JP2010212717A - 光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光反射用熱硬化性樹脂組成物が(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化触媒、(D)充填剤(E)カップリング剤を含有する樹脂組成物であって、熱硬化後の、波長800nm〜350nmにおける光反射率が80%以上であり、かつ熱伝導率が1〜10W/mKの範囲であり、熱硬化前には室温において加圧成形可能である、ことを特徴とする光反射用熱硬化性樹脂組成物を提供することにより高光反射率、高放熱性の光半導体搭載用基板を作製することが可能となった。
【選択図】図1
Description
(1)光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体搭載用基板の製造方法であって、前記凹部がエポキシ樹脂、無機充填剤及び白色顔料を含む光反射用熱硬化性樹脂をトランスファー成型により形成することを特徴とする光半導体搭載用基板の製造方法であり、
無機充填剤と白色顔料の合計量が、光反射用熱硬化性樹脂全体に対して85重量%〜95重量%の範囲である光半導体素子搭載用基板の製造方法。
前記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載される光半導体素子と、
前記光半導体素子を覆うように形成される封止樹脂と、
を備える光半導体装置。
(実施例1)
下記組成の材料を混練温度20〜30℃、混練時間10分の条件でロール混練し、光反射用樹脂組成物を作製した。
エポキシ樹脂:トリグリシジルイソシアヌレート 100重量部(エポキシ当量100)
硬化剤:ヘキサヒドロ無水フタル酸 140重量部
硬化促進剤:テトラ−n−ブチルホスホニウム−
o,o−ジエチルホスホロジチオエート 0.4重量部
無機充填剤:溶融シリカ(中心粒径20μm) 1118重量部
アルミナA(中心粒径40μm) 660重量部
白色顔料:アルミナB(中心粒径1μm) 627重量部
カップリング剤:エポキシシラン 3重量部
酸化防止剤:9,10−ジヒドロ−9−オキサ−
10−ホスファフェナントレン−10−オキシド 1重量部
無機充填剤:溶融シリカ(中心粒径20μm) 373重量部
アルミナA(中心粒径40μm) 1881重量部
白色顔料:アルミナB(中心粒径1μm) 660重量部
とした以外は実施例1と同様にして光反射用樹脂組成物を作製した。
無機充填剤:溶融シリカ(中心粒径20μm) 1088重量部
アルミナA(中心粒径40μm) 610重量部
白色顔料:酸化マグネシウム(中心粒径0.2μm) 544重量部
とした以外は実施例1と同様にして光反射用樹脂組成物を作製した。
無機充填剤:溶融シリカ(中心粒径20μm) 419重量部
アルミナA(中心粒径40μm) 235重量部
白色顔料:アルミナB(中心粒径1μm) 247重量部
とした以外は実施例1と同様にして光反射用樹脂組成物を作製した。
無機充填剤:溶融シリカ(中心粒径20μm) 623重量部
アルミナA(中心粒径40μm) 3147重量部
白色顔料:アルミナB(中心粒径1μm) 1105重量部
とした以外は実施例1と同様にして光反射用樹脂組成物を作製した。
各実施例及び各比較例の光反射用樹脂組成物を、金型温度180℃、キュア時間90秒の条件でトランスファー成形を行った後、150℃の温度で2時間ポストキュアを行うことによって厚み0.5mmのテストピースを作製した。ついで、各テストピースの、波長350〜800nmにおける光反射率を積分球型分光光度計V−570型(日本分光株式会社製)を用いて測定した。また、150℃、72時間熱処理後の各テストピースの光反射特性も合わせて評価した。評価基準は下記のとおりである。結果を表1に示す。
<光反射率の評価基準>
○:光反射率80%以上
△:光反射率70%以上、80%未満
×:光反射率70%未満
λ=α×Cp×ρ (式1)
λ:熱伝導率
α:熱拡散率
Cp:熱容量(比熱)
ρ:密度
各実施例及び各比較例の光反射用樹脂組成物について、室温(25℃)でタブレット成型できるものを○、タブレット成型できないものを×として評価した。なお、タブレットの成型は、MTV−I−37((株)丸七鉄工所製、商品名)を用い、0.7MPa、2秒の条件で行った。
101・・・・・封止樹脂
102・・・・・ボンディングワイヤ
103・・・・・リフレクター
104・・・・・Ni/Agめっき
105・・・・・金属配線
106・・・・・蛍光体
107・・・・・はんだバンプ
110・・・・・光半導体素子搭載用基板
200・・・・・光半導体素子搭載領域(凹部)
300・・・・・樹脂注入口
301・・・・・金型
Claims (3)
- 光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体搭載用基板の製造方法であって、前記凹部がエポキシ樹脂、無機充填剤及び白色顔料を含む光反射用熱硬化性樹脂をトランスファー成型により形成することを特徴とする光半導体搭載用基板の製造方法であり、
無機充填剤と白色顔料の合計量が、光反射用熱硬化性樹脂全体に対して85重量%〜95重量%の範囲である光半導体素子搭載用基板の製造方法。 - 光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板であって、前記凹部がエポキシ樹脂、無機充填剤及び白色顔料を含む光反射用熱硬化性樹脂を用いてなるものであり、無機充填剤と白色顔料の合計量が、光反射用熱硬化性樹脂全体に対して85重量%〜95重量%の範囲である光半導体素子搭載用基板。
- 請求項2に記載の光半導体素子搭載用基板と、
前記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載される光半導体素子と、
前記光半導体素子を覆うように形成される封止樹脂と、
を備える光半導体装置。
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