JP2010245878A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】撮像領域に対する出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきをリアルタイムに補正することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置1は、光電変換素子と画素部用増幅部とを有する画素部P(x、y)が2次元配列されされた固体撮像装置において、画素部P(x、y)と同一の光電変換素子と画素部用増幅部とを有すると共に、光電変換素子を被覆する遮光膜を有する少なくとも1行のオプティカルブラック部Pob(x、y)と、画素部P(x、y)と同一の画素部用増幅部であって、基準電圧が入力される画素部用増幅部を有する少なくとも1行の当該オプティカルグレイ部Pog(x、y)とを備え、基準電圧の値は飽和状態における光電変換素子の出力信号の値より小さい。
【選択図】図1

Description

本発明は、画像品質を高めることが可能な固体撮像装置に関するものである。
特許文献1〜3には、2次元配列された複数の画素部からなる撮像領域を備える固体撮像装置が開示されている。
特許文献1に記載の固体撮像装置は、撮像領域の列毎に対応する複数のポート(出力用増幅部)を備えるマルチポート読み出し型の固体撮像装置であり、各ポートで読み出される撮像領域の境界の列間の出力のばらつきを補償することを目的としている。この固体撮像装置では、各ポートに対応する撮像領域の境界の1列に基準信号を入力し、この基準信号に基づいて、各ポート間の出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきを補償する。
特許文献2に記載の固体撮像装置は、同一基板上に、オプティカルブラックセルと、飽和レベルの基準となるオプティカルホワイトセルとを備えている。この固体撮像装置は、オプティカルホワイトセルからの出力信号を用いて、有効画素が飽和レベルか否かを判断する。
特許文献3に記載の固体撮像装置は、実質的に暗状態における固体撮像素子(画素部)の出力であるリセット信号に基づいて出力用増幅部の利得を変更する。この固体撮像装置は、リセット信号のレベルが高い固体撮像素子ほど感度が低いという傾向に基づき、固体撮像素子の特性ばらつきに起因する出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきを補償する。
特開2003−009005号広報 特開平10−12857号広報 特開2002−044370号広報
ところで、撮像領域に対して列ごとに画像読み出し処理を行う場合、縦じまが生じてしまうことがある。これは、出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきが原因と考えられ、特許文献1に記載の固体撮像装置のように、撮像領域の境界の列間の出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきを補償することが重要である。
しかしながら、特許文献1に記載の固体撮像装置では、撮像領域の境界の1列に基準電圧を供給しているので、撮像動作前に予め補正データを取得し、この補正データを撮像動作中にわたり用いるものと考えられる。ところが、撮像動作開始後、温度が変動することがあり、予め取得した補正データでは補正しきれなくなってしまう。
また、特許文献3に記載の固体撮像装置でも、リセット時に出力用増幅部のオフセット及びゲインを設定しているので、撮像動作開始後、温度が変動すると、補正が十分に行われなくなってしまう。また、リセットレベルから間接的に出力用増幅部のゲインを設定しているため、リセットレベルとゲインに相関が無い部分には補正が効かない。
一方、特許文献2に記載の固体撮像装置では、オプティカルブラックセルからの暗レベルを規定する信号と、オプティカルホワイトセルからの飽和レベルを規定する信号とを、撮像動作中に得られるが、暗レベルを規定する信号と飽和レベルを規定する信号とでは、ゲインばらつきを十分に補正することが困難である。
そこで、本発明は、撮像領域に対する出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきをリアルタイムに補正することが可能な固体撮像装置を提供することを目的としている。
本発明の固体撮像装置は、光電変換素子と当該光電変換素子の出力信号を増幅する画素部用増幅部とを有する画素部が2次元配列された固体撮像装置において、画素部と同一の光電変換素子と画素部用増幅部とを有すると共に、当該光電変換素子を被覆する遮光膜を有するオプティカルブラック部であって、少なくとも1行の当該オプティカルブラック部と、画素部と同一の画素部用増幅部であって、基準電圧が入力される当該画素部用増幅部を有するオプティカルグレイ部であって、少なくとも1行の当該オプティカルグレイ部とを備え、基準電圧の値は、飽和状態における光電変換素子の出力信号の値より小さい。
この固体撮像装置によれば、オプティカルブラック部が、暗状態のときの画素部の出力信号を生成し、オプティカルグレイ部が、暗状態と飽和状態との中間状態のときの画素部の出力信号を生成する。すなわち、オプティカルグレイ部によって、画素部におけるダイナミックレンジ内の出力信号が生成される。これらのオプティカルブラック部及びオプティカルグレイ部が各列に少なくとも1つずつ位置するので、例えば、列ごとに順次に読み出す場合、読み出すごとに、画素部の出力信号と共に、暗状態での出力信号とダイナミックレンジ内の出力信号とが得られる。したがって、複数の画素部に対する出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきをリアルタイムに補正することができる。
上記した固体撮像装置は、オプティカルブラック部の出力信号とオプティカルグレイ部の出力信号とを用いて、画素部からの出力信号を補正する補正回路を更に備えることが好ましい。
