JP2010250493A - タッチパネル装置 - Google Patents

タッチパネル装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010250493A
JP2010250493A JP2009098235A JP2009098235A JP2010250493A JP 2010250493 A JP2010250493 A JP 2010250493A JP 2009098235 A JP2009098235 A JP 2009098235A JP 2009098235 A JP2009098235 A JP 2009098235A JP 2010250493 A JP2010250493 A JP 2010250493A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
touch
width
electrode
area
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009098235A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5219908B2 (ja
Inventor
Koji Doi
宏治 土井
Norio Manba
則夫 萬場
Koji Nagata
浩司 永田
Shunji Kumagai
俊志 熊谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Displays Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Displays Ltd filed Critical Hitachi Displays Ltd
Priority to JP2009098235A priority Critical patent/JP5219908B2/ja
Priority to US12/759,045 priority patent/US9024886B2/en
Priority to KR20100033846A priority patent/KR101138622B1/ko
Priority to EP10003950.2A priority patent/EP2241959B1/en
Priority to CN2010101642515A priority patent/CN101866239B/zh
Publication of JP2010250493A publication Critical patent/JP2010250493A/ja
Priority to US13/271,804 priority patent/US20120031657A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5219908B2 publication Critical patent/JP5219908B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05551—Shape comprising apertures or cavities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H01L2224/24146—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked the HDI interconnect connecting to the same level of the lower semiconductor or solid-state body at which the upper semiconductor or solid-state body is mounted
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/9202—Forming additional connectors after the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06541—Conductive via connections through the device, e.g. vertical interconnects, through silicon via [TSV]
    • H01L2225/06544—Design considerations for via connections, e.g. geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06548—Conductive via connections through the substrate, container, or encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06565—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices having the same size and there being no auxiliary carrier between the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06593—Mounting aids permanently on device; arrangements for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106—Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

【課題】タッチ領域が電極領域からはみ出す場合においてもタッチ位置を高い精度で検出する。
【解決手段】タッチ領域の形状を例えば円と仮定する。前記タッチ領域円と電極領域６が重なる領域のＸ方向の幅（重なり幅Ｘ４６）およびＹ方向の幅（重なり幅Ｙ４７）を、センサ測定値から求める。重なり幅Ｘ４６と重なり幅Ｙ４７が異なる場合、タッチ領域が電極領域からはみ出しているものと判定し、前記タッチ領域円の中心の位置をタッチ位置とみなして算出する。
【選択図】図５

