JP2010230312A - 半導体センサの製造方法及び半導体センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】小型で且つセンサ部の熱容量が小さい半導体センサを、簡便な方法で製造することが可能な、半導体センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体センサの製造方法は、SOIウエハからなる第一基板2と、第一基板の一面側において、その中央部に配されたヒーター3と、ヒーターを挟み、かつ離間して各々配された第一温度センサ4と、第二基板6と、第二基板の一面側に配され、両端が解放された形状の第一凹部7と、を少なくとも備え、第一基板と第二基板とが、第一凹部と第一温度センサとが対向するように、貼り合わせられてなる半導体センサの製造方法であって、第二基板の一面側に第一凹部を形成する工程Aと、第一凹部と第一温度センサとが対向するように、第一基板の一面側と第二基板の一面側とを貼り合わせる工程Bと、第一基板の他面側をエッチングにより薄板化する工程Cと、を少なくとも順に有することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の半導体センサの製造方法は、SOIウエハからなる第一基板2と、第一基板の一面側において、その中央部に配されたヒーター3と、ヒーターを挟み、かつ離間して各々配された第一温度センサ4と、第二基板6と、第二基板の一面側に配され、両端が解放された形状の第一凹部7と、を少なくとも備え、第一基板と第二基板とが、第一凹部と第一温度センサとが対向するように、貼り合わせられてなる半導体センサの製造方法であって、第二基板の一面側に第一凹部を形成する工程Aと、第一凹部と第一温度センサとが対向するように、第一基板の一面側と第二基板の一面側とを貼り合わせる工程Bと、第一基板の他面側をエッチングにより薄板化する工程Cと、を少なくとも順に有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体センサの製造方法及び半導体センサに関し、詳しくは、熱式マイクロフローセンサにおいて、小型化の構造およびその製造方法に関する。
近年、携帯電話などの電子機器の高機能化、小型化に伴い、それらに使われる電子デバイス等にも更なる高機能化、小型化が要求されている。フローセンサにおいても、バイオチップや携帯型燃料電池で利用されているように、反応系の小型化への要求が高まっている。そこで、この要求を実現するため、マイクロマシニング技術等を用いた熱式マイクロフローセンサが提案されている。
例えば、一般的に熱式マイクロフローセンサでは、特許文献1に記載のように中央部にヒーター、その両脇に温度センサを配し、流体の影響による温度変化を流速に変換する方式が用いられている。また、センサの感度を高めるため、センサ素子部の熱容量を小さくする必要がある。よって、マイクロマシニング技術によりセンサ素子部の周囲をエッチングした3次元構造を形成している。
また、特許文献2や特許文献3に記載のように、予め流路を形成した基板とセンサ素子部が形成された基板とを貼り合わせることにより、フローセンサの構造を形成している。
しかしながら、特許文献4や特許文献1で提案されている構造では、センサ部の熱容量を小さくすることは可能であるが、構造が複雑であり、高さ方向にも面積的にも小型化に制限がある。また、特許文献2や特許文献5で提案されているセンサでは、センサ部の熱容量を小さくすることが難しい。
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、小型で且つセンサ部の熱容量が小さい半導体センサを、簡便な方法で製造することが可能な、半導体センサの製造方法を提供することを第一の目的とする。
また、本発明では、本発明の製造方法で製造されることにより、小型で且つセンサ部の熱容量が小さい半導体センサを提供することを第二の目的とする。
また、本発明では、本発明の製造方法で製造されることにより、小型で且つセンサ部の熱容量が小さい半導体センサを提供することを第二の目的とする。