この構成によれば、補正回路が、オプティカルブラック部の出力信号に基づいて、順次に入力される画素部からの出力信号のオフセット値を一定に補正することができると共に、オプティカルブラック部の出力信号とオプティカルグレイ部の出力信号との2値に基づいて、順次に入力される画素部からの出力信号に対するゲインを一定に補正することができる。その結果、オフセットばらつき及びゲインばらつきが補正された出力信号が得られる。
本発明の別の固体撮像装置は、光電変換素子と当該光電変換素子の出力信号を増幅する画素部用増幅部とを有する画素部が2次元配列された固体撮像装置において、画素部と同一の画素部用増幅部であって、基準電圧が入力される当該画素部用増幅部を有するオプティカルグレイ部を複数備え、前記基準電圧の値は、飽和状態における光電変換素子の出力信号の値より小さく、かつ、行ごとに異なる。
この別の固体撮像装置によれば、オプティカルグレイ部が、暗状態と飽和状態との中間状態であって、複数の異なる中間状態のときの画素部の出力信号を生成する。すなわち、オプティカルグレイ部によって、画素部におけるダイナミックレンジ内の出力信号が複数生成される。これらのオプティカルグレイ部が各列に複数位置するので、例えば、列ごとに順次に読み出す場合、読み出すごとに、画素部の出力信号と共に、ダイナミックレンジ内の複数の出力信号とが得られる。したがって、複数の画素部に対する出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきをリアルタイムに補正することができる。
上記した別の固体撮像装置は、複数行のオプティカルグレイ部の出力信号を用いて、画素部からの出力信号を補正する補正回路を更に備えることが好ましい。
この構成によれば、補正回路が、複数のオプティカルグレイ部の出力信号に基づいて、順次に入力される画素部からの出力信号のオフセット値を一定に補正することができると共に、複数のオプティカルグレイ部の出力信号に基づいて、順次に入力される画素部からの出力信号に対するゲインを一定に補正することができる。その結果、オフセットばらつき及びゲインばらつきが補正された出力信号が得られる。
また、上記した固体撮像装置及び別の固体撮像装置は、基準電圧を生成すると共に、当該基準電圧を変更する可変電圧発生部を更に備えることが好ましい。
この構成によれば、値が異なる複数の基準電圧がオプティカルグレイ部の画素部用増幅部に入力されるので、オプティカルグレイ部によって、画素部におけるダイナミックレンジ内の複数の出力信号を生成することができる。その結果、複数の補正値を用いてゲインばらつきを補正することができ、より高精度にゲインばらつきを補正することができる。特に、ゲイン特性が非線形な特性であっても、多点の補正値を用いることでゲインばらつきを補正可能である。
上記したオプティカルグレイ部は、画素部用増幅部の入力側に直列に接続された容量素子を更に備え、基準電圧はパルス電圧であることが好ましい。
例えば、固体撮像装置では、CDS(Correlated Double Sampling;相関2重サンプリング)回路を備え、相関2重サンプリング法に基づいて雑音を除去することがある。しかしながら、オプティカルグレイ部に直流の基準電圧を供給すると、CDS回路ではリセット時の雑音を除去することが困難である。
しかしながら、この構成によれば、オプティカルグレイ部に供給される電圧がパルス電圧であるので、CDS回路によってリセット時の雑音を除去することができる。
上記した固体撮像装置では、画素部、オプティカルブラック部及びオプティカルグレイ部が2次元配列されてなる撮像領域を行方向にm個のブロック(mは2以上の整数)に分け、撮像領域におけるm個のブロックからの出力信号をそれぞれ受け、オプティカルブラック部の出力信号とオプティカルグレイ部の出力信号とを用いて、画素部からの出力信号を補正するm個の補正回路を更に備えることが好ましい。
また、上記した別の固体撮像装置では、画素部及び複数行のオプティカルグレイ部が2次元配列されてなる撮像領域を行方向にm個のブロック(mは2以上の整数)に分け、撮像領域におけるm個のブロックからの出力信号をそれぞれ受け、複数行のオプティカルグレイ部の出力信号を用いて、画素部からの出力信号を補正するm個の補正回路を更に備えることが好ましい。
これらの構成によれば、m個の補正部が、それぞれ、出力信号のオフセット及びゲインを一定にするように、各ブロックごとに同一の補正処理を行うので、ブロック間に発生しうる出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきをリアルタイムに補正することができる。
本発明によれば、固体撮像装置の撮像領域に対する出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきをリアルタイムに補正することができる。
本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。 図1に示す画素部及びオプティカルブラック部の主要部の回路図である。 図1に示すオプティカルグレイ部の回路図である。 図1に示す保持部の回路図である。 図1に示す出力用増幅部の回路図である。 図1に示す補正部の回路図である。 図6に示す補正部による補正処理の概念図である。 図1に示す固体撮像装置の各信号波形を示すタイムチャートである。 本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。 図9に示す可変電圧発生部の回路図である。 図10に示す可変電圧発生部による補正処理の概念図である。 本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。 図12に示すオプティカルグレイ部の回路図である。 図12に示す固体撮像装置の各信号波形を示すタイムチャートである。 本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。 本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。 図16に示す補正部の回路図である。 図16に示す補正部による補正処理の概念図である。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。図1に示す固体撮像装置1は、受光部10と、列並列出力部20と、増幅部30と、補正部40と、行選択部50と、列選択部60とを備えている。
