JP2010246371A - 変換器回路の動作方法およびその方法を実行する装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御信号S1はインダクタンスL1、L2を横切る電圧振動信号VLと、第1の部分変換器システム1のスイッチングセル3中の電力半導体スイッチのためのスイッチング関数α1から形成され、別の制御信号S2がインダクタンスL1、L2を横切る電圧振動信号VLと、第2の部分変換器システム2のスイッチングセル中の電力半導体スイッチのためのスイッチング関数α2から形成され、スイッチング関数α1、α2は出力接続部Aにおける電圧Vuに関する電圧振動信号VAと選択可能な基準信号Vrefとによって形成される。
【選択図】図2
Description
最初に既に述べたように、図1は従来技術による変換器回路の動作方法を実行する装置の1実施形態を示している。図2は変換器回路の動作のための本発明による方法を実行する装置の1実施形態を示している。図2に示されている変換器回路は第1及び第2の部分変換器システム1、2を有し、部分変換器システム1、2は2つの直列接続されたインダクタンスL1、L2を介して相互に直列に接続されている。2つの直列接続されたインダクタンスL1、L2間の接合点は出力接続部Aを形成する。各部分変換器システム1、2は通常、少なくとも1つの2極スイッチングセル3を具備する。1つの部分変換器システム1、2は複数のスイッチングセル3を有し、これらのスイッチングセル3は図2に示されているように、相互に直列に接続されている。各スイッチングセル3は制御された単方向の電流方向を有する2つの直列接続された制御可能な双方向の電力半導体スイッチと、電力半導体スイッチにより形成される直列回路と並列に接続される容量エネルギ蓄積装置とを有している。制御可能な電力半導体スイッチは特にゲートターンオフサイリスタ(GTO)または整流された制御電極と集積されたサイリスタ(IGCT−集積されたゲート整流サイリスタ)の形態であり、それぞれ並列して背中合わせに接続されたダイオードを有する。しかしながら、制御可能な電力半導体スイッチが例えばダイオードが付加的に並列して背中合わせに接続されている電力MOSFETの形態、または絶縁されたゲート電極(IGBT)とダイオードが付加的に並列に背中合わせに接続されているバイポーラトランジスタの形態で実現することも可能である。第1の部分変換器システム1中のスイッチングセル3の数は第2の部分変換器システム2中のスイッチングセル3の数に対応していることが好ましい。
α1=1/2(1−Vref−VA) [1]
さらに、第2の部分変換器システム2のスイッチングセル3中の電力半導体スイッチについてのスイッチング関数α2は次式を使用して、出力接続部Aの電圧Vuに関する電圧振動信号VAと選択可能な基準信号Vrefから形成される。
α2=1/2(1+Vref+VA) [2]
本発明によれば、インダクタンスL1、L2を横切る電圧振動信号VLは次式により示されているように部分変換器システム1、2の電流振動信号Viから形成される。
VL=Vi・(jω(L1+L2)) [3]
部分変換器システム1、2の電流振動信号Viは好ましくは電流振動信号振幅値Ahから、特に次式による電流振動信号振幅値Ahと自由可変周波数/ωおよび位相シフトψによる乗算によって形成される。
Vi=Ah・cos(ωt+ψ) [4]
電流振動信号振幅値Ahは出力接続部Aにおける電流の実際値iuから、特に電流実値iuが例えば測定される出力接続部Aにおける電流iuの直流電流成分ioと、基準信号Vrefから通常形成される。式[5.1]に示されているように以下の関係が電流振動信号振幅値Ahを形成するために使用される。
Ah=Mh [5.2]
ここでΔψは通常、出力接続部Aにおける与えられた振動と電圧Vuとの間の位相差を示している。式[5.2]中のAhとMhの比は一例として選択され、即ちAhとMhの比は通常は自由に選択されることができることに注意すべきである。式[5.1]はそれ故、電流振動信号振幅Ahを決定するために積の振動信号振幅値Ahについてのみ解かれることができる。
通常、電圧振動信号振幅値Mhは出力接続部Aにおける電流実際値iuと基準信号Vrefから形成され、この場合、式[5.1]と[5.2]を使用することが有効に可能であり、式[5.1]は電圧振動信号振幅値Mhを決定するためのみ電圧振動信号振幅値Mhについて解かれる必要がある。
Claims (15)
- 変換器回路の動作方法において、変換器回路は第1及び第2の部分変換器システム(1)を有し、前記部分変換器システム(2)は2つの直列接続されたインダクタンス(L1、L2)を介して相互に直列に接続され、前記2つの直列接続されたインダクタンス(L1、L2)の接合点は出力接続部(A)を形成しており、各部分変換器システム(1、2)は少なくとも1つの2極スイッチングセル(3)を具備し、各スイッチングセル(3)は、制御された単方向の電流方向を有する2つの直列接続された制御可能な双方向電力半導体スイッチと、前記電力半導体スイッチにより形成される前記直列回路と並列に接続されている容量エネルギ蓄積装置とを有しており、前記第1の部分変換器システム(1)の前記スイッチングセル(3)の前記電力半導体スイッチは制御信号(S1)により制御され、前記第2の部分変換器システム(2)の前記スイッチングセル(3)の前記電力半導体スイッチはさらに別の制御信号(S2)により制御され、
前記制御信号(S1)は、インダクタンス(L1、L2)を横切る前記電圧振動信号(vL)と、前記第1の部分変換器システム(1)の前記スイッチングセル(3)中の前記電力半導体スイッチのためのスイッチング関数(α1)とから形成され、
