JP2010266418A - 計測方法、計測装置、露光方法、及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】非回転対称な光学特性を考慮して、被検光学系の光学特性を高精度に計測する。
【解決手段】投影光学系PLの波面収差の計測装置において、投影光学系PLを通過した光束が照射されるピンホール21aを有する開口板21と、投影光学系PL及び開口板21を通過した光束を受光する対物レンズ22と、対物レンズ22を介した光束を受光する撮像素子25と、開口板21を異なる複数の回転角に設定するアクチュエータ26と、開口板21を複数の回転角に設定したときに撮像素子25を介して検出される複数の光学特性に基づいて非回転対称な光学特性を求める計測部17とを備える。
【選択図】図2
【解決手段】投影光学系PLの波面収差の計測装置において、投影光学系PLを通過した光束が照射されるピンホール21aを有する開口板21と、投影光学系PL及び開口板21を通過した光束を受光する対物レンズ22と、対物レンズ22を介した光束を受光する撮像素子25と、開口板21を異なる複数の回転角に設定するアクチュエータ26と、開口板21を複数の回転角に設定したときに撮像素子25を介して検出される複数の光学特性に基づいて非回転対称な光学特性を求める計測部17とを備える。
【選択図】図2
Description
本発明は、被検光学系の波面収差等の光学特性を計測する光学特性計測技術、その光学特性を計測する方法の校正技術、及びその光学特性計測技術を用いる露光技術に関する。
例えば半導体デバイス等のマイクロデバイス(電子デバイス)を製造するためのリソグラフィ工程中で、レチクル(又はフォトマスク等)のパターンを投影光学系を介してレジストが塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)の各ショット領域に転写露光するために、ステッパー等の一括露光型の投影露光装置、又はスキャニングステッパー等の走査露光型の投影露光装置等の露光装置が使用されている。これらの露光装置において、レチクルのパターンを高精度に転写するためには、投影光学系の波面収差等の結像特性を所定の状態に維持する必要がある。そのためには、投影光学系の結像特性を正確に計測する必要があり、従来より様々な計測装置が使用されている。
例えば投影光学系の波面収差を計測するために、投影光学系を介して計測用開口の一次像を投影し、その一次像からの光束を複数に波面分割し、このように波面分割された複数の光束からそれぞれ二次像を形成し、これらの二次像を光電検出し、例えばこれらの二次像の横シフト量等を求めるシャック・ハルトマン(Shack-Hartmann)方式の計測装置が知られている。この計測装置では、光束を波面分割して複数の二次像を形成する計測用の光学系自体にも僅かな収差が残存している恐れがある。そこで、計測用開口の形成面に所定の校正用開口を設けておき、例えば定期的に、その校正用開口の投影光学系による一次像を所定のピンホールを介して検出し、この検出結果より計測用の光学系(計測装置)の校正を行う技術が開発されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、計測用開口を用いる場合と校正用開口を用いる場合とで、計測結果中に含まれる僅かな非回転対称な波面収差が異なると、校正を正確に行うことができない恐れがある。今後、半導体デバイス等のパターンが益々微細化するのに応じて、投影光学系の結像特性をより高精度に制御するためには、そのような僅かな非回転対称な波面収差をも考慮して、より高精度に投影光学系の波面収差を計測する必要がある。
本発明は、このような課題に鑑み、非回転対称な光学特性を考慮して、被検光学系の光学特性を高精度に計測することを目的とする。
本発明による計測方法は、被検光学系の光学特性の計測方法において、開口が形成された開口板を第1の回転角に設定する工程と、その被検光学系を通過した光束を、その第1の回転角に設定されたその開口板及び計測用光学系を介して検出し、第1の光学特性情報を求める工程と、その開口板をその第1の回転角とは異なる第2の回転角に設定する工程と、その被検光学系を通過した光束を、その第2の回転角に設定されたその開口板及びその計測用光学系を介して検出し、第2の光学特性情報を検出する工程と、その第1及び第2の光学特性情報に基づいて、非回転対称な光学特性情報を求める工程と、を含むものである。
本発明による露光方法は、露光光で投影光学系を介して基板上にパターンを形成する露光方法において、本発明の計測方法を用いて、その投影光学系の光学特性を計測するものである。
また、本発明による校正方法は、被検光学系を通過した光束を、開口が形成された開口板及び計測用光学系を介して検出し、該検出結果に基づいてその被検光学系の光学特性を計測する方法の校正方法において、その開口板及びその計測用光学系の少なくとも一部を含む被回転部を第1の回転角に設定する工程と、その被検光学系を通過した光束を、その第1の回転角に設定されたその開口板及びその計測用光学系を介して検出し、第1の光学特性情報を求める工程と、その被回転部をその第1の回転角とは異なる第2の回転角に設定する工程と、その被検光学系を通過した光束を、その第2の回転角に設定されたその開口板及びその計測用光学系を介して検出し、第2の光学特性情報を検出する工程と、その被回転部をその第1の回転角に設定する工程と、その被検光学系を通過してその開口より小さい領域に集光される計測用光束を、その第1の回転角に設定されたその開口板及びその計測用光学系を介して検出し、第3の光学特性情報を求める工程と、その被回転部をその第2の回転角に設定する工程と、その被検光学系を通過したその計測用光束を、その第2の回転角に設定されたその開口板及びその計測用光学系を介して検出し、第4の光学特性情報を求める工程と、その第1、第2、第3、及び第4の光学特性情報を用いて、非回転対称な光学特性情報を求める工程と、を含むものである。
また、本発明による校正方法は、被検光学系を通過した光束を、開口が形成された開口板及び計測用光学系を介して検出し、該検出結果に基づいてその被検光学系の光学特性を計測する方法の校正方法において、その開口板及びその計測用光学系の少なくとも一部を含む被回転部を第1の回転角に設定する工程と、その被検光学系を通過した光束を、その第1の回転角に設定されたその開口板及びその計測用光学系を介して検出し、第1の光学特性情報を求める工程と、その被回転部をその第1の回転角とは異なる第2の回転角に設定する工程と、その被検光学系を通過した光束を、その第2の回転角に設定されたその開口板及びその計測用光学系を介して検出し、第2の光学特性情報を検出する工程と、その被回転部をその第1の回転角に設定する工程と、その被検光学系を通過してその開口より小さい領域に集光される計測用光束を、その第1の回転角に設定されたその開口板及びその計測用光学系を介して検出し、第3の光学特性情報を求める工程と、その被回転部をその第2の回転角に設定する工程と、その被検光学系を通過したその計測用光束を、その第2の回転角に設定されたその開口板及びその計測用光学系を介して検出し、第4の光学特性情報を求める工程と、その第1、第2、第3、及び第4の光学特性情報を用いて、非回転対称な光学特性情報を求める工程と、を含むものである。
