である。
<LED mounting board>
The substrate for mounting LED according to the present invention is not particularly limited as long as it uses the metal laminate, and examples thereof include a double-sided substrate and a composite substrate with an aluminum plate. The conventional white substrate made of thermosetting resin contains glass cloth, so problems such as voids (bubbles) tend to remain in the manufacturing process, thinning is difficult, and even in ceramic substrates, Although it is difficult to reduce the thickness due to its hard and brittle nature, it is possible to reduce the thickness by using the white film of the present invention and a metal laminate comprising the same. Can be preferably used. In addition, by incorporating various fillers (filler 1 and filler 2) having specific physical properties as fillers, it is possible to provide a double-sided substrate with a balance of reflection characteristics, dimensional stability, and rigidity. It is.
また、ＬＥＤの高輝度化に伴い、より放熱性が要求される場合には、アルミ板と複合化することにより放熱性を向上させることも可能である。アルミ板との複合基板の構成としては、アルミ板全面に本発明の白色フィルムからなる金属積層体を積層する場合や、本発明の白色フィルムからなる金属積層体にキャビティー（凹部）構造用の窓枠を抜き、積層する場合が挙げられる。使用するアルミについては、熱可塑性樹脂との密着性を考慮すると粗化されていることが望ましいが、キャビティー構造を考慮した場合には、ＬＥＤからの光を効率よく反射させるために鏡面アルミを用いることが好ましい。また放熱性を向上させる点においては、フィルムの厚みは薄い方が好ましい。 In addition, in the case where more heat dissipation is required with the increase in luminance of the LED, it is possible to improve the heat dissipation by combining with an aluminum plate. As a structure of the composite substrate with the aluminum plate, when the metal laminate made of the white film of the present invention is laminated on the entire surface of the aluminum plate, or for the cavity (concave) structure on the metal laminate made of the white film of the present invention. The case where a window frame is extracted and laminated | stacked is mentioned. The aluminum to be used is preferably roughened in consideration of adhesion to the thermoplastic resin, but when considering the cavity structure, mirror surface aluminum is used to efficiently reflect the light from the LED. It is preferable to use it. In terms of improving heat dissipation, it is preferable that the thickness of the film is thin.
本発明のＬＥＤ搭載用基板の製造方法としては、特に制限されるものではなく、両面基板の場合には、例えば、図１に示す方法にしたがって製造することができる。図１に示すように、（ａ）まず、白色フィルム（１００）と、金属層となる２枚の銅箔（１０）とを用意し、（ｂ）白色フィルム（１００）の両面に銅箔（１０）を真空プレスにより積層して金属積層体を製造し、（ｃ）銅箔（１０）をエッチング又は銅上にメッキして配線パターン（２０）を形成してＬＥＤ搭載用基板とする。この基板に、（ｄ）ＬＥＤ（２００）を実装させ、ボンディングワイヤ（３０）により導体パターン（２０）と接続させて使用する（ＬＥＤ搭載基板）。 The method for producing the LED mounting substrate of the present invention is not particularly limited, and in the case of a double-sided substrate, for example, it can be produced according to the method shown in FIG. As shown in FIG. 1, (a) First, a white film (100) and two copper foils (10) to be a metal layer are prepared, and (b) a copper foil (100) on both sides of the white film (100). 10) is laminated by a vacuum press to produce a metal laminate, and (c) a copper foil (10) is etched or plated on copper to form a wiring pattern (20) to form an LED mounting substrate. (D) The LED (200) is mounted on this substrate, and is used by being connected to the conductor pattern (20) by the bonding wire (30) (LED mounting substrate).
