JP2010225941A - 載置台構造及び処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 77
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 138
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000036581 peripheral resistance Effects 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/037—Heaters with zones of different power density
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract
【解決手段】被処理体Wに対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体62と、載置台本体内に設けられ、複数のゾーンに分割されて給電ラインLに接続された抵抗加熱ヒータ群88を有する加熱手段86と、電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部92とを備え、最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインL1〜L4を接続することによって最外周抵抗加熱ヒータ100を複数の領域に区分して区分ヒータ100A〜100Dとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することによって区分ヒータ毎に供給電力を制御する。
【選択図】図3
Description
請求項3の発明は、請求項1又は2の発明において、前記最外周抵抗加熱ヒータは、偶数個の区分ヒータに区分されていることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項3の発明において、前記ヒータ制御部は、前記最外周抵抗加熱ヒータの全ての区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項3の発明において、前記ヒータ制御部は、選択された一対の隣り合う区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする。
請求項7の発明は、請求項1又は2の発明において、前記最外周抵抗加熱ヒータは、奇数個の区分ヒータに区分されていることを特徴とする。
請求項9の発明は、請求項2乃至8のいずれか一項に記載の発明において、前記ヒータ制御部は、前記最外周給電ラインの内の選択された給電ラインをフローティング状態にする電力供給態様を有していることを特徴とする。
請求項10の発明は、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の発明において、前記最外周抵抗加熱ヒータの区分の数は、3以上であることを特徴とする。
請求項12に係る発明は、被処理体に対して熱処理を施すための処理装置において、排気可能になされた処理容器と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた請求項1乃至11のいずれか一項に記載の載置台構造と、前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、を備えたことを特徴とする処理装置である。
処理容器内で被処理体に対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体内に設けられ、同心状に複数のゾーンに分割されると共にゾーン毎に異なる給電ラインに接続された抵抗加熱ヒータ群を有する加熱手段と、加熱手段に供給する電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部とを備え、複数のゾーンの内の最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインを接続することによって最外周抵抗加熱ヒータを複数の領域に区分して区分ヒータとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することにより区分ヒータ毎に供給電力を制御するようにしたので、被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することができ、被処理体の周辺部が処理容器の側壁から熱的な影響を受けても、この周辺部の温度を均一に維持することができ、結果的に被処理体の面内温度の均一性を向上させることができる。
図1は本発明に係る載置台構造を有する処理装置を示す構成図、図2は処理容器内を示す概略断面図、図3は加熱手段の抵抗加熱ヒータの配置を示す平面図である。
先の図4及び図5で説明した最外周給電ラインの状態は、所定の電圧を印加した場合と電圧がゼロボルト(接地)の場合のいずれかの状態であったが、これに加えて最外周給電ラインをフローティング状態(何ら電位を印加しないで電気的に浮かせた状態)にする場合も含めるようにして制御するようにしてもよい。図6は最外周給電ラインをフローティング状態に設定することも含めた時の電力供給態様の一例を示す図であり、図中の”F”はフローティング状態になっている場合を示し、他の部分の説明は図4において説明した通りである。
上記各実施例においては、最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータを偶数である4つに区分した場合を例にとって説明したが、これに限定されず、奇数、例えば3つに区分するようにしてもよい。図7及び図8は、このような場合の図面を示し、図7は最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータを3つに区分した時の模式図を示し、図8は最外周ゾーンを3区分した時の最外周給電ラインの状態と電力供給態様との関係を示す図である。尚、図4〜図6において説明した内容は、ここでもそのまま適用される。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やGaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック材基板等にも本発明を適用することができる。
32 処理容器
48 シャワーヘッド(ガス導入手段)
60 載置台構造
62 載置台本体
64 支柱
86 加熱手段
88 抵抗加熱ヒータ群
92 ヒータ制御部
94 内周ゾーン
96 外周ゾーン(最外周ゾーン)
98 抵抗加熱ヒータ
100 抵抗加熱ヒータ(最外周抵抗加熱ヒータ)
100A〜100D 区分ヒータ
L(L1〜L6) 給電ライン
L1〜L4 最外周給電ライン
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (12)
- 処理容器内で被処理体に対して熱処理を施すために前記被処理体を載置する載置台構造において、
上面に前記被処理体を載置するための載置台本体と、
前記載置台本体内に設けられ、同心状に複数のゾーンに分割されると共に前記ゾーン毎に異なる給電ラインに接続された抵抗加熱ヒータ群を有する加熱手段と、
前記加熱手段に供給する電力を前記ゾーン毎に制御するヒータ制御部とを備え、
前記複数のゾーンの内の最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に前記給電ラインを接続することによって前記最外周抵抗加熱ヒータを複数の領域に区分して区分ヒータとし、前記ヒータ制御部は、前記最外周抵抗加熱ヒータに対応する前記給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することにより前記区分ヒータ毎に供給電力を制御するようにしたことを特徴とする載置台構造。 - 前記ヒータ制御部は、前記最外周給電ラインの状態を時分割で制御する複数の電力供給態様を有していることを特徴とする請求項1記載の載置台構造。
- 前記最外周抵抗加熱ヒータは、偶数個の区分ヒータに区分されていることを特徴とする請求項1又は2記載の載置台構造。
- 前記ヒータ制御部は、前記最外周抵抗加熱ヒータの全ての区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする請求項3記載の載置台構造。
- 前記ヒータ制御部は、選択された一対の対向する区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする請求項3記載の載置台構造。
- 前記ヒータ制御部は、選択された一対の隣り合う区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする請求項3記載の載置台構造。
- 前記最外周抵抗加熱ヒータは、奇数個の区分ヒータに区分されていることを特徴とする請求項1又は2記載の載置台構造。
- 前記ヒータ制御部は、選択された一対の隣り合う区分ヒータに電流を流す電力供給態様を有していることを特徴とする請求項7記載の載置台構造。
- 前記ヒータ制御部は、前記最外周給電ラインの内の選択された給電ラインをフローティング状態にする電力供給態様を有していることを特徴とする請求項2乃至8のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記最外周抵抗加熱ヒータの区分の数は、3以上であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記載置台本体は、セラミック材、或いは石英よりなることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 被処理体に対して熱処理を施すための処理装置において、
排気可能になされた処理容器と、
被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた請求項1乃至11のいずれか一項に記載の載置台構造と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
を備えたことを特徴とする処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009072873A JP5239988B2 (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 載置台構造及び処理装置 |
CN2010800132481A CN102362332A (zh) | 2009-03-24 | 2010-03-18 | 载置台结构和处理装置 |
PCT/JP2010/054668 WO2010110169A1 (ja) | 2009-03-24 | 2010-03-18 | 載置台構造及び処理装置 |
KR1020117022419A KR20110120349A (ko) | 2009-03-24 | 2010-03-18 | 탑재대 구조 및 처리 장치 |
US13/259,822 US20120031889A1 (en) | 2009-03-24 | 2010-03-18 | Mounting table structure and processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009072873A JP5239988B2 (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 載置台構造及び処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010225941A true JP2010225941A (ja) | 2010-10-07 |
JP5239988B2 JP5239988B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=42780862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009072873A Expired - Fee Related JP5239988B2 (ja) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 載置台構造及び処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120031889A1 (ja) |
JP (1) | JP5239988B2 (ja) |
KR (1) | KR20110120349A (ja) |
CN (1) | CN102362332A (ja) |
WO (1) | WO2010110169A1 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |