JP2010266863A - 薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤにパネルユニットと共に必須で含まれるバックライトユニットを収納するためのボトムシャーシにおいて、高い強度を維持しながら、ボトムシャーシに耐汚染性を与えるとともに、軽量化及びスリム化を図った薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシを提供する。
【解決手段】炭素（Ｃ）：０．００１〜０．１重量％、シリコン（Ｓｉ）：０．００２〜０．０５重量％、マンガン（Ｍｎ）：０．２８〜２．０重量％及び残部の鉄とその他不回避な不純物を含む内部層、前記内部層上に形成される電気亜鉛めっき層、及び前記電気亜鉛めっき層上に形成される高分子クロムフリー汚染防止層を備えており、前記内部層、電気亜鉛めっき層及び高分子クロムフリー汚染防止層全体の厚さは、０．５〜０．９ｍｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシを構成する。
【選択図】図３

Description

本発明は、薄膜トランジスタ型液晶表示素子（ＴＦＴ−ＬＣＤ）用ボトムシャーシ（Ｂｏｔｔｏｍ Ｃｈａｓｓｉｓ）及びその製造方法に関するもので、より詳細には、薄膜トランジスタ型液晶表示素子にパネルユニットと共に必須で含まれるバックライトユニットを収納するためのボトムシャーシの軽量化及びスリム化を達成することができ、耐汚染性を与えることができる技術に関するものである。

薄膜トランジスタ型液晶表示素子（ＴＦＴ−ＬＣＤ）は、平面ディスプレイの一種であって、液晶の変化と偏光板を通過する光の量を調節する方式を用いる。ＴＦＴ−ＬＣＤは、電気消費量が少なく、軽くかつ薄いとともに解像度が高いという利点のため、現在、ノートブックコンピュータ、デスクトップコンピュータのモニタ、携帯電話、テレビ、デジタルカメラなどの多くの装置のディスプレイとして使用されている。

ＴＦＴ−ＬＣＤは、大きくパネルユニット、バックライトユニット及びボトムシャーシで構成される。

このうち、ボトムシャーシは、バックライトユニットを収納及び支持する役割とともに、光源から発生する熱を放出する役割をし、場合によっては、光源などの接地の役割、電磁波遮蔽の役割をすることもある。このようなボトムシャーシには、強度、表面電気伝導性、耐化学性が要求されるとともに、優れた加工性が要求される。

一方、従来のボトムシャーシとしては、鋼板が主に用いられたが、鋼板の厚さが薄い場合、強度がよくないので、主に１ｍｍ級以上の相対的に厚い鋼板を用いることによって強度を補完した。これによって、ボトムシャーシの重さ及び厚さが相対的に大きな値を有するようになり、ＴＦＴ−ＬＣＤ全体の軽量化及びスリム化に制限があるという問題がある。また、従来のボトムシャーシは、ＴＦＴ−ＬＣＤの組み立て過程における作業者の指紋や汚染物質に対して脆弱であるという問題がある。

したがって、高い強度を維持しながらも、０．９ｍｍ以下の厚さによって従来に比べて軽量化及びスリム化を達成することができ、ＴＦＴ−ＬＣＤの組み立て過程における指紋や汚染物質に対して耐汚染性を有することができる薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシが要求される。

本発明の目的は、ＴＦＴ−ＬＣＤにパネルユニットと共に必須で含まれるバックライトユニットを収納するためのボトムシャーシにおいて、高い強度を維持しながらも、ボトムシャーシに耐汚染性を与えるとともに、従来のボトムシャーシに比べて軽量化及びスリム化を図ることによって、ＴＦＴ−ＬＣＤ全体の軽量化及びスリム化が可能な薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシを提供することである。

前記目的を達成するための本発明の一実施例に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシは、炭素（Ｃ）：０．００１〜０．１重量％、シリコン（Ｓｉ）：０．００２〜０．０５重量％、マンガン（Ｍｎ）：０．２８〜２．０重量％及び残部の鉄とその他不回避な不純物を含む内部層と、前記内部層上に形成される電気亜鉛めっき層と、前記電気亜鉛めっき層上に形成される高分子クロムフリー汚染防止層とを備えており、前記内部層、電気亜鉛めっき層及び高分子クロムフリー汚染防止層全体の厚さは、０．５〜０．９ｍｍであることを特徴とする。

