JP2010267777A - ナノインプリントモールド用基材の処理方法およびそれを用いたナノインプリントモールドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】厚さが4mm以下の透明な基材の裏面側あるいは内部に、基材の表面側から入射した光が基材の裏面で反射して表面側に出射するのを防止する反射防止部を形成し、基材の表面上にレジスト膜を形成して電子線描画装置内のステージ上に基材裏面がステージと対向するように配置し、基材に対して高さ検出光を照射し基材表面で反射された反射光を検出して基材の高さを検出し、検出した基材の表面位置に適するように電子線のフォーカス位置を制御しながらレジスト膜に対して電子線を照射して所望のパターン潜像を形成し、このレジスト膜を現像して得たレジストパターンをマスクとして基材に凹凸パターンを形成する。
【選択図】 図9
Description
従来のナノインプリントモールドの製造方法の一例として、次のような工程を挙げることができる。(1)まず基材を準備し、(2)その基材上に例えばレジスト膜を形成し、(3)このレジスト膜に対してg線、h線、i線と呼ばれる波長の短い紫外線を用いたマスク露光によってパターン潜像を作成し、(4)そのパターン潜像を現像してできるレジストパターンをマスクとして基材をエッチングして微細な凹凸構造を得る。そして、パターン寸法が微細化するにつれて、紫外線を用いたマスク露光でパターン潜像を形成することが困難となってきた。このため、マスク露光に代わって電子線ビームによる直接描画でパターン潜像を形成することが求められている。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、電子線でレジストにパターンを描画する際に、基材の表面位置の検出を精度良く行なうためのナノインプリントモールド用基材の処理方法と、高精度の凹凸パターンを備えたナノインプリントモールドを製造するための製造方法を提供することを目的とする。
f=exp(-x2/a2) +αexp(-(x-d)2/a2)
ここで、dは反射光と反射戻り光との位置ずれ量であり、
d=2Dcosθtan(sin-1(sinθ/ns))である
で表される系において、
前記断面強度分布プロファイルの微分値が0となるXの値に1/(2tanθcosθ)を乗じた値が10μm以下となるような強度比αの範囲を求め、反射戻り光の強度が該強度比αの範囲を満たすような反射防止構造とするような構成とした。
また、本発明の他の態様として、前記基材の裏面に反射防止層を設けて前記反射防止部とし、該反射防止層の屈折率nを1.35以下とし、また、検出光の波長をλとしたときに、前記反射防止層の厚みLは、位相条件より、
nL=(2m−1)λ/4 (mは整数)
を満足するような構成とした。
また、本発明の他の態様として、前記基材の裏面に反射防止層を積層して2層構造の反射防止部とし、2層構造における振幅条件、および、位相条件を満たすように各層の反射防止層の屈折率と厚みを設定するような構成とした。
また、本発明の他の態様として、前記基材の裏面に光吸収層を配設して前記反射防止部とするような構成とし、また、前記基材の屈折率との差が±25%以下である屈折率を有する材料を用い、検出光に対する吸光度が前記強度比αを満たすように前記光吸収層を形成するような構成とした。
また、本発明の他の態様として、前記基材の内部に低光透過率層を形成することにより前記反射防止部とするような構成とした。
本発明のナノインプリントモールドの製造方法によれば、電子線によるレジスト膜へのパターン描画の際に、基材の表面に照射された高さ検出光が基材裏面で反射して表面に出射するのを反射防止部が抑制し、表面反射光のピーク位置が確実に検出されるので、検出光による基材の表面位置を精度良く検出することができ、これにより電子線描画時に発生するフォーカスズレが防止され、高い精度でパターン描画を行うことができ、高精度の凹凸パターンを備えたナノインプリントモールドを製造することができる。
まず、本発明で製造されるナノインプリントモールドについて説明する。
図1は本発明で製造されるナノインプリントモールドの一例を示す断面図である。図1において、ナノインプリントモールド1は、透明な基材2と、この基材2の表面2a側に形成された凹凸パターン3と、基材の裏面2b側に形成された反射防止部4とを有している。また、本発明で製造されるナノインプリントモールドは、図2に示すように、反射防止部4を基材2の内部に備えるものであってもよい。
また、反射防止部4は、図5に示されるように、基材2の裏面2bに設けられた反射防止層12とすることができる。
さらに、反射防止部4は、図6に示されるように、基材2の裏面2bに積層された反射防止層13a、13bからなる2層構造とすることもできる。
また、反射防止部4は、図7に示されるように、基材2の裏面2bに設けられた光吸収層14とすることができる。
さらに、反射防止部4は、図8に示されるように、基材2の内部に位置する低光透過率層15とすることができる。
