JP2010265243A - 金属錯体及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】優れたガス分離性能を有するガス分離材として使用できる金属錯体を提供すること。
【解決手段】ヘテロ原子のα位にカルボキシル基を有する複素芳香族ジカルボン酸化合物と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも1種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体によって上記課題を解決する。
【選択図】なし

Description

本発明は、金属錯体及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、特定のジカルボン酸化合物と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも1種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体及びその製造方法に関する。本発明の金属錯体は、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1〜4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物またはシロキサンなどを分離するための分離材として好ましく、特に、メタンと二酸化炭素、水素と二酸化炭素、窒素と二酸化炭素、空気とメタンなどの分離材として好ましい。
これまで、脱臭、排ガス処理などの分野で種々の吸着材が開発されている。活性炭はその代表例であり、活性炭の優れた吸着性能を利用して、空気浄化、脱硫、脱硝、有害物質除去など各種工業において広く使用されている。近年は半導体製造プロセスなどへ窒素の需要が増大しており、かかる窒素を製造する方法として、分子ふるい炭を使用して圧力スイング吸着法や温度スイング吸着法により空気から窒素を製造する方法が使用されている。また、分子ふるい炭は、メタノール分解ガスからの水素精製など各種ガス分離精製にも応用されている。
圧力スイング吸着法や温度スイング吸着法により混合ガスを分離する際には、一般に、分離吸着材として分子ふるい炭やゼオライトなどを使用し、その平衡吸着量または吸着速度の差により分離を行っている(例えば、非特許文献1参照)。しかしながら、平衡吸着量の差によって混合ガスを分離する場合、これまでの吸着材では除去したいガスのみを選択的に吸着することができないため分離係数が小さくなり、装置の大型化は不可避であった。また、吸着速度の差によって混合ガスを分離する場合、ガスの種類によっては除去したいガスのみを吸着できるが、吸着と脱着を交互に行う必要があり、この場合も装置は依然として大型にならざるを得なかった。
一方、より優れた吸着性能を与える吸着材として、外部刺激により動的構造変化を生じる高分子金属錯体が開発されている(非特許文献2、非特許文献3参照)。この新規な動的構造変化高分子金属錯体をガス吸着材として使用した場合、ある一定の圧力まではガスを吸着しないが、ある一定圧を越えるとガス吸着が始まるという特異な現象が観測されている。また、ガスの種類によって吸着開始圧が異なる現象が観測されている。
この現象を、例えば圧力スイング吸着方式のガス分離装置における吸着材に応用した場合、非常に効率良いガス分離が可能となる。また、圧力変化に要する時間を短縮することができ、省エネルギーにも寄与する。さらに、ガス分離装置の小型化にも寄与し得るため、高純度ガスを製品として販売する際のコスト競争力を高めることができることは勿論、自社工場内部で高純度ガスを用いる場合であっても、高純度ガスを必要とする設備に要するコストを削減できるため、結局最終製品の製造コストを削減する効果を有する。
動的構造変化高分子金属錯体を吸蔵材や分離材に適用した例として、(1)インターデジテイト型の集積構造を有する金属錯体(特許文献1参照)、(2)二次元格子積層型の集積構造を有する金属錯体(特許文献2、特許文献3、特許文献4、特許文献5、特許文献6、特許文献7参照)、(3)相互貫入型の集積構造を有する金属錯体(特許文献8参照)などが知られている。
しかしながら、いずれの高分子金属錯体もある一定圧を超えないとガスを吸着しないので、混合ガス中の吸着除去したいガスの分圧が一定圧を下回ると吸着できず、高純度を達成するためには処理圧力の増加は避けられない状況であった。
2,7−ナフタレンジカルボン酸と亜鉛と4,4’−ビピリジルからなる高分子金属錯体は、IUPACの分類におけるI型の吸着プロファイルを示すが、二酸化炭素、窒素、酸素の混合気体の吸着試験において、二酸化炭素を選択的に吸着することが知られている(非特許文献4参照)。
また、イソフタル酸誘導体、2,7−ナフタレンジカルボン酸誘導体または4,4’−ベンゾフェノンジカルボン酸誘導体と金属イオンと該金属イオンに二座配位可能な有機配位子から構成される高分子金属錯体は、不飽和有機分子と親和性を有しており、不飽和有機分子の分離に有効であることが知られている(特許文献9参照)。
