JP2010221073A - Microreactor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、数１０〜数１００μｍ程度のマイクロ流路内で圧力計、差圧流量計、弁のうちの少なくとも２種類の機能を有するように構成したマイクロリアクタに関するものである。 The present invention relates to a microreactor configured to have at least two functions of a pressure gauge, a differential pressure flow meter, and a valve in a micro flow channel of about several tens to several hundreds of micrometers.
例えば、化学反応を行うためのマイクロデバイスはマイクロリアクタと呼ばれており、（１）加熱，冷却速度が速い、（２）流れが層流である、（３）単位体積当たりの表面積が大きい、（４）物質の拡散長が短いので反応が迅速に進行する等の特徴がある。そして、マイクロな反応場は化学反応そのものにも本質的な影響を与える可能性も秘めている。 For example, a microdevice for performing a chemical reaction is called a microreactor, (1) heating and cooling rates are fast, (2) the flow is a laminar flow, (3) a large surface area per unit volume, ( 4) Since the diffusion length of the substance is short, the reaction proceeds rapidly. And the micro reaction field has the potential to have an essential effect on the chemical reaction itself.
従来、マイクロリアクタのメイン部品である流路基板に対して、圧力計、流量計やバルブなどは個別に開発、製造されていた。使用時にはそれらの部品を継ぎ手を介してアッセンブリーするか、もしくはマイクロリアクタの流路内にそれらのデバイスを挿入して使用していた。 Conventionally, a pressure gauge, a flow meter, a valve, and the like have been individually developed and manufactured for a flow path substrate that is a main component of a microreactor. At the time of use, these parts are assembled through joints, or the devices are inserted into the microreactor flow path.
ところで、従来のマイクロリアクタにおいては次のような問題があった。
１）圧力計、流量計やバルブの構造、製法は個々に異なり、製造コスト等がかかる。
２）個別に作製した圧力計、流量計やバルブをアッセンブリーする際、継ぎ手部分での流体の漏れが発生することがある。
３）圧力計や流量計を流路内に挿入すると、デッドスペースを生じたり、流れを乱すことがある。
By the way, the conventional microreactor has the following problems.
1) The structure and manufacturing method of the pressure gauge, flow meter and valve are different from each other, and the manufacturing cost is high.
2) When assembling individually manufactured pressure gauges, flow meters and valves, fluid leakage may occur at the joints.
3) Inserting a pressure gauge or flow meter into the flow path may cause a dead space or disturb the flow.
従って本発明の目的は、
１）マイクロリアクタを構成する基板に構造やプロセスを共通化した圧力計、流量計およびバルブを一括して作り込むことにより、ローコスト化と、継ぎ手周りのリーク等の問題を解決し、
２）流路内にデッドスペースが無く、且つ、流れを乱すことの無いマイクロリアクタを実現することにある。
Therefore, the object of the present invention is to
1) By creating a pressure gauge, flow meter, and valve with a common structure and process on the substrate constituting the microreactor, problems such as low cost and leakage around the joint are solved.
2) To realize a microreactor having no dead space in the flow path and not disturbing the flow.
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、請求項１に記載のマイクロリアクタの発明においては、
第１基板と第２基板を貼り合わせ、いずれか一方の基板に複数の凹部を設けて形成された複数のダイアフラムと、流路が形成されると共に該流路中に少なくとも一つの突起を有する第３基板からなり、前記流路に前記複数のダイアフラムを配置して圧力計、差圧流量計、バルブのうちの少なくとも２つを形成したことを特徴とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and in the invention of the microreactor according to claim 1,
A first substrate and a second substrate are bonded together, a plurality of diaphragms formed by providing a plurality of recesses on one of the substrates, a flow path is formed, and a first projection having at least one protrusion in the flow path is formed. It comprises three substrates, and the plurality of diaphragms are arranged in the flow path to form at least two of a pressure gauge, a differential pressure flow meter, and a valve.