このようなナノインプリントモールドは、製造段階で、電子線描画時に発生するフォーカスズレの問題を解消し、微細パターンを高い精度で形成することができる。また、検査段階で、検査表面のフォーカスズレの問題を解消し、微細なパターンまで高い精度で検査を行うことができる。さらに、インプリント時において、モールドと基材との高さ位置を高い精度で把握でき、インプリントを効率よく行うことができる。
次に、本発明のナノインプリントモールド用基材の処理方法を説明する。
本発明は、厚さが4mm以下の透明なナノインプリントモールド用の基材の裏面側の少なくとも一部の領域、あるいは内部の少なくとも一部の領域に、この基材の表面側から基材に入射した光が基材の裏面で反射して表面側に出射するのを防止する反射防止部を設けるものである。
本発明の処理方法を適用する基材としては、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、パイレックス(登録商標)ガラス、青板ガラス、ソーダガラス、BK−7等を挙げることができる。基材の厚みは4mm以下であり、ナノインプリントモールドの用途などによって適宜設定することができ、また、厚みの下限は特に制限はなく、ナノインプリントモールドに形成する凹凸パターンの形状、寸法や基材の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができる。尚、基材の厚みが4mmを超える場合であっても本発明の処理方法を適用することは可能である。しかし、基材の厚みが4mmを超えると基材の厚みが十分なものとなり、図11を用いて説明したように、表面反射光のピーク位置と反射戻り光のピーク位置とが離れたものとなって、これらが光束位置検出器で同時に検出されることはない。したがって、本発明の処理方法を適用する必要性はない。
f=exp(-x2/a2) +αexp(-(x-d)2/a2)
ここで、dは反射光と反射戻り光との位置ずれ量であり、
d=2Dcosθtan(sin-1(sinθ/ns))である
で表される系において、
前記断面強度分布プロファイルの微分値が0となるXの値に1/(2tanθcosθ)を乗じた値が10μm以下となるような強度比αの範囲を求め、反射戻り光の強度が該強度比αの範囲を満たすような反射防止構造とする。
nL=(2m−1)λ/4 (mは整数)
を満足するように設定することができる。したがって、反射率が極小となる厚みは周期的に存在し、反射防止層12の厚みLは、極小となる厚みに対して、±0.03μm、好ましくは±0.02μmの範囲で適宜設定することができる。また、この位相条件では、ある厚みに対して、短波長側に反射率が極小となる波長が存在する。すなわち、反射防止層12は、屈折率と厚みを調整することによって多波長に対して薄膜干渉による低反射機能を発現することができる。したがって、検出光の波長が異なる複数の製造装置、検査装置に対して有効である。
R=[1−ns(n2/n1)2]2/[1+ns(n2/n1)2]2
で与えられる。反射率Rを0とするためには、ns(n2/n1)2が1となるように材料を選択すればよい。ここでは、吸収が無視できる透明材料を用い、n1L1=n2L2=λ/4となる厚みで積層構造を形成した場合を記載したが、この条件に限定されず、薄膜の光学定数で定義される特性行列の計算によって、材料と厚みを適宜設定することができる。このような2層構造の反射防止部4は、それぞれ選択した材料を用いて、スピンコート等の塗布方法で塗布し乾燥(硬化)する方法、スパッタリング等の真空成膜法で形成することができる。
このように、光吸収層14の屈折率が基材2の屈折率に近く(屈折率整合している)、かつ、光吸収層14の吸光度が所定の範囲にあり、上述のような反射防止構造を有するので、低反射作用が発現される。しがたって、検出光の波長が異なる複数の製造装置、検査装置に対して有効である。
上述の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
次に、本発明のナノインプリントモールドの製造方法を説明する。
図9は、本発明のナノインプリントモールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。
本発明では、まず、透明な基材2の裏面2b側に反射防止部4を形成する(図9(A))。使用する基材2は、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、パイレックス(登録商標)ガラス、青板ガラス、ソーダガラス、BK−7等を挙げることができる。基材2の厚みは4mm以下であり、用途などによって適宜設定することができ、また、厚みの下限は特に制限はなく、凹凸パターン3の形状、寸法や基材の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができる。
反射防止部4の形成は、上述の本発明の処理方法により行うことができ、ここでの説明は省略する。
尚、基材2の厚みが4mmを超える場合であっても本発明の製造方法によりナノインプリントモールドの製造は可能である。しかし、基材2の厚みが4mmを超えると基材の厚みが十分なものとなり、図11を用いて説明したように、表面反射光のピーク位置と反射戻り光のピーク位置とが離れたものとなって、これらが光束位置検出器で同時に検出されることはない。したがって、本発明の製造方法を適用する必要性がなくなる。