本発明の請求項1に記載の半導体センサの製造方法は、SOIウエハからなる第一基板と、該第一基板の一面側において、その中央部に配されたヒーターと、前記ヒーターを挟み、かつ離間して各々配された第一温度センサと、第二基板と、該第二基板の一面側に配され、両端が解放された形状の第一凹部と、を少なくとも備え、前記第一基板と前記第二基板とが、前記第一凹部と前記第一温度センサとが対向するように、貼り合わせられてなる半導体センサの製造方法であって、前記第二基板の一面側に前記第一凹部を形成する工程Aと、前記第一凹部と前記第一温度センサとが対向するように、前記第一基板の一面側と前記第二基板の一面側とを貼り合わせる工程Bと、前記第一基板の他面側をエッチングにより薄板化する工程Cと、を少なくとも順に有することを特徴とする。
本発明の請求項2に記載の半導体センサの製造方法は、請求項1において、前記第一基板として、周囲温度評価用の第二温度センサをさらに有するものを用いるとともに、前記工程Aにおいて、前記第二基板の一面側に、閉じた形状の第二凹部をさらに形成し、前記工程Bにおいて、前記第二凹部と前記第二温度センサとが対向するように、前記第一基板と前記第二基板とを貼り合わせることを特徴とする。
本発明の請求項3に記載の半導体センサの製造方法は、請求項1又は2において、前記第二基板に貫通電極を形成する工程Dを、さらに備えたことを特徴とする。
本発明の請求項4に記載の半導体センサの製造方法は、請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記第二基板として、他面側に前記第一温度センサを駆動、増幅及び補償する回路が配されているものを用いることを特徴とする。
本発明の請求項5に記載の半導体センサは、請求項1乃至請求項4に記載のいずれかの方法により製造されたことを特徴とする。
本発明の請求項2に記載の半導体センサの製造方法は、請求項1において、前記第一基板として、周囲温度評価用の第二温度センサをさらに有するものを用いるとともに、前記工程Aにおいて、前記第二基板の一面側に、閉じた形状の第二凹部をさらに形成し、前記工程Bにおいて、前記第二凹部と前記第二温度センサとが対向するように、前記第一基板と前記第二基板とを貼り合わせることを特徴とする。
本発明の請求項3に記載の半導体センサの製造方法は、請求項1又は2において、前記第二基板に貫通電極を形成する工程Dを、さらに備えたことを特徴とする。
本発明の請求項4に記載の半導体センサの製造方法は、請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記第二基板として、他面側に前記第一温度センサを駆動、増幅及び補償する回路が配されているものを用いることを特徴とする。
本発明の請求項5に記載の半導体センサは、請求項1乃至請求項4に記載のいずれかの方法により製造されたことを特徴とする。
本発明では、SOIウエハからなり、センサ素子部が形成された第一基板と、第一凹部が形成された第二基板を貼り合わせ、第一基板の裏面側を研削している。これにより本発明では、小型で且つセンサ部の熱容量が小さい半導体センサを、簡便な方法で製造することが可能な、半導体センサの製造方法を提供することができる。
また、本発明では、本発明の製造方法で製造されることにより、小型で且つセンサ部の熱容量が小さい半導体センサを提供することができる。
また、本発明では、本発明の製造方法で製造されることにより、小型で且つセンサ部の熱容量が小さい半導体センサを提供することができる。
以下、本発明に係る半導体センサの製造方法及び半導体センサの実施形態を図面に基づいて説明する。
<第一実施形態>
図1は、本実施形態の半導体センサ1A(1)の一構成例を示す図であり、(a)は半導体センサ1A(1)の第一基板2の他面2b側から見た上面図を、(b)はA1−A2線における断面図を、それぞれ表している。
なお、以下では、図1の構成例について詳細に説明するが、前述した本発明の作用・効果は、流路の上下を逆転させた構成例(すなわち、図1において下側から上側へ進む方向の流れをもち(F1とF2の矢印が逆向き)、7bが上流側流路、7aが下流側流路をそれぞれなす構成例)においても有効である。
図1は、本実施形態の半導体センサ1A(1)の一構成例を示す図であり、(a)は半導体センサ1A(1)の第一基板2の他面2b側から見た上面図を、(b)はA1−A2線における断面図を、それぞれ表している。
なお、以下では、図1の構成例について詳細に説明するが、前述した本発明の作用・効果は、流路の上下を逆転させた構成例(すなわち、図1において下側から上側へ進む方向の流れをもち(F1とF2の矢印が逆向き)、7bが上流側流路、7aが下流側流路をそれぞれなす構成例)においても有効である。
この半導体センサ1A(1)は、熱式マイクロフローセンサであり、SOI(Silicon On Insulator)ウエハからなる第一基板2と、該第一基板2の一面2a側において、その中央部に配されたヒーター3と、前記ヒーター3を挟み、かつ離間して各々配された第一温度センサ4と、第二基板6と、該第二基板6の一面6a側に配され、両端が解放された形状の第一凹部7(流路)と、を少なくとも備え、前記第一基板2と前記第二基板6とが、前記第一凹部7と前記第一温度センサ4とが対向するように、貼り合わせられてなる。
このような本発明の半導体センサ1A(1)は、後述する製造方法により製造される。これにより、この半導体センサ1A(1)は、小型で且つセンサ部の熱容量が小さいものとなる。
このような本発明の半導体センサ1A(1)は、後述する製造方法により製造される。これにより、この半導体センサ1A(1)は、小型で且つセンサ部の熱容量が小さいものとなる。
第一基板2はSOI(Silicon On Insulator)ウエハからなる。SOIウエハとは図2
に示すように、2枚のシリコン(Si)ウエハ20,21をSi酸化膜22(SiO2 )を介して貼り合わせたものであり、例えば、一方のSiウエハの表面にSi酸化膜(SiO2 )を形成して熱による貼り合わせ接着を行い、その後、一方のSiウエハを適当な厚さまで研磨することで所望のSOI構造を実現するものである。そして、異なる結晶面方位を持つウエハ同士を貼り合わせることが可能なため、精密性、多機能化が要求されるマイクロマシン技術を用いたデバイスの製造に適している。
第一基板2にSOIウエハを用いることにより、基板の厚さを任意に選択することが可能である。また、この第一基板2の厚さを薄くすることにより、センサ素子部の熱容量を小さくするとともに、デバイスの低背化が可能となる。
に示すように、2枚のシリコン(Si)ウエハ20,21をSi酸化膜22(SiO2 )を介して貼り合わせたものであり、例えば、一方のSiウエハの表面にSi酸化膜(SiO2 )を形成して熱による貼り合わせ接着を行い、その後、一方のSiウエハを適当な厚さまで研磨することで所望のSOI構造を実現するものである。そして、異なる結晶面方位を持つウエハ同士を貼り合わせることが可能なため、精密性、多機能化が要求されるマイクロマシン技術を用いたデバイスの製造に適している。
第一基板2にSOIウエハを用いることにより、基板の厚さを任意に選択することが可能である。また、この第一基板2の厚さを薄くすることにより、センサ素子部の熱容量を小さくするとともに、デバイスの低背化が可能となる。
ヒーター3は、第一基板2の一面2a側において、その中央部に配される。
ヒーター3は、例えば金属配線やSi基板中に形成した抵抗体等から構成される。
第一温度センサ4a,4bは、第一基板2の一面2a側において、前記ヒーター3を挟み、かつ離間して各々配される。ここでは、第一温度センサ4aが上流側温度センサであり、第一温度センサ4bが下流側温度センサとなる。
これらヒーター3及び第一温度センサ4a,4bは、第二凹部8(チャンバ)内に配される。
ヒーター3は、例えば金属配線やSi基板中に形成した抵抗体等から構成される。
第一温度センサ4a,4bは、第一基板2の一面2a側において、前記ヒーター3を挟み、かつ離間して各々配される。ここでは、第一温度センサ4aが上流側温度センサであり、第一温度センサ4bが下流側温度センサとなる。
これらヒーター3及び第一温度センサ4a,4bは、第二凹部8(チャンバ)内に配される。
第一温度センサ4a,4bは、例えば金属配線やSi基板中に形成した抵抗体等から構成され、温度に応じて抵抗値が変化することを利用して、第一温度センサ4a,4bの抵抗値の違いを電圧値の違いで検出し、流速や流量の検出を行う。