請求項２においては、請求項１に記載のマイクロリアクタの発明において、
前記第１基板は絶縁体、前記第２基板は半導体で構成されたことを特徴とする。
In claim 2, in the invention of the microreactor according to claim 1,
The first substrate may be an insulator, and the second substrate may be a semiconductor.
請求項３においては、請求項１または２に記載のマイクロリアクタの発明において、
前記流路に配置された前記複数のダイアフラムを構成する周辺部分を残して前記第２基板を除去したことを特徴とする。
In claim 3, in the invention of the microreactor according to claim 1 or 2,
The second substrate is removed while leaving a peripheral portion constituting the plurality of diaphragms arranged in the flow path.
請求項４においては、請求項１乃至３のいずれかに記載のマイクロリアクタの発明において、
前記第１基板を貫通し前記ダイアフラムのそれぞれに所定の空間を隔てて対向して形成された第1貫通電極と、前記第１基板を貫通し前記それぞれのダイアフラム領域外で前記半導体基板に接して形成された第２貫通電極と、前記第１基板を貫通し前記ダイアフラム領域のそれぞれに連通する貫通孔と、を有することを特徴とする。
In Claim 4, in the invention of the microreactor according to any one of Claims 1 to 3,
A first through electrode formed through the first substrate and opposed to each of the diaphragms with a predetermined space therebetween; and in contact with the semiconductor substrate outside the respective diaphragm regions through the first substrate. It has the 2nd penetration electrode formed, and a penetration hole which penetrates the 1st substrate and communicates with each of the diaphragm field.
請求項５においては、請求項１乃至３のいずれかに記載のマイクロリアクタの発明において、
前記それぞれのダイアフラム上に線状に形成されたピエゾ抵抗素子と、前記第１基板を貫通し前記それぞれのダイアフラム領域外で前記ピエゾ抵抗素子の両端に接続する一対の第３貫通電極と、前記第１基板を貫通し前記ダイアフラム領域のそれぞれに連通する貫通孔と、を有することを特徴とする。
In claim 5, in the invention of the microreactor according to any one of claims 1 to 3,
Piezoresistive elements linearly formed on the respective diaphragms, a pair of third through electrodes that pass through the first substrate and are connected to both ends of the piezoresistive elements outside the respective diaphragm regions, and the first A through hole penetrating through one substrate and communicating with each of the diaphragm regions.
本発明の請求項１，２，４，５によれば、構造やプロセスを共通化した圧力計、流量計やバルブを一括して作り込んてマイクロリアクタを構成したので、ローコスト化と、継ぎ手周りのリーク等の問題がなく、流路内にデッドスペースが無く、且つ、流れを乱すことの無いマイクロリアクタを実現することができる。 According to the first, second, fourth, and fifth aspects of the present invention, since the microreactor is configured by collectively forming a pressure gauge, a flow meter, and a valve having a common structure and process, the cost is reduced and the area around the joint is reduced. There can be realized a microreactor which does not have a problem such as leakage, has no dead space in the flow path, and does not disturb the flow.
本発明の請求項３によれば、流路に配置された複数のダイアフラムを構成する周辺部分を残して第２基板を除去したので、半導体への接触が問題となる化学物質への影響を少なくすることができる。 According to the third aspect of the present invention, since the second substrate is removed while leaving the peripheral portions constituting the plurality of diaphragms arranged in the flow path, the influence on the chemical substance that causes contact with the semiconductor is reduced. can do.
図１（ａ〜ｄ）は本発明のマイクロリアクタに用いるダイアフラム部の構成図である。
図１（ａ）において、１は第１基板であり、例えば絶縁体からなるパイレックス（登録商標）基板である（以下、パイレックス（登録商標）基板という）。２は第２基板であり、例えば半導体からなるシリコン基板（以下、シリコン基板という）である。
1A to 1D are configuration diagrams of a diaphragm portion used in the microreactor of the present invention.