次いで、基材2に対して高さ検出光を照射し、高さ検出光が基材2の表面2aで反射された反射光(表面反射光のピーク位置)を検出して基材2の高さを検出し、検出した基材2の表面位置に適するように電子線のフォーカス位置を制御しながらレジスト膜7に対して電子線を照射して、所望のパターン潜像を形成する。
次に、レジスト膜7を現像してレジストパターン8を形成し(図9(C))、このレジストパターン8をマスクとして基材2に凹凸パターン3を形成する。その後、不要となったレジストパターン8とクロム薄膜6を除去することにより、ナノインプリントモールド1が得られる(図9(D))。レジストパターン8をマスクとした凹凸パターン3の形成は、例えば、化学エッチング、反応性イオンエッチング等を用いて行うことができる。凹凸パターンの寸法等は用途等に応じて適宜設定することができる。
上述の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
[実施例1]
厚み675μmの石英ガラス((株)アトック製 合成石英ウェーハ、屈折率1.45)をナノインプリントモールド用基材として準備した。この基材の裏面に機械研磨により粗面化を施して粗面部(反射防止部)を形成した。ここでは、粗面化処理の程度を変化させ、下記の表1に示されるような種々の平均粗さRaを有する粗面部を形成して、5種の基材(試料1−2〜試料1−6)を作製した。尚、平均粗さRaの測定は、アルバック社製 段差計測装置DEKTAK8000を用いて行った。
また、比較のための基材として、6025基材(厚さ6.35mm)を準備した。
次に、各基材の表面にスパッタリング法によりクロム薄膜(厚み5nm)を成膜し、その後、このクロム薄膜上にレジスト(日本ゼオン(株)製 ZEP520A)をスピンコーティングした。
これに対して、粗面化処理を施していない試料1−1、平均粗さRaが0.1μm未満である試料1−2では、基材の高さズレ量ΔDが10μmを超えるものであった。
実施例1と同様の石英ガラスをナノインプリントモールド用基材として準備した。この基材の裏面にスピンコート法によりテフロン(登録商標)AFを塗布し成膜して反射防止層(反射防止部)を形成した。この反射防止層の屈折率は1.3であった。ここでは、反射防止層の厚みを変化させ、下記の表2に示される5種の基材(試料2−2〜試料2−6)を作製した。すなわち、反射防止層の厚みLは、n=1.3で、検出光の波長をλ(680nm)としたときに、位相条件より、
nL=(2m−1)λ/4 (mは整数)
を満足するように設定することができるので、試料2−3〜試料2−5の反射防止層の厚みは、上記式を満足する反射防止層の厚みL(m=1のときL=0.13μm)に対して、±0.04μmの範囲で設定した。また、試料2−2と試料2−6は、上記式を満足する反射防止層の厚みLの±0.04μmの範囲から外れるように反射防止層の厚みを設定した。
nL=(2m−1)λ/4 (mは整数)
を満足する反射防止層の厚みLを設定した。
次に、各基材について、実施例1と同様にして、合成光B″のピーク位置と表面反射光B1のピーク位置のズレ量d、および、基材の高さズレ量ΔDを算出して、下記の表2に示した。
これに対して、反射防止層の厚みが上記式を満足する反射防止層の厚みLの±0.04μmの範囲から外れる試料2−2および試料2−6は、反射防止層を形成していない試料2−1に比べて基材の高さズレ量ΔDが小さいものの、その値は10μmを超えるものであった。
また、反射防止層の屈折率が1.35を超える試料2−8は、反射防止層の厚みが上記式を満足する反射防止層の厚みLであるものの、基材の高さズレ量ΔDが10μmを超えるものであり、高い精度での基材の表面位置検出は困難であった。
nL=(2m−1)λ/4 (mは整数)
を満足するように設定することができ、m=1では、反射防止層の厚みLは0.142μmとなり、このとき基材の高さズレ量ΔDは0μmとなる。したがって、反射防止膜は、振幅条件を満たす屈折率により近い材料を選択することが重要であり、このことは、上記の試料2−3〜試料2〜5、試料2−7の基材の高さズレ量ΔDに対する試料2−8の基材の高さズレ量ΔDの対比から明らかである。
実施例1と同様の石英ガラスをナノインプリントモールド用基材として準備した。この基材の裏面にスパッタリング法により、酸化マグネシウム(屈折率1.70)、または、クロム(屈折率2.51)を成膜して、1層目の反射防止層を形成した。次いで、この反射防止層上にスピンコート法によりテフロン(登録商標)AFを塗布し成膜して2層目の反射防止層(屈折率1.3)を形成し、2層構造の反射防止部として、2種の基材(試料3−1〜試料3−2)を作製した。
2層構造の反射防止部の形成では、2層構造における振幅条件、および、位相条件を満たすよう薄膜の光学定数で定義される特性行列を用いて反射率を求めることにより、厚みを下記表3に示すように設定した。
次に、各基材について、実施例1と同様にして、合成光B″のピーク位置と表面反射光B1のピーク位置のズレ量d、および、基材の高さズレ量ΔDを算出して、下記の表3に示した。