また、本発明による計測装置は、被検光学系の光学特性の計測装置において、その被検光学系を通過した光束が照射される開口を有する開口板と、その被検光学系及びその開口板を通過した光束を計測する計測用光学系と、その計測用光学系を介した光束を受光する光電センサと、その開口板を第1の回転角及びその第1の回転角と異なる第2の回転角に設定する回転機構と、その回転機構を介して、その開口板をその第1の回転角に設定したときに、その被検光学系を通過した光束を、その開口板、その計測用光学系、及びその光電センサを介して検出して得られる第1の光学特性情報と、その回転機構を介して、その開口板をその第2の回転角に設定したときに、その被検光学系を通過した光束を、その開口板、その計測用光学系、及びその光電センサを介して検出して得られる第2の光学特性情報とに基づいて、第1の非回転対称な光学特性情報を求める演算装置と、を備えるものである。
本発明による露光装置は、露光光で投影光学系を介して基板上にパターンを形成する露光装置において、本発明の計測装置を備え、その計測装置を用いてその投影光学系の光学特性を計測するものである。
本発明によれば、異なる回転角に設定される開口板を介して被検光学系の光学特性を計測しているため、その開口板に起因する非回転対称な光学特性を計測できる。
以下、本発明の実施形態の一例につき図面を参照して説明する。
図1(A)は本実施形態の露光装置の概略構成を示す。図1(A)において、露光用の光源1としてArFエキシマレーザ光源(波長193nm)が使用されているが、その他にKrFエキシマレーザ光源(波長248nm)又は水銀ランプ等も使用できる。光源1から射出されるほぼ直線偏光の照明光(露光光)ILは、周知のビーム送光系2を介して、例えば回転可能な1/2波長板及び1/4波長板等からなり、照明光ILの偏光状態を異なる方向の直線偏光又は円偏光等に変換する偏光状態可変部3に入射する。
図1(A)は本実施形態の露光装置の概略構成を示す。図1(A)において、露光用の光源1としてArFエキシマレーザ光源(波長193nm)が使用されているが、その他にKrFエキシマレーザ光源(波長248nm)又は水銀ランプ等も使用できる。光源1から射出されるほぼ直線偏光の照明光(露光光)ILは、周知のビーム送光系2を介して、例えば回転可能な1/2波長板及び1/4波長板等からなり、照明光ILの偏光状態を異なる方向の直線偏光又は円偏光等に変換する偏光状態可変部3に入射する。
偏光状態可変部3を通過した照明光ILは、光束の断面形状を変化させるためのビーム形状可変部4を介して、マイクロフライアイレンズ(又はフライアイレンズ)5に入射する。マイクロフライアイレンズ5の射出面(照明光学系の瞳面)に多数の二次光源からなる面光源が形成される。なお、マイクロフライアイレンズ5の代わりに、回折光学素子やロッドインテグレータ(内面反射型インテグレータ)等のオプティカルインテグレータを使用しても良い。また、その照明光学系の瞳面には、通常照明、輪帯照明、2極照明、変形照明等の種々の照明に切り替えるための可変開口絞り部(不図示)が設置されている。
マイクロフライアイレンズ5から射出された照明光ILは、第1リレー光学系6、レチクルブラインド7、第2リレー光学系8A、コンデンサ光学系8B、及び光路折り曲げ用のミラー9を介して、転写用のパターンが形成されたレチクルRを均一な照度分布で照明する。ビーム送光系2からコンデンサ光学系8B及びミラー9までの部材を含んで照明光学系ILSが構成されている。光源1、偏光状態可変部3、及びビーム形状可変部4の動作は、コンピュータよりなり装置全体の動作を統括制御する主制御系11内の照明系制御部によって制御されている。
照明光ILのもとで、レチクルRのパターンは投影光学系PLを介して投影倍率β(例えば1/4,1/5等)で、レジストが塗布されたウエハW上に転写露光される。以下、投影光学系PLの光軸AXに垂直にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内で図1(A)の紙面に平行な方向にX軸を、図1(A)の紙面に垂直な方向にY軸を取って説明する。
投影光学系PLを構成する所定の光学部材、例えばレンズエレメント14A,14Bは、不図示のレンズ枠及びZ方向に伸縮可能な3箇所の駆動素子13A,13Bを介して鏡筒に支持されている。主制御系11内の結像特性制御部が、駆動系12を介して駆動素子13A,13Bを駆動することによって、レンズエレメント14A,14BのZ方向の位置、並びにX軸及びY軸の周りの傾斜角を制御できる。これによって、投影光学系PLの所定の結像特性(例えば波面収差)を補正できる。なお、駆動可能なレンズエレメント14A,14Bの位置及び個数は、制御対象の結像特性に応じて任意に設定可能である。
投影光学系PLを構成する所定の光学部材、例えばレンズエレメント14A,14Bは、不図示のレンズ枠及びZ方向に伸縮可能な3箇所の駆動素子13A,13Bを介して鏡筒に支持されている。主制御系11内の結像特性制御部が、駆動系12を介して駆動素子13A,13Bを駆動することによって、レンズエレメント14A,14BのZ方向の位置、並びにX軸及びY軸の周りの傾斜角を制御できる。これによって、投影光学系PLの所定の結像特性(例えば波面収差)を補正できる。なお、駆動可能なレンズエレメント14A,14Bの位置及び個数は、制御対象の結像特性に応じて任意に設定可能である。
次に、レチクルRはレチクルステージRST上に保持され、レチクルステージRSTはレーザ干渉計(不図示)の計測値に基づいて、レチクルベース(不図示)上の光軸AXに垂直な平面内でレチクルRの移動又は位置決めを行う。一方、ウエハWはウエハステージWSTに保持され、ウエハステージWSTはレーザ干渉計(不図示)の計測値に基づいて、ウエハベースWB上の光軸AXに垂直な平面内で連続移動及びステップ移動を行う。また、ウエハステージWSTには、不図示のオートフォーカスセンサの計測値に基づいて、ウエハWの表面を投影光学系PLの像面に合焦させるために、ウエハWのフォーカス位置(光軸AX方向の位置)及び傾斜角を制御するZステージ機構も組み込まれている。