In FIG. 1A, reference numeral 1 denotes a first substrate, for example, a Pyrex (registered trademark) substrate made of an insulator (hereinafter referred to as a Pyrex (registered trademark) substrate). Reference numeral 2 denotes a second substrate, for example, a silicon substrate made of a semiconductor (hereinafter referred to as a silicon substrate).
パイレックス（登録商標）基板１とシリコン基板２は陽極接合などにより気密に貼り付けられており、パイレックス（登録商標）基板１には例えば直径１ｍｍ、深さ０．１ｍｍ程度の凹部３が形成されている。 The Pyrex (registered trademark) substrate 1 and the silicon substrate 2 are hermetically bonded by anodic bonding or the like, and the Pyrex (registered trademark) substrate 1 is formed with a recess 3 having a diameter of about 1 mm and a depth of about 0.1 mm, for example. Yes.
シリコン基板２の厚さは例えば３μｍ程度であり、凹部３との間でダイアフラム４として機能する。５はパイレックス（登録商標）基板１を貫通し、一端を凹部３の表面に露出させダイアフラム４の中央部に位置するように形成された第１貫通電極である。 The thickness of the silicon substrate 2 is, for example, about 3 μm, and functions as a diaphragm 4 between the silicon substrate 2 and the recess 3. Reference numeral 5 denotes a first through electrode formed so as to penetrate the Pyrex (registered trademark) substrate 1 and have one end exposed at the surface of the recess 3 and positioned at the center of the diaphragm 4.
この第１貫通電極５の他端は取り出し配線（図示省略）に接合される。なお、第1貫通電極５の一端は所定の面積を有して形成されており、バイレックス基板１にはダイアフラム４の縁近傍に連通する貫通孔６が形成されている。 The other end of the first through electrode 5 is joined to an extraction wiring (not shown). One end of the first through electrode 5 is formed to have a predetermined area, and a through hole 6 communicating with the vicinity of the edge of the diaphragm 4 is formed in the birex substrate 1.
７はパイレックス（登録商標）基板１を貫通し、一端がダイアフラム領域外でシリコン基板２に接し、他端は取り出し配線に接合するように形成された第２貫通電極である。
上述の構成において、第１，第２貫通電極間に電気信号を流しておくことによりダイアフラム４の変位量に応じた静電容量の変化を検出することができる。
図１（ｂ）はシリコン基板２側にダイアフラム４を形成した実施例を示すもので、形状・寸法は図１（ａ）のダイアフラム部と同様である。
Reference numeral 7 denotes a second through electrode formed so as to penetrate the Pyrex (registered trademark) substrate 1, one end being in contact with the silicon substrate 2 outside the diaphragm region, and the other end being bonded to the lead-out wiring.
In the above-described configuration, a change in capacitance according to the amount of displacement of the diaphragm 4 can be detected by causing an electric signal to flow between the first and second through electrodes.
FIG. 1B shows an embodiment in which a diaphragm 4 is formed on the silicon substrate 2 side, and the shape and dimensions are the same as those of the diaphragm portion of FIG.
図１（ｃ）はシリコン基板で形成されたダイアフラム４上に例えば１本の線からなる渦巻きや櫛歯のピエゾ抵抗８を構成した実施例を示すものである。９はパイレックス（登録商標）基板１を貫通し、一端がピエゾ抵抗８の両端に接続された一対の第３貫通電極であり、この実施例ではパイレックス（登録商標）基板１にダイアフラム４の中央付近に連通する貫通孔６が形成されている。
上述の構成において、第３貫通電極間に電気信号を流しておくことによりダイアフラム４の変位量に応じた抵抗値の変化を検出することができる。
FIG. 1C shows an embodiment in which a spiral or comb-shaped piezoresistor 8 composed of, for example, a single line is formed on a diaphragm 4 formed of a silicon substrate. Reference numeral 9 denotes a pair of third through electrodes penetrating the Pyrex (registered trademark) substrate 1 and having one end connected to both ends of the piezoresistor 8. In this embodiment, the Pyrex (registered trademark) substrate 1 is provided near the center of the diaphragm 4. A through-hole 6 communicating with is formed.