実施例1と同様の石英ガラスをナノインプリントモールド用基材として準備した。この基材の裏面にスピンコート法により赤色吸収有機顔料色素を含む顔料レジストを塗布し成膜して光吸収層(反射防止部)を形成し、下記の表4に示される6種の基材(試料4−2〜試料4−7)を作製した。ここでは、顔料レジストとして、吸収係数の異なる3種の顔料レジストを使用し、各顔料レジストに対して、光吸収層の厚みを変化させた。光吸収層の屈折率は何れの顔料レジストを用いたものであっても1.45であった。このように、光吸収層の屈折率を基材と同じ1.45としたので、光吸収層と基材との界面での反射率をほぼ0にすることができた。尚、各光吸収層の吸光度を下記の表4に示した。
また、基材の屈折率(1.45)と異なる屈折率を有する材料を用いて光吸収層を形成して2種の基材(試料4−8、試料4−9)を作製した。尚、光吸収層の厚みは、試料4−8、試料4−9共に、光吸収能がほぼ飽和する5μmとした。
次に、各基材について、実施例1と同様にして、合成光B″のピーク位置と表面反射光B1のピーク位置のズレ量d、および、基材の高さズレ量ΔDを算出して、下記の表4に示した。
これに対して、光吸収層の吸光度が0.39未満である試料4−2、試料4−4、試料4−6は、光吸収層を形成していない試料4−1に比べて基材の高さズレ量ΔDが小さいものの、その値が10μmを超えるものであった。
また、光吸収層の屈折率が1.09〜1.82の範囲内(基材の屈折率1.45との差が±25%以下)である試料4−8は、基材の高さズレ量ΔDが10μm以下であり、極めて高い精度で基材の表面位置を検出できることが確認された。
これに対して、反射防止層の屈折率が上記の範囲(基材の屈折率との差が±25%以下)から外れる試料4−9は、基材の高さズレ量ΔDが10μmを超えるものであった。
実施例1と同様の石英ガラスをナノインプリントモールド用基材として準備した。この基材の表面から、レーザー光を400μJのエネルギーで基材内部に収斂し絶縁破壊を発生させて低光透過率層(反射防止部)を深さ100〜500μmの位置に形成した。ここでは、レーザー照射条件を変化させて低光透過率層の厚みを制御することにより、光透過率が異なる4種の基材(試料5−2〜試料5−5)を作製した。尚、基材の光透過率は、光透過率測定装置(大塚電子(株)製 MCPD)を用いて測定した。
次に、各基材について、実施例1と同様にして、合成光B″のピーク位置と表面反射光B1のピーク位置のズレ量d、および、基材の高さズレ量ΔDを算出して、下記の表5に示した。
これに対して、光透過率が上記の範囲から外れる試料5−2は、絶縁破壊層を形成していない試料5−1に比べて基材の高さズレ量ΔDが小さいものの、その値が10μmを超えるものであった。尚、光透過率5%未満の基材は、極めて高い精度での表面位置検出が可能であるが、インプリント工程での転写樹脂硬化の時間が長くなりスループットが低くなるため、インプリントモールドとして適さないものであった。
2…基材
3…凹凸パターン
4…反射防止部
7…レジスト膜
8…レジストパターン
11…粗面部
12…反射防止層
13a,13b…反射防止層
14…光吸収層
15…低光透過率層
Claims (9)
- 厚さが4mm以下の透明なナノインプリントモールド用基材の処理方法において、
基材の裏面側の少なくとも一部の領域、あるいは内部の少なくとも一部の領域に、前記基材の表面側から基材に入射した検出光が前記基材の裏面で反射して表面側に出射するのを防止する反射防止部を設けることを特徴としたナノインプリントモールド用基材の処理方法。 - 前記反射防止部は、検出光(ガウシアンビーム、あるいは検出光の強度分布をガウシアンで近似したガウシアンビーム)の広がりをa、基材の表面への入射角をθとする光学的な基材の表面位置検出機構にて、基材表面から反射防止部までの厚さがD、基材の屈折率がnsであり、基材表面からの反射光と反射防止部と基材との界面あるいは基材裏面からの反射戻り光との強度比がαであり、合成されるガウシアンビームの断面強度分布が
f=exp(-x2/a2) +αexp(-(x-d)2/a2)
ここで、dは反射光と反射戻り光との位置ずれ量であり、
d=2Dcosθtan(sin-1(sinθ/ns))である
で表される系において、
前記断面強度分布プロファイルの微分値が0となるXの値に1/(2tanθcosθ)を乗じた値が10μm以下となるような強度比αの範囲を求め、反射戻り光の強度が該強度比αの範囲を満たすような反射防止構造とすることを特徴とした請求項1に記載のナノインプリントモールド。 - 前記基材の裏面を粗面化して前記反射防止部とすることを特徴とした請求項1または請求項2に記載のナノインプリントモールド用基材の処理方法。
- 前記基材の裏面に反射防止層を設けて前記反射防止部とし、該反射防止層の屈折率nを1.35以下とし、また、検出光の波長をλとしたときに、前記反射防止層の厚みLは、位相条件より、
nL=(2m−1)λ/4 (mは整数)
