JP2010210786A

JP2010210786A - Electrooptical device and electronic equipment

Info

Publication number: JP2010210786A
Application number: JP2009055120A
Authority: JP
Inventors: Hiroko Sawai; 寛子澤井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2009-03-09
Filing date: 2009-03-09
Publication date: 2010-09-24

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a high quality display image by forming a capacitor for reducing luminance unevenness in an efficient layout in an electrooptical device. <P>SOLUTION: The electrooptical device is provided with on a substrate (10): a pixel electrode (9a) arranged for each pixel; a capacitor electrode (71) disposed facing the lower layer side of the pixel electrode via a first dielectric film (72) for adding holding capacity to the pixel electrode in the pixel area (10a); a first conductive layer (500) formed of the same film as the capacitor electrode that constitutes one signal line to supply an image signal to the pixel electrode in the peripheral area (10b); and a second conductive layer (600) disposed facing the upper layer side of the first conductive layer via a second dielectric film (700), and formed of the same film as the pixel electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及び該電気光学装置を備えた、例えば電子ペーパ等の電子機器の技術分野に関する。 The present invention relates to a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device and an electronic apparatus such as an electronic paper including the electro-optical device.

この種の電気光学装置では、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備えることにより、アクティブマトリクス駆動可能に構成されている。アクティブマトリクス駆動では、走査線に走査信号を供給することで前記ＴＦＴの動作を制御すると共に、ＴＦＴがＯＮ（オン）駆動されるタイミングでデータ線に画像信号を順次供給することによって、画像表示が実現される。 In this type of electro-optical device, a pixel electrode, a scanning line for selectively driving the pixel electrode, a data line, and a TFT (Thin Film Transistor) as a pixel switching element are provided on a substrate. Thus, the active matrix driving is possible. In the active matrix driving, the operation of the TFT is controlled by supplying a scanning signal to the scanning line, and image display is performed by sequentially supplying the image signal to the data line at a timing when the TFT is turned on. Realized.

ここで、画像信号が夫々供給される相隣接するデータ線間には、寄生容量に起因したプッシュダウン（即ち、画像信号電位の電圧降下）によって、例えばシリアル−パラレル展開された画像信号にて同時駆動されるブロックの境目などで、輝度ムラが発生するという問題点がある。この問題点に対し、特許文献１には、データ線にコンデンサを設ける技術が開示されている。 Here, between the adjacent data lines to which the image signals are respectively supplied, for example, image signals that are serially / parallel-developed simultaneously by pushdown (that is, voltage drop of the image signal potential) due to parasitic capacitance. There is a problem that luminance unevenness occurs at the boundary between driven blocks. With respect to this problem, Patent Document 1 discloses a technique of providing a capacitor on a data line.

特開２００４−１２５８８７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-125887

しかしながら、特許文献１のようにコンデンサを増設すると、基板上の積層構造が複雑化してしまい、液晶装置等の電気光学装置に要求される高精細化の要請に対応することが難しくなってしまうという問題点がある。一方、表示画像の高コントラスト化等を目的として、画素スイッチング用のＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることがある。すると、基板上の積層構造は更に複雑となり、上記問題点は一層深刻なものとなってしまう。 However, if a capacitor is added as in Patent Document 1, the laminated structure on the substrate becomes complicated, and it becomes difficult to meet the demand for higher definition required for electro-optical devices such as liquid crystal devices. There is a problem. On the other hand, a storage capacitor may be provided between the pixel switching TFT and the pixel electrode for the purpose of increasing the contrast of the display image. Then, the laminated structure on the substrate becomes more complicated, and the above problem becomes more serious.

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、例えば相隣接するブロックの境界に
生じる輝度ムラを低減するためのコンデンサを効率的なレイアウトで形成することにより、高品位な画像表示が可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above problems. For example, a high-quality image can be displayed by forming a capacitor with an efficient layout to reduce luminance unevenness generated at the boundary between adjacent blocks. It is an object to provide an electro-optical device and an electronic apparatus including such an electro-optical device.

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素領域において、画素毎に配列された画素電極と、前記画素電極の下層側に第１誘電体膜を介して対向するように設けられており、前記画素電極に対して保持容量を付加するための容量電極と、前記画素領域の周囲に位置する周辺領域において、前記容量電極と同一膜から形成されており、前記画素電極に画像信号を供給するために用いられる一の信号線を構成する第１導電層と、該第１導電層の上層側に第２誘電体膜を介して対向するように設けられ、前記画素電極と同一膜から形成された第２導電層とを備える。 In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention faces a pixel electrode arranged for each pixel in a pixel region on a substrate and a lower layer side of the pixel electrode through a first dielectric film. A capacitor electrode for adding a storage capacitor to the pixel electrode, and a peripheral region located around the pixel region, and formed of the same film as the capacitor electrode. A first conductive layer constituting one signal line used for supplying an image signal to the electrode, and an upper layer side of the first conductive layer so as to face each other with a second dielectric film interposed therebetween; And a second conductive layer formed of the same film as the electrode.

本発明の電気光学装置では、基板上に、例えば、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のトランジスタ等の電子素子が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に画素電極が配置されている。電気光学装置の動作時には、例えば、走査線を通じて、画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用のＴＦＴのスイッチング動作が制御されると共に、データ線を通じて画像信号が供給されることで、該ＴＦＴを介して画素電極に対し、画像信号に応じた電圧を印加する。これにより、複数の画素電極が配列された画素領域（又は「画像表示領域」や「画素アレイ領域」とも呼ぶ）における画像表示が可能となる。 In the electro-optical device of the present invention, electronic elements such as wirings such as scanning lines and data lines and pixel switching transistors are stacked on the substrate as needed while being insulated from each other via an insulating film. Thus, a circuit for driving the pixel electrode is configured, and the pixel electrode is disposed on the upper layer side. During the operation of the electro-optical device, for example, the switching operation of the pixel switching TFT electrically connected to the pixel electrode is controlled through the scanning line, and an image signal is supplied through the data line. A voltage corresponding to the image signal is applied to the pixel electrode via the. As a result, it is possible to display an image in a pixel region (or also referred to as an “image display region” or a “pixel array region”) in which a plurality of pixel electrodes are arranged.