In the above-described configuration, a change in resistance value corresponding to the amount of displacement of the diaphragm 4 can be detected by flowing an electric signal between the third through electrodes.
図１（ｄ）はシリコン基板２側にダイアフラム４を形成した実施例を示すもので、形状・寸法は図１（ｃ）のダイアフラム部と同様である。 FIG. 1D shows an embodiment in which a diaphragm 4 is formed on the silicon substrate 2 side, and the shape and dimensions are the same as those of the diaphragm portion in FIG.
図２（ａ，ｂ）はマイクロリアクタ作製の概略工程を示す断面図であり、図２（ａ）は図１（ａ）に示すようなパイレックス（登録商標）基板１側の凹部３によりダイアフラム４を形成したマイクロリアクタの作製例、図２（ｂ）は図１（ｂ）に示すようなシリコン基板２側の凹部３によりダイアフラム４を形成したマイクロリアクタの作製例を示している。 2A and 2B are cross-sectional views showing a schematic process for manufacturing a microreactor. FIG. 2A shows a diaphragm 4 formed by a recess 3 on the Pyrex (registered trademark) substrate 1 side as shown in FIG. FIG. 2B shows a manufacturing example of the formed microreactor, and FIG. 2B shows a manufacturing example of the microreactor in which the diaphragm 4 is formed by the recess 3 on the silicon substrate 2 side as shown in FIG.
図２（ａ，ｂ）において、基板準備１の工程では、シリコン基板２としてＳＯＩ基板２を用意する。ＳＯＩ基板はシリコン膜２ａ,２ｂ間に酸化膜２ｃを挟んだものである。ここでシリコン膜２ｂの厚さは凹部３の深さとダイアフラム４の厚さに応じたものを用いる。
エッチング工程２において、図２（ａ）ではパイレックス（登録商標）基板１に凹部３を形成し、図２（ｂ）ではＳＯＩ基板２のシリコン膜２ｂに凹部３を形成する。
なお、貫通電極と貫通孔の作製工程についてはここでは論じないが、半導体加工技術の公知の方法により形成する。
2A and 2B, in the step of substrate preparation 1, an SOI substrate 2 is prepared as a silicon substrate 2. The SOI substrate is obtained by sandwiching an oxide film 2c between silicon films 2a and 2b. Here, the thickness of the silicon film 2 b is selected according to the depth of the recess 3 and the thickness of the diaphragm 4.
In the etching step 2, the recess 3 is formed in the Pyrex (registered trademark) substrate 1 in FIG. 2A, and the recess 3 is formed in the silicon film 2 b of the SOI substrate 2 in FIG. 2B.
In addition, although the manufacturing process of a penetration electrode and a through-hole is not discussed here, it forms by the well-known method of a semiconductor processing technique.
接合工程３において、図２（ａ）ではパイレックス（登録商標）基板１に形成された凹部３側とＳＯＩ基板２を陽極接合などにより接合する。図２（ｂ）ではＳＯＩ基板に形成された凹部３側とパイレックス（登録商標）基板１を陽極接合などにより接合する。 In the bonding step 3, in FIG. 2A, the recess 3 side formed on the Pyrex (registered trademark) substrate 1 and the SOI substrate 2 are bonded by anodic bonding or the like. In FIG. 2B, the recess 3 side formed on the SOI substrate and the Pyrex (registered trademark) substrate 1 are joined by anodic bonding or the like.
エッチング工程４において、図２（ａ，ｂ）両方ともＳＯＩ基板２の表面のシリコン膜２ａとサンドイッチ状に配置された酸化膜２ｃを除去してシリコン膜２ｂを露出させダイアフラム４を形成する。即ち、図１に示すシリコン基板２はシリコン膜２ｂに相当する。
接合工程５において、図２（ａ，ｂ）両方とも流路１１、堰１２および弁体１３となる凸起が形成された第３基板（パイレックス（登録商標）基板）１０を陽極接合などにより接合する。
In the etching step 4, in both FIGS. 2A and 2B, the silicon film 2 a on the surface of the SOI substrate 2 and the oxide film 2 c arranged in a sandwich shape are removed to expose the silicon film 2 b and form a diaphragm 4. That is, the silicon substrate 2 shown in FIG. 1 corresponds to the silicon film 2b.