Description

本発明はタッチパネル（タッチスクリーン）装置に関し、特に、投影型（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）の静電容量方式タッチパネルにおいてタッチ位置を検出する技術に関する。
タッチパネルは、入力装置（タッチパッド）と出力装置（フラットパネルディスプレイ）が一体化されたユーザインタフェース装置である。ディスプレイに表示された操作対象を指等で直接タッチする、という直感的な操作方法を特徴としており、情報端末等で広く利用されている。
タッチパネルには様々な実現方式があるが、その一方式として、投影型静電容量方式がある。本方式では、パネル上に複数の電極を配置しておき、指先がパネルに接近した際に発生する各電極の静電容量の変化に基づいて、タッチ位置を検出する。電極に透過率の高い素材を用い、これをディスプレイパネル上に配置することで、タッチパネルを構成できる。
入力装置としてのタッチパネルの性能指標に、タッチ位置の検出精度がある。パネル上においてユーザが実際にタッチした位置と、検出された位置の誤差が小さいほど、精度が高いとされる。
投影型静電容量方式のタッチパネルにおいてタッチ位置を高い精度で検出する技術の例として、特許文献１に記載された方法が挙げられる。このタッチ位置検出方法では、Ｘ、Ｙそれぞれ方向の位置を検出するための電極において、タッチ時に指先が同時に複数の電極に触れるような配置（電極パターン）とすることで、タッチ位置を高精度に求めることを可能としている。
特表２００３−５１１７９９号公報
しかしながら、従来のタッチ位置検出方法では、タッチ時に指先がパネルに触れる範囲（タッチ領域）が、電極の配置された領域（電極領域）からはみ出す場合、検出されるタッチ位置の精度が低下してしまうという問題がある。これを防止するためには、タッチ位置検出の有効範囲を、電極領域の内側における一定範囲内に限定する必要がある。このため、パネル全体に電極を配置したとしても、パネルの端にタッチ位置を検出できない領域ができてしまう。
本発明は、以上のような課題を解決するためのもので、その目的は、タッチ領域が電極領域からはみ出す場合においてもタッチ位置を高い精度で検出すること、またこれにより、電極領域の全体をタッチ位置検出の有効範囲とするタッチパネルを提供することである。
タッチ領域の形状を例えば円と仮定する。前記タッチ領域円と電極領域が重なる領域のＸ方向の幅およびＹ方向の幅を、センサ測定値から求める。前記Ｘ方向の幅とＹ方向の幅が異なる場合、タッチ領域が電極領域からはみ出しているものと判定し、前記タッチ領域円の中心の位置をタッチ位置とみなして算出する。
Ｘ方向またはＹ方向のどちらか一方向において、タッチ領域が電極領域からはみ出している場合においても、タッチ位置を高い精度で検出できる。
タッチパネル・モジュールの全体構成を示すブロック図である。 タッチパネル１の断面構造を示す断面図である。 タッチ位置検出処理の手順を示すフローチャートである。 タッチ領域が電極領域からはみ出している場合のセンサ測定値の例を示す図である。 タッチ領域が電極領域からはみ出している場合のタッチ位置の算出方法を示す図である。
以下、本発明の実施例を説明する。
図１は、本実施例で用いるタッチパネル・モジュール（タッチパネル装置）の全体構成を示すブロック図である。前記タッチパネル・モジュールは、タッチパネル１、静電容量検出部２、制御部３、記憶部４、およびバス接続信号線５から構成される。タッチパネル１には、ユーザのタッチを検出するためのセンサ端子である電極パターン（電極Ｘ１〜５および電極Ｙ１〜５）が形成されている。静電容量検出部２は、電極Ｘ１〜５および電極Ｙ１〜５と接続しており、前記各電極の静電容量を測定する。制御部３は、前記静電容量の測定結果に基づいてタッチ位置の検出を行い、バス接続信号線５を介して前記検出結果をホストへ通知する。記憶部４は、制御部３がタッチ位置検出処理を行う上で必要となるパラメータおよび作業用データとして次のものを格納する。基準値４１、測定値４２、差分値４３は、電極の総数を要素数とする配列データである。本実施例においては、前記配列の要素数は１０である。タッチ閾値４４、変換比率４５、重なり幅Ｘ４６、重なり幅Ｙ４７は、単一の数値データである。
図２は、タッチパネル１の断面構造を示す断面図である。タッチパネル１は、基板層１３を底面とし、順に電極層Ｙ、絶縁層１２、電極層Ｘ、保護層１１を積層させた構造を持つ。
図３は、タッチ位置検出処理の手順を示すフローチャートである。
図４は、タッチ領域が電極領域からはみ出している場合のセンサ測定値の例を示す図である。
図５は、タッチ領域が電極領域からはみ出している場合のタッチ位置の算出方法を示す図である。
以下、図３のフローチャートに基づいて、タッチ位置を検出する処理の流れを説明する。
タッチパネル・モジュールの電源が入れられると以下の処理が開始される。
ステップＳ１において、制御部３は、基準値４１を初期化する。具体的には、全電極（電極Ｘ１〜５および電極Ｙ１〜５）のそれぞれについて静電容量を測定し、得られた値を各電極の基準値４１として格納する。基準値４１は、各電極の非タッチ時の静電容量である。ここでは、電源投入時においてはタッチパネル１がタッチされていない状態であることを仮定している。
ステップＳ２において、制御部３は、まず全電極のそれぞれについて静電容量を測定し、得られた値を各電極の測定値４２として格納する。また、次の式（１）によって求めた値を差分値４３として格納する。
差分値４３＝測定値４２−基準値４１ （１）
ただし、式（１）で求めた値が負の値となった場合は、かわりに０を差分値４３として格納する。差分値４３は、各電極においてタッチによって増加した静電容量である。
以下、求めた差分値４３が図４に示す状態であったことを仮定して説明を進める。図４において、タッチパネル１の上側の図は電極Ｘ１〜５の差分値４３とタッチ閾値４４の例を示すグラフである。横軸は電極Ｘ１〜５を表し、棒グラフの高さが差分値４３を表す。電極Ｘ１、Ｘ２の差分値４３はタッチ閾値４４以上であり、電極Ｘ３〜５の差分値４３はタッチ閾値４４未満である。図４において、タッチパネル１の右側の図は電極Ｙ１〜５の差分値４３とタッチ閾値４４の例を示すグラフである。横軸は電極Ｙ１〜５を表し、棒グラフの高さが差分値４３を表す。電極Ｙ２〜４の差分値４３はタッチ閾値４４以上であり、電極Ｙ１、Ｙ５の差分値４３はタッチ閾値４４未満である。
ステップＳ３において、制御部３は、タッチパネル１がタッチされているか否かを判定する。具体的には、全電極のそれぞれについて、その差分値４３と、予め設定されたタッチ閾値４４の値とを比較する。ここで、Ｘ軸およびＹ軸の両方において、少なくとも１つの電極の差分値４３がタッチ閾値４４以上の値であった場合、タッチ有りと判定して、ステップＳ４へ進む。前記条件を満たさない場合は、タッチ無しと判定して、ステップＳ２へ戻る。図４に示す状態においては、電極Ｘ１、Ｘ２および電極Ｙ２〜４の差分値４３がタッチ閾値４４以上の値であるため、タッチ有りと判定される。
ステップＳ４において、制御部３は、次の式（２）および（３）によって求めた値を、それぞれ重なり幅Ｘ４６および重なり幅Ｙ４７として格納する。
重なり幅Ｘ４６＝ＭＡＸ（Ｙ軸の差分値４３）＊変換比率４５ （２）
重なり幅Ｙ４７＝ＭＡＸ（Ｘ軸の差分値４３）＊変換比率４５ （３）
ここで関数ＭＡＸは、複数の値の中から最大のものを選択して返す関数である。図４においては、Ｘ軸では電極Ｘ１の差分値４３、Ｙ軸では電極Ｙ３の差分値４３がそれぞれ最大である。変換比率４５は予め設定された値であり、差分値４３の値をタッチパネル１上の長さに変換するための比率である。重なり幅Ｘ４６および重なり幅Ｙ４７は、図５に示すように、それぞれ、タッチパネル１上のタッチされた領域（タッチ領域）と、電極が配置された領域（電極領域６）とが重なる領域のＸ方向の幅およびＹ方向の幅である。
式（２）で重なり幅Ｘ４６が求められる理由は次のとおりである。図４からわかるように、電極Ｙ３はタッチ領域と重なるＸ方向の幅が最も長いため、静電容量の変化は最も大きく、右側の図に示すように差分値４３は最も大きい。電極Ｙ２、Ｙ４はタッチ領域と重なるＸ方向の幅が電極Ｙ３より短いため、静電容量の変化は電極Ｙ３より少なく、右側の図に示すように差分値４３は電極Ｙ３の差分値よりも小さい。電極Ｙ１、Ｙ５はタッチ領域と重なるＸ方向の幅がわずかであるため、静電容量の変化はわずかであり、右側の図に示すように差分値４３はわずかである。重なり幅Ｘ４６は、タッチ領域と電極領域６とが重なる領域のＸ方向の幅であるから、重なり幅Ｘ４６は、タッチ領域と重なるＸ方向の幅が最も長い電極である電極Ｙ３がタッチ領域と重なるＸ方向の幅に比例することになり、電極Ｙ３の差分値４３に比例することになる。したがって、重なり幅Ｘ４６は式（２）によって求められる。変換比率４５は実験等によって求めればよい。
