JP2010232230A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板1上にはパッシベーション膜3および第1の保護膜5が設けられている。第1の保護膜の周辺部を除く上面には第2の保護膜7が設けられている。第2の保護膜の上面には渦巻き形状の薄膜誘導素子11が設けられている。この場合、第1、第2の保護膜の合計厚さにより、シリコン基板に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子の渦電流損を低減することができる。
【選択図】図1
Description
請求項2に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記半導体基板の周辺部上に複数の接続パッドが設けられ、前記第2の樹脂膜は、前記半導体基板上における前記接続パッドよりも内側の領域に設けられていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明に係る半導体装置は、請求項2に記載の発明において、前記第2の樹脂膜の厚さは前記第1の樹脂膜の厚さよりも厚くなっていることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明に係る半導体装置は、請求項3に記載の発明において、前記第1の樹脂膜の厚さと前記第2の樹脂膜の厚さの合計は10〜20μmであることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明に係る半導体装置は、請求項4に記載の発明において、前記第2の樹脂膜の厚さは前記第1の樹脂膜の厚さの2倍以上であることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明に係る半導体装置は、請求項5に記載の発明において、前記第1の樹脂膜の厚さは2〜6μmであることを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記第1、第2の樹脂膜上に配線および薄膜誘導素子用配線が設けられ、前記配線の一端部および前記薄膜誘導素子用配線の一端部は前記接続パッドに接続され、前記薄膜誘導素子用配線の他端部は前記薄膜誘導素子の外端部に接続されていることを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明に係る半導体装置は、請求項7に記載の発明において、前記第2の樹脂膜の側面は傾斜面となっていることを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明に係る半導体装置は、請求項8に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上および前記薄膜誘導素子の内端部上に柱状電極が設けられていることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明に係る半導体装置は、請求項1に記載の発明において、前記第1の樹脂膜下に薄膜誘導素子用下層配線が設けられ、前記薄膜誘導素子用下層配線の一端部は前記接続パッドに接続され、他端部は前記薄膜誘導素子の内端部に前記第1、第2の樹脂膜に設けられた開口部を介して接続されていることを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、周辺部に複数の接続パッドを有する半導体基板の上面全体に第1の樹脂膜を形成する工程と、記第1の樹脂膜上における前記接続パッドの内側領域に第2の樹脂膜を形成する工程と、前記第2の樹脂膜上に薄膜誘導素子を形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項11に記載の発明において、前記第2の樹脂膜の厚さは前記第1の樹脂膜の厚さよりも厚くなるようにすることを特徴とするものである。
請求項13に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項12に記載の発明において、前記第1の樹脂膜の厚さと前記第2の樹脂膜の厚さの合計は10〜20μmであることを特徴とするものである。
請求項14に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項13に記載の発明において、前記第2の樹脂膜の厚さは前記第1の樹脂膜の厚さの2倍以上となるようにすることを特徴とするものである。
請求項15に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項14に記載の発明において、前記第1の樹脂膜の厚さは2〜6μmとすることを特徴とするものである。
請求項16に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項15に記載の発明において、前記第2の樹脂膜を形成する工程の前に、前記半導体基板の周辺部上に形成された前記複数の接続パッドに対応する部分における前記第1の樹脂膜にフォトリソグラフィ法により開口部を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項17に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項16に記載の発明において、前記薄膜誘導素子を形成する工程は、前記第1、第2の樹脂膜上に配線および薄膜誘導素子用配線を形成する工程を含み、前記配線の一端部および前記薄膜誘導素子用配線の一端部は前記接続パッドに接続され、前記薄膜誘導素子用配線の他端部は前記薄膜誘導素子の外端部に接続されることを特徴とするものである。
請求項18に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項11に記載の発明において、前記第2の樹脂膜はスクリーン印刷法により形成することを特徴とするものである。
請求項19に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項18に記載の発明において、前記スクリーン印刷法により塗布された液状樹脂膜の側面がだれることにより、前記第2の樹脂膜の側面が傾斜面となるようにすることを特徴とするものである。半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第1の樹脂膜と、前記第1の樹脂膜の周辺部を除く上面に設けられた第2の樹脂膜と、前記第2の樹脂膜上に設けられた渦巻き形状の薄膜誘導素子とを備えていることを特徴とするものである。