容量電極は、画素電極の下層側に第１誘電体膜を介して対向するように設けられることにより、保持容量を形成している。即ち、本発明における画素電極は、例えば液晶等の液晶分子の配向状態を制御するという本来の画素電極としての機能を有することに加えて、保持容量（又は「蓄積容量」や「付加容量」とも呼ぶ）を構成する一対の容量電極のうち一方の容量電極としての機能を兼ねるように形成されている。このように保持容量を形成することで、駆動電圧の保持特性を高めることによって画質の向上を図ると共に、基板上の積層構造をシンプルにすることができるので、電気光学装置の製造コストの削減や高精細化に貢献することができる。 The capacitor electrode is provided on the lower layer side of the pixel electrode so as to oppose the first dielectric film, thereby forming a storage capacitor. That is, the pixel electrode in the present invention has a function as an original pixel electrode for controlling the alignment state of liquid crystal molecules such as liquid crystal, for example, and also has a storage capacitor (or “storage capacitor” and “addition capacitor”). Are formed so as to function as one of the pair of capacitor electrodes. By forming the storage capacitor in this way, it is possible to improve the image quality by enhancing the retention characteristic of the drive voltage and simplify the laminated structure on the substrate, so that the manufacturing cost of the electro-optical device can be reduced. It can contribute to high definition.

基板上で平面的に見て、画素領域の周囲には、例えば画素領域に配置された画素スイッチング用のＴＦＴを駆動するための駆動回路や、画素電極に画像信号に対応する駆動電圧を供給する電圧供給回路等を配置するための周辺領域が設けられている。本発明に係る電気光学装置は、その周辺領域に、次に説明する第２容量電極及び導電層が設けられている。 When viewed in plan on the substrate, for example, a drive circuit for driving a pixel switching TFT disposed in the pixel region and a drive voltage corresponding to an image signal are supplied to the pixel electrode around the pixel region. A peripheral region for arranging a voltage supply circuit and the like is provided. The electro-optical device according to the present invention is provided with a second capacitor electrode and a conductive layer described below in the peripheral region.

第１導電層は、周辺領域に配置されており、画素領域に形成された容量電極と同一膜から形成されている。ここで、「同一膜」とは、電気光学装置の製造工程において同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。即ち、周辺領域における第２容量電極は、その製造工程において、画素領域における第１容量電極と同一機会に成膜される。また、本発明において「同一膜から形成され」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。即ち、周辺領域における第１導電層と、画素領域における容量電極とは、同一機会に形成されているが、互いに分断されていてもよい。これにより、製造工程における特定のプロセスで容量電極及び第１導電層を形成することができるので、製造コストの削減を図ると共に、基板上の積層構造におけるレイアウトの簡素化又は効率化を図ることができる。 The first conductive layer is disposed in the peripheral region and is formed from the same film as the capacitor electrode formed in the pixel region. Here, the “same film” means films formed on the same occasion in the manufacturing process of the electro-optical device, and are the same kind of film. That is, the second capacitor electrode in the peripheral region is formed on the same occasion as the first capacitor electrode in the pixel region in the manufacturing process. Further, in the present invention, “formed from the same film” does not mean that it is continuous as a single film, but is basically a part of the same film that is separated from each other. That is enough. That is, the first conductive layer in the peripheral region and the capacitor electrode in the pixel region are formed on the same occasion, but may be separated from each other. Thereby, since the capacitive electrode and the first conductive layer can be formed by a specific process in the manufacturing process, the manufacturing cost can be reduced and the layout in the stacked structure on the substrate can be simplified or made more efficient. it can.

このような第１導電層は、例えば、画像信号の導電路となるデータ線或いは画像信号線などの、画素電極に画像信号を供給するのに直接的に用いられる一の信号線を構成してもよいし、例えば、画像信号を供給する駆動回路を動作させるための或いは該駆動回路の一部などの、画素電極に画像信号を供給するのに間接的に用いられる一の信号線を構成してもよい。 Such a first conductive layer constitutes one signal line that is directly used to supply an image signal to the pixel electrode, such as a data line or an image signal line that becomes a conductive path of the image signal. Alternatively, for example, one signal line that is used indirectly to supply an image signal to a pixel electrode, such as for operating a drive circuit that supplies an image signal or a part of the drive circuit, is configured. May be.

第２導電層は、周辺領域において、第１導電層の上層側に第２誘電体膜を介して対向するように設けられている。即ち、第２導電層は、下層側に形成されている第１導電層との間に第２誘電体膜を挟持することにより、コンデンサを形成している。このように設けたコンデンサをデータ線に直接的又は間接的に、電気的に接続することによって、画像信号が夫々供給される相隣接するデータ線間に発生する寄生容量に起因したプッシュダウン（即ち、画像信号電位の電圧降下）によって、ブロックの境目で輝度ムラが発生することを抑制することができる。なお、ここにいう「ブロック」とは、典型的には、シリアル−パラレル展開或いは相展開された画像信号にて同時駆動されるブロックの意味であるが、それに限らず、データ線に画像信号が供給される際の系列に対応する領域を意味してもよい。 The second conductive layer is provided in the peripheral region so as to face the upper layer side of the first conductive layer via the second dielectric film. That is, the second conductive layer forms a capacitor by sandwiching the second dielectric film between the second conductive layer and the first conductive layer formed on the lower layer side. By connecting the capacitor thus provided directly or indirectly to the data line, pushdown (i.e., due to parasitic capacitance generated between adjacent data lines to which image signals are respectively supplied (that is, The occurrence of uneven brightness at the boundary between the blocks due to the voltage drop of the image signal potential) can be suppressed. The term “block” as used herein typically means a block that is simultaneously driven by an image signal that has been serially or parallel-developed or phase-expanded. It may mean an area corresponding to a series when supplied.

また、周辺領域に形成される第２導電層は、画素領域に形成される画素電極と同一膜から形成されている。ここで、画素領域における画素電極は、画素毎に駆動電圧を印加するという性質上、画素毎に島状に形成されているため、第２導電層は画素電極と一枚の膜として連続して形成されているのではなく、相互に分断されて形成される。このように第２導電層を形成することにより、製造工程における特定のプロセスで第２導電層及び画素電極を形成することができるので、製造コストの削減を図ると共に、基板上の積層構造におけるレイアウトの簡素化又は効率化を図ることができる。 The second conductive layer formed in the peripheral region is formed of the same film as the pixel electrode formed in the pixel region. Here, since the pixel electrode in the pixel region is formed in an island shape for each pixel due to the property of applying a driving voltage for each pixel, the second conductive layer is continuously formed as one film with the pixel electrode. Instead of being formed, they are separated from each other. By forming the second conductive layer in this manner, the second conductive layer and the pixel electrode can be formed by a specific process in the manufacturing process, so that the manufacturing cost can be reduced and the layout in the stacked structure on the substrate can be achieved. Simplification or efficiency improvement.

以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、画素領域において画質を向上させるための保持容量を形成しつつ、同時に、周辺領域において、効率的なレイアウトでプッシュダウンを抑制するためのコンデンサを形成することができる。
その結果、電気光学装置の製造コストの削減や高精細化に対応しつつ、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。 As described above, according to the electro-optical device according to the present invention, it is possible to form the storage capacitor for improving the image quality in the pixel region and at the same time to suppress the push-down with the efficient layout in the peripheral region. Can be formed.
As a result, it is possible to realize an electro-optical device capable of displaying a high-quality image while reducing the manufacturing cost and increasing the definition of the electro-optical device.