受光部10は、入射した光の像を撮像するためのものであり、複数の画素部P(x,y)と、複数のオプティカルブラック部(以下、OB部という。)Pob(x,y)と、複数のオプティカルグレイ部(以下、OG部という。)Pog(x,y)とを有している。
複数の画素部P(x,y)は、行方向及び列方向に2次元配列されている。各画素部P(x,y)は、共通の構成を有していて、入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷に応じた電圧を増幅する画素内増幅部とを有している。
複数のOB部Pob(x,y)は、2次元配列された画素部P(x,y)を囲うように配列されている。各OB部Pob(x,y)は、共通の構成を有していて、画素部P(x,y)と同一の構成を有している。また、各OB部Pob(x,y)は、フォトダイオードを被覆する遮光膜を有している。
複数のOG部Pog(x,y)は、2次元配列された画素部P(x,y)及びOB部Pob(x,y)を列方向に挟み込むように、行方向に配列されている。各OG部Pog(x,y)は、共通の構成を有していて、画素部P(x,y)と同一の画素内増幅部を有している。この画素内増幅部の入力端子には、基準電圧が入力されている。
このように構成された受光部10は、行選択部50から出力される制御信号(後述するVreset(y)信号、Vtrans(y)信号、及び、Vshift(y)信号)に応じて、フォトダイオードから画素内増幅部への電荷の画素内転送や、画素内増幅部から列並列出力部20への電荷の転送などを行う。
列並列出力部20は、共通の構成を有する複数の保持部H(x)を有している。複数の保持部H(x)のうちのx番目の保持部は、画素部P(x,y)のうちのx番目の1列の画素部に接続されている。保持部H(x)は、接続された1列の画素部P(x,y)から転送される電圧を順次に受け、この電圧値を保持する。また、保持部H(x)は、雑音成分が重畳された信号成分を表す電圧値を保持するとともに、雑音成分を表す電圧値も保持することができる。保持部H(x)は、列選択部60からの制御信号(後述するset_s(x)信号、set_n(x)信号、及び、Hshift(x)信号)に応じて、保持のタイミング及び読み出しのタイミングが制御される。
増幅部30は、列並列出力部20、すなわち、複数の保持部H(x)から読み出される電圧を順次に受け、これらの電圧値を増幅する。このとき、増幅部30は、信号成分から雑音成分を除去した出力信号を補正部40へ出力する。
補正部40は、OB部Pob(x,y)からの出力信号とOG部Pog(x,y)からの出力信号とを用いて、画素部P(x,y)からの出力信号の電圧値を補正する。
次に、受光部10における画素部P(x,y)、OB部Pob(x,y)及びOG部Pog(x,y)、列並列出力部20における保持部H(x)、増幅部30、補正部40について詳細に説明する。
図2は、画素部P(x,y)の回路図である。図2には、複数の画素部P(x、y)を代表してx列y行目の画素部P(x、y)が示されている。画素部P(x,y)は、APS(Active Pixel Sensor)方式を採用しており、フォトダイオードPD(x,y)、MOSトランジスタTt(x,y),Tr(x,y),Ta(x,y),Tamp(x,y)を有している。ここで、トランジスタTamp(x,y)が、上記した画素内増幅部である。
フォトダイオードPD(x,y)のカソードには、画素内転送用トランジスタTt(x,y)及びトランジスタTr(x,y)を介して基準電圧Vr1が入力されており、アノードは接地されている。画素内転送用トランジスタTt(x,y)とトランジスタTr(x,y)との間のノードは、増幅用トランジスタTamp(x,y)のゲートに接続されている。増幅用トランジスタTamp(x,y)のドレインには基準電圧Vr2が入力され、ソースは転送用トランジスタTa(x、y)を介して配線Hline(x)に接続されている。
トランジスタTt(x,y)のゲートにはVtrans(y)信号が入力され、トランジスタTr(x,y)のゲートにはVreset(y)信号が入力される。また、トランジスタTa(x,y)のゲートにはVshift(y)信号が入力される。これらのVtrans(y)信号,Vreset(y)信号及びVshift(y)信号は、行選択部50から供給される。
Vtrans(y)信号がハイレベルになると、外部光量に応じてフォトダイオードPD(x,y)に発生した電荷が増幅用トランジスタTamp(x,y)のゲート容量(電荷蓄積部)へ転送される電荷の画素内転送が行われる。そして、Vshift(y)信号がハイレベルになると、増幅用トランジスタTamp(x,y)のゲート容量に蓄積された電荷の量に応じた電圧値が配線Hline(x)へ信号成分として出力される。なお、画素部P(x、y)から配線Hline(x)へノイズ成分を出力するためには、Vtrans(y)信号をローレベルとし、Vreset(y)信号を一旦ハイレベルとして増幅用トランジスタTamp(x,y)のゲート容量の電圧をリセットした後に、Vshift(y)信号をハイレベルにすればよい。
ここで、トランジスタTa(x、y)が開いた状態で、画素内転送用トランジスタTt(x,y)が閉/開することによって、フォトダイオードPD(x、y)に蓄積されていた電荷が、増幅用トランジスタTamp(x、y)のゲート容量に転送/保持される。このとき、フォトダイオードPD(x、y)では次の蓄積が開始される。これにより、全画素部での蓄積の開始、終了が略同時に行われるグローバルシャッターモードの動作が実現される。
次に、OB部Pob(x,y)について説明する。OB部Pob(x,y)は、図2に示す画素部P(x,y)において更に遮光膜を有している。例えば、この遮光膜は、OB部Pob(x,y)におけるフォトダイオードPD(x、y)を被覆している。これによって、OB部Pob(x,y)は、画素部P(x,y)の暗状態に相当する暗信号を出力することとなる。
ここで、通常の受光領域の画素におけるフォトダイオードPDに相当する領域で発生した電荷は周囲に拡散することがあり、隣接画素の真の信号へ影響を及ぼすこととなる。それを防止するために、OB部Pob(x,y)は画素部P(x,y)の周辺部に配置されている。
図3は、OG部Pog(x,y)の回路図である。図3には、複数のOG部Pog(x,y)を代表してx列y行目のOG部が示されている。
OG部Pog(x,y)は、画素部P(x,y)においてフォトダイオードPD(x,y)を備えておらず、基準電圧Vdcとして定電圧が入力されている。基準電圧Vdcは、トランジスタTt(x、y)を介して増幅用トランジスタTamp(x、y)のゲートに入力される。この基準電圧Vdcの値は、画素部P(x,y)におけるフォトダイオードPD(x,y)が暗状態のときの出力値と、飽和したときの出力値との中間レベルに設定されている。すなわち、基準電圧Vdcの値は、画素部P(x,y)におけるフォトダイオードPD(x,y)のダイナミックレンジ内の出力値に設定されている。これによって、OG部Pog(x,y)は、画素部P(x,y)のダイナミックレンジ内の状態に相当する中間信号を出力することとなる。
図4は、保持部H(x)の回路図である。図4には、複数の保持部H(x)を代表してx番目の保持部が示されている。
保持部H(x)は、画素部P(x,y)、OB部Pob(x,y)及びOG部Pog(x,y)から出力される信号成分を保持するための容量素子Cs(x)と、スイッチSWs1(x),SWs2(x)とを有している。また、保持部H(x)は、画素部P(x,y)、OB部Pob(x,y)及びOG部Pog(x,y)から出力されるノイズ成分を保持するための容量素子Cn(x)と、スイッチSWn1(x),SWn2(x)とを有している。また、保持部H(x)は、定電流源I(x)を有している。
スイッチSWs1(x)とスイッチSWs2(x)とは、配線Hline(x)と配線out_sとの間に直列接続されている。スイッチSWs1(x)とスイッチSWs2(x)との間のノードには、容量素子Cs(x)の一端が接続されており、容量素子Cs(x)の他端は接地されている。同様に、スイッチSWn1(x)とスイッチSWn2(x)とは、配線Hline(x)と配線out_nとの間に接続されている。スイッチSWn1(x)とスイッチSWn2(x)との間のノードには、容量素子Cn(x)の一端が接続されており、容量素子Cn(x)の他端は接地されている。
スイッチSWs1(x)はset_s(x)信号に応じて開閉し、スイッチSWn1(x)はset_n(x)信号に応じて開閉する。また、スイッチSWs2(x),SWn2(x)はHshift(x)信号に応じて開閉する。set_s(x)信号、set_n(x)信号、Hshift(x)信号は、列選択部60から供給される。
定電流源I(x)は、配線Hline(x)に接続されている。このように、定電流源I(x)が、画素部P(x,y)、OB部Pob(x,y)及びOG部Pog(x,y)の出力段ではなく、保持部H(x)の入力段に設けられることによって、画素部P(x,y)、OB部Pob(x,y)及びOG部Pog(x,y)と保持部H(x)との間では電流信号が授受されることとなる。電流信号は電圧信号と比較して、配線等の容量による信号劣化が少ないので、この構成によれば、配線Hline(x)等の容量による信号劣化を低減することができる。
この保持部H(x)では、set_s(x)信号に応じてスイッチSWs1(x)が閉/開することによって、画素部P(x,y)、OB部Pob(x,y)及びOG部Pog(x,y)から出力される信号成分が容量素子Cs(x)に蓄積/保持される。そして、Hshift(x)信号に応じてスイッチSWs2(x)が閉じると、容量素子Cs(x)により保持されている電圧値が配線out_sへ出力される。一方、set_n(x)信号に応じてスイッチSWn1(x)が閉/開することによって、画素部P(x,y)、OB部Pob(x,y)及びOG部Pog(x,y)から出力されるノイズ成分が容量素子Cn(x)に蓄積/保持される。そして、Hshift(x)信号に応じてスイッチSWn2(x)が閉じると、容量素子Cn(x)により保持されている電圧値が配線out_nへ出力される。
図5は、増幅部30の回路図である。増幅部30は、増幅器As,Anと、差動増幅器Asnと、スイッチSWs、SWnと、抵抗素子R1〜R4を有している。
増幅器Asの入力端子は配線out_sに接続されており、出力端子は抵抗素子R1を介して差動増幅器Asnの反転入力端子に接続されている。同様に、増幅器Anの入力端子は配線out_nに接続されており、出力端子は抵抗素子R2を介して差動増幅器Asnの非反転入力端子に接続されている。差動増幅器Asnの非反転入力端子は抵抗素子R3を介して接地されており、差動増幅器Asnの非反転入力端子には、増幅器Anの出力信号を抵抗素子R2,R3の直列回路で分圧した電圧が入力される。また、差動増幅器Asnの出力端子と反転入力端子との間には帰還用抵抗素子R4が接続されており、差動増幅器Asnの出力端子はビデオ出力配線Video1に接続されている。
また、増幅器As,Anの入力端子と接地電位との間には、それぞれ、スイッチSWs,SWnが接続されている。スイッチSWs,SWnは、Hreset信号に応じて開閉する。スイッチSWs,SWnが閉じると、それぞれ、増幅器As,Anの入力端子がリセットされる。
スイッチSWs,SWnが開いているときには、保持部H(x)から出力された信号成分及びノイズ成分を受け、差動増幅器Asnによってノイズ成分を除去した信号成分が出力される。