2,5−ピリジンジカルボン酸と鉄と4,4’−ビピリジルからなる高分子金属錯体は、アルコール類を吸脱着する際に動的構造変化を生じることが知られている(非特許文献5参照)。しかしながら、ガスの吸着挙動については何ら言及されていない。
特開2004−161675公報 特開2003−275531公報 特開2003−278997公報 特開2005−232222公報 特開2004−74026公報 特開2005−232033公報 特開2005−232034公報 特開2003−342260公報 特開2008−247884公報
竹内雍監修、「最新吸着技術便覧」第1版、エヌ・ティー・エス、84−163頁(1999年) 植村一広、北川進、未来材料、第2巻、44−51頁(2002年) 松田亮太郎、北川進、ペテロテック、第26巻、97−104頁(2003年) 中川啓史、田中大輔、下村悟、北川進、第61回コロイドおよび界面化学討論会、P172 M.−H.Zeng、X.−L.Feng、X.−M.Chen、Dalton Transactions、2217−2223頁(2004年)
したがって、本発明の目的は、吸着除去したいガスの分圧が低い場合において、従来よりも高い選択性を発現し、且つ吸着量が多いガス分離材として使用できる金属錯体を提供することにある。
本発明者らは鋭意検討し、特定のジカルボン酸化合物と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも1種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体により、上記目的を達成することができることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明によれば、以下のものが提供される。
(1)ヘテロ原子のα位にカルボキシル基を有する複素芳香族ジカルボン酸化合物と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも1種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体。
(2)該ジカルボン酸化合物が下記一般式(I);
Figure 2010265243
(式中、R、R及びRはそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基もしくはハロゲン原子を示すか、RとRは一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基、オキシアルキレン基またはアルケニレン基を示す。)で表される2,5−ピリジンジカルボン酸誘導体である(1)記載の金属錯体。
(3)金属に二座配位可能な有機配位子が1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピラジン、2,5−ジメチルピラジン、4,4’−ビピリジル、2,2’−ジメチル−4,4’−ビピリジン、1,2−ビス(4−ピリジル)エチン、1,4−ビス(4−ピリジル)ブタジイン、1,4−ビス(4−ピリジル)ベンゼン、3,6−ジ(4−ピリジル)−1,2,4,5−テトラジン、2,2’−ビ−1,6−ナフチリジン、フェナジン、ジアザピレン、トランス−1,2−ビス(4−ピリジル)エテン、4,4’−アゾピリジン、1,2−ビス(4−ピリジル)エタン、1,2−ビス(4−ピリジル)−グリコール及びN−(4−ピリジル)イソニコチンアミドから選択される少なくとも1種である(1)〜(2)いずれかに記載の金属錯体。
(4)該金属が亜鉛である(1)〜(3)いずれかに記載の金属錯体。
(5)該ジカルボン酸化合物が2,5−ピリジンジカルボン酸である(1)〜(4)いずれかに記載の金属錯体。
(6)(1)〜(5)いずれかに記載の金属錯体からなる分離材。
(7)該分離材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1〜4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物またはシロキサンを分離するための分離材である(6)記載の分離材。
(8)該分離材が、メタンと二酸化炭素、水素と二酸化炭素、窒素と二酸化炭素または空気と二酸化炭素を分離するための分離材である(6)記載の分離材。
(9)ジカルボン酸化合物(I)と、クロム塩、モリブデン塩、タングステン塩、マンガン塩、ルテニウム塩、コバルト塩、ロジウム塩、ニッケル塩、パラジウム塩、銅塩、亜鉛塩及びカドミウム塩から選択される少なくとも1種の金属塩と、該金属に二座配位可能な有機配位子とを溶媒中で反応させ、析出させる金属錯体の製造方法。
本発明により、特定のジカルボン酸化合物と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも1種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体を提供することができる。