図1(A)はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の要部の平面図(図1(B)における封止膜を除去した状態)を示し、図1(B)はそのB−B線に沿う断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはCSPと呼ばれるものであり、平面方形状のシリコン基板(半導体基板)1を備えている。シリコン基板1の上面には所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子(図示せず)が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド2a、2bが集積回路に接続されて設けられている。この場合、符号2bで示す接続パッドは、後述する渦巻き形状の薄膜誘導素子11の外端部に接続されるものである。
図13(A)はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の要部の平面図(図13(B)における封止膜を除去した状態)を示し、図13(B)はそのB−B線に沿う断面図を示す。この半導体装置において、図1(A)、(B)に示す半導体装置と大きく異なる点は、渦巻き形状の薄膜誘導素子11の内端部のみならず外端部もシリコン基板1の上面に形成された集積回路(図示せず)に接続された接続パッドに接続するようにした点である。
2a、2b、2c 接続パッド
3 絶縁膜
5 第1の保護膜
7 第2の保護膜
8 傾斜面
9 配線
10、10b、10c 薄膜誘導素子用配線
11 薄膜誘導素子
18、19 柱状電極
20 封止膜
21、22 半田ボール
31 半導体ウエハ
32 ダイシングストリート
33 下地金属層
Claims (19)
- 半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第1の樹脂膜と、前記第1の樹脂膜の少なくとも周辺部を除く上面に設けられた第2の樹脂膜と、前記第2の樹脂膜上に設けられた薄膜誘導素子とを備えていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記半導体基板の周辺部上に複数の接続パッドが設けられ、前記第2の樹脂膜は、前記半導体基板上における前記接続パッドよりも内側の領域に設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2に記載の発明において、前記第2の樹脂膜の厚さは前記第1の樹脂膜の厚さよりも厚くなっていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3に記載の発明において、前記第1の樹脂膜の厚さと前記第2の樹脂膜の厚さの合計は10〜20μmであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の発明において、前記第2の樹脂膜の厚さは前記第1の樹脂膜の厚さの2倍以上であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5に記載の発明において、前記第1の樹脂膜の厚さは2〜6μmであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記第1、第2の樹脂膜上に配線および薄膜誘導素子用配線が設けられ、前記配線の一端部および前記薄膜誘導素子用配線の一端部は前記接続パッドに接続され、前記薄膜誘導素子用配線の他端部は前記薄膜誘導素子の外端部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項7に記載の発明において、前記第2の樹脂膜の側面は傾斜面となっていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項8に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上および前記薄膜誘導素子の内端部上に柱状電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記第1の樹脂膜下に薄膜誘導素子用下層配線が設けられ、前記薄膜誘導素子用下層配線の一端部は前記接続パッドに接続され、他端部は前記薄膜誘導素子の内端部に前記第1、第2の樹脂膜に設けられた開口部を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 周辺部に複数の接続パッドを有する半導体基板の上面全体に第1の樹脂膜を形成する工程と、
前記第1の樹脂膜上における前記接続パッドの内側領域に第2の樹脂膜を形成する工程と、
前記第2の樹脂膜上に薄膜誘導素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11に記載の発明において、前記第2の樹脂膜の厚さは前記第1の樹脂膜の厚さよりも厚くなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項12に記載の発明において、前記第1の樹脂膜の厚さと前記第2の樹脂膜の厚さの合計は10〜20μmであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項13に記載の発明において、前記第2の樹脂膜の厚さは前記第1の樹脂膜の厚さの2倍以上となるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記第1の樹脂膜の厚さは2〜6μmとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記第2の樹脂膜を形成する工程の前に、前記半導体基板の周辺部上に形成された前記複数の接続パッドに対応する部分における前記第1の樹脂膜にフォトリソグラフィ法により開口部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項16に記載の発明において、前記薄膜誘導素子を形成する工程は、前記第1、第2の樹脂膜上に配線および薄膜誘導素子用配線を形成する工程を含み、前記配線の一端部および前記薄膜誘導素子用配線の一端部は前記接続パッドに接続され、前記薄膜誘導素子用配線の他端部は前記薄膜誘導素子の外端部に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項11に記載の発明において、前記第2の樹脂膜はスクリーン印刷法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項18に記載の発明において、前記スクリーン印刷法により塗布された液状樹脂膜の側面がだれることにより、前記第2の樹脂膜の側面が傾斜面となるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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