また、アルミ板（金属放熱部）との複合基板の場合には、例えば、図２及び３に示す方法にしたがって製造することができる。図２に示すように、（ａ）白色フィルム（１００）の片面に銅箔（１０）を積層して金属積層体を製造し、（ｂ）銅箔（１０）をエッチングして配線パターン（２０）を形成し、（ｃ）配線パターン（２０）が形成された面とは反対面にアルミ板（３００）を真空プレスにより積層してＬＥＤ搭載用基板とする。この基板に、（ｄ）ＬＥＤ（２００）を実装させ、ボンディングワイヤ（３０）により導体パターン（２０）と接続させて使用する（ＬＥＤ搭載基板）。なお、前記アルミ板との積層方法については、真空プレス法に制限されず、例えば、上述した金属箔との積層方法と同様の方法を挙げることができる。 Moreover, in the case of a composite substrate with an aluminum plate (metal radiating part), it can be manufactured, for example, according to the method shown in FIGS. As shown in FIG. 2, (a) a copper foil (10) is laminated on one side of a white film (100) to produce a metal laminate, and (b) the copper foil (10) is etched to form a wiring pattern (20 And (c) an aluminum plate (300) is laminated on the surface opposite to the surface on which the wiring pattern (20) is formed by vacuum pressing to form an LED mounting substrate. (D) The LED (200) is mounted on this substrate, and is used by being connected to the conductor pattern (20) by the bonding wire (30) (LED mounting substrate). In addition, about the lamination | stacking method with the said aluminum plate, it is not restrict | limited to a vacuum press method, For example, the method similar to the lamination | stacking method with the metal foil mentioned above can be mentioned.
さらに、図３に示すように、（ａ）白色フィルム（１００）の片面に銅箔（１０）を積層して金属積層体を製造し、（ｂ）銅箔（１０）をエッチングして配線パターン（２０）を形成し、さらに白色フィルム（１００）をビク型を用いてキャビティー枠に打ち抜き（４０）、（ｃ）配線パターン（２０）が形成された面とは反対面にアルミ板（３００）を真空プレスにより積層してＬＥＤ搭載用基板とする。この基板に、（ｄ）ＬＥＤ（２００）を実装させ、ボンディングワイヤ（３０）により導体パターン（２０）と接続させて使用する（ＬＥＤ搭載基板）。なお、キャビティー枠に打ち抜く方法としては、上記ビク型を用いる方法に制限されるものではなく、例えば、レーザーを用いて形成することもできる。
［実施例］
Furthermore, as shown in FIG. 3, (a) a copper laminate (10) is laminated on one side of the white film (100) to produce a metal laminate, and (b) the copper foil (10) is etched to form a wiring pattern. (20) is formed, and the white film (100) is punched into the cavity frame using a big die (40). (C) The aluminum plate (300) is formed on the surface opposite to the surface on which the wiring pattern (20) is formed. ) Are laminated by a vacuum press to obtain an LED mounting substrate. (D) The LED (200) is mounted on this substrate, and is used by being connected to the conductor pattern (20) by the bonding wire (30) (LED mounting substrate). Note that the method of punching into the cavity frame is not limited to the method using the Bic die, and for example, it can be formed using a laser.
[Example]
以下、実施例及び比較例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate in more detail, this invention is not limited to these.
なお、本明細書中に示されるフィルム等についての種々の測定値及び評価は以下のようにして求めた。 In addition, the various measured values and evaluation about the film etc. which are shown in this specification were calculated | required as follows.
［結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）］
示差走査熱量計「ＤＳＣ−７」（パーキンエルマー製）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１２１に準じて、試料１０ｍｇを加熱速度１０℃／分で昇温したときのサーモグラフから求めた。
[Crystal melting peak temperature (Tm)]
Using a differential scanning calorimeter “DSC-7” (manufactured by Perkin Elmer), the temperature was determined from a thermograph when 10 mg of a sample was heated at a heating rate of 10 ° C./min according to JIS K7121.
［平均反射率］
分光光度計（「Ｕ−４０００」、株式会社日立製作所製）に積分球を取りつけ、アルミナ白板の反射率が１００％としたときの反射率を、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにわたって、０．５ｎｍ間隔で測定した。得られた測定値の平均値を計算し、この値を平均反射率とした。また、波長４６０ｎｍ、４７０ｎｍ、４８０ｎｍでの反射率も表１に示した。
[Average reflectance]
An integrating sphere is attached to a spectrophotometer ("U-4000", manufactured by Hitachi, Ltd.), and the reflectance when the reflectance of the alumina white plate is 100% is measured at intervals of 0.5 nm over a wavelength range of 400 nm to 800 nm. did. The average value of the measured values obtained was calculated, and this value was taken as the average reflectance. Table 1 also shows the reflectance at wavelengths of 460 nm, 470 nm, and 480 nm.