本発明の金属錯体は、混合ガスの分離において、吸着除去したいガスの分圧が低い場合でも高い選択性を発現し、且つ吸着量が多い分離材として使用することができる。
合成例1で得た金属錯体の粉末X線回折パターンである。 合成例1で得た金属錯体について、二酸化炭素及びメタンの273Kにおける吸脱着等温線を容量法により測定した結果である。 比較合成例1で得た金属錯体の粉末X線回折パターンである。 比較合成例1で得た金属錯体について、二酸化炭素及びメタンの273Kにおける吸脱着等温線を容量法により測定した結果である。 合成例1、比較合成例1で得た金属錯体について、273K、0.1MPaにおける二酸化炭素とメタンの吸着速度を測定した結果である。
本発明の金属錯体は、ヘテロ原子のα位にカルボキシル基を有する複素芳香族ジカルボン酸化合物と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも1種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる。
複素芳香族ジカルボン酸化合物の一方のカルボキシル基は、ヘテロ原子のα位に結合し、他方のカルボキシル基は、前記α位のカルボキシル基と180度の角をなす位置で結合する。例えば複素芳香族骨格がピリジンである場合、2つのカルボン酸基は、2位と5位の組み合わせとなる。
本発明の金属錯体は、複素芳香族ジカルボン酸化合物と、クロム塩、モリブデン塩、タングステン塩、マンガン塩、ルテニウム塩、コバルト塩、ロジウム塩、ニッケル塩、パラジウム塩、銅塩、亜鉛塩及びカドミウム塩から選択される少なくとも1種の金属塩と、該金属に二座配位可能な有機配位子とを、常圧下、溶媒中で数時間から数日間反応させ、析出させて製造することができる。例えば、金属塩の水溶液または有機溶液と、複素芳香族ジカルボン酸化合物及び二座配位可能な有機配位子を含有する有機溶液とを、常圧下で混合して反応させることにより得ることができる。
本発明に用いられる複素芳香族ジカルボン酸化合物は下記一般式(I);
Figure 2010265243
で表される。式中、R、R及びRはそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基もしくはハロゲン原子を示すか、RとRは一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基、オキシアルキレン基またはアルケニレン基を示す。
上記アルキル基の炭素原子数は、1〜5が好ましい。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基などの直鎖または分岐を有するアルキル基が、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が、それぞれ挙げられる。また、該アルキル基が有していてもよい置換基の例としては、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基,n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基など)、アミノ基、アルデヒド基(−CHO)、エポキシ基(オキシラニル基)、アシロキシ基(アセトキシ基、n−プロパノイルオキシ基、n−ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など)、アルコキシカルボニル基(メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基など)、カルボン酸無水物基(−CO−O−CO−R基)(Rは炭素数1〜5のアルキル基である)などが挙げられる。アルキル基の置換基の数は、1〜3個が好ましく、1個がより好ましい。
上記アルキレン基の炭素数は、3〜6が好ましく、3〜4がより好ましい。アルキレン基の炭素数が3〜6の場合、RとRはそれらが結合している炭素原子と一緒になって5〜8員環(シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環)を形成していることを示す。
上記オキシアルキレン基の炭素と酸素の原子数の合計は、3〜6が好ましく、3〜4がより好ましい。オキシアルキレン基の炭素と酸素の原子数の合計が3〜6の場合、オキシアルキレン基として、−O−CH−O−、−CH−O−CH−、−O−CH−CH−O−、−O−CH−CH−CH−、−CH−CH−CH−O−、−CH−O−CH−CH−、−CH−CH−O−CH−、−O−CH−CH−CH−CH−、−CH−CH−CH−CH−O−、−O−CH−CH−CH−CH−CH−、−CH−CH−CH−CH−CH−O−などが挙げられ、合計が2〜5の場合、オキシアルキレン基として、−O−CH、CH−O−、−O−CH−O−、−CH−O−CH−、−O−CH−CH−O−、−O−CH−CH−CH−、−CH−CH−CH−O−、−CH−O−CH−CH−、−CH−CH−O−CH−、−O−CH−CH−CH−CH−、−CH−CH−CH−CH−O−などが挙げられる。