2A and 2B, a third substrate (Pyrex (registered trademark) substrate) 10 on which protrusions to be the flow path 11, the weir 12 and the valve body 13 are formed is bonded by anodic bonding or the like. To do.
図３（ａ，ｂ）は他のマイクロリアクタ作製の概略工程を示す断面図であり、図３（ａ）は図１（ａ，ｃ）に示すようなパイレックス（登録商標）基板１側の凹部３によりダイアフラム４を形成したもの、図３（ｂ）は図１（ｂ，ｄ）に示すようなシリコン基板２側のシリコン膜２ｂに凹部を形成し、凹部の周りのシリコン膜２ｂを除去したマイクロリアクタの作製例を示している。 3A and 3B are cross-sectional views showing a schematic process for manufacturing another microreactor, and FIG. 3A is a recess 3 on the Pyrex (registered trademark) substrate 1 side as shown in FIG. 1A and FIG. 3 (b) shows a microreactor in which a recess is formed in the silicon film 2b on the silicon substrate 2 side as shown in FIG. 1 (b, d) and the silicon film 2b around the recess is removed. An example of manufacturing is shown.
図３（ａ，ｂ）において、基板準備工程１では、シリコン基板２としてＳＯＩ基板を用意する。ここでシリコン膜２ｂの厚さは凹部３の深さとダイアフラム４の厚さに応じたものを用いる。
エッチング工程２において、図３（ａ）ではＳＯＩ基板２のシリコン膜２ｂ側にダイアフラムとなる部分４ａを形成し、図３（ｂ）ではシリコン膜２ｂ側に凹部３を形成する。なお、後述する流路に位置しない領域はシリコン部分を残しておくものとする。また、貫通電極と貫通孔の作製工程についてはここでは論じないが、半導体加工技術の公知の方法により形成する。
3A and 3B, in the substrate preparation step 1, an SOI substrate is prepared as the silicon substrate 2. Here, the thickness of the silicon film 2 b is selected according to the depth of the recess 3 and the thickness of the diaphragm 4.
In the etching step 2, in FIG. 3A, a portion 4a serving as a diaphragm is formed on the silicon film 2b side of the SOI substrate 2, and in FIG. 3B, a recess 3 is formed on the silicon film 2b side. It should be noted that a silicon portion is left in a region that is not located in a flow path described later. Further, although the manufacturing process of the through electrode and the through hole is not discussed here, it is formed by a known method of semiconductor processing technology.
接合工程３において、図３（ａ）ではパイレックス（登録商標）基板１に形成された凹部３側とＳＯＩ基板２を陽極接合などにより接合する。
図３（ｂ）ではＳＯＩ基板２に形成された凹部３側とパイレックス（登録商標）基板１を陽極接合などにより接合する。
In the bonding step 3, in FIG. 3A, the recess 3 side formed on the Pyrex (registered trademark) substrate 1 and the SOI substrate 2 are bonded by anodic bonding or the like.
In FIG. 3B, the recess 3 side formed on the SOI substrate 2 and the Pyrex (registered trademark) substrate 1 are joined by anodic bonding or the like.
エッチング工程４において、ＳＯＩ基板２を構成する上部のシリコン膜１ａと酸化膜２aｃを除去する。
接合工程５において流路１１を形成した第３基板(パイレックス（登録商標）基板)１０を接合する。
上述の工程により作製したマイクロリアクタによれば、流路１１にはシリコン膜はダイアフラム４の部分のみが配置された状態となる。
なお、流路中におけるダイアフラムの存在はきわめて小さいのでシリコンが化学物質に与える影響を少なくすることができる。
In the etching step 4, the upper silicon film 1a and oxide film 2ac constituting the SOI substrate 2 are removed.