このとき、高分子クロムフリー汚染防止層は、アミン系樹脂１０〜３０重量％；コロイダルシリカ又はヒュームドシリカより選ばれた１種と、グリシドオキシプロピルエトキシシラン、アミノプロピルエトキシシラン、メトキシオキシプロピルトリメトキシシランより選ばれた１種とが重量比１：０．２〜０．８の割合で混合されるシリカ化合物１０〜５０重量％；ジルコニアゾル、アルミナゾル及びチタンゾルのうち少なくとも一つの無機ゾル１〜１０重量％；及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂を含んでいることを提示することができる。

一方、本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシの製造方法は、炭素（Ｃ）：０．００１〜０．１重量％、シリコン（Ｓｉ）：０．００２〜０．０５重量％、マンガン（Ｍｎ）：０．２８〜２．０重量％及び残部の鉄とその他不回避な不純物を含む内部層上に電気亜鉛めっきを実施することによって電気亜鉛めっき層を形成し、前記電気亜鉛めっき層の表面に、固形分がアミン系樹脂１０〜３０重量％、シリカ混合物１０〜５０重量％、無機ゾル１〜１０重量％及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂からなる高分子クロムフリー汚染防止組成物をコーティングすることによって高分子クロムフリー汚染防止層を形成することを含むことを特徴とする。

本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシは、軽量化及びスリム化が可能であるという効果を有する。また、従来に比べて薄い厚さであるにもかかわらず高い強度を示すことができ、高分子クロムフリー汚染防止層を通して製品組み立て過程における作業者の指紋や汚染物質に対する耐汚染性を有し、クロムが含まれないことから環境に悪影響を及ぼさないという効果を有する。

本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子を概略的に示した分解斜視図である。 本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシの厚さ方向断面を概略的に示した図である。 本発明に係るボトムシャーシ構造の各例を示した図である。 実施例１〜２及び比較例の９０゜Ｖベンドテスト方法による曲げ加工実験の結果を示した図である。 実施例１〜２及び比較例の１８０゜Ｕベンドテスト方法による曲げ加工実験の結果を示した図である。

本発明の利点と特徴及びそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に説明する各実施例を参照することによって明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示する各実施例に限定されるものでなく、互いに異なる多様な形態で具現可能である。ただし、本実施例は、本発明を完全に開示し、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるもので、本発明は、特許請求の範囲の範疇によって定義される。明細書全般にわたって、同一の参照符号は同一の構成要素を示す。

以下、添付の図面を参照して、本発明の好適な実施例に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ及びその製造方法について詳細に説明する。

図１は、本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子を概略的に示した分解斜視図である。

図１を参照すれば、薄膜トランジスタ型液晶表示素子は、パネルユニット１１０、バックライトユニット１２０及びボトムシャーシ１３０を含む。

パネルユニット１１０は、バックライトユニット１２０から照射された光を用いて平面映像を表示する。パネルユニット１１０は、薄膜トランジスタが形成された背面ガラス基板（ＴＦＴ基板ともいう）と、前記背面ガラス基板との対向面にカラーフィルタが形成された前面ガラス基板（カラーフィルタ基板ともいう）と、前記２枚のガラス基板の間に充填される液晶とを含む。背面ガラス基板に形成される薄膜トランジスタは、液晶を調節し、画面を構成する最小単位である画素を制御する。前面ガラス基板に形成されるカラーフィルタは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を有する画素をガラス基板上にコーティングしたもので、映像を具現する。

バックライトユニット１２０は、前記パネルユニット１１０の後面から光を照射する。バックライトユニット１２０は、光源、反射板、導光板や拡散板などの光学プレート、その他の多様な光学シートなどを含み、光源の位置によって、パネルユニットの下部に光源を配置し、パネルの前面に直接照光を行う方式の直下型と、パネルユニットの縁部に光源を配置し、パネルの前面に直接照光を行う方式のエッジ型とに区分される。

ボトムシャーシ１３０は、前記バックライトユニット１２０を収納する。本発明では、ボトムシャーシ１３０には、内部基材の外側表面に電気亜鉛めっきが行われ、その上に高分子クロムフリー汚染防止層が形成されている。また、ボトムシャーシ１３０は、バックライトユニット１２０の直接的及び間接的収納の他にも、バックライトユニット１２０の光源及びその他の内部回路と電気的に連結され、接地の役割をする。

この他にも、ＴＦＴ−ＬＣＤは、パネルユニット１１０及びバックライトユニット１２０を外部から保護し、パネルユニット１１０をバックライトユニット１２０に固定することによってパネルユニット１１０の離脱を防止するトップシャーシ１４０を含む。トップシャーシ１４０は、パネルユニット１１０の前面の縁部及び側面を取り囲む形態を有する。