露光時には、主制御系11内の露光制御部の制御のもとで不図示のアライメント系によってレチクルRとウエハWとのアライメントが行われた後、偏光状態可変部3によって照明光ILの偏光状態が所定状態に設定される。その後、光源1の発光を開始して、レチクルRのパターンを一括露光方式又は走査露光方式で投影光学系PLを介してウエハW上の1つのショット領域に転写する動作と、光源1の発光を停止して、ウエハWをステップ移動する動作とが繰り返される。これによって、ウエハW上の全部のショット領域にレチクルRのパターンの像が転写される。また、本実施形態の露光装置が米国特許出願公開第2005/259234号に示すような液浸型である場合には、投影光学系PLとウエハWとの間に不図示の液体供給機構から純水等の液体が供給される。
さて、このような露光に際しては、投影光学系PLの結像特性が所定の状態に調整されている必要がある。そのためには、先ずその結像特性を高精度に計測する必要がある。そこで、ウエハベースWB上にウエハステージWSTと並列に計測ステージMSTが移動可能に載置され、計測ステージMSTには、投影光学系PLの波面収差を計測するための波面収差測定器18が設置されている。主制御系11には、波面収差測定器18の検出信号の処理等を行う計測部17が接続されている。
計測部17は、波面収差測定器18から供給される検出信号を処理して投影光学系PLの波面収差情報を求め、求めた情報を主制御系11内の結像特性制御部に供給する。その結像特性制御部は、計測部17から供給される波面収差情報中の投影光学系PLの波面収差が目標範囲内に維持されるように、駆動系12を介した駆動素子13A、13Bの駆動によってレンズエレメント14A,14B等を駆動する。なお、波面収差測定器18は、計測ステージMSTに着脱可能に保持されていてもよい。また、ウエハステージWSTに波面収差測定器18を設置してもよい。計測ステージMSTには、レチクルRのアライメントマークの像の位置を検出する空間像計測系(不図示)も設けられている。
また、レチクルステージRSTの上方にスライド機構(不図示)によって移動可能に拡散板10が配置されている。投影光学系PLの波面収差の計測時には、照明光学系ILSからの照明光ILの光路に拡散板10が配置されるとともに、レチクルステージRST上にレチクルRの代わりに図1(B)のテストレチクルR1がロードされる。なお、必ずしも拡散板10を使用しなくともよい。
図1(B)に示すように、テストレチクルR1のパターン面の遮光膜中には、X方向、Y方向に所定間隔で配置された複数の波面収差計測用の円形の開口19と、これらの開口19より大きい校正用の円形(又は正方形等でもよい)の開口20と、複数のアライメントマーク(不図示)とが形成されている。校正用の開口20は、一例としてそのパターン面のX方向の中央部に配置されている。
図2(A)は、波面収差計測時の図1の投影光学系PLと波面収差測定器18との位置関係の一例を示す。図2(A)において、投影光学系PLの上方に順次テストレチクルR1及び拡散板10が配置され、図1の照明光学系ILSからの照明光ILで拡散板10が照明され、拡散板10で拡散された照明光ILでテストレチクルR1が照明される。そして、一例としてテストレチクルR1の光軸AX上にある計測用の開口19の投影光学系PLによる像(一次像)が波面収差測定器18によって検出される。この場合、投影光学系PLの光軸AXと波面収差測定器18の光軸とは一致している。なお、計測対象の開口19の位置が光軸AX上にない場合には、波面収差測定器18の光軸は、開口19の中心と投影光学系PLに関して共役な位置を通りZ軸に平行となるように位置決めされる。投影光学系PLの波面収差が極めて小さい場合には、投影光学系PLの瞳面(射出瞳と共役な面)における波面は点線A1で示すように平面波であるが、実際には或る程度の波面収差が残存しているため、その波面は実線A2で示すように歪んでいる。
波面収差測定器18は、光軸AXに垂直な上面を有し、この上面の遮光膜中に照明光ILを通過させる円形のピンホール21aが形成された円板状のガラス板よりなる開口板21と、ピンホール21aを通過した光束(ほぼ球面波)をほぼ平行光束に変換する対物レンズ22と、開口板21及び対物レンズ22を一体的に保持する円筒状の保持部材23とを備えている。開口板21の上面(ピンホール21aの形成面)は、投影光学系PLの像面上に配置される。ピンホール21aの中心は、波面収差測定器18の光軸(対物レンズ22の光軸)上にある。一例として、ピンホール21aの直径は10μm程度であり、計測用の開口19の像の直径は5〜8μm程度であり、図1(B)の校正用の開口20の像の直径は30μm程度である。即ち、計測用の開口19の像は検出用のピンホール21aよりも小さく、校正用の開口20の像はピンホール21aよりも大きい。
保持部材23は、計測ステージMSTの上板MSTaに設けられた開口に、角度Δθの範囲内で回転可能な状態で嵌合している。角度Δθは例えば5°程度の小さい角度である。保持部材23に設けられた可動子26aと上板MSTaに設けられた固定子26bとから、保持部材23を波面収差測定器18の光軸の回りに角度Δθの範囲内で回転する例えばボイスコイルモータよりなるアクチュエータ26が構成されている。計測部17が必要に応じてアクチュエータ26を介して、保持部材23(開口板21及び対物レンズ22)を図2(A)の状態(初期状態)から+Z方向から見て反時計回りに角度Δθ回転する。その後、後述の所定動作の終了後に、保持部材23は−Δθだけ回転して初期状態に戻される。
さらに、波面収差測定器18は、対物レンズ22からの光束の波面を分割するように多数の微小レンズ24aがX方向、Y方向に密着して配置されたマイクロレンズアレイ24と、多数の微小レンズ24aによって形成される多数のスポット光を受光するCCD型又はCMOS型等の2次元の撮像素子25とを備えている。撮像素子25の検出信号が計測部17に供給されている。
図2(A)において、投影光学系PLの波面収差の計測時には、開口板21の上面(ピンホール21aの形成面)は、テストレチクルR1のパターン面と投影光学系PLに関して光学的に共役な面上に配置され、テストレチクルR1の計測対象のピンホール19の像の中心が波面収差測定器18の光軸(ピンホール21aの中心)上に来るように、波面収差測定器18が位置決めされる。この位置決めは図1(A)の計測ステージMSTの駆動によって行われる。その後、照明光ILの照射を開始すると、テストレチクルR1の開口19の投影光学系PLによる像がピンホール21a内に形成され、対物レンズ22及びマイクロレンズアレイ24によって撮像素子25上に多数のスポット光が形成される。