In the bonding step 5, the third substrate (Pyrex (registered trademark) substrate) 10 on which the flow path 11 is formed is bonded.
According to the microreactor produced by the above-described process, the silicon film is in a state where only the diaphragm 4 is disposed in the flow path 11.
In addition, since the presence of the diaphragm in the flow path is extremely small, the influence of silicon on the chemical substance can be reduced.
なお、図２，３のマイクロリアクタ作製の概略工程において、静電容量式かピエゾ抵抗式にするかは任意に作製可能である。 2 and 3, whether to use a capacitance type or a piezoresistive type can be arbitrarily manufactured.
図４（ａ，ｂ）は構造やプロセスを共通化した圧力計、流量計やバルブを一括して作り込んだマイクロリアクタの実施例を示す断面図である。
図４（ａ，ｂ）において、１０は第３基板であり、例えばパイレックス（登録商標）基板１に流路１１及び堰１２または弁体１３として機能する凸部が形成されている。なお、図４（ａ）は図２（ｂ）、図４（ｂ）は図３（ｂ）に示す工程により作製したものを示している。
4A and 4B are cross-sectional views showing an embodiment of a microreactor in which a pressure gauge, a flow meter, and a valve having a common structure and process are collectively formed.
4A and 4B, reference numeral 10 denotes a third substrate. For example, the Pyrex (registered trademark) substrate 1 is provided with a convex portion that functions as the flow path 11 and the weir 12 or the valve body 13. Note that FIG. 4A shows a structure manufactured by the process shown in FIG. 2B, and FIG. 4B shows a process manufactured by the process shown in FIG.
流路１１の下方にはダイアフラム４が配置され、圧力計１４、差圧流量計１５、バルブ１６が形成されている。１７は流路の両端に形成された流体の入出力ポートである。
即ち、圧力計１４は流体の圧力によりダイアフラムが歪むのでその歪に応じて変化する静電容量または抵抗値の変化により圧力を測定する。
A diaphragm 4 is disposed below the flow path 11, and a pressure gauge 14, a differential pressure flow meter 15, and a valve 16 are formed. Reference numeral 17 denotes a fluid input / output port formed at both ends of the flow path.
That is, since the diaphragm is distorted by the pressure of the fluid, the pressure gauge 14 measures the pressure by a change in capacitance or resistance value that changes according to the distortion.
差圧流量計１５は堰として機能する凸部１２の両側に所定の距離を隔てて一対のダイアフラム４を設け、堰の上流側と下流側の圧力差をダイアフラム４で検出することにより流量を測定するものである。 The differential pressure flow meter 15 is provided with a pair of diaphragms 4 on both sides of the convex portion 12 functioning as a weir, and measures the flow rate by detecting the pressure difference between the upstream side and the downstream side of the weir with the diaphragm 4. To do.
バルブ１６は弁体として機能する凸部１３を設け、ダイアフラム４と凸部１３の隙間を開閉することにより流路のノーマリオープンまたはノーマリクローズを実現する。
図４においては静電容量式に用いる貫通電極を示したが、静電容量式かピエゾ抵抗式にするかは任意に作製可能である。
The valve 16 is provided with a convex portion 13 that functions as a valve body, and the gap between the diaphragm 4 and the convex portion 13 is opened and closed so that the channel is normally open or normally closed.
Although the through electrode used for the capacitance type is shown in FIG. 4, it can be arbitrarily produced whether it is a capacitance type or a piezoresistive type.
図５（ａ〜ｃ）は本発明のマイクロリアクタの製作例を示す平面図、図２（ｄ）は応用例を示す平面図である。
図５（ａ）にはシリコン基板２上の流路に対応する位置に、図１（ａ，ｂ）または図１（ｃ，ｄ）に示すダイアフラム４を複数個作製する。このシリコン基板の裏面には図４（ａ，ｂ）に示すようにパイレックス（登録商標）基板１が陽極接合などにより貼り付けられている。
FIGS. 5A to 5C are plan views showing an example of manufacturing the microreactor of the present invention, and FIG. 2D is a plan view showing an application example.
