JP2010269943A - シリコン多結晶インゴットおよびシリコン多結晶ウェハー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インゴットの底部または表面付近に{110}近傍または{112}近傍上面方位を有する複数のデンドライト結晶を含み、隣り合うデンドライト結晶の主鎖成長方向の相対方位角度が0〜45°もしくは135〜180°に制御されている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態のシリコン(Si)多結晶インゴットの表面近傍の模式図であり、デンドライト結晶の主鎖成長方向を矢印で示している。ルツボ内に入れたSi融液を、デンドライト結晶が発現する過冷却度10K以上のさまざまな条件に保持し、複数のデンドライト結晶を内包する多結晶を成長させた。得られた多結晶の組織を後方電子線散乱回折(EBSP)法により調べたところ、デンドライト結晶の上面は{110}または{112}から10°以内の範囲にあった。また、樹枝状の形態を有するデンドライト結晶の中心部である主鎖の成長方向は、ランダムに分布していた。そのため、隣り合うデンドライト結晶の主鎖の成長方向の相対角度は、0〜180°の範囲でランダムに分布していた。
cm-2と3倍に増加した。この結果は、成長の初期段階で、二本のデンドライト結晶の、主鎖成長方向の相対角度を適切に制御して成長を行うことにより、インゴット内の結晶欠陥の発生を効果的に抑制できることを示している。
Claims (2)
- 底部または表面付近に、{110}近傍または{112}近傍上面方位を有する複数のデンドライト結晶を含み、隣り合うデンドライト結晶の主鎖成長方向の相対方位角度が0〜45°もしくは135〜180°に制御されていることを、特徴とするシリコン多結晶インゴット。
- 請求項1記載のシリコン多結晶インゴットを、底面に平行にスライスした面を表面とすることを、特徴とするシリコン多結晶ウェハー。
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JP2009051720A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-03-12 | Tohoku Univ | Siバルク多結晶インゴットの製造方法 |
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