式（３）で重なり幅Ｙ４７が求められる理由は次のとおりである。図４からわかるように、電極Ｘ１はタッチ領域と重なるＹ方向の幅が最も長いため、静電容量の変化は最も大きく、上側の図に示すように差分値４３は最も大きい。電極Ｘ２はタッチ領域と重なるＹ方向の幅が電極Ｘ１より短いため、静電容量の変化は電極Ｘ１より少なく、上側の図に示すように差分値４３は電極Ｘ１の差分値よりも小さい。電極Ｘ３はタッチ領域と重なるＹ方向の幅がわずかであるため、静電容量の変化はわずかであり、上側の図に示すように差分値４３はわずかである。電極Ｘ４、Ｘ５はタッチ領域と重なるＹ方向の幅がないため、静電容量の変化はなく、上側の図に示すように差分値４３はゼロである。重なり幅Ｙ４７は、タッチ領域と電極領域６とが重なる領域のＹ方向の幅であるから、重なり幅Ｙ４７は、タッチ領域と重なるＹ方向の幅が最も長い電極である電極Ｘ１がタッチ領域と重なるＹ方向の幅に比例することになり、電極Ｘ１の差分値４３に比例することになる。したがって、重なり幅Ｙ４７は式（３）によって求められる。変換比率４５は実験等によって求めればよい。
ステップＳ５において、制御部３は、重なり幅Ｘ４６と重なり幅Ｙ４７の値を比較する。両者の差が所定の閾値より小さい場合、タッチ領域全体が電極領域６の内側に収まっているものと判定し、ステップＳ６へ進む。そうでない場合はステップＳ７へ進む。
ステップＳ６では、差分値４３に基づいてタッチ位置を求める。具体的には、Ｘ軸およびＹ軸のそれぞれについて、差分値４３を重みｗｉとし、各電極の位置をｘｉ、ｙｉとした場合の加重平均を求める。すわなち、次の式（４）、式（５）の計算を行う。
タッチ位置（Ｘ座標）＝Σ（ｗｉ＊ｘｉ）／Σ（ｗｉ） （４）
タッチ位置（Ｙ座標）＝Σ（ｗｉ＊ｙｉ）／Σ（ｗｉ） （５）
以上により、タッチ領域が電極領域６からはみ出していない場合のタッチ位置検出の１サイクルが完了し、ステップＳ２へ戻る。
ステップＳ７では、タッチ領域の形状を円であると仮定し、前記円の中心位置をタッチ位置とみなして算出する。ここでは、図５に示すとおり、タッチ領域が電極領域６からＸ方向にはみ出しているものと仮定する。このとき、タッチ位置のＸ座標は次の式（６）により求められる。
タッチ位置（Ｘ座標）＝重なり幅Ｘ４６−重なり幅Ｙ４７／２ （６）
図５におけるＸがＸ座標、Ｒが重なり幅Ｙ４７／２にそれぞれ対応する。Ｙ座標は、タッチ領域が電極領域６からはみ出していない場合の計算式（５）により求める。また、タッチ領域が電極領域６からＹ方向にはみ出している場合については、前記の算出方法において、ＸとＹとを入れ替えることで同様にタッチ位置を求められる。
以上により、タッチ領域が電極領域６からはみ出している場合のタッチ位置検出の１サイクルが完了し、ステップＳ２へ戻る。
上記の説明においては、タッチ領域の形状は円であることを仮定したが、そうでない場合においても、重なり幅Ｘ４６および重なり幅Ｙ４７を基にタッチ位置を算出可能であれば、本実施例を適用できる。すなわち、タッチ領域と電極領域とが重なる領域のＸ方向の幅およびＹ方向の幅を求め、求めたＸ方向の幅およびＹ方向の幅からタッチ領域の中心の位置を求め、その中心の位置をタッチ位置として算出すればよい。タッチ領域の形状は、任意の図形であると仮定することができる。例えば、円または楕円であると仮定してもよいし、あるいはＸ方向の幅とＹ方向の幅の比率が一定である（例えば、正方形や長方形あるいは角が丸みを帯びた正方形や長方形）と仮定してもよい。また、実験等によってタッチ領域の形状を決めてもよい。
なお、本発明は、以上に述べた実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることはもちろんである。
１ タッチパネル
１１ 保護層
１２ 絶縁層
１３ 基板層
Ｘ，Ｙ 電極層
Ｘ１〜５ 電極（Ｘ軸）
Ｙ１〜５ 電極（Ｙ軸）
２ 静電容量検出部
３ 制御部
４ 記憶部
５ バス接続信号線
６ 電極領域