本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１導電層は、前記画素電極に画像信号を供給する一の信号線を構成する導電層であり、前記第２導電層は、前記一の信号線に対して配線容量を付加するための導電層である。 In one aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the first conductive layer is a conductive layer constituting one signal line that supplies an image signal to the pixel electrode, and the second conductive layer is the one signal. It is a conductive layer for adding wiring capacitance to the line.

この態様によれば、第１導電層から、画像信号を供給する一の信号線（即ち、画像信号線の一部やデータ線の一部など）が構成される。このような一の信号線に対して、第２導電層によって配線容量が付加される。よって、周辺領域における第１導電層及び第２導電層によって、ノイズが低減された画像信号の安定供給が、可能とされる。 According to this aspect, one signal line for supplying an image signal (that is, a part of the image signal line, a part of the data line, etc.) is configured from the first conductive layer. A wiring capacitance is added to the single signal line by the second conductive layer. Accordingly, the first conductive layer and the second conductive layer in the peripheral region can stably supply an image signal with reduced noise.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２導電層は、所定の電位に保持されている。 In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the second conductive layer is held at a predetermined potential.

この態様によれば、第２導電層が所定の電位に保持されることにより、第２導電層は、より下層側に配置された配線や素子等に対して、「電磁シールド」として機能する。ここで、「所定の電位」とは、例えば、固定電位若しくは所定電位、又は所定周期で反転する電位である。つまり、仮に第２導電層の上層側に電磁ノイズの発生源が存在する場合であっても、第２導電層の下層側に配置された配線や素子等は、第２導電層によって電磁ノイズが遮断されることにより、影響を受けることはない。特に、画像信号が供給される配線等が電磁ノイズの影響を受けると、画像信号の波形等が乱れ、表示画像の画質低下を引き起こす原因となる。そこで、本態様では、シールド電極として機能する第２導電層の下層側には、画像信号が供給される一の信号線を構成する第１導電層を配置することで、当該第１導電層に対する外部からの電磁ノイズの影響を軽減或いは防止することができる。その結果、第１導電層は、一の信号線の少なくとも一部として、画像信号を安定に伝達することができるので、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。 According to this aspect, when the second conductive layer is held at a predetermined potential, the second conductive layer functions as an “electromagnetic shield” with respect to the wirings, elements, and the like disposed on the lower layer side. Here, the “predetermined potential” is, for example, a fixed potential or a predetermined potential, or a potential that is inverted at a predetermined cycle. In other words, even if there is a source of electromagnetic noise on the upper layer side of the second conductive layer, the wiring and elements arranged on the lower layer side of the second conductive layer may cause electromagnetic noise due to the second conductive layer. It is not affected by being blocked. In particular, when a wiring or the like to which an image signal is supplied is affected by electromagnetic noise, the waveform of the image signal or the like is disturbed, causing a reduction in the image quality of the display image. Therefore, in this aspect, the first conductive layer constituting one signal line to which the image signal is supplied is disposed on the lower layer side of the second conductive layer that functions as a shield electrode, so that the first conductive layer The influence of external electromagnetic noise can be reduced or prevented. As a result, since the first conductive layer can stably transmit an image signal as at least a part of one signal line, an electro-optical device capable of displaying a high-quality image can be realized.

上述の第２導電層が所定の電位に保持される態様では、前記第２導電層より下層側に、画像信号が供給される他の信号線が配置されていてもよい。 In the aspect in which the above-described second conductive layer is held at a predetermined potential, another signal line to which an image signal is supplied may be disposed on the lower layer side than the second conductive layer.

この態様によれば、第１導電層を含んで構成される一の信号線の他に、電磁シールドとして機能する第２導電層より下層側に、別途、画像信号が供給される他の信号線を配置してもよい。この場合、他の信号線も、第１導電層と同様に、上層側に配置された第２導電層によって電磁ノイズを遮断することができるので、他の信号線は画像信号を乱されることなく、安定に伝達することができる。 According to this aspect, in addition to the one signal line configured to include the first conductive layer, the other signal line to which the image signal is separately supplied below the second conductive layer functioning as an electromagnetic shield. May be arranged. In this case, similarly to the first conductive layer, the other signal lines can block electromagnetic noise by the second conductive layer disposed on the upper layer side, so that the other signal lines disturb the image signal. And can be transmitted stably.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１誘電体膜は、前記第２誘電体膜と一体的に形成されている。 In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the first dielectric film is formed integrally with the second dielectric film.

この態様によれば、同一機会に形成される、周辺領域における第２容量電極と画素領域における第１容量電極とは、互いに分断されておらず、一枚の膜として連続して形成されている。そのため、電気光学装置の製造工程において、第１誘電体膜と第２誘電体膜とを分断するためのエッチング工程を少なくとも一工程減らすことができるので、より製造コストの削減を図ると共に、基板上の積層構造におけるレイアウトの簡素化又は効率化を図ることができる。このような誘電体膜は、同一の熱工程により製造可能な熱酸化膜であってもよいし、これに代えて又は加えて窒化膜であってもよい。 According to this aspect, the second capacitor electrode in the peripheral region and the first capacitor electrode in the pixel region, which are formed on the same occasion, are not separated from each other and are continuously formed as a single film. . For this reason, in the manufacturing process of the electro-optical device, the etching process for dividing the first dielectric film and the second dielectric film can be reduced by at least one process. Thus, it is possible to simplify or improve the layout in the laminated structure. Such a dielectric film may be a thermal oxide film that can be manufactured by the same thermal process, or may be a nitride film instead of or in addition to this.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極、前記容量電極、前記第１導電層及び前記第２導電層は共に、透明な導電性材料から形成されている。 In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the pixel electrode, the capacitor electrode, the first conductive layer, and the second conductive layer are all formed of a transparent conductive material.

この態様によれば、画素領域に配置される画素電極及び容量電極は透明な材料で形成されているので、開口領域（即ち、画素のうち表示光が透過する領域）に配置されたとしても、表示光を遮ることがない。従って、画素電極及び容量電極を含んで構成される保持容量を開口領域に広く形成することができるので、より容量値の大きい保持容量を形成することが可能となる。その結果、画素の保持特性を向上させることができ、より高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。 According to this aspect, since the pixel electrode and the capacitor electrode disposed in the pixel region are formed of a transparent material, even if the pixel electrode and the capacitor electrode are disposed in the opening region (that is, the region in the pixel through which the display light is transmitted) Does not block display light. Accordingly, since a storage capacitor including the pixel electrode and the capacitor electrode can be formed widely in the opening region, a storage capacitor having a larger capacitance value can be formed. As a result, the retention characteristics of the pixels can be improved, and an electro-optical device capable of displaying a higher quality image can be realized.