上記アルケニレン基の炭素数は、3〜6が好ましく、3〜4がより好ましい。アルキレン基の炭素数が3〜6の場合、RとRはそれらが結合している炭素原子と一緒になって5〜8員環(シクロペンテン環、シクロヘキセン環(1つの二重結合を有する場合)あるいはベンゼン環(2つの二重結合を有する場合)、シクロヘプテン環、シクロオクテン環)を形成していることを示す。
また、該アルキレン基、オキシアルキレン基、アルケニレン基が有していてもよい置換
基の例としては、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基,n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基など)、アミノ基、アルデヒド基、エポキシ基、アシロキシ基(アセトキシ基、n−プロパノイルオキシ基、n−ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など)、アルコキシカルボニル基(メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基など)、カルボン酸無水物基(−CO−O−CO−R基)(Rは炭素数1〜5のアルキル基である)などが挙げられる。
複素芳香族ジカルボン酸化合物としては、2,5−ピリジンジカルボン酸が好ましい。
金属に二座配位可能な有機配位子としては、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピラジン、2,5−ジメチルピラジン、4,4’−ビピリジル、2,2’−ジメチル−4,4’−ビピリジン、1,2−ビス(4−ピリジル)エチン、1,4−ビス(4−ピリジル)ブタジイン、1,4−ビス(4−ピリジル)ベンゼン、3,6−ジ(4−ピリジル)−1,2,4,5−テトラジン、2,2’−ビ−1,6−ナフチリジン、フェナジン、ジアザピレン、トランス−1,2−ビス(4−ピリジル)エテン、4,4’−アゾピリジン、1,2−ビス(4−ピリジル)エタン、1,2−ビス(4−ピリジル)−グリコール及びN−(4−ピリジル)イソニコチンアミドから選択される有機配位子を使用することができ、4,4’−ビピリジルが好ましい。
複素芳香族ジカルボン酸化合物と二座配位子との混合比率は、複素芳香族ジカルボン酸化合物:二座配位子=1:5〜8:1のモル比の範囲内が好ましく、1:3〜6:1のモル比の範囲内がより好ましい。これ以外の範囲で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下し、副反応も増えるために好ましくない。
金属塩と二座配位子の混合比率は、金属塩:二座配位子=3:1〜1:3のモル比の範囲内が好ましく、2:1〜1:2のモル比の範囲内がより好ましい。これ以外の範囲では目的とする金属錯体の収率が低下し、また、未反応の原料が残留して得られた金属錯体の精製が困難になる。
複素芳香族ジカルボン酸化合物のモル濃度は、0.01〜5.0mol/Lが好ましく、0.05〜2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では溶解性が低下し、反応が円滑に進行しない。
二座配位子のモル濃度は、0.01〜5.0mol/Lが好ましく、0.05〜2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では溶解性が低下し、反応が円滑に進行しない。
金属塩としては、クロム塩、モリブデン塩、タングステン塩、マンガン塩、ルテニウム塩、コバルト塩、ロジウム塩、ニッケル塩、パラジウム塩、銅塩、亜鉛塩及びカドミウム塩から選択される金属塩を使用することができ、マンガン塩、ニッケル塩、銅塩、亜鉛塩、カドミウム塩が好ましい。また、これらの金属塩としては、酢酸塩、ギ酸塩などの有機酸塩、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩などの無機酸塩を使用することができる。金属塩のモル濃度は、0.01〜2.0mol/Lが好ましく、0.05〜0.5mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では未反応の金属塩が残留し、得られた金属錯体の精製が困難になる。
溶媒としては、有機溶媒、水またはそれらの混合溶媒を使用することができる。具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、塩化メチレン、クロロホルム、アセトン、酢酸エチル、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、水またはこれらの混合溶媒を使用することができる。反応温度としては、253〜423Kが好ましい。