［加熱処理後の反射率］
得られた白色フィルムを２６０℃のピーク温度で３０分間真空プレス器にて熱処理（結晶化処理）した後に、熱風循環式オーブンに、２００℃で４時間、２６０℃で５分間加熱処理し、加熱処理後の反射率を上記の方法と同様に測定して、波長４６０ｎｍ、４７０ｎｍ、４８０ｎｍにおける反射率を読みとった。結果を表１に示した。
[Reflectance after heat treatment]
The obtained white film was heat-treated (crystallization treatment) at a peak temperature of 260 ° C. for 30 minutes in a vacuum press, and then heat-treated in a hot-air circulating oven at 200 ° C. for 4 hours and 260 ° C. for 5 minutes. The reflectance after the treatment was measured in the same manner as described above, and the reflectance at wavelengths of 460 nm, 470 nm, and 480 nm was read. The results are shown in Table 1.
［線膨張係数測定］
セイコーインスツルメンツ（株）製の熱応力歪み測定装置ＴＭＡ／ＳＳ６１００を用いて、フィルムから切り出した短冊状の試験片（長さ１０ｍｍ）を引張荷重０．１ｇで固定し、３０℃から５℃／分の割合で３００℃まで昇温させ、ＭＤ（α１（ＭＤ））とＴＤ（α１（ＴＤ））の熱膨張量の降温時の３０℃〜１４０℃の温度依存性を求めた。
[Measurement of linear expansion coefficient]
Using a thermal stress strain measuring device TMA / SS6100 manufactured by Seiko Instruments Inc., a strip-shaped test piece (length: 10 mm) cut out from the film is fixed with a tensile load of 0.1 g, and from 30 ° C. to 5 ° C./min. The temperature dependence was raised to 300 ° C. at a rate of 30 ° C. to 140 ° C. when the thermal expansion amounts of MD (α1 (MD)) and TD (α1 (TD)) were lowered.
［平均粒径］
（株）島津製作所製の型式「ＳＳ−１００」の粉体比表面測定器（透過法）を用い、断面積２ｃｍ２、高さ１ｃｍの試料筒に試料３ｇを充填して、５００ｍｍ水柱で２０ｃｃの空気透過時間を計測し、これより酸化チタンの平均粒径を算出した。
[Average particle size]
Using a powder specific surface measuring instrument (transmission method) of model “SS-100” manufactured by Shimadzu Corporation, a sample tube having a cross-sectional area of 2 cm 2 and a height of 1 cm was filled with 3 g of sample, and 20 cc with a 500 mm water column. The air permeation time was measured, and the average particle size of titanium oxide was calculated from this.
ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）４０質量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ ＵＦ５０１１Ｓ）６０質量％とからなる樹脂混合物１００質量部に対して、塩素法で製造された酸化チタン（平均粒径０．２３μｍ、アルミナ処理、シランカップリング剤処理）を３０質量部、平均粒径５μｍ、平均アスペクト比５０の合成マイカを２１質量部混合して得られた組成物を溶融混練し、Ｔダイを備えた押出機を用いて設定温度３８０℃で、厚さ１００μｍのフィルムを作製した。その評価結果を表１に示す。 Produced by the chlorine method with respect to 100 parts by mass of a resin mixture consisting of 40% by mass of polyetheretherketone resin (PEEK450G, Tm = 335 ° C.) and 60% by mass of amorphous polyetherimide resin (Ultem UF5011S). Melting a composition obtained by mixing 30 parts by mass of titanium oxide (average particle size 0.23 μm, alumina treatment, silane coupling agent treatment), 21 parts by mass of synthetic mica having an average particle diameter of 5 μm and an average aspect ratio of 50 A film having a thickness of 100 μm was prepared at a preset temperature of 380 ° C. using an extruder equipped with a T-die. The evaluation results are shown in Table 1.
実施例１において、酸化チタンを６７質量部に変更した以外は実施例１と同様にして、厚さ１００μｍのフィルムを作製した。その評価結果を表１に示す。 A film having a thickness of 100 μm was produced in the same manner as in Example 1 except that titanium oxide was changed to 67 parts by mass in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.
実施例１と同様の組成物を溶融混練し、押し出すと同時に、片側から銅箔（１２μ）をラミネーションして、片面銅箔１２μｍ、樹脂厚さ１００μｍの片面銅箔フィルムを作製した。その評価結果を表１に示す。測定は片面銅箔を全面エッチングし、その後実施例１と同様に測定した。なお反射率はエッチング面を測定した。 A composition similar to that of Example 1 was melt-kneaded and extruded, and at the same time, a copper foil (12 μm) was laminated from one side to prepare a single-sided copper foil film having a single-sided copper foil of 12 μm and a resin thickness of 100 μm. The evaluation results are shown in Table 1. The measurement was performed in the same manner as in Example 1 after etching the entire surface of the single-sided copper foil. The reflectance was measured on the etched surface.
実施例１と同様に１００μｍのフィルムを作製し、その後、真空プレス器にて、３００℃ピーク温度、保持時間３０分、５ＭＰａの条件下で、フィルムの両面に銅箔１２μｍを積層し、樹脂厚さ１００μｍの両面銅箔フィルムを作製した。その評価結果を表１に示す。測定は、両面銅箔を全面エッチングし、その後実施例１と同様に測定した。 A 100 μm film was prepared in the same manner as in Example 1, and then a 12 μm copper foil was laminated on both sides of the film under a condition of 300 ° C. peak temperature, holding time of 30 minutes, 5 MPa in a vacuum press. A double-sided copper foil film having a thickness of 100 μm was prepared. The evaluation results are shown in Table 1. The measurement was performed in the same manner as in Example 1 after etching the entire surface of the double-sided copper foil.
実施例３で製造された金属積層体（片面銅張フィルム）をエッチング後、キャビティー枠に打ち抜いてキャビティー用穴を形成し、鏡面アルミと３００℃、５ＭＰａ、３０分で真空プレスにて積層して、ＬＥＤ搭載用基板を製造した。得られた基板を、ＰＣＴ（プレッシャークッカテスト）にて、１２１℃、２気圧、２時間の条件で吸湿後、所定温度に加熱した半田浴に、２０秒間浸漬したところ、２４０℃以上でも膨れがなく、鏡面アルミと金属積層体との密着性が良好であった。
［比較例１］
After etching the metal laminate (single-sided copper-clad film) produced in Example 3, it is punched into a cavity frame to form a cavity hole, and laminated with mirror surface aluminum at 300 ° C., 5 MPa, 30 minutes in a vacuum press. And the board | substrate for LED mounting was manufactured. The obtained substrate was absorbed by a PCT (pressure cooker test) under conditions of 121 ° C., 2 atm and 2 hours, and then immersed in a solder bath heated to a predetermined temperature for 20 seconds. The adhesion between the mirror aluminum and the metal laminate was good.
[Comparative Example 1]
実施例１において、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ １０００）を変更した以外は実施例１と同様にして厚さ１００μｍのフィルムを作製した。その評価結果を表１に示す。なお、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ １０００）とは、下記式（３）で表され、上記式（２）とは、構造式の繰り返し単位中でイミド環とベンゼン環の結合形式（式（２）がパラ結合、式（３）がメタ結合）が異なるものである。
実施例２において、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ １０００）を変更した以外は実施例１と同様にして厚さ１００μｍのフィルムを作製した。その評価結果を表１に示す。
表１の結果より、実施例１〜４においては、反射率及び加熱処理後の反射率に優れ、またＬＥＤ搭載用基板としての耐熱性が優れることも確認された。さらに実施例１、３及び４では、線膨張係数が低く寸法安定性に優れることが確認された。
一方、非晶性ポリエーテルイミド樹脂が異なる実施例１に対応した比較例１は、反射率が劣ることが確認された。また同じく非晶性ポリエーテルイミド樹脂が異なる実施例２に対応した比較例２も同様に反射率が劣ることが確認された。
特に実施例１及び２と比較例１及び２との比較から分かるように、本発明の白色フィルは、青色ＬＥＤの平均波長である４７０ｎｍ付近での反射率が高いことが確認された。
From the results of Table 1, in Examples 1 to 4, it was confirmed that the reflectance and the reflectance after the heat treatment were excellent and the heat resistance as an LED mounting substrate was excellent. Further, in Examples 1, 3 and 4, it was confirmed that the linear expansion coefficient was low and the dimensional stability was excellent.