一方、周辺領域では画像表示に寄与する表示光が透過することはないため、第１導電層及び第２導電層を透明な導電性材料で形成する必要は、必ずしもないが、上述のように、画素電極及び容量電極と夫々同一膜で形成することにより、より製造コストの削減を図ると共に、基板上の積層構造におけるレイアウトの簡素化又は効率化を図ることができる。 On the other hand, the display light that contributes to image display is not transmitted in the peripheral region. Therefore, it is not always necessary to form the first conductive layer and the second conductive layer with a transparent conductive material. By forming the pixel electrode and the capacitor electrode with the same film, the manufacturing cost can be further reduced, and the layout in the stacked structure on the substrate can be simplified or made more efficient.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記透明な導電性材料はＩＴＯである。 In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the transparent conductive material is ITO.

この態様によれば、画素電極、第１容量電極、第２容量電極及び導電層は共に、透明導電材料の一例であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成される。 According to this aspect, the pixel electrode, the first capacitor electrode, the second capacitor electrode, and the conductive layer are all formed of ITO (Indium Tin Oxide), which is an example of a transparent conductive material.

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。 In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention (including various aspects thereof).

本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示することが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。 According to the electronic apparatus of the present invention, since the electro-optical device according to the present invention described above is provided, a projection display device capable of displaying a high-quality image, a television, a mobile phone, an electronic notebook, Various electronic devices such as a word processor, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. Further, as the electronic apparatus of the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper can be realized.

本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。 The effect | action and other gain of this invention are clarified from the form for implementing invention demonstrated below.

本実施形態に係る電気光学装置の平面図である。1 is a plan view of an electro-optical device according to an embodiment. 図１のＨ−Ｈ´断面図である。It is HH 'sectional drawing of FIG. 本実施形態に係る電気光学装置の主要な電気的接続構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a main electrical connection configuration of the electro-optical device according to the embodiment. 本実施形態に係る液晶装置に複数の画素部の平面図である。It is a top view of a plurality of pixel parts in a liquid crystal device concerning this embodiment. 図５のＡ−Ａ'断面図である。It is AA 'sectional drawing of FIG. 本実施形態に係る液晶装置の周辺領域における容量部付近の積層構造を、画像表示領域における積層構造と比較して示す断面図である。It is sectional drawing which shows the laminated structure of the capacity | capacitance part vicinity in the peripheral region of the liquid crystal device concerning this embodiment compared with the laminated structure in an image display area. 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the projector which is an example of the electronic device to which the electro-optical apparatus is applied.

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a driving circuit built-in type TFT active matrix driving type liquid crystal device, which is an example of the electro-optical device of the present invention, is taken as an example.

＜液晶装置＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の具体的な構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た液晶装置１の概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。 <Liquid crystal device>
First, a specific configuration of the liquid crystal device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a schematic plan view of the liquid crystal device 1 when the TFT array substrate 10 is viewed from the side of the counter substrate 20 together with each component formed thereon, and FIG. 2 is a schematic diagram of HH ′ of FIG. It is sectional drawing.

図１及び図２において、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０と、ＴＦＴアレイ基板１０に対向配置された対向基板２０とを備えて構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２を介して相互に接着されている。 1 and 2, the liquid crystal device 1 includes a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 disposed to face the TFT array substrate 10. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are interposed via a seal material 52 provided in a seal region located around the image display region 10 a. Are bonded to each other.

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。 The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. In the sealing material 52, a gap material such as glass fiber or glass beads for dispersing the distance (inter-substrate gap) between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 to a predetermined value is dispersed.

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。 A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. However, part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域１０ｂのうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。尚、走査線駆動回路１０４を、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに電気的に接続される。 Of the peripheral region 10b located around the image display region 10a, the data line driving circuit 101 and the external circuit connection terminal 102 are provided on the TFT array substrate 10 in the region located outside the seal region where the sealing material 52 is disposed. It is provided along one side. The scanning line driving circuit 104 is provided along one of the two sides adjacent to the one side so as to be covered with the frame light shielding film 53. The scanning line driving circuit 104 may be provided along two sides adjacent to one side of the TFT array substrate 10 provided with the data line driving circuit 101 and the external circuit connection terminal 102. In this case, the two scanning line driving circuits 104 are electrically connected to each other by a plurality of wirings provided along the remaining one side of the TFT array substrate 10.

対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これら上下導通端子及び上下導通材１０６により、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間で電気的な導通をとることができる。 Vertical conductive members 106 functioning as vertical conductive terminals between the two substrates are disposed at the four corners of the counter substrate 20. On the other hand, the TFT array substrate 10 is provided with vertical conduction terminals in a region facing these corner portions. Electrical conduction between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 can be established by the vertical conduction terminals and the vertical conduction material 106.

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。尚、液晶装置１は、サンプリング回路の他にプリチャージ回路を備えていてもよい。 In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, an alignment film is formed on the pixel electrode 9a after the pixel switching TFT, the scanning line, the data line and the like are formed. On the other hand, on the counter substrate 20, in addition to the counter electrode 21, a lattice-shaped or striped light-shielding film 23 and an alignment film are formed on the uppermost layer portion. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films. The liquid crystal device 1 may include a precharge circuit in addition to the sampling circuit.

次に、図３を参照しながら、液晶装置１の電気的な接続構成を説明する。図３は、液晶装置１の主要な電気的接続構成を示すブロック図である。 Next, an electrical connection configuration of the liquid crystal device 1 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a block diagram showing a main electrical connection configuration of the liquid crystal device 1.

図３において、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺領域１０ｂに走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路２００、検査回路７０１、画像信号線１７１及び容量部ＣＡを備えている。 In FIG. 3, the liquid crystal device 1 includes a scanning line driving circuit 104, a data line driving circuit 101, a sampling circuit 200, an inspection circuit 701, an image signal line 171 and a capacitor CA in the peripheral region 10b of the TFT array substrate 10. .

走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍを順次生成して出力する。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎを順次生成して出力する。走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａの周辺領域に形成された複数のＴＦＴを含むシフトレジスタ等の信号処理手段を備えている。 When the Y start pulse DY is input, the scanning line driving circuit 104 sequentially generates and outputs the scanning signals Y1,..., Ym at a timing based on the Y clock signal CLY and the inverted Y clock signal CLYinv. When the X start pulse DX is input, the data line driving circuit 101 sequentially generates and outputs sampling signals S1, S2,..., Sn at a timing based on the X clock signal CLX and the inverted X clock signal XCLXinv. . Each of the scanning line driving circuit 104 and the data line driving circuit 101 includes signal processing means such as a shift register including a plurality of TFTs formed in the peripheral area of the image display area 10 a on the TFT array substrate 10.

サンプリング回路２００は、データ線６毎に設けられた複数のサンプリングスイッチ２０２を備えている。サンプリングスイッチ２０２は、例えば、電気的に直列に接続された２つのＴＦＴから構成されており、これらＴＦＴの夫々は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴである。 The sampling circuit 200 includes a plurality of sampling switches 202 provided for each data line 6. The sampling switch 202 is composed of, for example, two TFTs electrically connected in series, and each of these TFTs is a P-channel type or an N-channel type single-channel TFT.

液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量配線４００を備えている。画素部７００は、データ線６ａ及び走査線３ａが互いに交差に対応する位置にマトリクス状に設けられている。画素部７００は、液晶素子１１８、画素電極９ａ、及び画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０、並びに保持容量７０を備える。容量配線４００は、不図示の定電位源に電気的に接続されている。容量配線４００に供給される電源の電位は、画素電極９ａに対向配置された対向電極２１に供給される対向電極電位ＬＣＣＯＭである。容量配線４００は、保持容量７０を構成する一方の電極に電気的に接続されている。この一方の電極の電位は、液晶装置１の駆動時に対向電極電位ＬＣＣＯＭに維持される。保持容量７０は、液晶素子１１８と並列に付加されていることによって、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも、例えば３桁も長い時間だけ保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現される。 The liquid crystal device 1 includes a data line 6a, a scanning line 3a, and a capacitor wiring 400 which are wired vertically and horizontally in an image display region 10a occupying the center of the TFT array substrate 10. The pixel portion 700 is provided in a matrix at positions where the data lines 6a and the scanning lines 3a correspond to each other. The pixel portion 700 includes a liquid crystal element 118, a pixel electrode 9a, a TFT 30 for switching control of the pixel electrode 9a, and a storage capacitor 70. The capacitor wiring 400 is electrically connected to a constant potential source (not shown). The potential of the power supply supplied to the capacitor wiring 400 is the counter electrode potential LCCOM supplied to the counter electrode 21 disposed to face the pixel electrode 9a. The capacitor wiring 400 is electrically connected to one electrode constituting the storage capacitor 70. The potential of the one electrode is maintained at the counter electrode potential LCCOM when the liquid crystal device 1 is driven. Since the storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal element 118, the voltage of the pixel electrode 9a is held for a time that is, for example, three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. As a result of the improvement, a high contrast ratio is realized.

画像信号線１７１の夫々は、サンプリング回路２００を介して各々対応するデータ線に電気的に接続されている。外部回路から供給された１系統の入力画像データＶＩＤをシリアル−パラレル変換して得られるＮ系統の画像信号は、サンプリング信号Ｓｉに応じてオンオフが切り換えられるサンプリングスイッチ２０２を介して画像信号線１７１の夫々に供給される。Ｎ系統の画像信号は、例えば、不図示の画像信号供給回路等の信号変換手段を用いて一系統の入力画像データを変換することによって生成される。 Each of the image signal lines 171 is electrically connected to the corresponding data line via the sampling circuit 200. N systems of image signals obtained by serial-parallel conversion of one system of input image data VID supplied from an external circuit are connected to the image signal line 171 via a sampling switch 202 that is switched on and off according to the sampling signal Si. Supplied to each. The N system image signals are generated, for example, by converting one system of input image data using signal conversion means such as an image signal supply circuit (not shown).

本実施形態では、１系列のシリアルな画像信号は、１２系列のパラレルな画像信号に、シリアル−パラレル変換或いは展開されている。即ち、１系列の画像信号ＶＩＤから、１２系統、即ち１２相（Ｎ＝１２）の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２が生成され、これら１２相に画像信号に対応して画像信号線１７１は１２本設けられている。更に、不図示の画像信号供給回路において、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２の各々の電圧が、基準電位である対向電極電位ＬＣＣＯＭに対して正極性及び負極性に反転され、このように極性反転された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２が出力されてもよい。 In this embodiment, one series of serial image signals is serial-parallel converted or expanded into 12 series of parallel image signals. That is, twelve systems, that is, twelve phases (N = 12) of image signals VID1 to VID12 are generated from one series of image signals VID, and twelve image signal lines 171 are provided corresponding to the image signals in these twelve phases. ing. Further, in the image signal supply circuit (not shown), the voltages of the image signals VID1 to VID12 are inverted to the positive polarity and the negative polarity with respect to the counter electrode potential LCCOM that is the reference potential, and thus the polarity-inverted image. Signals VID1 to VID12 may be output.

検査回路７０１は、データ線６ａに電気的に接続されており、検査信号を各画素部７００に供給する。 The inspection circuit 701 is electrically connected to the data line 6 a and supplies an inspection signal to each pixel unit 700.

容量部ＣＡは、複数のコンデンサＣ（ｉ）（ｉ＝１、２、・・・、ｎ×Ｎ，ｎは２以上の自然数であり、ｋ＝１、２、・・・、Ｎである）を備えている。複数のコンデンサＣ（ｉ）は、容量配線４００及び各データ線６ａに電気的に接続されており、サンプリングスイッチ２０２がオン状態に切り換えられた際に、データ線６に供給された画像信号電位が本来供給されることが想定或いは予定されている画像信号の電位に比べて、小さくなること（即ち、プッシュダウン）を低減或いは防止する。 Capacitance section CA includes a plurality of capacitors C (i) (i = 1, 2,..., N × N, n is a natural number of 2 or more, and k = 1, 2,..., N). It has. The plurality of capacitors C (i) are electrically connected to the capacitor wiring 400 and each data line 6a, and the image signal potential supplied to the data line 6 when the sampling switch 202 is turned on is changed. A reduction (that is, push-down) is reduced or prevented as compared with the potential of an image signal that is supposed or planned to be supplied.

画像表示領域１０ａにおけるデータ線６ａは、検査回路７０１側の周辺領域１０ｂにおいて信号線５００に電気的に接続されている。信号線５００には、コンデンサＣ（ｉ）が電気的に接続されている。 The data line 6a in the image display area 10a is electrically connected to the signal line 500 in the peripheral area 10b on the inspection circuit 701 side. A capacitor C (i) is electrically connected to the signal line 500.

次に、本実施形態に係る液晶装置１の、画像表示領域１０ａにおける具体的な積層構造について、図４及び図５を参照して詳しく説明する。図４は、本実施形態に係る液晶装置１の画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した模式図である。図５は、図４のＡ−Ａ´線断面における積層構造を示す断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。 Next, a specific stacked structure in the image display region 10a of the liquid crystal device 1 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 4 is a schematic diagram transparently showing the positional relationship between electrodes and wirings arranged for performing an electro-optical operation in the image display region 10a of the liquid crystal device 1 according to this embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a laminated structure taken along the line AA ′ of FIG. In FIGS. 4 and 5, the scale of each layer / member is different for each layer / member to have a size that can be recognized on the drawing.

図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ'により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａのチャネル領域１ａ'に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ'に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。 In FIG. 4, a plurality of pixel electrodes 9a are provided in a matrix on the TFT array substrate 10 (the outline is indicated by a dotted line portion 9a ′), and data along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9a is provided. Line 6a and scanning line 3a are provided. The data line 6a is made of, for example, a metal film such as an aluminum film or an alloy film, and the scanning line 3a is made of, for example, a conductive polysilicon film. The scanning line 3a is disposed so as to face the channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a constituting the TFT 30, and the scanning line 3a functions as a gate electrode. Each of the intersections of the scanning lines 3a and the data lines 6a is provided with a pixel switching TFT 30 in which the main line portion of the scanning line 3a is disposed opposite to the channel region 1a ′ as a gate electrode.

ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された遮光膜１１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、ＴＦＴ３０の半導体層１aを含むように半導体層１ａより幅広に形成されている。遮光膜１１は半導体層１ａより下層側に配置されているので、このように遮光膜１１をＴＦＴ３０の半導体層１ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。 The light shielding film 11 formed on the TFT array substrate 10 is formed wider than the semiconductor layer 1 a so as to include the semiconductor layer 1 a of the TFT 30 when viewed in plan on the TFT array substrate 10. Since the light shielding film 11 is disposed on the lower layer side than the semiconductor layer 1 a, the light shielding film 11 is formed wider than the semiconductor layer 1 a of the TFT 30 in this way, thereby reflecting the back surface reflection on the TFT array substrate 10 or a double plate type. The channel region 1a ′ of the TFT 30 can be almost or completely shielded from return light such as light emitted from another liquid crystal device by a projector or the like and penetrating through the composite optical system. As a result, the light leakage current in the TFT 30 is reduced during the operation of the liquid crystal device, the contrast ratio can be improved, and high-quality image display can be performed.

図５に示すように、遮光膜１１は下地絶縁膜１２によって覆われており、その表面が平坦化されている。尚、下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能も有している。 As shown in FIG. 5, the light shielding film 11 is covered with a base insulating film 12, and the surface thereof is flattened. The underlying insulating film 12 also has a function of preventing changes in the characteristics of the TFT 30 for pixel switching due to roughness during the surface polishing of the TFT array substrate 10 and dirt remaining after cleaning.

ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート電極として機能する走査線３ａとを有して構成されている。半導体層１ａは、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ａ´、ドレイン領域１ｄを含んで形成されている。ここで、チャネル領域１ａ´とソース領域１ｓ、又は、チャネル領域１ａ´とドレイン領域１ｄとの界面にはＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。 The TFT 30 includes a semiconductor layer 1a and a scanning line 3a that functions as a gate electrode. The semiconductor layer 1a is formed including a source region 1s, a channel region 1a ′, and a drain region 1d. Here, an LDD (Lightly Doped Drain) region may be formed at the interface between the channel region 1a ′ and the source region 1s or between the channel region 1a ′ and the drain region 1d.

ＴＦＴ３０のゲート電極として機能する走査線３ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´と重なる領域にゲート絶縁膜２ａを介して対向するように配置されている。走査線３ａは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ３０をオン／オフ制御している。 The scanning line 3a functioning as the gate electrode of the TFT 30 is disposed so as to face the region overlapping the channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a through the gate insulating film 2a when viewed in plan on the TFT array substrate 10. Yes. The scanning line 3a is made of, for example, conductive polysilicon, and the TFT 30 is on / off controlled by applying a scanning signal.

半導体層１ａのうちソース領域１ｓは、ゲート絶縁膜２ａ、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８１を介して、上層側に形成されたデータ線６ａに電気的に接続されている。 The source region 1 s of the semiconductor layer 1 a is connected to the data line 6 a formed on the upper layer side through a contact hole 81 opened in the gate insulating film 2 a, the first interlayer insulating film 41 and the second interlayer insulating film 42. Electrically connected.

半導体層１ａのうちドレイン領域１ｄは、ゲート絶縁膜２ａ及び第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介して中継層８に電気的に接続されている。更に中継層８は、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８５を介して、上層側に形成された画素電極９ａに電気的に接続されている。 The drain region 1 d of the semiconductor layer 1 a is electrically connected to the relay layer 8 through a contact hole 83 opened in the gate insulating film 2 a and the first interlayer insulating film 41. Further, the relay layer 8 is electrically connected to the pixel electrode 9 a formed on the upper layer side through a contact hole 85 opened in the second interlayer insulating film 42 and the third interlayer insulating film 43.

データ線６ａ上には第３層間絶縁膜４３が積層されており、その更に上層に容量電極７１が形成されている。容量電極７１は、本発明における「容量電極」の一例であり、容量配線４００に電気的に接続されることにより、固定電位に保持されている（図３参照）。 A third interlayer insulating film 43 is laminated on the data line 6a, and a capacitor electrode 71 is formed further thereon. The capacitor electrode 71 is an example of the “capacitor electrode” in the present invention, and is held at a fixed potential by being electrically connected to the capacitor wiring 400 (see FIG. 3).

容量電極７１と画素電極９ａとの間には、本発明における「第１誘電体膜」の一例である第１容量絶縁膜７２が挟持されており、保持容量７０が形成されている。このように、画像信号に対応する電圧が印加される画素電極９ａに接続される保持容量７０を設けることによって、画素電極９ａの電圧を、実際に画像信号が印加されている時間よりも、例えば３桁も長い時間だけ保持することが可能となり、液晶素子の保持特性が改善されるため、高コントラスト比を有する液晶装置を実現することができる。 A first capacitor insulating film 72, which is an example of the “first dielectric film” in the present invention, is sandwiched between the capacitor electrode 71 and the pixel electrode 9a, and a storage capacitor 70 is formed. Thus, by providing the storage capacitor 70 connected to the pixel electrode 9a to which the voltage corresponding to the image signal is applied, the voltage of the pixel electrode 9a is set to be, for example, longer than the time during which the image signal is actually applied. Since the liquid crystal element can be held for as long as three digits and the holding characteristics of the liquid crystal element are improved, a liquid crystal device having a high contrast ratio can be realized.