図3は、計測時の図2(A)の撮像素子25の受光面を示す拡大図である。図3に示すように、図2(A)の個々の微小レンズ24a(仮に5行×5列とする)によって集光された光が、それぞれ図2(A)の開口19の像(二次像)ILA,ILB,…,ILYを形成する。これらの像の光量重心をそれぞれ結像位置とすると、例えば各微小レンズ24aの光軸上の位置等の所定の基準位置53A,53B,…,53Yから対応する結像位置までの変位を表すベクトル51A,51B,…,51Yが波面収差の情報を含んでいる。撮像素子25の各画素からの検出信号を画像処理することによって、計測部17では、一例としてそのベクトル51A〜51Yの情報を求め、この情報から投影光学系PLを通過した計測光の波面(位相分布)を求める。さらに、この波面の理想波面からのずれを求めることで投影光学系PLの波面収差を求めることができる。なお、このように波面収差を求める方法は、例えば特開2002−71514号公報にも開示されている。
この場合、図2(A)の波面収差測定器18の対物レンズ22及びマイクロレンズアレイ24に収差がない場合で、かつ投影光学系PLの収差がない理想的な場合には、ベクトル51A〜51Yは全て(0,0)となる。しかしながら、実際には、対物レンズ22及びマイクロレンズアレイ24には或る程度の収差が残存しているとともに、波面収差測定器18における照明光ILの照射熱等の影響によってその残存収差が変動する恐れがある。そこで、本実施形態では、図5に示すように、テストレチクルR1の校正用の開口20を投影光学系PLの物体面に配置し、開口20の像の位置に波面収差測定器18のピンホール21aを配置して、撮像素子25を介して図3のベクトル51A〜51Yに対応するベクトルの情報を求める。この場合に、開口20の像20Pは、図6(A)に示すようにピンホール21aよりも十分に大きいため、ピンホール21aからはほぼ理想的な球面波が射出される。従って、そのベクトルの情報から、投影光学系PLの波面収差を含まない、波面収差測定器18のみに依存する波面(波面収差)を求めることができる。一例として、その波面は基準波面として記憶される。これが波面収差測定器18の校正(キャリブレーション)である。その後の図2(A)に示す計測時には、求めた波面からその基準波面を差し引くことによって、投影光学系PLのみの波面を計測可能である。
しかしながら、実際にはさらに、図2(B)に示すように、開口板21上のピンホール21aの段差部には、部分的に微少な塵埃31が蓄積される恐れがある。このようなピンホール21a内の非回転対称な塵埃31は、通常は図6(C)に示すように、計測用の開口19の像19の外側にあるため、開口19を用いた計測時の計測結果には影響しない。ところが、図5に示すように校正用の開口20を用いた場合には、図6(A)に示すように、塵埃31が開口20の像20P内に入っているため、その計測結果に塵埃31(ピンホール21a又は開口板21の非回転対称性)に起因する非回転対称な波面が混入する。そのため、この計測結果を基準波面とすると、実際の開口19を用いた計測時には、逆に塵埃31に起因する非回転対称な波面(符号は反転している)が混入して、これが計測誤差となる。
以下では、そのようなピンホール21a(開口板21)に起因する非回転対称な波面の混入を防止して、波面収差測定器18の校正を高精度に行うための本実施形態の校正動作の一例につき図4(A)及び図4(B)のフローチャートを参照して説明する。なお、図4(B)の動作は投影光学系PLの波面収差の計測動作でもある。これらの動作は主制御系11及び計測部17によって制御される。
先ず、図4(A)のステップ101において、図1(A)のレチクルステージRST上にテストレチクルR1をロードし、その上に拡散板10を配置し、図5に示すように、投影光学系PLの物体面の計測点(例えば光軸AX上)に校正用の開口20を配置し、計測ステージMSTを駆動して、投影光学系PLの像面上で開口20の像の中心に波面収差測定器18の開口板21のピンホール21aの中心を合わせる。このとき、図6(A)に示すように、ピンホール21aは開口20の像20Pで覆われており、ピンホール21a内には非回転対称な塵埃31が堆積しているものとする。この状態で、ステップ102において、図5の開口20を照明光ILで照明し、波面収差測定器18の撮像素子25で図3のような多数のスポット光(像)を検出し、計測部17では各スポット光の基準位置からのずれ量に基づいて、ピンホール21aを通過した光束の波面(以下、投影光学系PLの波面という)WA1を求める。波面WA1は、例えば投影光学系PLの瞳面上のX方向、Y方向の座標上での位相分布である。この場合の波面WA1には、投影光学系PL自体の波面は含まれていないため、波面収差測定器18(開口板21を除く)に起因する回転対称な波面をW1、波面収差測定器18(開口板21を除く)に起因する非回転対称な波面をWN1、塵埃31が付着した開口板21(ピンホール21a)に起因する非回転対称な波面をWN2とすると、計測された波面WA1は次のように表される。
WA1=W1+WN1+WN2 …(1)
次のステップ103において、計測部17はアクチュエータ26及び保持部材23を介して図6(B)に示すように、開口板21及び対物レンズ22を波面収差測定器18の光軸の回りに角度Δθだけ回転する。この状態で、ステップ104において、図5の開口20を照明光ILで照明し、撮像素子25の検出信号を処理して、ピンホール21aを通過した光束の波面である投影光学系PLの波面WA2を求める。角度Δθの回転後の波面収差測定器18(開口板21を除く)に起因する非回転対称な波面をWN1’、塵埃31が付着した開口板21に起因する非回転対称な波面をWN2’とすると、計測された波面WA2は次のように表される。
次のステップ103において、計測部17はアクチュエータ26及び保持部材23を介して図6(B)に示すように、開口板21及び対物レンズ22を波面収差測定器18の光軸の回りに角度Δθだけ回転する。この状態で、ステップ104において、図5の開口20を照明光ILで照明し、撮像素子25の検出信号を処理して、ピンホール21aを通過した光束の波面である投影光学系PLの波面WA2を求める。角度Δθの回転後の波面収差測定器18(開口板21を除く)に起因する非回転対称な波面をWN1’、塵埃31が付着した開口板21に起因する非回転対称な波面をWN2’とすると、計測された波面WA2は次のように表される。
WA2=W1+WN1’+WN2’ …(2)
次のステップ105において、計測部17は、計測された波面WA1,WA2を用いて、波面収差測定器18及び開口板21に起因する非回転対称な波面の和である(WN1+WN2)を波面WA3として求める。この場合、一例として、未知の係数k1、1以上の整数m、及び投影光学系PLの光軸の回りの角度φ(座標(X,Y)における角度)を用いて、式(1)における非回転対称な波面(WN1+WN2)を次のように近似的に表す。