結晶性の良い金属錯体は、純度が高くて吸着性能が良い。反応が終了したことはガスクロマトグラフィーまたは高速液体クロマトグラフィーにより原料の残存量を定量することにより確認することができる。反応終了後、得られた混合液を吸引濾過に付して沈殿物を集め、有機溶媒による洗浄後、373K程度で数時間真空乾燥することにより、本発明の金属錯体を得ることができる。
以上のようにして得られる本発明の金属錯体は、ジカルボン酸化合物(I)と金属イオン(例えば、亜鉛イオン)からなる一次元鎖が、二座配位子により連結された二次元シートが形成されている。そして、これらの二次元シートが集積することにより、細孔(一次元チャンネル)を有する三次元構造をとる。
本発明の金属錯体における三次元構造は、合成後の結晶においても変化できるため、その変化に伴って、細孔の構造や大きさも変化する。すなわち、物質を吸着することで構造的により安定なエネルギー状態を有する細孔構造に変化できる。この構造が変化する条件は、吸着される物質の種類、吸着圧力、吸着温度に依存する。すなわち、細孔表面と物質の相互作用の差に加え、吸着する物質により構造変化の程度が異なるため、高い選択性が発現する。本発明では、特定のジカルボン酸化合物を用いて細孔表面に極性官能基であるカルボニル基を露出させることで、吸着容量と選択性の両立が可能となる。このようにして細孔が大きくなり、大きくなった細孔に大きな分子が吸着される。吸着した物質が脱着した後は、元の構造に戻るので、細孔の大きさも元に戻る。
前記の選択吸着メカニズムは推定ではあるが、例え前記メカニズムに従っていない場合でも、本発明で規定する要件を満足するのであれば、本発明の技術的範囲に包含される。
本発明の金属錯体は、各種ガスを選択的に吸着することができるので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1〜4の炭化水素(メタン、エタン、エチレン、アセチレンなど)、希ガス(ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなど)、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物(SOなど)、窒素酸化物(NO,NO,N,NOなど)またはシロキサン(ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンなど)などを分離するための分離材として好ましく、特に、メタン中の二酸化炭素、水素中の二酸化炭素、窒素中の二酸化炭素、空気中の二酸化炭素などを、圧力スイング吸着法や温度スイング吸着法により分離するのに適している。
以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の実施例および比較例における分析および評価は次のようにして行った。
(1)粉末X線回折パターンの測定
X線回折装置を用いて、回折角(2θ)=5〜50°の範囲を走査速度1°/分で走査し、対称反射法で測定した。測定条件の詳細を以下に示す。
<分析条件>
装置:株式会社リガク製RINT2400
X線源:Cu 40kV 200mA
ゴニオメーター:縦型ゴニオメーター
検出器:シンチレーションカウンター
ステップ幅:0.02°
スリット:発散スリット=0.5°
受光スリット=0.15mm
散乱スリット=0.5°
(2)吸脱着等温線の測定
高圧ガス吸着装置を用いて容量法で測定を行った。このとき、測定に先立って試料を373K、50Paで10時間乾燥し、吸着水などを除去した。測定条件の詳細を以下に示す。
<分析条件>
装置:日本ベル株式会社製BELSORP−HP
平衡待ち時間:500秒
(3)0.1MPaにおけるガス吸着量の測定
三方コックとセプタムを装着したガラス製10mL二口フラスコを用意し、三方コックの一方の口に別の三方コックを介して100mLのシリンジをチューブで接続した。測定は、二口フラスコに試料を入れ、373K、4.0x10−3Paで3時間乾燥し、吸着水などを除去した後に、フラスコに装着している三方コックを閉じ、続いてシリンジ側の三方コックを通じてシリンジに100mLの混合ガスを導入し、最後にフラスコに装着している三方コックを開き、試料にガスを吸着させた。このとき、吸着量はシリンジの目盛りの減少分から算出した(死容積はあらかじめヘリウムを用いて測定)。
合成例1:
窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物5.00g(17mmol)、2,5−ビピリジンジカルボン酸2.82g(17mmol)及び4,4’−ビピリジル2.65g(17mmol)をN,N−ジメチルホルムアミド200mLに溶解させ、393Kで24時間攪拌した。吸引濾過の後、エタノールで3回洗浄し、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体3.98g(収率61%)を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図1に示す。また、得られた金属錯体について、二酸化炭素及びメタンの273Kにおける吸脱着等温線を容量法により測定した結果を図2に示す。図2より、本錯体がIUPACの分類におけるI型の吸着プロファイルを示すことが分かる。
