JP2010209394A - Gas deposition device and gas deposition method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas deposition device wherein a gas supplying amount is reduced. <P>SOLUTION: The gas deposition device 1 includes a gas regulating mechanism having a movable member 15 positioned in either of a position fitted to a conveyance tube 4 and a position not fitted thereto and a sucking mechanism 7 having a sucking port 18 positioned in a position on a flow path of a fine particle stream f and an another position. Since the movable member 15 is fitted to the conveyance tube 4 when film-deposition is stopped, a flow amount of gas flowing in a first aperture 4c of the conveyance tube 4 is regulated and at the same time the sucking port 18 sucks the regulated gas flow amount on the path of the fine particle stream f. A necessary gas amount is reduced by diverting a portion of the gas flow amount conveying fine particles through the conveying tube 4 upon film-deposition to exhaust of the fine particles upon stopping of film-deposition. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明はガスデポジション装置及びガスデポジション方法に関する。   The present invention relates to a gas deposition apparatus and a gas deposition method.

成膜方法の一つにガスデポジション法（ＧＤ法）がある。ＧＤ法は、金属等の成膜材料を加熱して蒸発させると同時にガスを供給し、ガス中で冷却され形成された成膜材料の微粒子をガスの流動により搬送し、成膜対象物に衝突させ堆積させる成膜方法である。ＧＤ法に用いられる成膜装置は一般に、成膜材料、加熱手段及びガス供給手段を収容する微粒子生成室（以下、生成室）と、成膜対象物を収容する成膜室を有し、生成室と成膜室は微粒子搬送管（以下、搬送管）により接続されている。   One of the film forming methods is a gas deposition method (GD method). The GD method heats and evaporates a film-forming material such as metal and supplies a gas at the same time, transports fine particles of the film-forming material formed by cooling in the gas by the flow of the gas, and collides with a film-forming target. This is a film forming method of depositing and depositing. A film forming apparatus used for the GD method generally has a fine particle generation chamber (hereinafter referred to as a generation chamber) for storing a film forming material, a heating means and a gas supply means, and a film forming chamber for storing an object to be formed. The chamber and the film forming chamber are connected by a fine particle transport tube (hereinafter referred to as a transport tube).

当該成膜装置において、例えば、成膜室を減圧すると同時に生成室にガスを供給する等により生成室を成膜室に対して高圧とすることによって、供給されたガスは生成室から成膜室に向かって搬送管を通過して流動し、微粒子を搬送する。成膜室内の搬送管口に十分に開口径の小さいノズルを設けることにより、ガスは高速（例えば亜音速）で噴出し、ガスに搬送されている微粒子も高速で成膜対象物（あるいは既成の膜）に衝突する。微粒子が有する運動エネルギーは熱エネルギーに変換され、微粒子は瞬間的及び局所的に加熱されて溶解し、堆積される。   In the film formation apparatus, for example, by reducing the pressure of the film formation chamber and simultaneously supplying the generation chamber with a high pressure by supplying gas to the generation chamber, the supplied gas is supplied from the generation chamber to the film formation chamber. It flows through the transport tube toward the surface and transports the fine particles. By providing a nozzle having a sufficiently small opening diameter at the transfer tube port in the film formation chamber, the gas is ejected at a high speed (for example, subsonic speed), and the fine particles transported in the gas are also formed at a high speed at the film formation target (or an existing Collision). The kinetic energy of the fine particles is converted into thermal energy, and the fine particles are instantaneously and locally heated to be dissolved and deposited.

成膜対象物をノズルに対して移動させることによって、成膜対象物に成膜材料からなる薄膜状構造、あるいは３次元構造等を形成することが可能である。ここで、例えば、島状のパターンを形成する場合、あるいは成膜対象物を交換する場合等には、成膜を一時的に停止する必要がある。この成膜の停止時（成膜停止時）において、成膜材料の加熱を停止し、即ち微粒子の形成を停止する場合、再び昇温するまでに時間を要する。また、搬送管をバルブ等により遮断する場合、微粒子が停滞して凝集することにより、ノズルを閉塞させ、あるいは以降の成膜の際に凝集体のまま混入して膜質や密着力を低下させる。また、生成室の圧力が変動することによって微粒子の形成条件が変化し、微粒子の粒径が不均一となること等により膜質が低下するおそれもある。このように、ＧＤ法において微粒子の供給を停止させる態様は検討を要する。   By moving the film formation target with respect to the nozzle, it is possible to form a thin film structure or a three-dimensional structure made of a film formation material on the film formation target. Here, for example, when an island-shaped pattern is formed, or when a film formation target is replaced, it is necessary to temporarily stop film formation. When the film formation is stopped (when the film formation is stopped), when heating of the film forming material is stopped, that is, when the formation of fine particles is stopped, it takes time to raise the temperature again. Further, when the transport pipe is shut off by a valve or the like, the fine particles stagnate and agglomerate, so that the nozzles are blocked, or the agglomerates are mixed in the subsequent film formation to reduce the film quality and adhesion. In addition, the formation conditions of the fine particles change due to fluctuations in the pressure in the generation chamber, and the film quality may deteriorate due to non-uniform particle size of the fine particles. Thus, the aspect which stops supply of microparticles | fine-particles in GD method needs examination.

例えば、特許文献１には、搬送管口（微粒子流入口）を移動させることが可能に構成されたガスデポジション装置が開示されている。当該ガスデポジション装置は、形成される超微粒子の流れが細く収束することを利用し、堆積時（成膜時）には搬送管口を超微粒子の経路中に、堆積停止時（成膜停止時）には搬送管口を超微粒の経路外に移動させる。これにより、成膜時には搬送管に超微粒子が流入して成膜され、成膜停止時には搬送管に超微粒子が流入せず成膜が停止される。成膜停止時においても生成される超微粒子は、搬送管に同心的に配置された吸込管により吸引され、超微粒子生成室内に滞留することなく除去されるとされている。堆積時と堆積停止時では、搬送管及び吸込管に流入するガスの流量は変化せず、超微粒子生成室の圧力は変動しないとされている。   For example, Patent Document 1 discloses a gas deposition apparatus configured to be able to move a transfer pipe port (particulate inlet). The gas deposition device utilizes the fact that the flow of ultrafine particles that are formed converges finely. When depositing (when forming a film), the transport pipe port is placed in the path of ultrafine particles, and when deposition is stopped (when filming is stopped). ) Move the transfer tube port out of the ultrafine particle path. As a result, ultrafine particles flow into the transfer tube during film formation to form a film, and when the film formation is stopped, ultrafine particles do not flow into the transfer tube and film formation is stopped. The ultrafine particles generated even when the film formation is stopped are sucked by a suction pipe disposed concentrically with the transport pipe and removed without staying in the ultrafine particle production chamber. During the deposition and when the deposition is stopped, the flow rate of the gas flowing into the transfer pipe and the suction pipe does not change, and the pressure in the ultrafine particle generation chamber does not change.

特開平５−２９５５２５号公報（段落[００１４]、図１）Japanese Patent Laid-Open No. 5-295525 (paragraph [0014], FIG. 1)

しかしながら、特許文献１に記載のガスデポジション装置では、必要となるガス供給量が多いという問題があった。   However, the gas deposition apparatus described in Patent Document 1 has a problem that a large amount of gas is required.