図２は、本発明に係るボトムシャーシの厚さ方向断面を概略的に示した図である。薄膜トランジスタ型液晶表示素子に実際に適用されるボトムシャーシは、図２に示すような断面構造を有する鋼板を成形及び加工することによって製造される。

ボトムシャーシ１３０は、バックライトユニットが収納される側に位置する内部層２１０と、バックライトユニットが収納される側の反対側に位置する電気亜鉛めっき層２２０と、高分子クロムフリー汚染防止層２３０とを備えている。

内部層２１０は、炭素（Ｃ）：０．００１〜０．１重量％、シリコン（Ｓｉ）：０．００２〜０．０５重量％、マンガン（Ｍｎ）：０．２８〜２．０重量％及び残部の鉄とその他不回避な不純物を含む。

炭素（Ｃ）は、内部層２１０の強度を確保するために添加される。炭素は、内部層の全体重量の０．００１〜０．１重量％に添加されることが望ましい。炭素が０．００１重量％未満に添加されれば、内部層２１０の強度確保が不充分であり、炭素が０．１重量％を超えれば、溶接性及び靱性が低下するという問題がある。

シリコン（Ｓｉ）は、内部層２１０の固溶強化による強度を確保するために添加される。シリコンは、内部層の全体重量の０．００２〜０．０５重量％に添加されることが望ましい。シリコンが０．００２重量％未満に添加されれば、内部層２１０の固溶強化効果が低下し、シリコンが０．０５重量％を超えれば、界面酸化層の形成によって表面品質が低下するという問題がある。

マンガン（Ｍｎ）は、内部層２１０の強度及び加工性を確保するために添加される。マンガンは、内部層の全体重量の０．２８〜２．０重量％に添加されることが望ましい。マンガンが０．２８重量％未満に添加されれば、強度及び加工性の確保が難しくなり、マンガンが２．０重量％を超えれば、マンガンの偏析による組織不均質が発生する。

内部層２１０のその他不回避な不純物としては、リン（Ｐ）：０．１重量％以下、硫黄（Ｓ）：０．００８重量％以下、クロム（Ｃｒ）：０．０１〜０．０３重量％、ニッケル（Ｎｉ）：０．００７〜０．０１５重量％、モリブデン（Ｍｏ）：０．００１〜０．００４重量％、アルミニウム（Ａｌ）：０．０４３〜０．０４５重量％、銅（Ｃｕ）：０．０２〜０．０４重量％、スズ（Ｓｎ）：０．００１７〜０．００１８重量％、酸素（Ｏ）：０．００４重量％以下、窒素（Ｎ）：０．００３重量％以下を提示することができ、必要によっては、ニオビウム（Ｎｂ）：０．００７５〜０．００８３重量％及びチタニウム（Ｔｉ）：０．０３０６〜０．０３１０重量％をさらに含むことができる。前記各物質の添加理由は広く知られているので、それについての詳細な説明は省略する。

電気亜鉛めっき層２２０は、前記内部層２１０上に形成される。電気亜鉛めっき層２２０は、１０〜３０ｇ／ｍ²の付着量でめっきされるが、望ましい例として、硫酸浴で２０ｇ／ｍ²の付着量でめっきされることを提示することができる。

高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、電気亜鉛めっき層２２０上に高分子クロムフリー組成物をコーティングすることによって形成される。本発明において、高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、高分子樹脂に基づいて形成され、クロム（Ｃr）を含んでいない。

このような高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、アミン系樹脂１０〜３０重量％、シリカ混合物１０〜５０重量％、無機ゾル１〜１０重量％及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂を含むことができる。

アミン系樹脂は、架橋による接着力を与える役割をする。このようなアミン系樹脂は、高分子クロムフリー汚染防止層２３０の全体重量の１０〜３０重量％に添加されることが望ましい。アミン系樹脂が１０重量％未満に添加されれば、架橋による接着力が不足するようになり、アミン系樹脂が３０重量％を超えれば、加工性が低下する。

シリカ混合物は、貯蔵安定性、密着性、耐食性及び加工性を向上させるために添加される。このようなシリカ混合物は、高分子クロムフリー汚染防止層２３０の全体重量の１０〜５０重量％に添加されることが望ましい。シリカ混合物が１０重量％未満に添加される場合、伝導性が低下し、シリカ混合物が５０重量％を超えれば、加工性が低下する。