を満足することを特徴とした請求項1または請求項2に記載のナノインプリントモールド用基材の処理方法。 - 前記基材の裏面に反射防止層を積層して2層構造の反射防止部とし、2層構造における振幅条件、および、位相条件を満たすように各層の反射防止層の屈折率と厚みを設定することを特徴とした請求項1または請求項2に記載のナノインプリントモールド用基材の処理方法。
- 前記基材の裏面に光吸収層を配設して前記反射防止部とすることを特徴とした請求項1または請求項2に記載のナノインプリントモールド用基材の処理方法。
- 前記基材の屈折率との差が±25%以下である屈折率を有する材料を用い、検出光に対する吸光度が前記強度比αを満たすように前記光吸収層を形成することを特徴とした請求項6に記載のナノインプリントモールド用基材の処理方法。
- 前記基材の内部に低光透過率層を形成することにより前記反射防止部とすることを特徴とした請求項1または請求項2に記載のナノインプリントモールド用基材の処理方法。
- 厚さが4mm以下の透明な基材に対して、請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のナノインプリントモールド用基材の処理方法によって反射防止部を形成する工程と、
前記基材の表面上にレジスト膜を形成し、電子線描画装置内のステージ上に、前記基材の裏面がステージと対向するように前記基材を配置する工程と、
前記基材に対して高さ検出光を照射し、該高さ検出光が前記基材の表面で反射された反射光を検出して前記基材の高さを検出し、検出した基材の表面位置に適するように電子線のフォーカス位置を制御しながら前記レジスト膜に対して電子線を照射して、所望のパターン潜像を形成する工程と、
前記レジスト膜を現像して得たレジストパターンをマスクとして前記基材に凹凸パターンを形成する工程と、を有することを特徴としたナノインプリントモールドの製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010274460A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントモールドおよびパターン形成方法 |
WO2015012161A1 (ja) * | 2013-07-23 | 2015-01-29 | 旭硝子株式会社 | 第1モールドの凹凸パターンを転写した第2モールド、第2モールドの製造方法、第2モールドを用いた物品の製造方法、光学パネルの製造方法、および光学素子の製造方法 |
CN107004576A (zh) * | 2015-01-14 | 2017-08-01 | 英特尔公司 | 用于电子束直写(ebdw)光刻的下方吸收或传导层 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130651A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-05-19 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
JP2002040623A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 濃度分布マスクの製造方法 |
JP2003322954A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-11-14 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JP2006019446A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Canon Inc | 近接場露光方法及びこれを用いた素子の製造方法 |
JP2007157962A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 型成形工具 |
JP2007203576A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Oji Paper Co Ltd | ロール式インプリント装置用の広幅ナノインプリントロールの製造方法 |
JP2007270133A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Toray Ind Inc | 易表面賦形性シート用組成物、及びそれを用いて形成される易表面賦形性シート、易表面賦形性シート積層体、それを用いた表面賦形方法ならびに成形品。 |
JP2007296783A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Canon Inc | 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
WO2008001847A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Mold, process for manufacturing mold, and process for producing sheet |