次のステップ105において、計測部17は、計測された波面WA1,WA2を用いて、波面収差測定器18及び開口板21に起因する非回転対称な波面の和である(WN1+WN2)を波面WA3として求める。この場合、一例として、未知の係数k1、1以上の整数m、及び投影光学系PLの光軸の回りの角度φ(座標(X,Y)における角度)を用いて、式(1)における非回転対称な波面(WN1+WN2)を次のように近似的に表す。
WA3=WN1+WN2=k1・cos(mφ) …(3)
これに対応して、式(2)における波面(WN1’+WN2’)は次のように表される。
WN1’+WN2’=k1・cos(m(φ+Δθ))
=WA3・cos(m(φ+Δθ))/cos(mφ) …(4)
そこで、計測部17は、次のように計測された式(1)の波面WA1と式(2)の波面WA2との差分を表し、この式(5)から波面WA3を計算する。
これに対応して、式(2)における波面(WN1’+WN2’)は次のように表される。
WN1’+WN2’=k1・cos(m(φ+Δθ))
=WA3・cos(m(φ+Δθ))/cos(mφ) …(4)
そこで、計測部17は、次のように計測された式(1)の波面WA1と式(2)の波面WA2との差分を表し、この式(5)から波面WA3を計算する。
WA1−WA2=WA3{1−cos(m(φ+Δθ))/cos(mφ)} …(5)
このように計算された波面WA3及びステップ102で計測された波面WA1は、計測部17内の記憶部に記憶される。
次のステップ106でアクチュエータ26及び保持部材23を介して、開口板21及び対物レンズ22を−Δθだけ初期状態まで回転することで、主な校正動作が完了する。
このように計算された波面WA3及びステップ102で計測された波面WA1は、計測部17内の記憶部に記憶される。
次のステップ106でアクチュエータ26及び保持部材23を介して、開口板21及び対物レンズ22を−Δθだけ初期状態まで回転することで、主な校正動作が完了する。
その後、図1(A)の露光装置を用いた露光工程中で投影光学系PLの波面収差を計測する場合には、図4(B)のステップ111において、図1(A)のレチクルステージRST上にテストレチクルR1をロードし、その上に拡散板10を配置し、図2(A)に示すように、投影光学系PLの物体面に計測用の開口19を配置し、計測ステージMSTを駆動して、投影光学系PLの像面上で開口19の像の中心に波面収差測定器18の開口板21のピンホール21aの中心を合わせる。このときに、図6(C)に示すように、開口19の像19Pはピンホール21a内の塵埃31とは重ならない位置に形成され、計測される波面には塵埃31の影響はないものとする。この状態で、ステップ112において、図2(A)の開口19を照明光ILで照明し、波面収差測定器18の撮像素子25の検出信号に基づいて、ピンホール21aを通過した光束の波面である投影光学系PLの波面WB1を求める。この場合の波面WB1には、開口板21(ピンホール21a)に起因する非回転対称な波面WN2は含まれていないため、投影光学系PLのみの真の波面W0、波面収差測定器18(開口板21を除く)に起因する回転対称な波面W1、及び波面収差測定器18(開口板21を除く)に起因する非回転対称な波面WN1を用いて、計測された波面WB1は次のように表される。
WB1=W0+W1+WN1 …(6)
次のステップ113において、計測部17はアクチュエータ26及び保持部材23を介して図6(D)に示すように、開口板21及び対物レンズ22を波面収差測定器18の光軸の回りに角度Δθだけ回転する。この状態で、ステップ114において、図2(A)の開口19を照明光ILで照明し、撮像素子25の検出信号を処理して、ピンホール21aを通過した光束の波面である投影光学系PLの波面WB2を求める。角度Δθの回転後の波面収差測定器18(開口板21を除く)に起因する非回転対称な波面WN1’を用いて、計測された波面WB2は次のように表される。
次のステップ113において、計測部17はアクチュエータ26及び保持部材23を介して図6(D)に示すように、開口板21及び対物レンズ22を波面収差測定器18の光軸の回りに角度Δθだけ回転する。この状態で、ステップ114において、図2(A)の開口19を照明光ILで照明し、撮像素子25の検出信号を処理して、ピンホール21aを通過した光束の波面である投影光学系PLの波面WB2を求める。角度Δθの回転後の波面収差測定器18(開口板21を除く)に起因する非回転対称な波面WN1’を用いて、計測された波面WB2は次のように表される。
WB2=W0+W1+WN1’ …(7)
次のステップ115において、計測部17は、計測された波面WB1,WB2を用いて、波面収差測定器18(開口板21を除く)に起因する非回転対称な波面WN1を波面WB3として求める。この場合、ステップ105と同様に、未知の係数k2、1以上の整数m、及び光軸AXの回りの角度φを用いて、式(6)における非回転対称な波面WN1を次のように近似的に表す。
次のステップ115において、計測部17は、計測された波面WB1,WB2を用いて、波面収差測定器18(開口板21を除く)に起因する非回転対称な波面WN1を波面WB3として求める。この場合、ステップ105と同様に、未知の係数k2、1以上の整数m、及び光軸AXの回りの角度φを用いて、式(6)における非回転対称な波面WN1を次のように近似的に表す。
WB3=WN1=k2・cos(mφ) …(8)
これに対応して、式(7)における波面WN1’は次のように表される。
WN1’=k2・cos(m(φ+Δθ))
=WB3・cos(m(φ+Δθ))/cos(mφ) …(9)
そこで、計測部17は、次のように計測された式(6)の波面WB1と式(7)の波面WB2との差分を表し、この式(10)から波面WB3(=WN1)を計算する。
これに対応して、式(7)における波面WN1’は次のように表される。
WN1’=k2・cos(m(φ+Δθ))
=WB3・cos(m(φ+Δθ))/cos(mφ) …(9)
そこで、計測部17は、次のように計測された式(6)の波面WB1と式(7)の波面WB2との差分を表し、この式(10)から波面WB3(=WN1)を計算する。
WB1−WB2=WB3{1−cos(m(φ+Δθ))/cos(mφ)} …(10)
次のステップ116において、計測部17は、式(3)の波面WA3から式(8)の波面WB3を差し引いて、次のように開口板21に起因する非回転対称な波面WN2を求めて記憶する。
WA3−WB3=(WN1+WN2)−WN1=WN2 …(11)
次のステップ117において、計測部17は、ステップ112で計測された式(6)の波面WB1からステップ105で記憶した式(1)の波面WA1を差し引いて次の波面を計算する。
次のステップ116において、計測部17は、式(3)の波面WA3から式(8)の波面WB3を差し引いて、次のように開口板21に起因する非回転対称な波面WN2を求めて記憶する。
WA3−WB3=(WN1+WN2)−WN1=WN2 …(11)