Claims (5)

  1. 複数のセンサにおける測定値に基づいてタッチ位置を検出するタッチパネルのタッチ位置検出方法において、Ｘ方向のタッチ位置およびＹ方向のタッチ位置を検出するためのセンサ測定値に基づいて、タッチ領域と電極領域とが重なる領域のＸ方向の幅およびＹ方向の幅を求め、前記Ｘ方向の幅およびＹ方向の幅から前記タッチ領域の中心の位置を求め、前記中心の位置をタッチ位置として算出することを特徴とする、タッチパネル装置。
  2. 前記タッチ領域の形状は、Ｘ方向の幅とＹ方向の幅の比率が一定であると仮定することを特徴とする、請求項１に記載のタッチパネル装置。
  3. 前記タッチ領域の形状は、円または楕円であると仮定することを特徴とする、請求項１に記載のタッチパネル装置。
  4. 前記タッチ領域と電極領域とが重なる領域のＸ方向の幅を、Ｙ軸のセンサ測定値の最大値に予め設定された値を乗算して求め、前記タッチ領域と電極領域とが重なる領域のＹ方向の幅を、Ｘ軸のセンサ測定値の最大値に予め設定された値を乗算して求めることを特徴とする、請求項１に記載のタッチパネル装置。
  5. 第１の方向のタッチ位置を、前記タッチ領域と電極領域とが重なる領域の第１の方向の幅から前記タッチ領域と電極領域とが重なる領域の第２の方向の幅の２分の１を減算した値として算出することを特徴とする、請求項１に記載のタッチパネル装置。
JP2009098235A 2009-04-14 2009-04-14 タッチパネル装置 Active JP5219908B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009098235A JP5219908B2 (ja) 2009-04-14 2009-04-14 タッチパネル装置
US12/759,045 US9024886B2 (en) 2009-04-14 2010-04-13 Touch-panel device
KR20100033846A KR101138622B1 (ko) 2009-04-14 2010-04-13 터치 패널 장치
EP10003950.2A EP2241959B1 (en) 2009-04-14 2010-04-14 Touch-panel device
CN2010101642515A CN101866239B (zh) 2009-04-14 2010-04-14 触摸面板装置
US13/271,804 US20120031657A1 (en) 2009-04-14 2011-10-12 Electronic device mounting structure and electronic device mounting method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009098235A JP5219908B2 (ja) 2009-04-14 2009-04-14 タッチパネル装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010250493A true JP2010250493A (ja) 2010-11-04
JP5219908B2 JP5219908B2 (ja) 2013-06-26

Family

ID=43312759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009098235A Active JP5219908B2 (ja) 2009-04-14 2009-04-14 タッチパネル装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20120031657A1 (ja)
JP (1) JP5219908B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013051530A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Yamaha Corp フェーダ操作子及びそれを備えた操作子装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9257396B2 (en) 2014-05-22 2016-02-09 Invensas Corporation Compact semiconductor package and related methods