さらに、第一基板2の一面2a側には、リファレンスとして、周囲温度評価用の第二温度センサ5が配されている。この第二温度センサ5は、第二凹部8(チャンバ)内に配される。
第二基板6は、例えばシリコン(Si)基板等からなる。
第一凹部7は、第二基板6の一面6a側に配され、両端が解放された形状をなす。この第一凹部7は、被測定物である流体の流路となる。ここでは、第一凹部7aが上流側流路であり、第一凹部7bが下流側流路となる。また、この第一凹部7内にヒーター3と第一温度センサ4a,4bが配されている。なお、図1では、第一凹部7の形状が略コの字状をなす場合を一例として挙げているが、これに限定されるものではなく、曲線や分岐構造等、任意に選択可能である。
第一凹部7は、第二基板6の一面6a側に配され、両端が解放された形状をなす。この第一凹部7は、被測定物である流体の流路となる。ここでは、第一凹部7aが上流側流路であり、第一凹部7bが下流側流路となる。また、この第一凹部7内にヒーター3と第一温度センサ4a,4bが配されている。なお、図1では、第一凹部7の形状が略コの字状をなす場合を一例として挙げているが、これに限定されるものではなく、曲線や分岐構造等、任意に選択可能である。
第二凹部8は、第二基板6の一面6a側に配され、閉じた形状をなす。この第二凹部8は、第二温度センサ5が配されるチャンバとなる。第二凹部8の形状としては、特に限定されるものではなく、任意に選択可能である。
このような半導体センサ1A(1)(フローセンサ)では、流路(第一凹部7)内を流れる流体に対して、所定の温度分布をヒーター3で発生させ、その流体の流れに応じて変化する温度分布を温度センサで検出し、その出力から流体の流速を計測する。
すなわち、この半導体センサ1A(1)の動作原理は、第二温度センサ5で計測された流体温度より一定温度だけ高くなるようにヒーター3で流体を熱して所定の温度分布を発生させ、その温度分布を上流側の第一温度センサ4a及び下流側の第一温度センサ4bで計測することにより、流体流量を計測するものである。
すなわち、この半導体センサ1A(1)の動作原理は、第二温度センサ5で計測された流体温度より一定温度だけ高くなるようにヒーター3で流体を熱して所定の温度分布を発生させ、その温度分布を上流側の第一温度センサ4a及び下流側の第一温度センサ4bで計測することにより、流体流量を計測するものである。
流体が静止している場合、第一温度センサ4a及び第一温度センサ4bで得られる温度分布は対称となるが、流体が流れている場合、その対称性が崩れ、上流側の第一温度センサ4aに比べて下流側の第一温度センサ4bで得られる温度が高くなる。この温度差を検出することにより、流体の熱伝導率などの物性値に基づき流体流速が得られる。
次に、このような半導体センサ1A(1)の製造方法について説明する。
図3は、本発明の半導体センサの製造方法を、工程順に示す断面図である。
本発明の半導体センサの製造方法は、前記第二基板6の一面6a側に第一凹部7(流路)を形成する工程Aと、前記第一凹部7と前記第一温度センサ4とが対向するように、前記第一基板2の一面2a側と前記第二基板6の一面6a側とを貼り合わせる工程Bと、前記第一基板2の他面2b側をエッチングにより薄板化する工程Cと、を少なくとも順に有することを特徴とする。
図3は、本発明の半導体センサの製造方法を、工程順に示す断面図である。
本発明の半導体センサの製造方法は、前記第二基板6の一面6a側に第一凹部7(流路)を形成する工程Aと、前記第一凹部7と前記第一温度センサ4とが対向するように、前記第一基板2の一面2a側と前記第二基板6の一面6a側とを貼り合わせる工程Bと、前記第一基板2の他面2b側をエッチングにより薄板化する工程Cと、を少なくとも順に有することを特徴とする。
本発明の半導体センサの製造方法では、SOIウエハからなり、センサ素子部が形成された第一基板2と、第一凹部7が形成された第二基板6を貼り合わせ、第一基板2の裏面側を研削している。これにより本発明では、小型で且つセンサ部の熱容量が小さい半導体センサを、簡便な方法で製造することが可能である。
以下、各工程を順に詳述する。
以下、各工程を順に詳述する。