次のステップ117において、計測部17は、ステップ112で計測された式(6)の波面WB1からステップ105で記憶した式(1)の波面WA1を差し引いて次の波面を計算する。
WB1−WA1=(W0+W1+WN1)−(W1+WN1+WN2)
=W0−WN2 …(12)
このように、単に波面WB1から波面WA1を差し引くと、開口板21に起因する非回転対称な波面WN2が逆の符号になって残存してしまう。そこで、式(12)の波面にさらに式(11)で求めた波面WN2を加算することによって、投影光学系PLのみの真の波面W0を求めることができる。また、この波面W0を理想波面と比較することで、投影光学系PLの波面収差が求められる。なお、この波面収差はゼルニケ多項式の係数として求めてもよい。この波面W0(又は波面収差)は計測部17の記憶部に記憶される。
=W0−WN2 …(12)
このように、単に波面WB1から波面WA1を差し引くと、開口板21に起因する非回転対称な波面WN2が逆の符号になって残存してしまう。そこで、式(12)の波面にさらに式(11)で求めた波面WN2を加算することによって、投影光学系PLのみの真の波面W0を求めることができる。また、この波面W0を理想波面と比較することで、投影光学系PLの波面収差が求められる。なお、この波面収差はゼルニケ多項式の係数として求めてもよい。この波面W0(又は波面収差)は計測部17の記憶部に記憶される。
次のステップ118において、アクチュエータ26及び保持部材23を介して、開口板21及び対物レンズ22を−Δθだけ初期状態まで回転することで、計測動作が完了する。その後、ステップ119で計測部17から主制御系11の結像特性制御部に投影光学系PLの波面W0(又は波面収差)の情報を供給し、これに応じて結像特性制御部が駆動系12を介して投影光学系PLの波面収差を補正する。これによって、常に高精度にレチクルRのパターンの像を投影光学系PLを介してウエハW上に露光できる。
なお、図4(B)のステップ113〜116までの動作は、波面収差測定器18の校正動作の一部とみなすことが可能である。この場合、例えば最初の計測動作のときにステップ116で波面WN2を記憶した後は、次の計測動作ではステップ112からステップ117に移行して、記憶してある波面WN2を用いて投影光学系PLの波面W0を計算してもよい。言い換えれば、ステップ113〜116の動作は、波面収差測定器18の開口板21のピンホール21a内に塵埃が蓄積されると予想される程度の間隔で実行するのみでよい。また、開口板21の上面は定期的に清掃されるため、ピンホール21aの中央部を覆うような状態で塵埃が堆積することはない。
さらに、波面収差測定器18(開口板21を除く)の非回転対称な波面収差が無視できる程度に小さい場合には、式(1)及び式(6)における波面WN1(=WB3)が0とみなせるとともに、式(3)の波面WA3が波面WN2となるため、図4(B)のステップ113〜116及びステップ118の動作を省略して、ステップ117では、波面WB1から波面WA1を差し引き、さらに波面WA3(=WN2)を加えてもよい。
本実施形態の作用効果等は次の通りである。
(1)本実施形態では、テストレチクルR1、波面収差測定器18、及び計測部17を含む計測装置によって投影光学系PLの波面収差を計測している。その計測装置は、投影光学系PLを通過した光束が照射されるピンホール21aを有する開口板21と、投影光学系PL及び開口板21を通過した光束を計測する対物レンズ22及びマイクロレンズアレイ24を含む計測用の光学系と、その光学系を介した光束を受光する撮像素子25と、開口板21及び対物レンズ22を回転角0及び回転角Δθの2つの回転角に設定するアクチュエータ26と、計測部17とを備えている。
(1)本実施形態では、テストレチクルR1、波面収差測定器18、及び計測部17を含む計測装置によって投影光学系PLの波面収差を計測している。その計測装置は、投影光学系PLを通過した光束が照射されるピンホール21aを有する開口板21と、投影光学系PL及び開口板21を通過した光束を計測する対物レンズ22及びマイクロレンズアレイ24を含む計測用の光学系と、その光学系を介した光束を受光する撮像素子25と、開口板21及び対物レンズ22を回転角0及び回転角Δθの2つの回転角に設定するアクチュエータ26と、計測部17とを備えている。
その計測部17は、アクチュエータ26を介して、開口板21を回転角0に設定したときに(ステップ101)、投影光学系PLを通過した光束を、開口板21、その光学系、及び撮像素子25を介して検出して得られる波面WA1(第1の光学特性情報)と(ステップ102)、アクチュエータ26を介して、開口板21を回転角Δθに設定したときに(ステップ103)、投影光学系PLを通過した光束を、開口板21、その光学系、及び撮像素子25を介して検出して得られる波面WA2(第2の光学特性情報)とに基づいて(ステップ104)、開口板21(ピンホール21a内の塵埃31)及びその計測用の光学系に起因する非回転対称な波面WA3(第1の非回転対称な光学特性情報)を求めている(ステップ105)。また、本実施形態の計測方法は、ステップ101〜105までの工程を含んでいる。
本発明の計測装置又は計測方法によれば、異なる回転角に設定される開口板21を介して投影光学系PLの波面を計測しているため、その開口板21等に起因する非回転対称な波面を計測できる。従って、その非回転対称な波面の補正を行うことで、投影光学系PLの波面を高精度に計測できる。
(2)また、本実施形態のステップ101〜105までの工程を含む計測装置又は計測方法の校正方法によれば、開口板21等に起因する非回転対称な波面を求めているため、その非回転対称な波面を補正することで、その計測装置又は計測方法を高精度に校正できる。
(2)また、本実施形態のステップ101〜105までの工程を含む計測装置又は計測方法の校正方法によれば、開口板21等に起因する非回転対称な波面を求めているため、その非回転対称な波面を補正することで、その計測装置又は計測方法を高精度に校正できる。
(3)また、その実施形態の計測方法は、投影光学系PLを通過した光束を、開口板21及びその計測用の光学系を介して検出し、この検出結果に基づいて、投影光学系PL、開口板21、及びその計測用の光学系を含む光学系の波面WB1(第3の光学特性情報)を求めるステップ111,112と、その波面WB1をその波面WA3を用いて補正するステップ117とを含んでいる。従って、投影光学系PLの波面収差を高精度に計測できる。