JP2008074043A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Yamaha Corp | 微細成形モールド及び微細成形モールドの再生方法 |
JP2009098689A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Hoya Corp | マスクブランク、及びインプリント用モールドの製造方法 |
JP2009241308A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Fujifilm Corp | インプリント用透明モールド構造体、及び該インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法 |
-
2009
- 2009-05-14 JP JP2009117525A patent/JP5428513B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130651A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-05-19 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
JP2002040623A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 濃度分布マスクの製造方法 |
JP2003322954A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-11-14 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JP2006019446A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Canon Inc | 近接場露光方法及びこれを用いた素子の製造方法 |
JP2007157962A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 型成形工具 |
JP2007203576A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Oji Paper Co Ltd | ロール式インプリント装置用の広幅ナノインプリントロールの製造方法 |
JP2007270133A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Toray Ind Inc | 易表面賦形性シート用組成物、及びそれを用いて形成される易表面賦形性シート、易表面賦形性シート積層体、それを用いた表面賦形方法ならびに成形品。 |
JP2007296783A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Canon Inc | 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
WO2008001847A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Mold, process for manufacturing mold, and process for producing sheet |
JP2008074043A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Yamaha Corp | 微細成形モールド及び微細成形モールドの再生方法 |
JP2009098689A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Hoya Corp | マスクブランク、及びインプリント用モールドの製造方法 |
JP2009241308A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Fujifilm Corp | インプリント用透明モールド構造体、及び該インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010274460A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントモールドおよびパターン形成方法 |
WO2015012161A1 (ja) * | 2013-07-23 | 2015-01-29 | 旭硝子株式会社 | 第1モールドの凹凸パターンを転写した第2モールド、第2モールドの製造方法、第2モールドを用いた物品の製造方法、光学パネルの製造方法、および光学素子の製造方法 |
CN107004576A (zh) * | 2015-01-14 | 2017-08-01 | 英特尔公司 | 用于电子束直写(ebdw)光刻的下方吸收或传导层 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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