図6は、補正部40の回路図である。補正部40は、記憶部41と演算部42とを有している。記憶部41は、OB部Pob(x,y)からの暗信号の値、OG部Pog(x,y)からの中間信号の値を記憶すると共に、この値を演算部42へ出力する。演算部42は、OB部Pob(x,y)からの暗信号の値、OG部Pog(x,y)からの中間信号の値を用いて、画素部P(x,y)の出力値を補正する。
図7は、補正部40による補正処理を示す概念図である。図7(a)には、異なる列ということで、例えば、画素部P(3、3)と画素部P(4、3)との2つの補正前の入出力特性が示されており、図7(b)には、これらの画素部P(3、3)及び画素部P(4、3)の補正後の入出力特性が示されている。例えば、演算部42は、記憶部41に記憶されたOB部Pob(3,2)からの暗信号の値に基づいて、オフセット値が一定になるように、すなわち、入出力特性のオフセット値Aが一定になるように、画素部P(3、3)の出力値を補正する。また、演算部42は、記憶部41に記憶されたOB部Pob(3,2)からの暗信号の値とOG部Pog(3,1)からの中間信号の値との2値に基づいて、ゲインが一定になるように、すなわち、入出力特性の傾きBが一定になるように、画素部P(3、3)の出力値を補正する。また、演算部42は、記憶部41に記憶されたOB部Pob(4,2)からの暗信号の値に基づいて、オフセット値が一定になるように、すなわち、入出力特性のオフセット値Aが一定になるように、画素部P(4、3)の出力値を補正する。また、演算部42は、記憶部41に記憶されたOB部Pob(4,2)からの暗信号の値とOG部Pog(4,1)からの中間信号の値との2値に基づいて、ゲインが一定になるように、すなわち、入出力特性の傾きBが一定になるように、画素部P(4、3)の出力値を補正する。
次に、本実施形態の固体撮像装置1の動作を説明する。図8は、固体撮像装置1の各信号波形を示すタイムチャートである。図8には、例えば、y行目を読み出すときの各信号波形が示されており、この動作が各行に対して順次に繰り返されることとなる。
図8に示すように、Vshift(y)信号がハイレベルになった後に、Vshift(y)信号、Vreset(y)信号、set_n(x)信号が順次にハイレベルになると、y行目の画素部P(x,y)、OB部Pob(x、y)及びOG部Pog(x、y)からのノイズ成分が保持部H(x)における容量素子Cn(x)に蓄積される。
次に、Vtrans(y)信号がハイレベルになると、画素部P(x,y)及びOB部Pob(x、y)におけるフォトダイオードPD(x、y)から増幅用トランジスタTamp(x、y)のゲート容量へ電荷の画素内転送が行われる。また、OG部Pog(x、y)では、増幅用トランジスタTamp(x、y)のゲート容量へ基準電圧Vdcが供給される。その後、set_s(x)信号がハイレベルになると、画素部P(x,y)、OB部Pob(x、y)及びOG部Pog(x、y)における増幅用トランジスタTamp(x、y)から保持部H(x)における容量素子Cs(x)へ電荷の転送が行われる。これらの動作が1列目からx列目まで同時に行われる。
次に、Hshift(1)〜Hshift(x)が順次にハイレベルになると、保持部H(1)〜H(x)における容量素子Cs(1)〜Cs(x)から信号成分が増幅部30に順次に読み出されると共に、容量素子Cn(1)〜Cn(x)からノイズ成分が増幅部30に順次に読み出される。すると、増幅部30によって、信号成分からノイズ成分が除去されて順次に出力される。
その後、補正部40では、OB部Pob(x、y)からの暗信号及びOG部Pog(x、y)からの中間信号が記憶部41に記憶される。そして、演算部42では、記憶部41に記憶されたこれらのOB部Pob(x、y)からの暗信号及びOG部Pog(x、y)からの中間信号に基づいて、出力信号のオフセット及びゲインが一定になるように、順次に入力される画素部P(x,y)の出力値が補正される。
このように、第1の実施形態の固体撮像装置1によれば、OB部Pob(x、y)が、暗状態のときの画素部P(x、y)の出力信号を生成し、OG部Pog(x、y)が、暗状態と飽和状態との中間状態のときの画素部P(x、y)の出力信号を生成する。すなわち、OG部Pog(x、y)によって、画素部P(x、y)におけるダイナミックレンジ内の出力信号が生成される。これらのOB部Pob(x、y)及びOG部Pog(x、y)が各列に少なくとも1つずつ位置するので、例えば、列ごとに順次に読み出す場合、読み出すごとに、画素部P(x、y)の出力信号と共に、暗状態での出力信号とダイナミックレンジ内の出力信号とが得られる。したがって、複数の画素部P(x、y)に対する出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきをリアルタイムに補正することができる。その結果、列間に発生しうる撮像領域に対するこれらのばらつきを補正することができ、イメージの列の境界に発生しうる縦じまを低減することができる。すなわち、画像の画質を向上することができる。
また、第1の実施形態の固体撮像装置1によれば、OG部Pog(x、y)によって、画素部P(x、y)におけるダイナミックレンジ内の出力信号が生成されるので、ゲインばらつきを高精度に補正することができる。
上記したように、第1の実施形態の固体撮像装置1によれば、画素部P(x、y)のまわりに配置したOB部Pob(x、y)及びOG部Pog(x、y)から補正データが得られるので、撮影と同時に補正データが得られ、リアルタイムで補正をかけることが可能となる。その結果、撮影前に、真っ暗にして画像を撮像したり、均一光を入れて画像を撮像したりする必要がなく、初期補正を簡単に行うことが可能である。
[第2の実施形態]
図9は、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。図9に示す固体撮像装置1Aは、固体撮像装置1において可変電圧発生部70を更に備えている構成で第1の実施形態と異なっている。固体撮像装置1Aの他の構成は、固体撮像装置1と同一である。