比較合成例1:
窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物5.00g(17mmol)、2,7−ナフタレンジカルボン酸3.68g(17mmol)及び4,4’−ビピリジル2.65g(17mmol)をN,N−ジメチルホルムアミド200mLに溶解させ、393Kで24時間攪拌した。吸引濾過の後、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体7.02g(収率95%)を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図3に示す。また、得られた金属錯体について、二酸化炭素及びメタンの273Kにおける吸脱着等温線を容量法により測定した結果を図4に示す。図4より、本錯体がIUPACの分類におけるI型の吸着プロファイルを示すことが分かる。
実施例1:
合成例1で得た金属錯体について、273K、0.1MPaにおける二酸化炭素とメタンの吸着速度を測定した。結果を図5に示す。また、吸着開始10分後の二酸化炭素とメタンの吸着量の比を表1に示す。
比較例1:
比較合成例1で得た金属錯体について、273K、0.1MPaにおける二酸化炭素とメタンの吸着速度を測定した。結果を図5に示す。また、吸着開始10分後の二酸化炭素とメタンの吸着量の比を表1に示す。
Figure 2010265243
表1より、本発明の金属錯体を用いることで二酸化炭素とメタンの吸着量比を低下させることなく二酸化炭素吸着量を増加させることができるので、本発明の金属錯体が二酸化炭素とメタンの分離材として優れていることは明らかである。

Claims (9)

  1. ヘテロ原子のα位にカルボキシル基を有する複素芳香族ジカルボン酸化合物と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも1種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体。
  2. 該ジカルボン酸化合物が下記一般式(I);
    Figure 2010265243
    (式中、R、R及びRはそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基もしくはハロゲン原子を示すか、RとRは一緒になってアルキレン基、オキシアルキレン基またはアルケニレン基を示す。)で表される2,5−ピリジンジカルボン酸誘導体である請求項1記載の金属錯体。
  3. 金属に二座配位可能な有機配位子が1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピラジン、2,5−ジメチルピラジン、4,4’−ビピリジル、2,2’−ジメチル−4,4’−ビピリジン、1,2−ビス(4−ピリジル)エチン、1,4−ビス(4−ピリジル)ブタジイン、1,4−ビス(4−ピリジル)ベンゼン、3,6−ジ(4−ピリジル)−1,2,4,5−テトラジン、2,2’−ビ−1,6−ナフチリジン、フェナジン、ジアザピレン、トランス−1,2−ビス(4−ピリジル)エテン、4,4’−アゾピリジン、1,2−ビス(4−ピリジル)エタン、1,2−ビス(4−ピリジル)−グリコール及びN−(4−ピリジル)イソニコチンアミドから選択される少なくとも1種である請求項1〜2いずれかに記載の金属錯体。
  4. 該金属が亜鉛である請求項1〜3いずれかに記載の金属錯体。
  5. 該ジカルボン酸化合物が2,5−ピリジンジカルボン酸である請求項1〜4いずれかに記載の金属錯体。
  6. 請求項1〜5いずれかに記載の金属錯体からなる分離材。
  7. 該分離材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1〜4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物またはシロキサンを分離するための分離材である請求項6記載の分離材。
  8. 該分離材が、メタンと二酸化炭素、水素と二酸化炭素、窒素と二酸化炭素または空気とメタンを分離するための分離材である請求項6記載の分離材。
  9. ジカルボン酸化合物(I)と、クロム塩、モリブデン塩、タングステン塩、マンガン塩、ルテニウム塩、コバルト塩、ロジウム塩、ニッケル塩、パラジウム塩、銅塩、亜鉛塩及びカドミウム塩から選択される少なくとも1種の金属塩と、該金属に二座配位可能な有機配位子とを溶媒中で反応させ、析出させる金属錯体の製造方法。
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