本実施形態では特に、画素電極９ａは、保持容量７０を構成する一対の容量電極のうち一方の容量電極を兼ねるように形成されている。即ち、画素電極９ａは、液晶５０を構成する液晶分子の配向状態を制御するという本来の画素電極としての機能を有することに加えて、保持容量７０の一方の容量電極としても機能する。従って、例えば仮に一対の容量電極を有する蓄積容量と画素電極とを別個に設ける場合に比べて、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造をシンプルにすることができる。 Particularly in the present embodiment, the pixel electrode 9 a is formed so as to also serve as one of the pair of capacitor electrodes constituting the storage capacitor 70. That is, the pixel electrode 9 a functions as one capacitor electrode of the storage capacitor 70 in addition to the function as the original pixel electrode that controls the alignment state of the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal 50. Therefore, for example, the stacked structure on the TFT array substrate 10 can be simplified as compared with a case where a storage capacitor having a pair of capacitor electrodes and a pixel electrode are provided separately.

また、容量電極７１及び画素電極９ａは透明な導電性材料であるＩＴＯから形成されているため、これらを開口領域に配置されても、透過光を遮断することはない。そのため、開口領域及び非開口領域の両者に渡って形成することができるので、容量値を有する蓄積容量を形成することができる。 Further, since the capacitor electrode 71 and the pixel electrode 9a are made of ITO, which is a transparent conductive material, even if they are arranged in the opening region, the transmitted light is not blocked. Therefore, since it can be formed over both the open region and the non-open region, a storage capacitor having a capacitance value can be formed.

次に、図６を参照して、本実施形態に係る液晶装置において周辺領域１０ｂにおける容量部ＣＡ付近の積層構造について説明する。 Next, with reference to FIG. 6, a laminated structure near the capacitor CA in the peripheral region 10b in the liquid crystal device according to the present embodiment will be described.

図６は、周辺領域１０ｂにおける容量部ＣＡ付近の積層構造を、画像表示領域１０ａにおける積層構造と比較して示す断面図である。尚、図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図６では説明の便宜上、画像表示領域１０ａにおけるＴＦＴ３０及び容量電極７１以外の詳細な積層構造、及び、周辺領域１０ｂにおけるコンデンサ（ｉ）以外の詳細な積層構造については表示を省略している。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing a laminated structure in the vicinity of the capacitor CA in the peripheral area 10b in comparison with the laminated structure in the image display area 10a. In FIG. 6, the scales of the layers and members are different from each other in order to make the layers and members recognizable on the drawing. In FIG. 6, for the sake of convenience of explanation, the detailed laminated structure other than the TFT 30 and the capacitor electrode 71 in the image display area 10a and the detailed laminated structure other than the capacitor (i) in the peripheral area 10b are not shown. .

画像表示領域１０ａにおいては、図５を参照して説明したように、ＴＦＴアレイ基板１０上に下地絶縁膜１２を介して画素スイッチング用のＴＦＴ３０が画素部７００毎に配置されている。ＴＦＴ３０の上層側には、所定の絶縁膜等（図６において省略）を介して、容量電極７１が複数の画素部７００に渡って広く形成されている。そして、容量電極７１上には、同じく複数の画素部７０に渡って第１容量絶縁膜７２が広く形成されており、その上に画素部７００毎に島状に画素電極９ａが形成されている。このように下層側から容量電極７１、第１容量絶縁膜７２及び画素電極９ａが積層させることによって、保持容量７０が形成されている。 In the image display region 10 a, as described with reference to FIG. 5, the pixel switching TFTs 30 are arranged on the TFT array substrate 10 via the base insulating film 12 for each pixel unit 700. On the upper layer side of the TFT 30, the capacitor electrode 71 is widely formed across the plurality of pixel portions 700 through a predetermined insulating film or the like (not shown in FIG. 6). On the capacitor electrode 71, the first capacitor insulating film 72 is formed widely over the plurality of pixel portions 70, and the pixel electrode 9 a is formed in an island shape for each pixel portion 700 thereon. . Thus, the storage capacitor 70 is formed by stacking the capacitor electrode 71, the first capacitor insulating film 72, and the pixel electrode 9a from the lower layer side.

一方、周辺領域１０ｂには、画像表示領域１０ａにおける容量電極７１と同層に、画像信号が供給される信号線５００が形成されている。信号線５００は、本発明における「第１導電層」の一例であり、画像表示領域１０ａにおけるデータ線６ａに電気的に接続されている（図３参照）。 On the other hand, in the peripheral region 10b, a signal line 500 for supplying an image signal is formed in the same layer as the capacitor electrode 71 in the image display region 10a. The signal line 500 is an example of the “first conductive layer” in the present invention, and is electrically connected to the data line 6a in the image display region 10a (see FIG. 3).

シールド電極６００は、画像表示領域１０ａにおける画素電極９ａと同層に形成されている。シールド電極６００は、本発明における「第２導電層」の一例であり、画像表示領域１０ａにおける容量配線４００（図３参照）に電気的に接続されることにより、固定電位に保持されている。このようにシールド電極６００を固定電位に保持することにより、下層側に配置された信号線５００や他の配線・素子等に対して、電磁シールドとして機能している。つまり、仮にシールド電極６００の上層側に電磁ノイズの発生源があっても、シールド電極６００より下層側に配置された信号線５００や他の配線・素子等は、シールド電極６００によって電磁ノイズが遮断されるので、影響を受けることはない。仮に、信号線５００などの画像信号が供給される配線・素子が電磁ノイズの影響を受けると表示画像の画質低下を引き起こす原因となってしまうが、このようにシールド電極を設けることによって電磁ノイズの遮断することができるので、電磁ノイズの影響を受けにくい高品位な画質表示を実現可能な液晶装置１を実現させることができる。 The shield electrode 600 is formed in the same layer as the pixel electrode 9a in the image display region 10a. The shield electrode 600 is an example of the “second conductive layer” in the present invention, and is held at a fixed potential by being electrically connected to the capacitor wiring 400 (see FIG. 3) in the image display region 10a. By holding the shield electrode 600 at a fixed potential in this way, it functions as an electromagnetic shield for the signal line 500 and other wirings / elements arranged on the lower layer side. In other words, even if there is a source of electromagnetic noise on the upper layer side of the shield electrode 600, the signal noise 500 and other wirings / elements arranged on the lower layer side of the shield electrode 600 are blocked by the shield electrode 600. Will not be affected. If wiring / elements to which an image signal such as the signal line 500 is supplied are affected by electromagnetic noise, it may cause a reduction in the image quality of the display image. Since it can block | disconnect, the liquid crystal device 1 which can implement | achieve the high quality image display which is hard to be influenced by electromagnetic noise is realizable.