(1a)まず、図3(a)(b)に示すように、第二基板6の一面6a側に第一凹部7を形成する。また、第二基板6の一面6a側に第二凹部8をさらに形成する(工程A)。
第二基板6に対して、流路となる第一凹部7及びチャンバとなる第二凹部8を形成する。
第一凹部7及び第二凹部8は、例えば、反応性ガスを用いたイオンエッチング法(RIE法)や(CF4−O2)ガスを用いたプラズマエッチング法などのいわゆるドライエッチング法、あるいはKOHなどのエッチング液を用いたウェットエッチング法により形成することができる。
第一凹部7及び第二凹部8の形状は特に限定されるものではなく、例えば第一凹部7の形状としては、略コの字状に限らず、曲線や分岐構造等、任意の形状が考えられる。
第二基板6に対して、流路となる第一凹部7及びチャンバとなる第二凹部8を形成する。
第一凹部7及び第二凹部8は、例えば、反応性ガスを用いたイオンエッチング法(RIE法)や(CF4−O2)ガスを用いたプラズマエッチング法などのいわゆるドライエッチング法、あるいはKOHなどのエッチング液を用いたウェットエッチング法により形成することができる。
第一凹部7及び第二凹部8の形状は特に限定されるものではなく、例えば第一凹部7の形状としては、略コの字状に限らず、曲線や分岐構造等、任意の形状が考えられる。
(2a)次に、図3(c)に示すように、前記第一凹部7と前記第一温度センサ4とが対向するように、前記第一基板2の一面2a側と前記第二基板6の一面6a側とを貼り合わせる(工程B)。
第一基板2は、SOIウエハからなり、その一面6a側に第一温度センサ4a,4b及びヒーター5が予め形成されている。
第二基板6の第一凹部7が形成された面と、第一基板2のセンサ素子部が形成された面とを接合する。このとき、前記第一凹部7と前記第一温度センサ4とが対向するように、かつ、前記第二凹部8と前記第二温度センサ5とが対向するように、前記第一基板2と前記第二基板6とを貼り合わせる。
第一基板2と第二基板6との接合方法としては、特に限定されるものではないが、例えばSi−Siの常温接合等が挙げられる。
第一基板2は、SOIウエハからなり、その一面6a側に第一温度センサ4a,4b及びヒーター5が予め形成されている。
第二基板6の第一凹部7が形成された面と、第一基板2のセンサ素子部が形成された面とを接合する。このとき、前記第一凹部7と前記第一温度センサ4とが対向するように、かつ、前記第二凹部8と前記第二温度センサ5とが対向するように、前記第一基板2と前記第二基板6とを貼り合わせる。
第一基板2と第二基板6との接合方法としては、特に限定されるものではないが、例えばSi−Siの常温接合等が挙げられる。
(3a)次に、図3(d)に示すように、前記第一基板2の他面2b側をエッチングにより薄板化する(工程C)。
第一基板2の温度センサが形成された面とは反対側の面をエッチングする。エッチングとしては、最初、バックグラインドにより大部分をエッチングした後、ドライエッチングにより薄化する方法が考えられる。SOIウエハ中のSiO2 膜はエッチストップとして利用することができる。その後、SiO2 膜をエッチングすることにより、目的の構造を得る。このように、バックグラインド(研磨)だけで無く、ドライエッチングも用いた複合処理を採用することにより、研磨の押し圧から基板が凹部内に逃げ込み、凹部の薄膜がフィールド(凹部以外)に比べて厚くなるという現象を回避できる。その結果、薄膜の面内バラツキを低減できるので、任意の厚さに高精度に制御することが可能となり、ひいては、高品質の「熱容量が小さい半導体センサ」を安定して製造することが可能となる。
なお、SiO2をエッチングせずに、保護膜としても利用することができる。
第一基板2の温度センサが形成された面とは反対側の面をエッチングする。エッチングとしては、最初、バックグラインドにより大部分をエッチングした後、ドライエッチングにより薄化する方法が考えられる。SOIウエハ中のSiO2 膜はエッチストップとして利用することができる。その後、SiO2 膜をエッチングすることにより、目的の構造を得る。このように、バックグラインド(研磨)だけで無く、ドライエッチングも用いた複合処理を採用することにより、研磨の押し圧から基板が凹部内に逃げ込み、凹部の薄膜がフィールド(凹部以外)に比べて厚くなるという現象を回避できる。その結果、薄膜の面内バラツキを低減できるので、任意の厚さに高精度に制御することが可能となり、ひいては、高品質の「熱容量が小さい半導体センサ」を安定して製造することが可能となる。