On the other hand, it was confirmed that Comparative Example 1 corresponding to Example 1 in which the amorphous polyetherimide resin was different was inferior in reflectance. Similarly, it was confirmed that the comparative example 2 corresponding to the example 2 in which the amorphous polyetherimide resin is different is also inferior in reflectance.
As can be seen from the comparison between Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, in particular, it was confirmed that the white fill of the present invention has a high reflectance near 470 nm, which is the average wavelength of blue LEDs.
１０ 銅箔
２０ 導体パターン
３０ ボンディングワイヤ
１００ 白色フィルム
２００ ＬＥＤ
３００ アルミ板
10
300 Aluminum plate
Claims (9)
波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であり、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを特徴とする白色フィルム。
A white film having an average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm of 70% or more and a reduction rate of the reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 200 ° C. for 4 hours is 10% or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009125912A JP2010275331A (en) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | White film, metal laminate and substrate for led loading |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009125912A JP2010275331A (en) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | White film, metal laminate and substrate for led loading |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010275331A true JP2010275331A (en) | 2010-12-09 |
Family
ID=43422605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009125912A Pending JP2010275331A (en) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | White film, metal laminate and substrate for led loading |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010275331A (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001040380A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | Resin composition and flexible printed circuit board |
| JP2006008986A (en) * | 2004-03-31 | 2006-01-12 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | Thermoplastic resin film and its production method |
| JP2007197715A (en) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Nippon Talc Co Ltd | Heat resistant resin composition and print wiring board |
| JP2008169237A (en) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Toyobo Co Ltd | White polyimide film |
| JP2009298832A (en) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Mitsubishi Plastics Inc | White-colored film and metal laminate |
-
2009
- 2009-05-26 JP JP2009125912A patent/JP2010275331A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001040380A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | Resin composition and flexible printed circuit board |
| JP2006008986A (en) * | 2004-03-31 | 2006-01-12 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | Thermoplastic resin film and its production method |
| JP2007197715A (en) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Nippon Talc Co Ltd | Heat resistant resin composition and print wiring board |
| JP2008169237A (en) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Toyobo Co Ltd | White polyimide film |
| JP2009298832A (en) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Mitsubishi Plastics Inc | White-colored film and metal laminate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5306226B2 (en) | Metal laminate, LED mounting substrate, and white film | |
| JP5177319B2 (en) | Metal substrate and light source device | |
| JP4881445B2 (en) | Multilayer wiring board having a cavity portion | |
| TWI446065B (en) | Metal base circuit substrate | |
| JP5385685B2 (en) | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device | |
| JP2009302110A (en) | Cover ray film | |
| JP5230532B2 (en) | White film, metal laminate, LED mounting substrate and light source device | |
| TWI526301B (en) | A metal foil laminate, an LED mounting substrate, and a light source device | |
| TW201004501A (en) | Metal base circuit board | |
| JP2009298832A (en) | White-colored film and metal laminate | |
| JP2010263165A (en) | Reflective substrate for led, and light emitting device | |
| JP5676785B2 (en) | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device | |
| JP2010275404A (en) | Glass cloth-containing white film, metal laminate and substrate for led loading | |
| JP5514702B2 (en) | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device | |
| JP2010275331A (en) | White film, metal laminate and substrate for led loading | |
| JP2012116003A (en) | Metal laminate, board for mounting led, and light source device | |
| JP2010280747A (en) | Reflector and substrate for led loading | |
| JP2010275333A (en) | White film, metal laminate and substrate for led loading | |
| JP2017174806A (en) | Flexible substrate for led edge light | |
| JP2018147969A (en) | Flexible substrate, and led edge light using the same | |
| JP2017092422A (en) | Mounting structure of led light-emitting element on microfoaming resin sheet substrate, and microfoaming resin sheet substrate for led lighting equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120126 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120126 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130618 |