(4)また、アクチュエータ26は、開口板21及び対物レンズ22を一体的に回転しているため、回転したときに開口板21と対物レンズ22との位置関係を一定に維持できる。しかしながら、アクチュエータ26は、開口板21のみを回転するのみでもよい。これらの場合、本実施形態では、開口板21(さらに対物レンズ22)を2つの回転角に設定しているが、開口板21(さらに他の部材を含んでもよい)を3つ以上の異なる回転角に設定可能としてもよい。このように、開口板21等を3つ以上の異なる回転角に設定してそれぞれ開口板21のピンホール21aを通過した光束の波面を計測することによって、複数の次数の非回転対称な波面を分離して計測可能である。
(5)また、上記の実施形態の計測装置の校正方法は、投影光学系PLの波面収差を計測する方法の校正方法において、開口板21及び対物レンズ22(被回転部)を回転角0に設定し、投影光学系PLを通過した光束を、開口板21、対物レンズ22、及びマイクロレンズアレイ24を介して検出し、波面WA1(第1の光学特性情報)を求めるステップ101,102と、その被回転部を回転角Δθに設定し、投影光学系PLを通過した光束を、開口板21等を介して検出し、波面WA2(第2の光学特性情報)を検出するステップ103,104と、その被回転部を回転角0に設定し、投影光学系PLを通過してピンホール21aより小さい領域に集光される計測用光束を、開口板21等を介して検出し、波面WB1(第3の光学特性情報)を求めるステップ111,112と、その被回転部を回転角Δθに設定し、投影光学系PLを通過した計測用光束を、開口板21等を介して検出し、波面WB2(第4の光学特性情報)を求めるステップ113,114と、波面WA1,WA2,WB1,WB2を用いて、開口板21に起因する非回転対称な波面WN2を求めるステップ116と、を含んでいる。
この校正方法によれば、開口板21のみに起因する非回転対称な波面を求めることができるため、その計測方法を高精度に校正できる。
(6)また、本実施形態の露光装置は、照明光ILでレチクルRのパターンを照明し、照明光ILでそのパターン及び投影光学系PLを介してウエハWを露光する露光装置において、波面収差測定器18及び計測部17を含む計測装置を備え、この計測装置によって投影光学系PLの波面収差を計測している。また、本実施形態の露光方法は、本実施形態の計測方法を用いて投影光学系PLの波面収差を計測している。
(6)また、本実施形態の露光装置は、照明光ILでレチクルRのパターンを照明し、照明光ILでそのパターン及び投影光学系PLを介してウエハWを露光する露光装置において、波面収差測定器18及び計測部17を含む計測装置を備え、この計測装置によって投影光学系PLの波面収差を計測している。また、本実施形態の露光方法は、本実施形態の計測方法を用いて投影光学系PLの波面収差を計測している。
この場合、その計測装置では波面収差測定器18の校正を高精度に行うことができるため、波面収差測定器18の開口板21(ピンホール21a)に起因する非回転対称な波面に影響されることなく、投影光学系PLの波面収差のみを高精度に計測できる。従って、この計測結果に基づいて、投影光学系PLの結像特性を常に所望の状態に維持できる。
なお、上記の実施形態において、図1(A)の偏光状態可変部3によって照明光ILをX方向又はY方向の直線偏光に設定し、各偏光成分毎の投影光学系PLの波面収差である偏光特性を求めてもよい。
なお、上記の実施形態において、図1(A)の偏光状態可変部3によって照明光ILをX方向又はY方向の直線偏光に設定し、各偏光成分毎の投影光学系PLの波面収差である偏光特性を求めてもよい。
また、本発明は、投影光学系の波面収差又は偏光特性等の結像特性だけでなく、照明光学系の特性(収差等)等の種々の光学特性を測定対象とすることができる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスやマスク自体を製造するための露光装置にも広く適用できる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスやマスク自体を製造するための露光装置にも広く適用できる。
また、本発明は、露光装置の投影光学系及び照明光学系の光学特性の計測のみならず、各種の光学装置、例えば、天体望遠鏡、眼科的検査装置、又は携帯カメラ若しくは携帯電話に備えられる小型カメラの波面収差等の光学特性を計測する際にも同様に適用することができる。
このように本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
このように本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
ILS…照明光学系、PL…投影光学系、R…レチクル、W…ウエハ、17…計測部、18…波面収差測定器、19…計測用の開口、20…校正用の開口、21a…ピンホール、21…開口板、22…対物レンズ、24…マイクロレンズアレイ、25…撮像素子、26…アクチュエータ、31…塵埃
Claims (15)
- 被検光学系の光学特性の計測方法において、
開口が形成された開口板を第1の回転角に設定する工程と、
前記被検光学系を通過した光束を、前記第1の回転角に設定された前記開口板及び計測用光学系を介して検出し、第1の光学特性情報を求める工程と、
前記開口板を前記第1の回転角とは異なる第2の回転角に設定する工程と、
前記被検光学系を通過した光束を、前記第2の回転角に設定された前記開口板及び前記計測用光学系を介して検出し、第2の光学特性情報を検出する工程と、
前記第1及び第2の光学特性情報に基づいて、非回転対称な光学特性情報を求める工程と、
を含むことを特徴とする計測方法。 - 前記被検光学系を通過した光束を、前記開口板及び前記計測用光学系を介して検出し、該検出結果に基づいて、前記被検光学系、前記開口板、及び前記計測用光学系を含む光学系の第3の光学特性情報を求める工程と、
該第3の光学特性情報を前記非回転対称な光学特性情報を用いて補正する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の計測方法。 - 前記開口板を前記第1の回転角及び前記第2の回転角に設定するときに、前記開口板及び前記計測用光学系の少なくとも一部を一体的に回転することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の計測方法。
- 前記開口板及び前記計測用光学系の少なくとも一部を含む被回転部を前記第1の回転角に設定する工程と、
前記被検光学系を通過して前記開口より小さい領域に集光される計測用光束を、前記第1の回転角に設定された前記開口板及び前記計測用光学系を介して検出し、第4の光学特性情報を求める工程と、
前記被回転部を前記第2の回転角に設定する工程と、
前記被検光学系を通過した前記計測用光束を、前記第2の回転角に設定された前記開口板及び前記計測用光学系を介して検出し、第5の光学特性情報を求める工程と、