シリカ混合物としては、シリカとシランが一定の割合で混合されたものを用いることができ、具体的には、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカより選ばれたシリカと、グリシドオキシプロピルエトキシシラン、アミノプロピルエトキシシラン、メトキシオキシプロピルトリメトキシシランより選ばれたシランとが１：０．２〜０．８（シリカ：シラン）の重量比で混合されたものを用いることができる。シリカとシランが１：０．２未満の重量比で混合されれば、架橋性が低下し、シリカとシランが１：０．８を超えて混合されれば、加工性が低下する。

無機ゾルは、密着性と耐食性を向上させるために添加される。このような無機ゾルとしては、ジルコニアゾル、アルミナゾル、チタンゾルなどを単独で用いたり、又はこれらのうち二つ以上が混合されたものを用いることができる。無機ゾルは、高分子クロムフリー汚染防止層２３０の全体重量の１〜１０重量％に添加されることが望ましい。無機ゾルが１重量％未満であれば、無機ゾル添加の効果を得ることができず、無機ゾルが１０重量％を超えれば、耐食性は向上できるが、被膜形成が難しく、伝導性と加工性が低下するという問題がある。

エポキシ樹脂は、バインダー樹脂の役割をし、緻密なバリア被膜形成をなし、塩や酸素などの腐食因子に強く、分子中の水酸基が素地との優れた密着性を有するので、優れた耐食性及び耐化学性を有するようになる。

前記高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、０．８〜１．３ｇ／ｍ²の付着量でコーティングされることが望ましい。付着量が０．８ｇ／ｍ²未満である場合、所望のボトムシャーシの形状への加工性が低下し、付着量が１．３ｇ／ｍ²を超える場合、電気伝導度が低下し、バックライトユニット１２０に含まれる光源や素子に含まれる回路の接地としての役割を行えないという問題がある。前記のような付着量でコーティングされる高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、約１μｍの厚さを有する。

高分子クロムフリー汚染防止層２３０は、固形分が前記組成を有するように、溶媒に前記各物質を添加した溶液を電気亜鉛めっき層上に１コーティング１ベーキング（１ ｃｏａｔｉｎｇ １ ｂａｋｉｎｇ）タイプでコーティングし、焼付け乾燥後に水冷又は空冷方式で冷却することを望ましい例として挙げることができる。

前記焼付け乾燥は、１４０〜２２０℃の温度範囲で実施されることが望ましい。焼付け乾燥が１４０℃未満の温度で実施される場合、樹脂の硬化反応が充分に行われず、塗膜のコーティング層の耐食性及びその他物性の諸効果を期待することが難しい。一方、焼付け乾燥が２２０℃を超える温度で実施される場合、過焼付けに該当し、コーティング層の亀裂や黄変現象が発生しやすい。

ボトムシャーシ１３０は、０．５〜０．９ｍｍの厚さで形成されることが望ましい。ボトムシャーシ１３０の厚さが０．９ｍｍを超える場合、前記電気亜鉛めっき層２２０や高分子クロムフリー汚染防止層２３０の形成には有利であるが、ボトムシャーシ１３０、さらには、ＴＦＴ−ＬＣＤの軽量化及びスリム化を期待することができない。その一方、ボトムシャーシ１３０の厚さが０．５ｍｍ未満である場合、電気亜鉛めっき層２２０及び高分子クロムフリー汚染防止層２３０の厚さがその分だけ薄くなり、腐食性及び耐汚染性が低下したり、電気亜鉛めっき層２２０や高分子クロムフリー汚染防止層２３０の厚さが厚くなり、相対的に内部層２１０自体が薄くなることによって強度が弱くなる。

図３は、本発明に係るボトムシャーシ構造の各例を示した図である。

図３の（ａ）に示したボトムシャーシ３１０は、バックライトユニットを直接的に収納可能な構造を有しており、図３の（ｂ）に示したボトムシャーシ３２０は、バックライトユニットを直接的に収納するよりは、主にバックライトユニットを収納するモールドをカバーする役割を通してバックライトユニットを間接的に収納する構造を有している。

本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシは、図３に示した各例の他にも、薄膜トランジスタ型液晶表示素子のバックライトユニットの設計によって多様な構造に変形可能である。

以下、本発明の好適な実施例を通して本発明の構成及び作用をより詳細に説明する。ただし、これは、本発明の好適な例示として提示したもので、これによって本発明が制限されることはない。