図10は、可変電圧発生部70の回路図である。この可変電圧発生部70は、例えば、それぞれ異なる基準電圧を発生する3個の基準電圧発生器71〜73と、これらの基準電圧発生部71〜73の出力電圧を順次に基準電圧Vdcとして出力する選択器74とを有している。選択器74は、基準電圧発生器71〜73の各々に直列に接続された3個のスイッチ74a〜74cを有しており、これらのスイッチ74a〜74cを順次に閉じることによって、OG部Pog(x、y)へ3つの基準電圧Vdcを供給する。
図11は、可変電圧発生部70を用いた補正処理を示す概念図である。図11に示すように、OG部Pog(x、y)では、順次に供給される3つの基準電圧Vdcに基づいて、画素部P(x、y)のダイナミックレンジ内の異なる3つの中間信号が出力される。補正部40では、これらのダイナミックレンジ内の3つの補正データと、OB部Pob(x、y)からの暗状態の補正データとに基づいて、ゲインが一定になるように、画素部P(x、y)の出力値を補正する。
このように、第2の実施形態の固体撮像装置1Aによれば、多点の補正値を用いてゲインばらつきの補正を行うことができるので、より高精度にゲインばらつきを補正することができる。特に、ゲイン特性が非線形な特性であっても、多点の補正値を用いることでゲインばらつきを補正可能である。
[第3の実施形態]
図12は、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。図12に示す固体撮像装置1Bは、固体撮像装置1において受光部10に代えて受光部10Bを備えている。固体撮像装置1Bの他の構成は、固体撮像装置1と同一である。受光部10Bは、複数のOG部Pog(x、y)に代えて複数のOG部Pogb(x、y)を有している。受光部10Bの他の構成は、受光部10と同一である。
図13は、OG部Pogb(x、y)の回路図である。図13には、複数のOG部Pogb(x、y)を代表してx列y行目のOG部Pogb(x、y)が示されている。OG部Pogb(x、y)は、トランジスタTt(x、y)を介して増幅用トランジスタTamp(x、y)のゲートに直列に接続されたAC結合のための容量素子Cac(x、y)を有している。そして、増幅用トランジスタTamp(x、y)のゲートには、この容量素子Cac(x、y)とトランジスタTt(x、y)とを介して、パルス状の基準電圧Vpが入力される。OG部Pogb(x、y)のその他の構成は、OG部Pog(x、y)と同一である。
図14は、固体撮像装置1Bの各信号波形を示すタイムチャートである。図14には、例えば、y行目を読み出すときの各信号波形が示されており、この動作が各行に対して順次に繰り返されることとなる。
図14に示すように、基準電圧Vpは、Vtrans(y)信号がハイレベルであるときにレベルが変化するパルス電圧である。この基準電圧Vpのレベルは、Vshift(y)信号がローレベルに戻った後に戻る。
ここで、本実施形態の固体撮像装置1Bでは、保持部と増幅部とがCDS(Correlated Double Sampling;相関2重サンプリング)回路を構成しており、相関2重サンプリング法に基づいて雑音を除去している。しかしながら、第1及び第2の実施形態の固体撮像装置1,1Bでは、OG部Pog(x、y)に直流の基準電圧Vdcを供給しているので、CDS回路ではリセット時の雑音を除去することが困難であった。
そこで、第3の実施形態の固体撮像装置1Bでは、OG部Pogb(x、y)に供給する基準電圧Vpをパルス電圧とした。例えば、Vtrans(y)信号がハイレベルのときに基準電圧Vpのレベルを変化させることで、パルス電圧を供給すると共に、その後一定の電圧を供給する。これにより、CDS回路によってリセット時の雑音を除去することができると共に、画素部P(x、y)のダイナミックレンジ内の中間信号を抽出することができる。
[第4の実施形態]
図15は、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。図15に示す固体撮像装置1Cは、マルチポート読み出し型の固体撮像装置である。この固体撮像装置1Cでは、x列y行の受光領域が列方向にm個のブロックに分割されている。図15には、例えば、1ブロックが3列で構成される固体撮像装置が示されている。そして、このm個のブロックにそれぞれ対応するm個の増幅部30とm個の補正部40とを備えている。固体撮像装置1Cのその他の構成は、固体撮像装置1と同一である。
この固体撮像装置1Cでは、m個の増幅部30及びm個の補正部40が各ブロックごとに上記と同様な読み出し処理及び補正処理を略同時に行う。これによって、高速読み出しを可能としている。
このようなマルチポート読み出し型の固体撮像装置では、イメージの各ブロックの境界において縦じまが発生することがある。しかしながら、この第4の実施形態の固体撮像装置1Cによれば、m個の増幅部30及びm個の補正部40が、それぞれ、出力信号のオフセット及びゲインを一定にするように、各ブロックごとに同一の補正処理を行うので、ブロック間に発生しうる出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきをリアルタイムに補正することができ、イメージのブロックの境界に発生しうる縦じまを低減することができる。すなわち、画像の画質を向上することができる。
[第5の実施形態]
図16は、本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。図16に示す固体撮像装置1Dは、固体撮像装置1において受光部10及び補正部40に代えて受光部10D、補正部40Dを備えている。固体撮像装置1Dの他の構成は、固体撮像装置1と同一である。