即ち、当該ガスデポジション装置では、堆積停止時においても搬送管を介して堆積時と同流量のガスが排出される。また、堆積停止時において蒸発源で生成された微粒子を吸引管によって生成室外へ排出する必要がある。したがって、堆積停止時においても生成室と成膜室との間の差圧を維持するためには、これら搬送管及び吸込管を介して排出されるガス量を生成室へ常に供給しなければならない。実際、堆積停止時において微粒子を確実に排出するためには、吸引管で吸引するガス流量は、搬送管に流入するガス流量の数倍のガス量が必要であった。このため、ノズルの開口径が大きい場合、搬送管へ流入するガス流量が増大すると共に、吸込管に流入するガス流量もそれに伴って増大することになる。   That is, in the gas deposition apparatus, even when the deposition is stopped, the gas having the same flow rate as that during the deposition is discharged through the transfer pipe. Moreover, it is necessary to discharge the fine particles generated by the evaporation source when the deposition is stopped to the outside of the generation chamber by the suction pipe. Therefore, in order to maintain the differential pressure between the generation chamber and the film formation chamber even when deposition is stopped, the amount of gas discharged through these transfer pipes and suction pipes must always be supplied to the generation chamber. . Actually, in order to reliably discharge the fine particles when the deposition is stopped, the gas flow rate sucked by the suction pipe needs to be several times the gas flow rate flowing into the transfer pipe. For this reason, when the opening diameter of the nozzle is large, the flow rate of gas flowing into the transport pipe increases, and the flow rate of gas flowing into the suction pipe increases accordingly.

以上のことから、当該ガスデポジション装置では、特にノズルの開口径が大きい場合、堆積停止時において多量のガス供給量が必要となるため、成膜に必要な供給ガスのトータル量は著しく増加することになる。   From the above, in the gas deposition apparatus, particularly when the nozzle opening diameter is large, a large amount of gas supply is required at the time of deposition stop, so the total amount of supply gas necessary for film formation increases remarkably. It will be.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ガス供給量が低減されたガスデポジション装置を提供することにある。   In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a gas deposition apparatus with a reduced gas supply amount.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るガスデポジション装置は、微粒子生成室と、成膜室と、ガス導入系と、搬送管と、ガス規制機構と、吸引機構とを具備する。
上記微粒子生成室は、成膜材料を蒸発させる蒸発源を含む。
上記成膜室は、成膜対象物を収容し真空排気可能である。
上記ガス導入系は、上記微粒子生成室にガスを導入する。
上記搬送管は、上記微粒子生成室に臨み上記蒸発源の鉛直上方に位置する第１の開口を有する第１の端部と、上記成膜室に臨む第２の開口を有する第２の端部とを有する。
上記ガス規制機構は、上記第１の端部に嵌合することで上記第１の開口に流入するガスの流路を制限する第１の位置と上記第１の端部に嵌合しない第２の位置とのいずれかをとる可動部材と、上記可動部材を上記第１の位置と上記第２の位置の間で移動させる駆動源とを有する。
上記吸引機構は、上記可動部材が上記第１の位置にある場合に上記蒸発源と上記第１の開口との間にある第３の位置に位置し、上記可動部材が上記第２の位置にある場合に上記第３の位置と異なる第４の位置に位置する吸引口を有し、上記吸引口が上記第３の位置にある場合に上記ガスを吸引し、上記吸引口が上記第４の位置にある場合に上記ガスの吸引を停止する。 In order to achieve the above object, a gas deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a fine particle generation chamber, a film formation chamber, a gas introduction system, a transfer pipe, a gas regulation mechanism, and a suction mechanism. .
The fine particle generation chamber includes an evaporation source for evaporating the film forming material.
The film formation chamber accommodates a film formation target and can be evacuated.
The gas introduction system introduces a gas into the fine particle generation chamber.
The transport pipe has a first end having a first opening facing the fine particle generation chamber and positioned vertically above the evaporation source, and a second end having a second opening facing the film forming chamber. And have.
The gas regulating mechanism is fitted to the first end portion so as to restrict a flow path of the gas flowing into the first opening, and the second position does not fit to the first end portion. And a drive source for moving the movable member between the first position and the second position.
The suction mechanism is located at a third position between the evaporation source and the first opening when the movable member is at the first position, and the movable member is at the second position. In some cases, the suction port is located at a fourth position different from the third position. When the suction port is at the third position, the gas is sucked, and the suction port is the fourth position. When in the position, the suction of the gas is stopped.

本発明の一形態に係るガスデポジション方法は、微粒子生成室にガスを導入して成膜室と上記微粒子生成室の間に差圧を形成することを含む。
上記成膜材料の微粒子は、上記微粒子生成室内に配置された蒸発源によって成膜材料を蒸発させて生成される。
上記微粒子は、搬送管の上記微粒子生成室に臨む第１の開口から上記搬送管の上記成膜室に臨む第２の開口にガスを流通させることで、上記成膜室内に設置された成膜対象物に
堆積される。
堆積は、可動部材を上記搬送管に嵌合させて上記第１の開口に流入する上記ガスの流路を制限し、上記蒸発源から上記第１の開口へ向かう上記ガスを吸引機構によって吸引することで停止される。 The gas deposition method according to an aspect of the present invention includes introducing a gas into the fine particle production chamber to form a differential pressure between the film formation chamber and the fine particle production chamber.
The fine particles of the film forming material are generated by evaporating the film forming material by an evaporation source disposed in the fine particle generating chamber.
The fine particles are deposited in the film formation chamber by flowing a gas from a first opening facing the fine particle generation chamber of the transfer tube to a second opening facing the film formation chamber of the transfer tube. Deposited on the object.
In the deposition, the movable member is fitted into the transport pipe to restrict the flow path of the gas flowing into the first opening, and the gas from the evaporation source toward the first opening is sucked by the suction mechanism. Is stopped.

本発明の一実施形態に係るガスデポジション装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the gas deposition apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 当該ガスデポジション装置のガス規制機構及び吸引機構の詳細について説明する図である。It is a figure explaining the detail of the gas control mechanism and suction mechanism of the said gas deposition apparatus. 当該ガスデポジション装置の可動部材と搬送管の嵌合について説明する図である。It is a figure explaining the fitting of the movable member of the said gas deposition apparatus, and a conveyance pipe. 当該ガスデポジション装置を用いる成膜の様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of the film-forming using the said gas deposition apparatus. 当該ガスデポジション装置の微粒子生成室のガスフローを説明する図である。It is a figure explaining the gas flow of the fine particle production | generation chamber of the said gas deposition apparatus. 当該ガスデポジション装置の微粒子生成室のガスフローを説明する図である。It is a figure explaining the gas flow of the fine particle production | generation chamber of the said gas deposition apparatus. 比較例に係るガスデポジション装置の微粒子生成室のガスフローを説明する図である。It is a figure explaining the gas flow of the fine particle production | generation chamber of the gas deposition apparatus which concerns on a comparative example.

本発明の一実施形態に係るガスデポジション装置は、微粒子生成室と、成膜室と、ガス導入系と、搬送管と、ガス規制機構と、吸引機構とを具備する。
上記微粒子生成室は、成膜材料を蒸発させる蒸発源を含む。
上記成膜室は、成膜対象物を収容し真空排気可能である。
上記ガス導入系は、上記微粒子生成室にガスを導入する。
上記搬送管は、上記微粒子生成室に臨み上記蒸発源の鉛直上方に位置する第１の開口を有する第１の端部と、上記成膜室に臨む第２の開口を有する第２の端部とを有する。
上記ガス規制機構は、上記第１の端部に嵌合することで上記第１の開口に流入するガスの流路を制限する第１の位置と上記第１の端部に嵌合しない第２の位置とのいずれかをとる可動部材と、上記可動部材を上記第１の位置と上記第２の位置の間で移動させる駆動源とを有する。
上記吸引機構は、上記可動部材が上記第１の位置にある場合に上記蒸発源と上記第１の開口との間にある第３の位置に位置し、上記可動部材が上記第２の位置にある場合に上記第３の位置と異なる第４の位置に位置する吸引口を有し、上記吸引口が上記第３の位置にある場合に上記ガスを吸引し、上記吸引口が上記第４の位置にある場合に上記ガスの吸引を停止する。 A gas deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a fine particle generation chamber, a film formation chamber, a gas introduction system, a transfer pipe, a gas regulation mechanism, and a suction mechanism.
The fine particle generation chamber includes an evaporation source for evaporating the film forming material.
The film formation chamber accommodates a film formation target and can be evacuated.
The gas introduction system introduces a gas into the fine particle generation chamber.
The transport pipe has a first end having a first opening facing the fine particle generation chamber and positioned vertically above the evaporation source, and a second end having a second opening facing the film forming chamber. And have.
The gas regulating mechanism is fitted to the first end portion so as to restrict a flow path of the gas flowing into the first opening, and the second position does not fit to the first end portion. And a driving source that moves the movable member between the first position and the second position.
The suction mechanism is located at a third position between the evaporation source and the first opening when the movable member is at the first position, and the movable member is at the second position. In some cases, the suction port is located at a fourth position different from the third position. When the suction port is at the third position, the gas is sucked, and the suction port is the fourth position. When in the position, the suction of the gas is stopped.

上記ガスデポジション装置においては、ガス規制機構の可動部材が第２の位置にあり、吸引機構の吸引口が第４の位置にある場合に成膜材料の微粒子が堆積（成膜時）され、可動部材が第１の位置にあり、吸引口が第３の位置にある場合に微粒子の堆積が停止（成膜停止時）される。   In the gas deposition apparatus, when the movable member of the gas regulating mechanism is in the second position and the suction port of the suction mechanism is in the fourth position, fine particles of the film forming material are deposited (during film formation) When the movable member is at the first position and the suction port is at the third position, the deposition of fine particles is stopped (when the film formation is stopped).

成膜停止時において、ガス導入系により微粒子生成室内に導入されるガスは、微粒子生成室と成膜室の圧力差により第１の開口に流入しようとするが、ガス規制機構によりその流入を規制され、成膜時に比べ搬送管を通過するガス流量は減少する。一方、吸引機構は、蒸発源で生成された微粒子を排出する。このとき、吸引機構は、上記第３の位置に位置しているため、生成された微粒子を効率よく排出することができる。したがって、吸引機構で排出するガス量は、少なくとも、生成室に供給されたガス量と、上記ガス規制機構によって流量が減少されたガス量との差に相当する量であればよい。
以上のように、上記ガスデポジション装置によれば、成膜停止時においても成膜時と同等のガス供給量で、生成室と成膜室との間の所定の圧力差を維持できるとともに、生成室内における微粒子の滞留を防止することが可能となる。 When the film formation is stopped, the gas introduced into the fine particle production chamber by the gas introduction system tends to flow into the first opening due to the pressure difference between the fine particle production chamber and the film formation chamber, but the gas restriction mechanism restricts the inflow. In addition, the gas flow rate passing through the transfer tube is reduced compared to the time of film formation. On the other hand, the suction mechanism discharges the fine particles generated by the evaporation source. At this time, since the suction mechanism is located at the third position, the generated fine particles can be efficiently discharged. Therefore, the amount of gas discharged by the suction mechanism may be at least an amount corresponding to the difference between the amount of gas supplied to the generation chamber and the amount of gas whose flow rate has been reduced by the gas regulating mechanism.
As described above, according to the gas deposition apparatus, a predetermined pressure difference between the generation chamber and the film formation chamber can be maintained with a gas supply amount equivalent to that during film formation even when the film formation is stopped. It is possible to prevent fine particles from staying in the generation chamber.

上記搬送管は、上記第１の端部が水平方向に延びてもよく、上記可動部材は、上記第１の位置から上記第２の位置へ、及び上記第２の位置から上記第１の位置へ水平方向に移動してもよい。   The transport pipe may have a first end extending in a horizontal direction, and the movable member moves from the first position to the second position and from the second position to the first position. You may move horizontally.

この構成によれば、ガス規制機構の可動部材に付着する微粒子を低減することが可能となる。微粒子流は熱対流により蒸発源から鉛直上方に流れる。一方、可動部材が第２の位置から第１の位置に移動する際、移動過程では微粒子流の一部が吸引機構に吸引され、一部は搬送管の第１の開口に流入する。可動部材の移動方向を水平、即ち微粒子流の流れる方向に対して垂直とすれば、可動部材が移動中に微粒子流と接触する面積を最小限とすることが可能である。   According to this configuration, it is possible to reduce the fine particles adhering to the movable member of the gas regulating mechanism. The particulate flow flows vertically upward from the evaporation source by thermal convection. On the other hand, when the movable member moves from the second position to the first position, a part of the particulate flow is sucked by the suction mechanism in the moving process, and a part flows into the first opening of the transport pipe. If the moving direction of the movable member is horizontal, that is, perpendicular to the flowing direction of the particulate flow, it is possible to minimize the area where the movable member contacts the particulate flow during the movement.

上記吸引口は、上記可動部材に固定されていてもよい。   The suction port may be fixed to the movable member.

この構成によれば、吸引機構の吸引口をガス規制機構の駆動源によって、可動部材と一体的に移動させることが可能となる。上述のように、可動部材が搬送管に接近し、第１の開口へのガスの流入が規制されると同時に吸引口によりガス及び微粒子が吸引される。即ち、可動部材の第１の位置と吸引口の第３の位置、可動部材の第２の位置と吸引口の第４の位置は対応している。このため、吸引口を可動部材に固定することにより、別途吸引口を移動させるための機構を要しない。   According to this configuration, the suction port of the suction mechanism can be moved integrally with the movable member by the drive source of the gas regulating mechanism. As described above, the movable member approaches the transport pipe, and the inflow of gas to the first opening is restricted, and at the same time, gas and fine particles are sucked by the suction port. That is, the first position of the movable member corresponds to the third position of the suction port, and the second position of the movable member corresponds to the fourth position of the suction port. For this reason, the mechanism for moving a suction port separately is not required by fixing a suction port to a movable member.

上記第２の端部は、スリット型ノズルであってもよい。   The second end may be a slit type nozzle.

この構成によれば、ガス供給量を低減しつつ、大面積への堆積が可能となる。一般に、スリット型ノズルでは、大きな成膜面積を得ることが可能であるが、微粒子の速度を維持するために必要なガス流量は増加する。本構成では上述のように、成膜停止時にノズルを通過するガス量、即ち搬送管を流通するガス流量を低減することが可能であるため、ガス供給量を低減することが可能である。   According to this configuration, it is possible to deposit on a large area while reducing the gas supply amount. In general, a slit-type nozzle can obtain a large film formation area, but the gas flow rate required to maintain the speed of fine particles increases. In this configuration, as described above, it is possible to reduce the amount of gas passing through the nozzle when film formation is stopped, that is, the flow rate of gas flowing through the transfer pipe, and thus the amount of gas supply can be reduced.

上記ガスデポジション装置は、上記第１の開口の鉛直上方に設けられ、上記吸引口が上記第３の位置にある場合に上記吸引機構が吸引する上記ガスの流量より小さい流量の上記ガスを常時吸引する補助吸引機構をさらに具備してもよい。   The gas deposition apparatus is provided vertically above the first opening, and constantly supplies the gas having a flow rate smaller than the flow rate of the gas sucked by the suction mechanism when the suction port is at the third position. An auxiliary suction mechanism for sucking may be further provided.

この構成によれば、微粒子生成室内を浮遊する微粒子を除去することが可能となる。生成した微粒子の一部が、微粒子流から逸脱し、あるいは吸引口に吸引されないことにより搬送管の第１の開口及び吸引口のいずれにも吸引されず、微粒子生成室内を浮遊する場合がある。浮遊する微粒子は互いに凝集し、この凝集した微粒子が第１の開口に流入すると、ノズルが閉塞し、あるいは膜中に混入して膜品質を低下させるおそれがある。本構成ではこのような浮遊する微粒子を補助吸引機構によりガスと共に吸引することで除去することが可能となる。なお、補助吸引機構は、微粒子流そのものを吸引する必要がないため、その吸引量は搬送管に流入するガス流量に比べ十分小さく、ガス供給量に占める割合は少ない。   According to this configuration, it is possible to remove fine particles floating in the fine particle production chamber. Part of the generated fine particles may deviate from the flow of the fine particles, or may not be sucked into the first opening and the suction port of the transport pipe due to being not sucked into the suction port, and may float in the fine particle generation chamber. The floating fine particles aggregate with each other, and when the aggregated fine particles flow into the first opening, there is a possibility that the nozzle is blocked or mixed into the film to deteriorate the film quality. In this configuration, such floating fine particles can be removed by being sucked together with the gas by the auxiliary suction mechanism. Since the auxiliary suction mechanism does not need to suck the fine particle flow itself, the suction amount is sufficiently smaller than the gas flow rate flowing into the transport pipe, and the proportion of the gas supply amount is small.

本発明の一実施形態に係るガスデポジション方法は、微粒子生成室にガスを導入して成膜室と上記微粒子生成室の間に差圧を形成することを含む。
上記成膜材料の微粒子は、上記微粒子生成室内に配置された蒸発源によって成膜材料を蒸発させて生成される。
上記微粒子は、搬送管の上記微粒子生成室に臨む第１の開口から上記搬送管の上記成膜室に臨む第２の開口にガスを流通させることで、上記成膜室内に設置された成膜対象物に
堆積される。
堆積は、可動部材を上記搬送管に嵌合させて上記第１の開口に流入する上記ガスの流路を制限し、上記蒸発源から上記第１の開口へ向かう上記ガスを吸引機構によって吸引することで停止される。 A gas deposition method according to an embodiment of the present invention includes introducing a gas into a particle generation chamber to form a differential pressure between the film formation chamber and the particle generation chamber.
The fine particles of the film forming material are generated by evaporating the film forming material by an evaporation source disposed in the fine particle generating chamber.
The fine particles are deposited in the film formation chamber by flowing a gas from a first opening facing the fine particle generation chamber of the transfer tube to a second opening facing the film formation chamber of the transfer tube. Deposited on the object.
Deposition is performed by fitting a movable member to the transport pipe to restrict the flow path of the gas flowing into the first opening, and sucking the gas from the evaporation source toward the first opening by a suction mechanism. Is stopped.

上記堆積を停止させる工程では、上記第１の開口への流入を制限された上記ガスと同流量の上記ガスを上記吸引機構によって吸引してもよい。   In the step of stopping the deposition, the gas having the same flow rate as that of the gas restricted to flow into the first opening may be sucked by the suction mechanism.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るガスデポジション装置１の概略構成を示す図である。
同図に示すように、ガスデポジション装置１は、微粒子生成室２と、成膜室３と、搬送管４と、ガス導入系５と、ガス規制機構６と、吸引機構７とを具備する。微粒子生成室２と成膜室３とは搬送管４によって連結されている。微粒子生成室２にはガス規制機構６と吸引機構７が取り付けられている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a gas deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the gas deposition apparatus 1 includes a fine particle generation chamber 2, a film formation chamber 3, a transfer pipe 4, a gas introduction system 5, a gas regulation mechanism 6, and a suction mechanism 7. . The fine particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3 are connected by a transfer tube 4. A gas regulating mechanism 6 and a suction mechanism 7 are attached to the particle generation chamber 2.

ガスデポジション装置１は、また、微粒子生成室に取り付けられた補助吸引機構８と、微粒子生成室２及び成膜室３に接続された真空排気系９と、微粒子生成室２に収容された蒸発源１０と、成膜室３に収容された成膜対象物ｓを有する。また、図１には成膜材料の微粒子の流れである微粒子流ｆを示す。   The gas deposition apparatus 1 also includes an auxiliary suction mechanism 8 attached to the particle generation chamber, a vacuum exhaust system 9 connected to the particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3, and evaporation accommodated in the particle generation chamber 2. A source 10 and a film formation object s accommodated in the film formation chamber 3 are included. FIG. 1 shows a fine particle flow f that is a flow of fine particles of the film forming material.

微粒子生成室２は、室内と外部を遮断し、室内を気密に維持する。微粒子生成室２は蒸発源１０を収容し、真空排気系９、ガス導入系５と接続されている。また、微粒子生成室２にはガス規制機構６、吸引機構７、補助吸引機構８が取り付けられている。   The particulate generation chamber 2 blocks the room and the outside and keeps the room airtight. The fine particle generation chamber 2 accommodates an evaporation source 10 and is connected to a vacuum exhaust system 9 and a gas introduction system 5. Further, a gas regulating mechanism 6, a suction mechanism 7, and an auxiliary suction mechanism 8 are attached to the fine particle generation chamber 2.

成膜室３は、室内と外部を遮断し、室内を気密に維持する。成膜室３は成膜対象物ｓを収容し、真空排気系９と接続されている。   The film forming chamber 3 blocks the room from the outside and keeps the room airtight. The film formation chamber 3 accommodates the film formation target s and is connected to the vacuum exhaust system 9.

搬送管４は、微粒子生成室２と成膜室３を連結する。搬送管４は、微粒子生成室２内の部分である第１の端部４ａと成膜室３内の部分である第２の端部４ｂを有する。また第１の端部４ａは搬送管４の微粒子生成室２側の開口である第１の開口４ｃを有し、第２の端部４ｂは搬送管４の成膜室側の開口である第２の開口４ｄを有する。第１の端部４ａは後述する可動部材１５と嵌合することが可能に形成され、水平方向に伸びるように形成される。第１の端部４ａの形状はこれに限られず、可動部材１５の移動方向に対して伸びるように形成されればよい。第２の端部４ｂは成膜対象物ｓと対向するノズルであり、例えばスリット型ノズルとされる。第１の開口４ｃは蒸発源１０の鉛直上方に位置し、鉛直下方に傾斜するように形成される。これは、可動部材１５と嵌合する際にコンダクタンスが急激に変化しないように形成されるものであり、この形状に限られない。第２の開口４ｄ（ノズル開口）は例えばスリット幅０．３ｍｍ、スリット長さ３０ｍｍのスリット型の開口を有する。また、搬送管４は、搬送管４への微粒子の付着を低減するためのヒーター等の加熱手段を備えていてもよい。   The transfer tube 4 connects the fine particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3. The transfer tube 4 has a first end 4 a that is a part in the fine particle generation chamber 2 and a second end 4 b that is a part in the film forming chamber 3. The first end 4 a has a first opening 4 c that is an opening on the fine particle generation chamber 2 side of the transfer tube 4, and the second end 4 b is an opening on the film forming chamber side of the transfer tube 4. 2 openings 4d. The first end 4a is formed so as to be able to be fitted to a movable member 15 described later, and is formed to extend in the horizontal direction. The shape of the first end 4a is not limited to this, and may be formed so as to extend in the moving direction of the movable member 15. The second end 4b is a nozzle facing the film formation target s, and is, for example, a slit type nozzle. The first opening 4c is located vertically above the evaporation source 10 and is formed so as to incline vertically downward. This is formed so that the conductance does not change abruptly when mated with the movable member 15, and is not limited to this shape. The second opening 4d (nozzle opening) has, for example, a slit-type opening having a slit width of 0.3 mm and a slit length of 30 mm. Further, the transport pipe 4 may be provided with heating means such as a heater for reducing adhesion of fine particles to the transport pipe 4.

ガス導入系５は、微粒子生成室２にガスを導入する。ガス導入系５は、ガス源１１と、配管１２と、バルブ１３と、ガス導入孔１４を有する。微粒子生成室２の室内にガス導入孔１４が配置され、ガス導入孔１４とガス源１１は配管１２によって接続される。配管１２上にはバルブ１３が設けられる。ガス源１１は例えばガスボンベである。ガス導入孔１４は蒸発源１０によって蒸発した成膜材料の微粒子流を阻害しないように、例えば蒸発源１０の周囲を取り囲むように配置される。   The gas introduction system 5 introduces gas into the fine particle generation chamber 2. The gas introduction system 5 includes a gas source 11, a pipe 12, a valve 13, and a gas introduction hole 14. A gas introduction hole 14 is disposed in the particulate generation chamber 2, and the gas introduction hole 14 and the gas source 11 are connected by a pipe 12. A valve 13 is provided on the pipe 12. The gas source 11 is a gas cylinder, for example. The gas introduction hole 14 is arranged so as to surround the evaporation source 10, for example, so as not to disturb the fine particle flow of the film forming material evaporated by the evaporation source 10.

なお、ガス導入系５から導入されるガスには、典型的には、例えばＡｒ、Ｈｅ、Ｎ２等の不活性ガスが用いられる。また、上記ガスに酸素などの反応性ガスを用いることにより、微粒子の酸化物膜などを形成することができる。 Note that an inert gas such as Ar, He, or N 2 is typically used as the gas introduced from the gas introduction system 5. In addition, by using a reactive gas such as oxygen as the gas, a fine oxide film can be formed.

ガス規制機構６は、成膜時において搬送管４の第１の開口４ｃへのガスの流入を規制せず、成膜停止時において第１の開口４ｃへのガスの流入を規制する。ガス規制機構６は、可動部材１５と、シャフト１６と、駆動源１７を有する。可動部材１５は微粒子生成室２の室内に、駆動源１７は微粒子生成室２の室外に配置され、微粒子生成室２の壁面を貫通するシャフト１６によって連結されている。駆動源１７によってシャフト１６が駆動され、可動部材１５が移動可能に構成されている。可動部材１５は、可動部材１５への微粒子の付着を低減するためのヒーター等の加熱手段を備えていてもよい。ガス規制機構６の詳細については後述する。   The gas regulating mechanism 6 does not regulate the inflow of gas into the first opening 4c of the transfer tube 4 during film formation, but regulates the inflow of gas into the first opening 4c when film formation is stopped. The gas regulating mechanism 6 includes a movable member 15, a shaft 16, and a drive source 17. The movable member 15 is disposed inside the particle generation chamber 2, and the drive source 17 is disposed outside the particle generation chamber 2, and is connected by a shaft 16 that penetrates the wall surface of the particle generation chamber 2. The shaft 16 is driven by the drive source 17, and the movable member 15 is configured to be movable. The movable member 15 may include heating means such as a heater for reducing adhesion of fine particles to the movable member 15. Details of the gas regulating mechanism 6 will be described later.

吸引機構７は、成膜時においては作動せず、成膜停止時においてガス及び微粒子を吸引する。吸引機構７は、吸引口１８と、配管１９と、バルブ２０と、フィルター２１と、流量調節バルブ２２と、排気ポンプ２３とを有する。吸引口１８は、配管１９によって排気ポンプ２３に接続されている。配管１９上にバルブ２０、フィルター２１、流量調節バルブ２２が設けられている。吸引機構７の詳細については後述する。   The suction mechanism 7 does not operate during film formation, and sucks gas and fine particles when film formation is stopped. The suction mechanism 7 includes a suction port 18, a pipe 19, a valve 20, a filter 21, a flow rate adjustment valve 22, and an exhaust pump 23. The suction port 18 is connected to the exhaust pump 23 by a pipe 19. A valve 20, a filter 21, and a flow rate adjustment valve 22 are provided on the pipe 19. Details of the suction mechanism 7 will be described later.

補助吸引機構８は、微粒子生成室２内に浮遊する微粒子を吸引する。補助吸引機構８は、吸引口３５と、配管２４と、バルブ２５と、フィルター２６と、流量調節バルブ２７と、排気ポンプ２８とを有する。吸引口３５は微粒子生成室２内に配置され、配管２４によって排気ポンプ２８に接続されている。配管２４上にバルブ２５、フィルター２６及び流量調節バルブ２７が設けられている。後述するが、補助吸引機構８は微粒子生成室２内を浮遊する微粒子を吸引するためのものである。微粒子が浮遊しない場合、あるいは微粒子の浮遊が問題とならない場合は必ずしも設けなくてもよい。   The auxiliary suction mechanism 8 sucks fine particles floating in the fine particle generation chamber 2. The auxiliary suction mechanism 8 includes a suction port 35, a pipe 24, a valve 25, a filter 26, a flow rate adjustment valve 27, and an exhaust pump 28. The suction port 35 is disposed in the particulate generation chamber 2 and is connected to the exhaust pump 28 by a pipe 24. A valve 25, a filter 26 and a flow rate adjustment valve 27 are provided on the pipe 24. As will be described later, the auxiliary suction mechanism 8 is for sucking fine particles floating in the fine particle generation chamber 2. When the fine particles do not float or when floating of the fine particles does not matter, it is not always necessary.

真空排気系９は、微粒子生成室２及び成膜室３を真空排気する。真空排気系９は真空ポンプ３２と、配管２９と、バルブ３０と、バルブ３１とを有する。微粒子生成室２及び成膜室３は配管２９によって真空ポンプ３２と接続され、配管２９上の、微粒子生成室２と真空ポンプ３２との間にバルブ３０が、成膜室３と真空ポンプ３２との間にバルブ３１が設けられている。   The evacuation system 9 evacuates the fine particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3. The vacuum exhaust system 9 includes a vacuum pump 32, a pipe 29, a valve 30, and a valve 31. The particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3 are connected to a vacuum pump 32 by a pipe 29, and a valve 30 is provided between the particle generation chamber 2 and the vacuum pump 32 on the pipe 29. A valve 31 is provided between the two.

蒸発源１０は、成膜材料ｍを蒸発させる。蒸発源１０は例えば抵抗加熱、高周波誘導加熱あるいはレーザー加熱等の原理により成膜材料ｍを加熱し蒸発させることが可能に構成されている。蒸発源１０は位置調節機構３３によって微粒子生成室２内に、搬送管４の第１の開口４ｃと対向する位置に支持されている。位置調節機構３３は、蒸発源１０を支持し、蒸発源１０の位置を調節することが可能に構成されている。成膜材料ｍは例えばＬｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ａｕ−Ｓｎ等の金属および合金からなる。   The evaporation source 10 evaporates the film forming material m. The evaporation source 10 is configured to be able to heat and evaporate the film forming material m on the principle of resistance heating, high frequency induction heating, laser heating, or the like. The evaporation source 10 is supported in the fine particle production chamber 2 by the position adjusting mechanism 33 at a position facing the first opening 4 c of the transport pipe 4. The position adjustment mechanism 33 is configured to support the evaporation source 10 and adjust the position of the evaporation source 10. The film forming material m is made of a metal and an alloy such as Li, Au, Ag, Cu, Sn, In, Ni, Fe, Co, Fe—Ni, Fe—Co, and Au—Sn.

成膜室３には成膜対象物ｓが配置されている。成膜対象物ｓは図示しない支持機構によって第２の開口４ｄ（ノズル開口）に対して移動可能に支持される。成膜対象物ｓは例えばロール状基材、平板基材等である。   A film formation object s is disposed in the film formation chamber 3. The film formation target s is supported by a support mechanism (not shown) so as to be movable with respect to the second opening 4d (nozzle opening). The film formation target s is, for example, a roll-shaped substrate, a flat plate substrate, or the like.

ガス規制機構６と吸引機構７の詳細について説明する。
図２はガス規制機構６及び吸引機構７の詳細について説明する図である。図２（Ａ）は可動部材１５が第２の位置、吸引口１８が第４の位置にある場合、図２（Ｂ）は可動部材１５が第１の位置、吸引口１８が第３の位置にある場合を示す。なお、図２では搬送管４は図示しない。 Details of the gas regulating mechanism 6 and the suction mechanism 7 will be described.
FIG. 2 is a diagram for explaining the details of the gas regulating mechanism 6 and the suction mechanism 7. 2A shows the case where the movable member 15 is in the second position and the suction port 18 is in the fourth position. FIG. 2B shows the case where the movable member 15 is in the first position and the suction port 18 is in the third position. Shows the case. In FIG. 2, the transport pipe 4 is not shown.

ガス規制機構６について第２の位置は、可動部材１５が搬送管４と嵌合しない位置であり、第１の位置は可動部材１５が搬送管４と嵌合する位置である。また、吸引口１８について第４の位置は、蒸発源１０と第１の開口４ｃの間の位置であり、第３の位置は蒸発源１０と第１の開口４ｃの間の位置である。   Regarding the gas regulating mechanism 6, the second position is a position where the movable member 15 is not fitted to the transport pipe 4, and the first position is a position where the movable member 15 is fitted to the transport pipe 4. The fourth position of the suction port 18 is a position between the evaporation source 10 and the first opening 4c, and the third position is a position between the evaporation source 10 and the first opening 4c.

図２に示すように、ガス規制機構６の可動部材１５は微粒子生成室２の壁面を貫通するシャフト１６によって支持されている。シャフト１６は可撓性を有するベローズジョイント３６によって気密に被覆されている。可動部材１５は連結されたシャフト１６が図示しない駆動源１７によって直線運動することによって第２の位置から第１の位置へ、及び第１の位置から第２の位置へ移動する。可動部材１５の移動方向は、後述する、鉛直上方に流れる微粒子流に対して垂直な方向、即ち水平方向とすることができる。駆動源１７によって可動部材１５が移動する速度は調節することが可能とされている。なお、ガス規制機構６は上述のような構成に限られず、可動部材１５が第１の位置から第２の位置へ移動することが可能な構成であればよい。   As shown in FIG. 2, the movable member 15 of the gas regulating mechanism 6 is supported by a shaft 16 that penetrates the wall surface of the particulate generation chamber 2. The shaft 16 is hermetically covered by a flexible bellows joint 36. The movable member 15 moves from the second position to the first position and from the first position to the second position by the linear movement of the connected shaft 16 by a drive source 17 (not shown). The moving direction of the movable member 15 can be a direction perpendicular to a particulate flow flowing vertically upward, that is, a horizontal direction, which will be described later. The moving speed of the movable member 15 by the drive source 17 can be adjusted. The gas regulating mechanism 6 is not limited to the configuration as described above, and may be any configuration that allows the movable member 15 to move from the first position to the second position.

また、同図に示すように、吸引機構７の吸引口１８はガス規制機構６の可動部材１５に支持され、ガス規制機構６の移動に伴って第４の位置から第３の位置へ、及び第３の位置から第４の位置へ移動するように構成される。吸引口１８は配管１９に接続され、配管１９の一部は吸引口１８の移動に対応するためのフレキシブル配管１９’とされている。吸引口１８は微粒子を吸引することが可能な面積を確保するために例えば図示するような開口形状が円形のカサ状とすることができる。なお、吸引機構７は上述のような構成に限られず、可動部材１５の移動に伴って移動可能な構成であればよい。例えば吸引口１８が可動部材１５に支持される構成に限られず、吸引口１８を移動させる駆動源が独立に設けられてもよい。   As shown in the figure, the suction port 18 of the suction mechanism 7 is supported by the movable member 15 of the gas restriction mechanism 6, and moves from the fourth position to the third position as the gas restriction mechanism 6 moves. It is configured to move from the third position to the fourth position. The suction port 18 is connected to a pipe 19, and a part of the pipe 19 is a flexible pipe 19 ′ for accommodating the movement of the suction port 18. The suction port 18 can be formed in, for example, a bulky shape with an opening as shown in the figure in order to secure an area where fine particles can be sucked. The suction mechanism 7 is not limited to the above-described configuration, and may be any configuration that can move with the movement of the movable member 15. For example, the configuration is not limited to the configuration in which the suction port 18 is supported by the movable member 15, and a drive source that moves the suction port 18 may be provided independently.

可動部材１５と搬送管４の嵌合について説明する。
図３は可動部材１５と搬送管４の嵌合について説明する図である。図３（Ａ）は可動部材１５が第２の位置、吸引口１８が第４の位置にある場合、図３（Ｂ）は可動部材１５が第１の位置、吸引口１８が第３の位置にある場合を示す。なお、図３では微粒子流及び吸引機構７は図示しない。 The fitting of the movable member 15 and the transport pipe 4 will be described.
FIG. 3 is a diagram illustrating the fitting between the movable member 15 and the transport pipe 4. 3A shows the movable member 15 in the second position and the suction port 18 in the fourth position. FIG. 3B shows the movable member 15 in the first position and the suction port 18 in the third position. Shows the case. In FIG. 3, the particulate flow and suction mechanism 7 is not shown.

同図に示すように、可動部材１５は第２の位置において搬送管４の第１の端部４ａと離間し、第１の位置において第１の端部４ａと嵌合することが可能に形成される。可動部材１５が搬送管４に嵌合された際、可動部材１５と搬送管４の間には所定の間隙が形成される。この間隙は、第１の開口４ｃ付近に付着した微粒子が外挿の際に剥ぎ取られ、搬送管４内に進入することを防止するために十分な大きさにされる。搬送管４は断面が一様な管とされ、可動部材１５は搬送管４の外径より大きい内径の開口を有する筒状の部材とされることができる。可動部材１５が第１の位置にある場合において、搬送管４の第１の開口４ｃから一定の長さ（例えば搬送管４の内径の３倍程度）の部分である第１の端部が可動部材１５と嵌合する。搬送管４は少なくとも第１の端部４ａが可動部材１５の移動方向に沿うように配置される。   As shown in the figure, the movable member 15 is formed so as to be separated from the first end 4a of the transport pipe 4 at the second position and to be fitted to the first end 4a at the first position. Is done. When the movable member 15 is fitted into the transport pipe 4, a predetermined gap is formed between the movable member 15 and the transport pipe 4. This gap is made large enough to prevent the fine particles adhering to the vicinity of the first opening 4c from being peeled off during the extrapolation and entering the transport tube 4. The transfer tube 4 can be a tube having a uniform cross section, and the movable member 15 can be a cylindrical member having an opening with an inner diameter larger than the outer diameter of the transfer tube 4. When the movable member 15 is in the first position, the first end, which is a portion of a certain length (for example, about three times the inner diameter of the transport tube 4), is movable from the first opening 4c of the transport tube 4. The member 15 is fitted. The transport pipe 4 is arranged so that at least the first end 4 a is along the moving direction of the movable member 15.

以上のように可動部材１５と搬送管４が構成されることにより、搬送管４に進入するガスは、第２の位置においては第１の開口４ｃから、第１の位置のおいては第１の開口４ｃより開口面積の小さい第１の開口４ｃ’から流入する。このため、可動部材１５が第１の位置にある場合に比べ第２の位置にある場合は流路が制限され、搬送管４に流入するガスのコンダクタンスは小さくなる。即ち、第１の位置においては第２の位置に比べ、第１の開口４ｃに流入するガスは規制される。   By configuring the movable member 15 and the transport pipe 4 as described above, the gas that enters the transport pipe 4 flows from the first opening 4c at the second position and from the first opening 4c at the first position. Flows from the first opening 4c ′ having an opening area smaller than that of the opening 4c. For this reason, when the movable member 15 is in the second position, the flow path is limited when the movable member 15 is in the second position, and the conductance of the gas flowing into the transport pipe 4 is reduced. That is, the gas flowing into the first opening 4c is restricted at the first position as compared with the second position.

なお、可動部材１５と搬送管４は上述したような構成に限られず、第１の位置において第１の開口４ｃより流入するガスが規制される構成であればよい。可動部材１５が搬送管４に外挿される構成を示したが、可動部材１５が搬送管４に内挿される構成であってもよい。この場合、可動部材１５は搬送管４の内径より小さい外形を有する棒状の部材とすることができる。   The movable member 15 and the transport pipe 4 are not limited to the above-described configuration, and may be any configuration that restricts the gas flowing in from the first opening 4c at the first position. Although the configuration in which the movable member 15 is extrapolated to the transport pipe 4 is shown, the movable member 15 may be configured to be inserted in the transport pipe 4. In this case, the movable member 15 can be a rod-shaped member having an outer shape smaller than the inner diameter of the transport tube 4.

また、可動部材１５の搬送管４側の端１５ａと吸引口１８の搬送管４側の端１８ａは水平位置が一致しているほうがよい。上述のように可動部材１５が搬送管４に嵌合し搬送管４に流入するガスが規制されるとともに吸引口１８からガスが吸引され、微粒子生成室２の圧力が一定に維持される。端１５ａが端１８ａより搬送管４に接近している場合、搬送管４へのガスの流入が規制される一方、微粒子流ｆは吸引口１８により吸引されないため、可動部材１５に微粒子が付着するおそれがある。また端１８ａが端１５ａより搬送管に接近している場合、端１８ａが微粒子流ｆに侵入する一方、吸引口１８からの吸引は依然されない（微粒子生成室２の圧力を維持するため）ため、微粒子流ｆが吸引口１８により阻害され飛散するおそれがある。   Further, it is preferable that the horizontal position of the end 15a of the movable member 15 on the transport tube 4 side and the end 18a of the suction port 18 on the transport tube 4 side coincide with each other. As described above, the movable member 15 is fitted into the transport pipe 4 to restrict the gas flowing into the transport pipe 4 and the gas is sucked from the suction port 18 so that the pressure in the fine particle generation chamber 2 is kept constant. When the end 15a is closer to the transport pipe 4 than the end 18a, the flow of gas into the transport pipe 4 is restricted, while the particulate flow f is not sucked by the suction port 18, so that the fine particles adhere to the movable member 15. There is a fear. Further, when the end 18a is closer to the transport pipe than the end 15a, the end 18a enters the fine particle flow f, but suction from the suction port 18 is not continued (to maintain the pressure of the fine particle generation chamber 2). There is a possibility that the particulate flow f is blocked by the suction port 18 and scattered.

以上のように構成されたガスデポジション装置１を用いるガスデポジション方法ついて説明する。   A gas deposition method using the gas deposition apparatus 1 configured as described above will be described.

成膜の準備として以下の操作を行う。この時点でガス規制機構６の可動部材１５は第２の位置にあり、吸引機構７の吸引口１８は第４の位置にあるとする。なお、ここでは補助吸引機構８による吸引がなされない場合について説明し、補助吸引機構８の動作については後述する。   The following operations are performed as preparation for film formation. At this time, the movable member 15 of the gas regulating mechanism 6 is in the second position, and the suction port 18 of the suction mechanism 7 is in the fourth position. Here, the case where suction by the auxiliary suction mechanism 8 is not performed will be described, and the operation of the auxiliary suction mechanism 8 will be described later.

蒸発源１０に成膜材料ｍを配置し、成膜室３内の支持機構に成膜対象物ｓを配置する。
真空排気系９により微粒子生成室２及び成膜室３内の気体を排気する。真空ポンプ３２を運転し、バルブ３０及びバルブ３１を開放する。微粒子生成室２が十分に排気された時点でバルブ３０を閉止し、微粒子生成室２の排気を停止する。なお、バルブ３１は閉止せず、成膜室３は継続して排気する。 A film forming material m is arranged in the evaporation source 10, and a film forming object s is arranged in a support mechanism in the film forming chamber 3.
The gas in the fine particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3 is exhausted by the vacuum exhaust system 9. The vacuum pump 32 is operated and the valves 30 and 31 are opened. When the fine particle generation chamber 2 is sufficiently exhausted, the valve 30 is closed, and the exhaust of the fine particle generation chamber 2 is stopped. The valve 31 is not closed and the film forming chamber 3 is continuously evacuated.

ガス導入系５から微粒子生成室２内にガスを導入する。
バルブ１３を開放し、ガス源１１からガスを流通させる。微粒子生成室２にガスが導入される一方、成膜室３は継続して排気されているため、微粒子生成室２と成膜室３には圧力差が生じる。所定の圧力差（例えば１気圧）になるようにガス供給量を調節する。この圧力差により、導入されたガスは搬送管４の第１の開口４ｃへ流入し、第２の開口４ｄから流出する。 A gas is introduced into the fine particle production chamber 2 from the gas introduction system 5.
The valve 13 is opened and gas is circulated from the gas source 11. While gas is introduced into the fine particle generation chamber 2, the film formation chamber 3 is continuously exhausted, so that a pressure difference is generated between the fine particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3. The gas supply amount is adjusted to be a predetermined pressure difference (for example, 1 atm). Due to this pressure difference, the introduced gas flows into the first opening 4c of the transport pipe 4 and flows out of the second opening 4d.

次に、ガス規制機構６の可動部材１５を第２の位置から第１の位置に移動させ、吸引機構７の吸引口１８を第４の位置から第３の位置に移動させ、吸引機構７によりガスを吸引させる。
排気ポンプ２３を動作させ、バルブ２０を開放する。駆動源１７により、可動部材１５及び吸引口１８を移動させる。可動部材１５が第１の位置に移動すると、可動部材１５と搬送管４が嵌合して第１の開口４ｃ’が形成され、搬送管４に流入するガスのコンダクタンスが低下し、即ち流入するガス流量が低下するため、その減少分に相当する量を吸引機構７により吸引口１８から吸引する。 Next, the movable member 15 of the gas regulating mechanism 6 is moved from the second position to the first position, the suction port 18 of the suction mechanism 7 is moved from the fourth position to the third position, and the suction mechanism 7 Inhale gas.
The exhaust pump 23 is operated and the valve 20 is opened. The movable member 15 and the suction port 18 are moved by the drive source 17. When the movable member 15 moves to the first position, the movable member 15 and the transport pipe 4 are fitted to form the first opening 4c ′, and the conductance of the gas flowing into the transport pipe 4 decreases, that is, flows in. Since the gas flow rate decreases, the amount corresponding to the decrease is sucked from the suction port 18 by the suction mechanism 7.

次に、蒸発源１０により成膜材料ｍを蒸発させる。蒸発した成膜材料ｍの気体は冷却され微粒子が生成される。微粒子は熱対流及びガス導入孔１４から導入されるガス流によって収束し、蒸発源１０から鉛直上方に流れる微粒子流ｆが形成される。ここで、微粒子流ｆは蒸発源１０の鉛直上方に移動している吸引口１８によりガスと共に吸引される。蒸発源１０による成膜材料ｍの蒸発が開始された直後は、微粒子流ｆに含まれる微粒子の量が少ない、あるいは安定しないため、形成される微粒子の量が所定の量になるまで吸引口１８による吸引が維持される。なお、吸引口１８に吸引された微粒子はフィルター２１により捕集される。   Next, the film forming material m is evaporated by the evaporation source 10. The evaporated gas of the film forming material m is cooled to generate fine particles. The fine particles converge due to the heat convection and the gas flow introduced from the gas introduction hole 14, and a fine particle flow f flowing vertically upward from the evaporation source 10 is formed. Here, the particulate flow f is sucked together with the gas by the suction port 18 moving vertically above the evaporation source 10. Immediately after the evaporation of the film forming material m by the evaporation source 10 is started, the amount of fine particles contained in the fine particle flow f is small or unstable. The suction by is maintained. Fine particles sucked into the suction port 18 are collected by the filter 21.