ここに記載されていない内容は、この技術分野で熟練した者であれば充分に技術的に類推可能であるので、それについての説明は省略する。

１．ボトムシャーシ用鋼板の製造
表１に記載された組成を有する実施例１、実施例２及び比較例の内部層を製造し、硫酸浴で付着量２０ｇ／ｍ²で電気亜鉛めっきを実施し、電気亜鉛めっき層上に１コーティング１ベーキングタイプで高分子クロムフリー汚染防止層を１．０ｇ／ｍ²の付着量でコーティングし、１８０℃で焼付け乾燥及び冷却を実施し、ボトムシャーシに成形及び加工される前の鋼板を製造した。

２．機械的特性
表２は、前記製造された実施例１〜２及び比較例の鋼板に対する機械的特性を示したものである。

表２を参照すれば、実施例１〜２の場合、鋼板の厚さが約０．８ｍｍであって、一般的なボトムシャーシに用いられる１．０ｍｍ級の比較例に比べて、約８０％の厚さを有しながらも降伏強度（ＹＰ）及び引張強度（ＴＳ）がやや大きい値を示すことが分かる。

３．成形性評価
成形性評価のために、実施例１〜２及び比較例によって製造された鋼板に対してＬＤＲ（Ｌｉｍｉｔ Ｄｏｍｅ Ｒａｔｉｏ）実験を行い、その結果を表３に示した。

ＬＤＲ実験の場合、限度値が大きいほど優れた成形性の尺度になり、表３を参照すれば、実施例１の場合に最も高い成形性を示すことが分かる。

４．加工性評価
加工性評価のために、９０゜Ｖベンドテスト方法及び１８０゜Ｕベンドテスト方法で曲げ加工実験を行い、クラックの発生有無を確認した。
図４ａ及び図４ｂは、実施例１〜２及び比較例すべての９０゜Ｖベンドテスト方法及び１８０゜Ｕベンドテスト方法による曲げ加工実験を行った結果を示したものである。
図４ａ及び図４ｂを参照すれば、実施例１〜２及び比較例のいずれにおいても、９０゜Ｖベンドテスト方法及び１８０゜Ｕベンドテスト方法による曲げ加工実験でクラックが発生していないことが分かる。

５．その他の物性
実施例１〜２及び比較例によって製造された鋼板の耐食性、高温高湿性、伝導性、耐溶剤性、耐アルカリ性、潤滑性、耐寒性及び強アルカリ耐食性を評価した。
耐食性を評価するために、１）白錆が５％以内であるかどうかを測定し、２）テープ剥離で被膜が剥がれるかどうかを測定し、３）変色有無（許容値：ΔＥ≦３であるときに良好）を測定した。
高温高湿性を評価するために、１）表面に錆、膨れ及び析出物があるかどうかを測定し、２）裸板及び積層の各場合における変色有無（許容値：ΔＥ≦３であるときに良好）を測定し、３）テープ剥離で被膜が剥がれるかどうかを測定した。
伝導性を評価するために、１）全幅で１０ケ所を測定し、７ケ所以上が１ｍΩ以下であるかどうかを測定した。
耐溶剤性（ＭＥＫ）を評価するために、１）樹脂剥離及び膨れの発生有無を測定し、２）変色有無（許容値：ΔＥ≦１．０）を測定した。
耐アルカリ性を評価するために、１）テープ剥離で被膜が剥がれるかどうかを測定し、変色有無（許容値：ΔＥ≦０．８）を測定した。
潤滑性を評価するために、摩擦係数値（良好：０．０７〜０．０９）及び摩擦面における黒化又は白化の発生有無（許容値：ΔＥ≦０．８）を測定した。
耐寒性を評価するために、白錆の発生有無を観察し、樹脂の溶解によって亜鉛層が現れるかどうかを観察した。
強アルカリ耐食性を評価するために、１）樹脂剥離及び膨れの発生有無及赤錆の発生有無を観察した。
前記各物性に対する評価結果を表４に示した。

前記表４を参照すれば、実施例１〜２の場合、従来用いられる比較例とほぼ同一の耐食性、高温高湿性、伝導性などを示すことが分かる。

結果的に、前記のような物性を有する本発明に係る薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシは、従来のボトムシャーシに比べて薄いとともに、従来と類似した機械的物性、加工性、成形性、耐食性などを示すという長所を有する。したがって、ボトムシャーシの軽量化及びスリム化を図ることができ、これを通して、薄膜トランジスタ型液晶表示素子全体の軽量化及びスリム化も可能になる。