受光部10Dは、OB部Pob(x、y)とOG部Pog(x、y)に代えて2行のOG部Pog1(x、y)とOG部Pog2(x、y)とを有している。受光部10Dの他の構成は、受光部10と同一である。OG部Pog1(x、y)及びOG部Pog2(x、y)には、それぞれ、第1の実施形態におけるOG部Pog(x、y)が適用可能である。これらのOG部Pog1(x、y)及びOG部Pog2(x、y)には、それぞれ異なる値の基準電圧Vdcが供給される。これらの基準電圧Vdcの値は、それぞれ、画素部P(x,y)におけるフォトダイオードPD(x,y)が暗状態のときの出力値と、飽和したときの出力値との中間レベルに設定されている。すなわち、基準電圧Vdcの値は、それぞれ、画素部P(x,y)におけるフォトダイオードPD(x,y)のダイナミックレンジ内の出力値に設定されている。これによって、OG部Pog1(x、y)及びOG部Pog2(x、y)は、画素部P(x,y)のダイナミックレンジ内の状態に相当する中間信号であって、それぞれ異なる中間信号を出力することとなる。
図17は、補正部40Dの回路図である。補正部40Dは、記憶部41と演算部42Dとを有している。記憶部41は、OG部Pog1(x,y)からの中間信号の値、OG部Pog2(x,y)からの中間信号の値を記憶すると共に、この値を演算部42Dへ出力する。演算部42Dは、OG部Pog1(x,y)からの中間信号の値、OG部Pog2(x,y)からの中間信号の値を用いて、画素部P(x,y)の出力値を補正する。
図18は、補正部40Dによる補正処理を示す概念図である。図18(a)には、異なる列ということで、例えば、画素部P(3、3)と画素部P(4,3)との2つの補正前の入出力特性が示されており、図18(b)には、これらの画素部P(3、3)及び画素部P(4,3)の補正後の入出力特性が示されている。例えば、演算部42Dは、記憶部41に記憶されたOG部Pog1(3,2)からの中間信号の値とOG部Pog2(3,1)からの中間信号の値との2値に基づいて、オフセット値が一定になるように、すなわち、入出力特性のオフセット値Aが一定になるように、また同時に、ゲインが一定になるように、すなわち、入出力特性の傾きBが一定になるように、画素部P(3、3)の出力値を補正する。また、演算部42Dは、記憶部41に記憶されたOG部Pog1(4,2)からの中間信号の値とOG部Pog2(4,1)からの中間信号の値との2値に基づいて、オフセット値が一定になるように、すなわち、入出力特性のオフセット値Aが一定になるように、また同時に、ゲインが一定になるように、すなわち、入出力特性の傾きBが一定になるように、画素部P(4、3)の出力値を補正する。
このように、第5の実施形態の固体撮像装置1Dによれば、OG部Pog1(x,y)及びOG部Pog2(x,y)が、暗状態と飽和状態との中間状態であって、2つの異なる中間状態のときの画素部P(x、y)の出力信号を生成する。すなわち、OG部Pog1(x,y)及びOG部Pog2(x,y)によって、画素部P(x、y)におけるダイナミックレンジ内の出力信号が2つ生成される。これらのOG部Pog1(x,y)及びOG部Pog2(x,y)が各列に2つ位置するので、例えば、列ごとに順次に読み出す場合、読み出すごとに、画素部P(x、y)の出力信号と共に、ダイナミックレンジ内の2つの出力信号とが得られる。したがって、複数の画素部P(x、y)に対する出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきをリアルタイムに補正することができる。その結果、第5の実施形態の固体撮像装置1Dでも、第1の実施形態の固体撮像装置1と同様に、列間に発生しうる撮像領域に対するこれらのばらつきを補正することができ、イメージの列の境界に発生しうる縦じまを低減することができる。すなわち、画像の画質を向上することができる。
また、第5の実施形態の固体撮像装置1Dでも、OG部Pog1(x,y)及びOG部Pog2(x,y)によって、画素部P(x、y)におけるダイナミックレンジ内の出力信号が生成されるので、ゲインばらつきを高精度に補正することができる。
なお、第5の実施形態では、それぞれ異なる基準電圧が供給されるOG部を2行備えたが、それぞれ異なる基準電圧が供給されるOG部を3行以上備えていてもよい。この場合、補正部40Dは、これらの3つ以上のOG部からの中間信号の値を用いて、画素部P(x,y)の出力値を補正することとなる。
また、第5の実施形態では、第2の実施形態に示す可変電圧発生部70と同様に、それぞれ異なる基準電圧を発生すると共に、これらの基準電圧のうちの2つの基準電圧を選択的に出力し、OG部Pog1(x,y)及びOG部Pog2(x,y)にそれぞれ供給する可変電圧発生部を更に備えていてもよい。
また、第5の実施形態では、OG部Pog1(x、y)及びOG部Pog2(x、y)として、それぞれ、第3の実施形態におけるPogb(x、y)が用いられてもよい。この場合、OG部Pog1(x、y)及びOG部Pog2(x、y)には、それぞれ異なる値のパルス状の基準電圧Vpが供給されることとなる。
また、第5の実施形態では、第4の実施形態と同様に、x列y行の受光領域が列方向にm個のブロックに分割されており、これらのm個のブロックにそれぞれ対応するm個の増幅部30とm個の補正部40Dとを備えるマルチポート読み出し型の固体撮像装置であってもよい。
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、撮像領域におけるOG部Pog(x、y),Pogb(x、y),Pog1(x、y),Pog2(x、y)及びOB部Pob(x、y)の配置位置は本実施形態に限られない。例えば、第1の実施形態で具体的に例示すれば、OG部Pog(x、y),Pogb(x、y)がOB部Pob(x、y)より外側に配置されたが、OB部Pob(x、y)がOG部Pog(x、y),Pogb(x、y)より外側に配置されてもよい。また、本実施形態では、OB部Pob(x、y)が画素部P(x、y)を囲うように配置されたが、撮像領域において少なくとも1列配置されればよい。また、本実施形態では、OG部Pog(x、y),Pogb(x、y)が画素部P(x、y)及びOB部Pob(x、y)を挟み込むように配置されたが、撮像領域において少なくとも1列配置されればよい。