5 (a), a plurality of diaphragms 4 shown in FIG. 1 (a, b) or FIG. 1 (c, d) are formed at positions corresponding to the flow paths on the silicon substrate 2. In FIG. As shown in FIGS. 4A and 4B, a Pyrex (registered trademark) substrate 1 is attached to the back surface of the silicon substrate by anodic bonding or the like.
次に、図５（ｂ）に示すようにシリコン基板２上に、流路１１と堰１２を形成した第３基板１０を陽極接合などにより接合する。なお、図５（ｂ）では第３基板１０の表面から透視した図を示している。 Next, as shown in FIG. 5B, the third substrate 10 on which the flow path 11 and the weir 12 are formed is bonded on the silicon substrate 2 by anodic bonding or the like. FIG. 5B shows a view seen through from the surface of the third substrate 10.
次に図５（ｃ）に示すようにパイレックス（登録商標）基板１の裏面に露出した貫通電極５，７（図４参照）にダイアフラム４を電気的に使用するための電気配線を行う。
図５（ｄ）は基板上に複数の流路を形成し集積化ガスシステムなどに応用した実施例を示すもので、図では電気配線は省略している。
Next, as shown in FIG. 5C, electrical wiring for electrically using the diaphragm 4 is performed on the through electrodes 5 and 7 (see FIG. 4) exposed on the back surface of the Pyrex (registered trademark) substrate 1.
FIG. 5D shows an embodiment in which a plurality of flow paths are formed on a substrate and applied to an integrated gas system or the like, and electrical wiring is omitted in the figure.
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。例えば絶縁基板の第１基板としてパイレックス（登録商標）基板、半導体からなる第２基板としてシリコン基板を用いたが同様の機能を有する他の部材であってもよい。
従って本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形を含むものである。
The above description merely shows a specific preferred embodiment for the purpose of explanation and illustration of the present invention. For example, although a Pyrex (registered trademark) substrate is used as the first substrate of the insulating substrate and a silicon substrate is used as the second substrate made of a semiconductor, other members having the same function may be used.
Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes many changes and modifications without departing from the essence thereof.
１ 第１基板（シリコン）
２ 第２基板（パイレックス（登録商標））
３ 凹部
４ ダイアフラム
５ 第１貫通電極
６ 貫通孔
７ 第２貫通電極
８ ピエゾ抵抗
９ 第３貫通電極
１０ 第３基板（パイレックス（登録商標））
１１ 流路
１２ 突起（堰）
１３ 突起（弁体）
１４ 圧力計
１５ 差圧流量計
１６ バルブ
１７ ポート
１８ 電気配線
1 First substrate (silicon)
2 Second substrate (Pyrex (registered trademark))
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 Concave part 4 Diaphragm 5 1st through-electrode 6 Through-hole 7 2nd through-electrode 8 Piezoresistor 9 3rd through-electrode 10 3rd board | substrate (Pyrex (trademark))
11 Channel 12 Protrusion (weir)
13 Protrusion (valve)
14 Pressure gauge 15 Differential pressure flow meter 16 Valve 17 Port 18 Electrical wiring
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010221073A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014188717A1 (en) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | ベックマン コールター， インコーポレイテッド | Electromagnetic valve and electromagnetic valve malfunction-assessing device |
| JP2017203776A (en) * | 2017-06-21 | 2017-11-16 | ソニー株式会社 | Microchip |
| JP2018517576A (en) * | 2015-05-13 | 2018-07-05 | ベルキン ビーブイＢｅｒｋｉｎ Ｂ．Ｖ． | Fluid flow device provided with valve unit, and manufacturing method thereof |
-
2009
- 2009-03-19 JP JP2009068132A patent/JP2010221073A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014188717A1 (en) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | ベックマン コールター， インコーポレイテッド | Electromagnetic valve and electromagnetic valve malfunction-assessing device |
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