さらに別の制御信号(S2)は、前記インダクタンス(L1、L2)を横切る前記電圧振動信号(vL)と、前記第2の部分変換器システム(2)の前記スイッチングセル(3)中の電力半導体スイッチのためのスイッチング関数(α2)とから形成され、
前記スイッチング関数(α1、α2)は、前記出力接続部(A)における電圧(Vu)に関する電圧振動信号(VA)と選択可能な基準信号(Vref)から形成されることを特徴とする方法。 - 前記インダクタンス(L1、L2)を横切る前記電圧振動信号(VL)は前記部分変換器システム(1、2)の電流振動信号(Vi)から形成されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記部分変換器システム(1、2)の前記電流振動信号(Vi)は電流振動信号振幅値(Ah)から形成されることを特徴とする請求項2記載の方法。
- 前記電流振動信号振幅値(Ah)は出力接続部(A)における電流実際値(iu)と前記基準信号(Vref)から形成されることを特徴とする請求項3記載の方法。
- 前記出力接続部(A)における前記電圧(Vu)に関する前記電圧振動信号(VA)は電圧振動信号振幅値(Mh)から形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の方法。
- 前記電圧振動信号振幅値(Mh)は出力接続部(A)における電流実際値(iu)と前記基準信号(Vref)から形成されることを特徴とする請求項5記載の方法。
- 前記部分変換器システム(1、2)の前記電流振動信号(Vi)、インダクタンス(L1、L2)を横切る前記電圧振動信号(VL)、および前記出力接続部(A)における前記電圧(Vu)に関する前記電圧振動信号(VA)は同じ周波数であることを特徴とする請求項2記載の方法。
- 前記部分変換器システム(1、2)の前記電流振動信号(Vi)、インダクタンス(L1、L2)を横切る前記電圧振動信号(VL)、および前記出力接続部(A)における前記電圧(Vu)に関する前記電圧振動信号(VA)は同じ位相シフトを有していることを特徴とする請求項2または7記載の方法。
- 前記出力接続部(A)における前記電圧(Vu)に関する基準電圧信号は前記基準信号(Vref)として選択される請求項1乃至8のいずれか1項記載の方法。
- 変換器回路の動作方法を実行する装置において、変換器回路は第1及び第2の部分変換器システム(1)を有し、前記部分変換器システム(2)は2つの直列接続されたインダクタンス(L1、L2)を介して相互に直列に接続され、前記2つの直列接続されたインダクタンス(L1、L2)の接合点は出力接続部(A)を形成しており、各部分変換器システム(1、2)は少なくとも1つの2極スイッチングセル(3)を具備し、各スイッチングセル(3)は、制御された単方向の電流方向を有する2つの直列接続された制御可能な双方向電力半導体スイッチと、前記電力半導体スイッチにより形成される前記直列回路と並列に接続されている容量エネルギ蓄積装置とを有しており、前記電力半導体スイッチは、制御信号(S1)を発生するために使用され前記第1の部分変換器システム(1)の前記スイッチングセル(3)中の前記電力半導体スイッチに接続されている第1の制御回路(4)と、さらに別の制御信号(S2)を発生するために使用され前記第2の部分変換器システム(2)の前記スイッチングセル(3)中の前記電力半導体スイッチに接続されている第2の制御回路(5)とを有しており、
前記制御信号(S1)を形成するため、前記第1の制御信号(4)には前記インダクタンス(L1、L2)を横切る前記電圧振動信号(vL)と、前記第1の部分変換器システム(1)の前記スイッチングセル(3)中の前記電力半導体スイッチのためのスイッチング関数(α1)とが与えられ、
さらに別の制御信号(S2)を形成するため、前記第2の制御回路(5)には前記インダクタンス(L1、L2)を横切る前記電圧振動信号(vL)と、前記第2の部分変換器システム(2)の前記スイッチングセル(3)中の電力半導体スイッチのためのスイッチング関数(α2)とが与えられ、
前記第1の計算装置(6)は前記スイッチング関数(α1、α2)を、前記出力接続部(A)における電圧(Vu)に関する電圧振動信号(VA)と選択可能な基準信号(Vref)から形成するために設けられることを特徴とする装置。 - 第2の計算装置(10)は前記部分変換器システム(1、2)の電流振動信号(Vi)から前記インダクタンス(L1、L2)を横切る前記電圧振動信号(VL)を形成するために設けられることを特徴とする請求項10記載の装置。
- 第3の計算装置(7)は電流振動信号振幅値(Ah)から前記部分変換器システム(1、2)の電流振動信号(Vi)を形成するために設けられることを特徴とする請求項11記載の装置。
- 第4の計算装置(9)は前記出力接続部(A)の前記電流実際値(iu)と前記基準信号(Vref)から前記電流振動信号振幅値(Ah)を形成するために設けられることを特徴とする請求項12記載の装置。
- 第5の計算装置(8)は電圧振動信号振幅値(Mh)から前記出力接続部(A)の前記電圧(Vu)に関して前記電圧振動信号(VA)を形成するために設けられることを特徴とする請求項13記載の装置。
- 前記第4の計算装置(9)は前記出力接続部(A)における前記電流実際値(iu)と前記基準信号(Vref)から前記電流振動信号振幅値(Ah)を形成するために設けられることを特徴とする請求項14記載の装置。
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