前記第1及び第2の光学特性情報から求められる非回転対称な光学特性情報と、前記第4及び第5の光学特性情報から求められる非回転対称な光学特性情報とを用いて、前記開口板に起因する非回転対称な光学特性を求める工程と、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の計測方法。 - 前記開口板は、前記第1及び第2の回転角を含み、かつ互いに異なる複数の回転角に設定可能であり、
前記開口板に起因する非回転対称な光学特性を、前記複数の回転角に設定された前記開口板及び前記計測用光学系を介して検出される複数の光学特性情報に基づいて求めることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の計測方法。 - 前記計測用光学系は、前記被検光学系からの光束を波面分割し、分割された複数の光束を集光し、
前記被検光学系の前記光学特性のうち、波面収差を求めることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の計測方法。 - 露光光で投影光学系を介して基板上にパターンを形成する露光方法において、
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の計測方法を用いて、前記投影光学系の光学特性を計測することを特徴とする露光方法。 - 被検光学系を通過した光束を、開口が形成された開口板及び計測用光学系を介して検出し、該検出結果に基づいて前記被検光学系の光学特性を計測する方法の校正方法において、
前記開口板及び前記計測用光学系の少なくとも一部を含む被回転部を第1の回転角に設定する工程と、
前記被検光学系を通過した光束を、前記第1の回転角に設定された前記開口板及び前記計測用光学系を介して検出し、第1の光学特性情報を求める工程と、
前記被回転部を前記第1の回転角とは異なる第2の回転角に設定する工程と、
前記被検光学系を通過した光束を、前記第2の回転角に設定された前記開口板及び前記計測用光学系を介して検出し、第2の光学特性情報を検出する工程と、
前記被回転部を前記第1の回転角に設定する工程と、
前記被検光学系を通過して前記開口より小さい領域に集光される計測用光束を、前記第1の回転角に設定された前記開口板及び前記計測用光学系を介して検出し、第3の光学特性情報を求める工程と、
前記被回転部を前記第2の回転角に設定する工程と、
前記被検光学系を通過した前記計測用光束を、前記第2の回転角に設定された前記開口板及び前記計測用光学系を介して検出し、第4の光学特性情報を求める工程と、
前記第1、第2、第3、及び第4の光学特性情報を用いて、非回転対称な光学特性情報を求める工程と、
を含むことを特徴とする校正方法。 - 前記第1、第2、第3、及び第4の光学特性情報から求められる前記非回転対称な光学特性情報は、前記開口板に起因するものであることを特徴とする請求項8に記載の校正方法。
- 被検光学系の光学特性の計測装置において、
前記被検光学系を通過した光束が照射される開口を有する開口板と、
前記被検光学系及び前記開口板を通過した光束を計測する計測用光学系と、
前記計測用光学系を介した光束を受光する光電センサと、
前記開口板を第1の回転角及び前記第1の回転角と異なる第2の回転角に設定する回転機構と、
前記回転機構を介して、前記開口板を前記第1の回転角に設定したときに、前記被検光学系を通過した光束を、前記開口板、前記計測用光学系、及び前記光電センサを介して検出して得られる第1の光学特性情報と、前記回転機構を介して、前記開口板を前記第2の回転角に設定したときに、前記被検光学系を通過した光束を、前記開口板、前記計測用光学系、及び前記光電センサを介して検出して得られる第2の光学特性情報とに基づいて、第1の非回転対称な光学特性情報を求める演算装置と、
を備えることを特徴とする計測装置。 - 前記演算装置は、
前記被検光学系を通過した光束を、前記開口板、前記計測用光学系、及び前記光電センサを介して検出した結果より、前記被検光学系、前記開口板、及び前記計測用光学系を含む光学系の第3の光学特性情報を求め、該第3の光学特性情報を前記第1の非回転対称な光学特性情報を用いて補正することを特徴とする請求項10に記載の計測装置。 - 前記回転機構は、前記開口板及び前記計測用光学系の少なくとも一部を含む被回転部を一体的に回転することを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の計測装置。
- 前記被検光学系を通過した光束を前記開口よりも小さい領域に集光される計測用光束とする光学部材を備え、
前記演算装置は、
前記回転機構を介して前記被回転部を前記第1の回転角に設定したときに、前記被検光学系を通過した前記計測用光束を、前記第1の回転角に設定された前記開口板、前記計測用光学系、及び前記光電センサを介して検出して得られる第4の光学特性情報と、
前記回転機構を介して前記被回転部を前記第2の回転角に設定したときに、前記被検光学系を通過した前記計測用光束を、前記第2の回転角に設定された前記開口板、前記計測用光学系、及び前記光電センサを介して検出して得られる第5の光学特性情報とに基づいて、第2の非回転対称な光学特性情報を求め、
前記第1及び第2の非回転対称な光学特性情報を用いて、前記開口板に起因する非回転対称な光学特性を求めることを特徴とする請求項12に記載の計測装置。 - 前記計測用光学系は、球面波をほぼ平行光束に変換する集光光学系と、前記集光光学系を通過した光束の波面を分割し、分割された光束をそれぞれ集光する集光素子アレイとを有することを特徴とする請求項10から請求項13のいずれか一項に記載の計測装置。
- 露光光で投影光学系を介して基板上にパターンを形成する露光装置において、
請求項10から請求項14のいずれか一項に記載の計測装置を備え、
前記計測装置を用いて前記投影光学系の光学特性を計測することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2009120424A JP2010266418A (ja) | 2009-05-18 | 2009-05-18 | 計測方法、計測装置、露光方法、及び露光装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012119420A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Ushio Inc | 光照射装置 |
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2009
- 2009-05-18 JP JP2009120424A patent/JP2010266418A/ja not_active Withdrawn
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