以上では、本発明の一実施例を中心にして説明したが、当業者であれば多様な変更や変形が可能である。このような変更と変形は、本発明の範囲を逸脱しない限り、本発明に属するものと言える。したがって、本発明の権利範囲は、以下に記載される特許請求の範囲によって判断されなければならない。

１１０：パネルユニット、１２０：バックライトユニット、１３０：ボトムシャーシ、１４０：トップシャーシ

Claims (14)

1. 薄膜トランジスタ型液晶表示素子のバックライトユニットを収納するボトムシャーシにおいて、
   炭素（Ｃ）：０．００１〜０．１重量％、シリコン（Ｓｉ）：０．００２〜０．０５重量％、マンガン（Ｍｎ）：０．２８〜２．０重量％及び残部の鉄とその他不回避な不純物を含む内部層と、
   前記内部層上に形成される電気亜鉛めっき層と、
   前記電気亜鉛めっき層上に形成される高分子クロムフリー汚染防止層とを備えており、
   前記内部層、電気亜鉛めっき層及び高分子クロムフリー汚染防止層全体の厚さは、０．５〜０．９ｍｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ。
2. 前記電気亜鉛めっき層は、１０〜３０ｇ／ｍ²の付着量でメッキされていることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ。
3. 前記高分子クロムフリー汚染防止層は、アミン系樹脂１０〜３０重量％、シリカ混合物１０〜５０重量％、無機ゾル１〜１０重量％及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ。
4. 前記シリカ混合物には、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカより選ばれるシリカと、グリシドオキシプロピルエトキシシラン、アミノプロピルエトキシシラン及びメトキシオキシプロピルトリメトキシシランより選ばれるシランとが混合されていることを特徴とする、請求項３に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ。
5. 前記シリカとシランは、１：０．２〜０．８の重量比で混合されていることを特徴とする、請求項４に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ。
6. 前記無機ゾルは、ジルコニアゾル、アルミナゾル及びチタンゾルのうち少なくとも一つであることを特徴とする、請求項３に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ。
7. 前記高分子クロムフリー汚染防止層は、０．８〜１．３ｇ／ｍ²の付着量でコーティングされていることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ。
8. 前記内部層は、リン（Ｐ）：０．１重量％以下、硫黄（Ｓ）：０．００８重量％以下、クロム（Ｃｒ）：０．０１〜０．０３重量％、ニッケル（Ｎｉ）：０．００７〜０．０１５重量％、モリブデン（Ｍｏ）：０．００１〜０．００４重量％、アルミニウム（Ａｌ）：０．０４３〜０．０４５重量％、銅（Ｃｕ）：０．０２〜０．０４重量％、スズ（Ｓｎ）：０．００１７〜０．００１８重量％、酸素（Ｏ）：０．００４重量％以下、窒素（Ｎ）：０．００３重量％以下をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ。
9. 前記内部層は、ニオビウム（Ｎｂ）：０．００７５〜０．００８３重量％及びチタニウム（Ｔｉ）：０．０３０６〜０．０３１０重量％をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシ。
10. 炭素（Ｃ）：０．００１〜０．１重量％、シリコン（Ｓｉ）：０．００２〜０．０５重量％、マンガン（Ｍｎ）：０．２８〜２．０重量％及び残部の鉄とその他不回避な不純物を含む内部層上に電気亜鉛めっきを実施することによって電気亜鉛めっき層を形成し、
    前記電気亜鉛めっき層の表面に、固形分がアミン系樹脂１０〜３０重量％、シリカ混合物１０〜５０重量％、無機ゾル１〜１０重量％及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂からなる高分子クロムフリー汚染防止組成物をコーティングすることによって高分子クロムフリー汚染防止層を形成することを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシの製造方法。
11. 前記電気亜鉛めっき層を形成するとき、硫酸浴で電気亜鉛めっきが行われることを特徴とする、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシの製造方法。
12. 前記高分子クロムフリー汚染防止層を形成するとき、前記電気亜鉛めっき層上に１コーティング１ベーキングタイプでコーティングが行われることを特徴とする、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシの製造方法。
13. 前記高分子クロムフリー汚染防止層を形成するとき、前記高分子クロムフリー汚染防止層は、１４０〜２２０℃で焼付け乾燥によって形成されることを特徴とする、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシの製造方法。
14. 前記内部層、電気亜鉛めっき層及び高分子クロムフリー汚染防止層全体の厚さは、０．５〜０．９ｍｍであることを特徴とする、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子用ボトムシャーシの製造方法。