また、本実施形態では、補正部40,40Dにおける記憶部41は、OB部Pob(x、y)からの暗信号、OG部Pog(x、y),Pogb(x、y),Pog1(x、y),Pog2(x、y)からの中間信号が入力されるたびに記憶し直し、最新の補正データを演算部42,42Dに出力したが、記憶部41は、これらの暗信号、中間信号を毎回記憶し直さなくてもよい。出力信号のオフセットばらつき及びゲインばらつきは常時生じるものではないので、例えば、記憶部41は、ある時間間隔で、これらの暗信号、中間信号を毎回記憶し直してもよい。また、記憶部41は、これらの暗信号、中間信号を累積記憶し、ある時間間隔で、最新の補正データに切替出力してもよい。このように、OB部データ、OG部データ及び画像データを全て保存しておけば、後から振り返って補正することが可能である。
また、第2の実施形態では、可変電圧発生部70によってOG部Pog(x、y)に入力する基準電圧Vdcを変更したが、OG部Pog(x、y)に入力される基準電圧Vdcを変更する手法は、この形態に限られない。例えば、外部接続用端子を備え、この外部接続用端子を用いて、外部からOG部Pog(x、y)に基準電圧Vdcを供給すると共に、この外部から供給する基準電圧Vdcを変更してもよい。
また、第4の実施形態では、撮像領域におけるm個のブロックごとにm個の増幅部30及び補正部40を備えたが(マルチポート読み出し型)、x列ごとにx個の増幅部30及び補正部40を備えてもよい(完全列並列読み出し型)。また、第5の実施形態でも、x列ごとにx個の増幅部30及び補正部40Dを備えた完全列並列読み出し型であってもよい。
また、本実施形態では、列並列出力部20をアナログ型の保持部H(x)で構成したが、列並列出力部20は、ディジタル型のカラムADCで構成されてもよい。これによれば、無視することができないカラムADCの列間ばらつきをも補正することができる。
1,1A,1B,1C…固体撮像装置、10,10B…受光部、P(x、y)…画素部、Pob(x、y)…オプティカルブラック部(OB部)、Pog(x、y),Pogb(x、y),Pog1(x、y),Pog2(x、y)…オプティカルグレイ部(OG部)、PD(x、y)…フォトダイオード(光電変換素子)、Tr(x、y)…トランジスタ、Tt(x、y)…画素内転送用トランジスタ、Tamp(x、y)…増幅用トランジスタ(画素部用増幅部、画素内増幅部)、Ta(x、y)…転送用トランジスタ、Cac(x、y)…容量素子、20…列並列出力部、H(x)…保持部、Cn(x),Cs(x)…容量素子、SWn1(x),SWn2(x)…スイッチ、SWs1(x),SWs2(x)…スイッチ、I(x)…定電流源、30…増幅部、As,An…増幅器、Asn…差動増幅器、R1〜R4…抵抗素子、SWs,SWn…スイッチ、40…補正部、41…記憶部、42…演算部、50…行選択部、60…列選択部、70…可変電圧発生部、71〜73…基準電圧発生器、74…選択器、74a〜74c…スイッチ。

Claims (8)

  1. 光電変換素子と当該光電変換素子の出力信号を増幅する画素部用増幅部とを有する画素部が2次元配列された固体撮像装置において、
    前記画素部と同一の光電変換素子と画素部用増幅部とを有すると共に、当該光電変換素子を被覆する遮光膜を有するオプティカルブラック部であって、少なくとも1行の当該オプティカルブラック部と、
    前記画素部と同一の画素部用増幅部であって、基準電圧が入力される当該画素部用増幅部を有するオプティカルグレイ部であって、少なくとも1行の当該オプティカルグレイ部と、
    を備え、
    前記基準電圧の値は、飽和状態における前記光電変換素子の出力信号の値より小さい、
    固体撮像装置。
  2. 前記オプティカルブラック部の出力信号と前記オプティカルグレイ部の出力信号とを用いて、前記画素部からの出力信号を補正する補正回路を更に備える、
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 光電変換素子と当該光電変換素子の出力信号を増幅する画素部用増幅部とを有する画素部が2次元配列された固体撮像装置において、
    前記画素部と同一の画素部用増幅部であって、基準電圧が入力される当該画素部用増幅部を有するオプティカルグレイ部を複数行備え、
    前記基準電圧の値は、飽和状態における前記光電変換素子の出力信号の値より小さく、かつ、行ごとに異なる、
    固体撮像装置。
  4. 複数行の前記オプティカルグレイ部の出力信号を用いて、前記画素部からの出力信号を補正する補正回路を更に備える、
    請求項3に記載の固体撮像装置。
  5. 前記基準電圧を生成すると共に、当該基準電圧を変更する可変電圧発生部を更に備える、
    請求項1又は3に記載の固体撮像装置。
  6. 前記オプティカルグレイ部は、前記画素部用増幅部の入力側に直列に接続された容量素子を更に備え、
    前記基準電圧はパルス電圧である、
    請求項1又は3に記載の固体撮像装置。
  7. 前記画素部、前記オプティカルブラック部及び前記オプティカルグレイ部が2次元配列されてなる撮像領域を行方向にm個のブロック(mは2以上の整数)に分け、
    前記撮像領域におけるm個のブロックからの出力信号をそれぞれ受け、前記オプティカルブラック部の出力信号と前記オプティカルグレイ部の出力信号とを用いて、前記画素部からの出力信号を補正するm個の補正回路を更に備える、
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  8. 前記画素部及び複数行の前記オプティカルグレイ部が2次元配列されてなる撮像領域を行方向にm個のブロック(mは2以上の整数)に分け、
    前記撮像領域におけるm個のブロックからの出力信号をそれぞれ受け、複数行の前記オプティカルグレイ部の出力信号を用いて、前記画素部からの出力信号を補正するm個の補正回路を更に備える、
    請求項3に記載の固体撮像装置。
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