なお、SiO2をエッチングせずに、保護膜としても利用することができる。
(4a)そして、図3(e)に示すように、素子ごとにダイシングする。
これにより、図1に示したような半導体センサA(1)が得られる。このようにして製造された半導体センサA(1)は、小型で且つセンサ部の熱容量が小さいものとなる。
これにより、図1に示したような半導体センサA(1)が得られる。このようにして製造された半導体センサA(1)は、小型で且つセンサ部の熱容量が小さいものとなる。
<第二実施形態>
以下、本発明の第二実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図4は、本実施形態の半導体センサ1B(1)の一構成例を示す図であり、(a)は半導体センサ1B(1)の第一基板2の他面2b側から見た上面図を、(b)はB1−B2線における断面図を、それぞれ表している。
なお、以下の説明では前述した実施形態と異なる部分について主に説明し、前述した実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
以下、本発明の第二実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図4は、本実施形態の半導体センサ1B(1)の一構成例を示す図であり、(a)は半導体センサ1B(1)の第一基板2の他面2b側から見た上面図を、(b)はB1−B2線における断面図を、それぞれ表している。
なお、以下の説明では前述した実施形態と異なる部分について主に説明し、前述した実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
この半導体センサ1B(1)では、第二基板6の一面6a側と他面6b側を貫通する貫通電極10を有している。貫通電極10は、第一温度センサ4及び第二温度センサ5と第二基板6の外部との電気的接続をとっている。
第一基板2の他面2a側には、温度センサ等のセンサ素子部と貫通電極10を電気的に接続する配線部11が配されている。なお、配線部11は任意の形状にすることが可能であるが、流体からの影響を避けるため、流路となる第一凹部7上には配しないことが好ましい。なお、ここでは、第一凹部7は、クランク状に折れ曲がった形状をしている。
また、半導体センサ1B(1)では、第二基板6の他面6b側において、第一温度センサ4を駆動、増幅及び補償するIC回路12が配されている。このIC回路12は、貫通電極10と電気的に接続されている。このように第二基板6の他面6b側にIC回路12を配することにより、センサの高機能化を図ることができる。
次に、このような半導体センサ1B(1)の製造方法について説明する。
図5は、本実施形態の半導体センサの製造方法を、工程順に示す断面図である。
(2b)まず、図5(a)(b)に示すように、第二基板6の一面6a側に第一凹部7を形成する(工程A)。また、第二基板6に貫通電極10を形成する(工程D)。
第二基板6として、他面6b側に前記第一温度センサ4を駆動、増幅及び補償するIC回路12が配されているものを用いる。この第二基板6に対して、一面6a側に第一凹部7を形成する。
図5は、本実施形態の半導体センサの製造方法を、工程順に示す断面図である。
(2b)まず、図5(a)(b)に示すように、第二基板6の一面6a側に第一凹部7を形成する(工程A)。また、第二基板6に貫通電極10を形成する(工程D)。
第二基板6として、他面6b側に前記第一温度センサ4を駆動、増幅及び補償するIC回路12が配されているものを用いる。この第二基板6に対して、一面6a側に第一凹部7を形成する。
また、同時に、第二基板6に貫通電極10を形成する。貫通電極10の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えばDRIEによるドライエッチングにより貫通孔を形成した後、該貫通孔の内部に、めっき等により金属を充填する方法が挙げられる。