シールド電極６００及び信号線５００間には第２容量絶縁膜７００が挟持されており、プッシュダウンを抑制するためのコンデンサＣ（ｉ）を形成している。 A second capacitor insulating film 700 is sandwiched between the shield electrode 600 and the signal line 500 to form a capacitor C (i) for suppressing pushdown.

本実施形態では特に、第２容量絶縁膜７００は、画像表示領域１０ａにおいて保持容量７０を形成している第１容量絶縁膜７２と一体的に（即ち、同一膜で）形成されている。このように第２容量絶縁膜７００を形成することにより、本実施形態に係る液晶装置を製造する際に、第１容量絶縁膜７２と第２容量絶縁膜７００とを分断するためのエッチング工程を少なくとも一工程減らすことができるので、より製造コストの削減を図ると共に、基板上の積層構造におけるレイアウトの簡素化又は効率化を図ることができる。 In the present embodiment, in particular, the second capacitor insulating film 700 is formed integrally with the first capacitor insulating film 72 that forms the storage capacitor 70 in the image display region 10a (that is, the same film). By forming the second capacitor insulating film 700 in this manner, an etching process for separating the first capacitor insulating film 72 and the second capacitor insulating film 700 is performed when the liquid crystal device according to the present embodiment is manufactured. Since at least one step can be reduced, the manufacturing cost can be further reduced, and the layout in the stacked structure on the substrate can be simplified or made more efficient.

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。以下では、液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。 <Electronic equipment>
Next, the case where the liquid crystal device which is the above-described electro-optical device is applied to various electronic devices will be described. In the following, a projector using a liquid crystal device as a light valve will be described. FIG. 7 is a plan view showing a configuration example of the projector.

図７に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。 As shown in FIG. 7, a projector 1100 includes a lamp unit 1102 made of a white light source such as a halogen lamp. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by four mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 arranged in the light guide 1104, and serves as a light valve corresponding to each primary color. The light enters the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G.

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。 The configurations of the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G are the same as those of the liquid crystal device described above, and are driven by R, G, and B primary color signals supplied from the image signal processing circuit. The light modulated by these liquid crystal panels enters the dichroic prism 1112 from three directions. In this dichroic prism 1112, R and B light is refracted at 90 degrees, while G light travels straight. Accordingly, as a result of the synthesis of the images of the respective colors, a color image is projected onto the screen or the like via the projection lens 1114.

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。 Here, paying attention to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G, the display image by the liquid crystal panel 1110G needs to be horizontally reversed with respect to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B.

なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。 Note that since light corresponding to the primary colors R, G, and B is incident on the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G by the dichroic mirror 1108, it is not necessary to provide a color filter.

尚、図７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。 In addition to the electronic device described with reference to FIG. 7, a mobile personal computer, a mobile phone, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, and an electronic notebook Calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices with touch panels, and the like. Needless to say, the present invention can be applied to these various electronic devices.

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。 In addition to the liquid crystal device described in the above embodiment, the present invention also includes a reflective liquid crystal device (LCOS) in which elements are formed on a silicon substrate, a plasma display (PDP), a field emission display (FED, SED), The present invention can also be applied to an organic EL display, a digital micromirror device (DMD), an electrophoresis apparatus, and the like.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the gist or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. The manufacturing method, the electro-optical device and the manufacturing method thereof, and the electronic apparatus including the electro-optical device are also included in the technical scope of the present invention.

１ａ…半導体層、１ａ'…チャネル領域、１ｓ…ソース領域、１ｄ…ドレイン領域、２ａ、２ｂ…ゲート絶縁膜、３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１０ｂ…周辺領域、１１ａ…遮光膜、３０…ＴＦＴ、４１、４２、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…容量電極、７２…第１容量絶縁膜、５００…信号線、６００…シールド電極、７００…第２容量絶縁膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a ... Semiconductor layer, 1a '... Channel region, 1s ... Source region, 1d ... Drain region, 2a, 2b ... Gate insulating film, 3a ... Scan line, 6a ... Data line, 9a ... Pixel electrode, 10 ... TFT array substrate, DESCRIPTION OF SYMBOLS 10a ... Image display area, 10b ... Peripheral area | region, 11a ... Light shielding film, 30 ... TFT, 41, 42, 43 ... Interlayer insulation film, 50 ... Liquid crystal layer, 70 ... Storage capacity, 71 ... Capacitance electrode, 72 ... 1st capacity | capacitance Insulating film, 500 ... signal line, 600 ... shield electrode, 700 ... second capacitor insulating film

Claims

基板上に、
画素領域において、画素毎に配列された画素電極と、
前記画素電極の下層側に第１誘電体膜を介して対向するように設けられており、前記画素電極に対して保持容量を付加するための容量電極と、
前記画素領域の周囲に位置する周辺領域において、前記容量電極と同一膜から形成されており、前記画素電極に画像信号を供給するために用いられる一の信号線を構成する第１導電層と、
該第１導電層の上層側に第２誘電体膜を介して対向するように設けられ、前記画素電極と同一膜から形成された第２導電層と
を備えることを特徴とする電気光学装置。 On the board
In the pixel region, pixel electrodes arranged for each pixel;
A capacitor electrode provided on the lower layer side of the pixel electrode so as to oppose the first dielectric film, and for adding a storage capacitor to the pixel electrode;
A first conductive layer which is formed of the same film as the capacitor electrode in a peripheral region located around the pixel region and constitutes one signal line used for supplying an image signal to the pixel electrode;
An electro-optical device comprising: a second conductive layer provided on the upper layer side of the first conductive layer so as to face the second dielectric film and formed of the same film as the pixel electrode.

前記第１導電層は、前記画素電極に画像信号を供給する一の信号線を構成する導電層であり、前記第２導電層は、前記一の信号線に対して配線容量を付加するための導電層であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。 The first conductive layer is a conductive layer constituting one signal line for supplying an image signal to the pixel electrode, and the second conductive layer is for adding a wiring capacitance to the one signal line. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device is a conductive layer.

前記第２導電層は、所定の電位に保持されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1, wherein the second conductive layer is held at a predetermined potential.

前記第２導電層より下層側に、画像信号が供給される他の信号線が配置されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 3, wherein another signal line to which an image signal is supplied is disposed on a lower layer side than the second conductive layer.

前記第１誘電体膜は、前記第２誘電体膜と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。 5. The electro-optical device according to claim 1, wherein the first dielectric film is formed integrally with the second dielectric film. 6.

前記画素電極、前記容量電極、前記第１導電層及び前記第２導電層は共に、透明な導電性材料から形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。 6. The pixel electrode, the capacitor electrode, the first conductive layer, and the second conductive layer are all formed of a transparent conductive material. 6. Electro-optic device.

前記透明な導電性材料は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 6, wherein the transparent conductive material is ITO.

前記１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to any one of 1 to 7.