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07230352A (ja) * 1993-09-16 1995-08-29 Hitachi Ltd タッチ位置検出装置及びタッチ指示処理装置
JPH1063404A (ja) * 1996-08-27 1998-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 座標位置入力装置
JP2005100475A (ja) * 2005-01-13 2005-04-14 Fujitsu Ltd タッチパネル装置
JP2007018372A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Nintendo Co Ltd ポインティングデバイスの入力調整プログラムおよび入力調整装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5036431A (en) * 1988-03-03 1991-07-30 Ibiden Co., Ltd. Package for surface mounted components
JPH0828583B2 (ja) * 1992-12-23 1996-03-21 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 多層プリント回路基板およびその製作方法、およびボール・ディスペンサ
KR100435813B1 (ko) * 2001-12-06 2004-06-12 삼성전자주식회사 금속 바를 이용하는 멀티 칩 패키지와 그 제조 방법
SG111069A1 (en) * 2002-06-18 2005-05-30 Micron Technology Inc Semiconductor devices including peripherally located bond pads, assemblies, packages, and methods
JP3908147B2 (ja) * 2002-10-28 2007-04-25 シャープ株式会社 積層型半導体装置及びその製造方法
TWI231023B (en) * 2003-05-27 2005-04-11 Ind Tech Res Inst Electronic packaging with three-dimensional stack and assembling method thereof
JP4074862B2 (ja) * 2004-03-24 2008-04-16 ローム株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、および半導体チップ
JP4551255B2 (ja) * 2005-03-31 2010-09-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP4758712B2 (ja) * 2005-08-29 2011-08-31 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP5136056B2 (ja) * 2005-09-06 2013-02-06 日本電気株式会社 半導体装置
US7429792B2 (en) * 2006-06-29 2008-09-30 Hynix Semiconductor Inc. Stack package with vertically formed heat sink
JP5302522B2 (ja) * 2007-07-02 2013-10-02 スパンション エルエルシー 半導体装置及びその製造方法
JP2009071095A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Spansion Llc 半導体装置の製造方法
JP5358077B2 (ja) * 2007-09-28 2013-12-04 スパンション エルエルシー 半導体装置及びその製造方法
US7838967B2 (en) * 2008-04-24 2010-11-23 Powertech Technology Inc. Semiconductor chip having TSV (through silicon via) and stacked assembly including the chips

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07230352A (ja) * 1993-09-16 1995-08-29 Hitachi Ltd タッチ位置検出装置及びタッチ指示処理装置
JPH1063404A (ja) * 1996-08-27 1998-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 座標位置入力装置
JP2005100475A (ja) * 2005-01-13 2005-04-14 Fujitsu Ltd タッチパネル装置
JP2007018372A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Nintendo Co Ltd ポインティングデバイスの入力調整プログラムおよび入力調整装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013051530A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Yamaha Corp フェーダ操作子及びそれを備えた操作子装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120031657A1 (en) 2012-02-09
JP5219908B2 (ja) 2013-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101138622B1 (ko) 터치 패널 장치
JP5219965B2 (ja) タッチパネル装置
JP5055231B2 (ja) タッチパネルのタッチ位置検出方法
JP5738707B2 (ja) タッチパネル
JP2017511522A (ja) 力検出を伴う投影容量式タッチ
TWI486851B (zh) 自容式觸控面板
JP2010055612A (ja) 多点タッチセンサーシステム
JP2011243181A (ja) タッチパネルにおけるタッチポイントの判断方法およびそのシステム
TWI606376B (zh) 觸控感測裝置及濾除誤觸的觸控方法
US8514193B2 (en) Touch sensing method and touch sensing system
US9274657B2 (en) Self-capacitive touch panel
JP5832772B2 (ja) タッチパネル、タッチパネルシステム、および電子機器
JP6082394B2 (ja) 高分解能なゴースト除去ジェスチャ
TWI491859B (zh) 測量觸碰力量的方法及測量裝置
US20140292715A1 (en) Self-capacitive touch panel
JP5219908B2 (ja) タッチパネル装置
JP5814704B2 (ja) タッチパネルコントローラ、タッチパネルの制御方法、それを用いた入力装置および電子機器
JP2013131079A (ja) 投影型静電容量方式タッチパネルとその座標検出方法
TWI507960B (zh) 觸控系統及其座標修正方法
JP5833511B2 (ja) マルチタッチ状態下で押圧位置を判別可能なユーザインタフェース装置、プログラム及び機能発動方法
TWI467456B (zh) 觸控面板
TW201809995A (zh) 觸控感測裝置及觸碰點的感測方法
WO2014002315A1 (ja) 操作装置
CN105022514A (zh) 侦测方法及其触控面板
US9317167B2 (en) Touch control system and signal processing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20110218

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20110218

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120131

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130305

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160315

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5219908

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350