なお、図4に示す例では第一基板2の他面2b上に温度センサの回路が形成されている。また、第一基板2の他面2b上に、後に貼り合わせる第二基板6の貫通電極10との電気的接続がとれるように、配線部11を形成する。
(2b)次に、図5(c)に示すように、前記第一凹部7と前記第一温度センサ4とが対向するように、前記第一基板2の一面2a側と前記第二基板6の一面6a側とを貼り合わせる(工程B)。
前記第一凹部7と前記第一温度センサ4とが対向するように、第二基板6の第一凹部7が形成された面と、第一基板2のセンサ素子回路が形成された面とを接合する。
また、この際に、配線部11を介して、温度センサの回路と貫通電極10との電気的接続をとる。
前記第一凹部7と前記第一温度センサ4とが対向するように、第二基板6の第一凹部7が形成された面と、第一基板2のセンサ素子回路が形成された面とを接合する。
また、この際に、配線部11を介して、温度センサの回路と貫通電極10との電気的接続をとる。
(3b)次に、図5(d)に示すように、前記第一基板2の他面2b側をエッチングにより薄板化する(工程C)。
(4b)そして、図5(e)に示すように、素子ごとにダイシングする。
これにより、図4に示したような半導体センサ1B(1)が得られる。このようにして製造された半導体センサ1B(1)は、小型で且つセンサ部の熱容量が小さく、さらに高機能を有するものとなる。
(4b)そして、図5(e)に示すように、素子ごとにダイシングする。
これにより、図4に示したような半導体センサ1B(1)が得られる。このようにして製造された半導体センサ1B(1)は、小型で且つセンサ部の熱容量が小さく、さらに高機能を有するものとなる。
以上、本発明の半導体センサの製造方法及び半導体センサについて説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
本発明は、熱式マイクロフローセンサである半導体センサの製造方法及び半導体センサに広く適用可能である。
1A,1B(1)半導体センサ、2 第一基板、3 ヒーター、4a、4b(4) 第一温度センサ、5 第二温度センサ、6 第二基板、7 第一凹部、8 第二凹部、10 貫通電極、11 配線部、12 IC回路。
Claims (5)
- SOIウエハからなる第一基板と、該第一基板の一面側において、その中央部に配されたヒーターと、前記ヒーターを挟み、かつ離間して各々配された第一温度センサと、
第二基板と、該第二基板の一面側に配され、両端が解放された形状の第一凹部と、を少なくとも備え、
前記第一基板と前記第二基板とが、前記第一凹部と前記第一温度センサとが対向するように、貼り合わせられてなる半導体センサの製造方法であって、
前記第二基板の一面側に前記第一凹部を形成する工程Aと、
前記第一凹部と前記第一温度センサとが対向するように、前記第一基板の一面側と前記第二基板の一面側とを貼り合わせる工程Bと、
前記第一基板の他面側をエッチングにより薄板化する工程Cと、を少なくとも順に有することを特徴とする半導体センサの製造方法。 - 前記第一基板として、周囲温度評価用の第二温度センサをさらに有するものを用いるとともに、
前記工程Aにおいて、前記第二基板の一面側に、閉じた形状の第二凹部をさらに形成し、
前記工程Bにおいて、前記第二凹部と前記第二温度センサとが対向するように、前記第一基板と前記第二基板とを貼り合わせることを特徴とする請求項1に記載の半導体センサの製造方法。 - 前記第二基板に貫通電極を形成する工程Dを、さらに備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体センサの製造方法。
- 前記第二基板として、他面側に前記第一温度センサを駆動、増幅及び補償する回路が配されているものを用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体センサの製造方法。
- 請求項1乃至請求項4に記載のいずれかの方法により製造されたことを特徴とする半導体センサ。
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