以上のように微粒子生成室２と成膜室３が所定の圧力差に維持され、所定の微粒子量を含む微粒子流ｆが形成されている状態で成膜が開始される。成膜時では微粒子流ｆが搬送管４の第１の開口４ｃに流入して第２の開口４ｄから噴射されて成膜対象物ｓに堆積され、成膜停止時では微粒子流ｆが第１の開口４ｃに流入しない。例えば成膜対象物ｓ上に島状のパターンを形成する場合、あるいは成膜対象物ｓを交換する場合等には成膜時と成膜停止時が切り替えられる。本実施形態に係るガスデポジション装置１では、第２の端部４ｂがスリット型ノズルとされているため、成膜対象物ｓを一方向に移動させることにより、大面積に成膜することが可能である。なお、準備段階において、噴出する微粒子の量を測定し、位置調節機構３３により蒸発源１０の位置を第１の開口４ｃの鉛直下方に位置するように調整してもよい。   As described above, film formation is started in a state where the particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3 are maintained at a predetermined pressure difference and a particle flow f including a predetermined particle amount is formed. At the time of film formation, the fine particle flow f flows into the first opening 4c of the transfer tube 4 and is ejected from the second opening 4d and deposited on the film formation target s. Does not flow into the opening 4c. For example, when an island pattern is formed on the film formation target s, or when the film formation target s is exchanged, the film formation and the film formation stop are switched. In the gas deposition apparatus 1 according to the present embodiment, since the second end 4b is a slit-type nozzle, it is possible to form a film over a large area by moving the film formation target s in one direction. Is possible. In the preparation stage, the amount of fine particles to be ejected may be measured, and the position adjusting mechanism 33 may be adjusted so that the position of the evaporation source 10 is positioned vertically below the first opening 4c.

図４は成膜の様子を示す図である。図４（Ａ）は成膜時、図４（Ｃ）は成膜停止時を示し、図４（Ｂ）は成膜時と成膜停止時の間の遷移時を示す。
図５は、微粒子生成室２のガスフローを説明する図である。図５（Ａ）は成膜時、図５（Ｂ）は成膜停止時を示す。 FIG. 4 is a diagram showing a state of film formation. 4A shows the film formation, FIG. 4C shows the film formation stop time, and FIG. 4B shows the transition time between the film formation time and the film formation stop time.
FIG. 5 is a view for explaining the gas flow in the fine particle generation chamber 2. FIG. 5A shows the film formation, and FIG. 5B shows the film formation stop.

図４（Ａ）に示す成膜時について説明する。
駆動源１７により、可動部材１５を第１の位置から第２の位置へ、吸引口１８を第３の位置から第４の位置へ移動させ、吸引機構７による吸引口１８からの吸引を停止する。蒸発源１０から鉛直上方に流れる微粒子流ｆはガスと共に第１の開口４ｃに流入し第２の開口４ｄから噴出する。吸引口１８は蒸発源１０の鉛直上方にない第４の位置に存在しているため、微粒子流ｆは妨げられることなく第１の開口４ｃに流入することが可能である。 The time of film formation illustrated in FIG.
The drive source 17 moves the movable member 15 from the first position to the second position, the suction port 18 from the third position to the fourth position, and stops the suction from the suction port 18 by the suction mechanism 7. . The particulate flow f flowing vertically upward from the evaporation source 10 flows into the first opening 4c together with the gas, and is ejected from the second opening 4d. Since the suction port 18 exists at a fourth position not vertically above the evaporation source 10, the particulate flow f can flow into the first opening 4c without being blocked.

図５（Ａ）に示すように、成膜時（deposition on)においては、微粒子生成室２のガスフローは、ガス導入系５から導入されるガス流量（ガス供給量）がＸ（Ｌ／ｍｉｎ）、搬送管４に流入するガス流量がＸ（Ｌ／ｍｉｎ）となり、微粒子生成室２と成膜室３は所定の圧力差となる。成膜時に必要なガス供給量は、搬送管４に粒子を搬送するために必要なガス流量と同量であり、成膜停止時に粒子を排出するために必要なガス流量に相当するガス流量は含まれていない。即ち、ガス供給量は必要最低限とすることが可能である。   As shown in FIG. 5A, during deposition (deposition on), the gas flow rate in the fine particle generation chamber 2 is such that the gas flow rate (gas supply amount) introduced from the gas introduction system 5 is X (L / min). ), The flow rate of the gas flowing into the transfer pipe 4 becomes X (L / min), and the fine particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3 have a predetermined pressure difference. The gas supply amount necessary for film formation is the same as the gas flow rate necessary for transporting particles to the transport pipe 4, and the gas flow rate corresponding to the gas flow rate necessary for discharging particles when film formation is stopped is Not included. That is, the gas supply amount can be set to the minimum necessary.

例えば、第２の端部４ｂを内径１ｍｍの丸型ノズルとし、Ｈｅガスを用いる場合、ガス供給量（Ｘ）を１０Ｌ／ｍｉｎとすることにより、搬送管４に流入するガス流量（Ｘ）は１０Ｌ／ｍｉｎ、圧力差１気圧となる。また、第２の端部４ｂを流路のスリット幅０．３ｍｍ、スリット長さ３０ｍｍのスリット型ノズルとし、Ｎ２ガスを用いる場合、ガス供給量（Ｘ）を１２０Ｌ／ｍｉｎとすることにより、搬送管４に流入するガス流量（Ｘ）は１２０Ｌ／ｍｉｎ、圧力差１気圧となる。 For example, when the second end portion 4b is a round nozzle having an inner diameter of 1 mm and He gas is used, the gas flow rate (X) flowing into the transport pipe 4 can be increased by setting the gas supply amount (X) to 10 L / min. 10 L / min, pressure difference is 1 atm. Further, when the second end 4b is a slit-type nozzle having a slit width of 0.3 mm and a slit length of 30 mm, and N 2 gas is used, the gas supply amount (X) is set to 120 L / min. The gas flow rate (X) flowing into the transfer tube 4 is 120 L / min and the pressure difference is 1 atm.

図４（Ｃ）に示す成膜停止時について説明する。
駆動源１７により、可動部材１５を第２の位置から第１の位置へ、吸引口１８を第４の位置から第３の位置に移動させ、吸引機構７によりガス及び微粒子を吸引する。可動部材１５が搬送管４の第１の端部４ａに嵌合しているため、第１の開口４ｃよりも面積の小さい第１の開口４ｃ’が形成され、搬送管４に流入するガスの流量は減少する。一方で、この減少分に相当する流量を吸引口１８により吸引することで、微粒子生成室２の圧力を成膜時と同圧に維持することが可能である。吸引機構７による吸引量は流量調節バルブ２２により調整することができ、例えば図示しない圧力センサにより微粒子生成室２の圧力を監視し、フィードバックすることにより実現される。また、吸引口１８は蒸発源１０の鉛直上方、即ち微粒子流ｆの経路上である第３の位置に存在し、微粒子流ｆを吸引するため、微粒子流ｆに含まれる微粒子のほぼ全てを吸引することが可能である。 The time when film formation is stopped as shown in FIG.
The drive source 17 moves the movable member 15 from the second position to the first position, the suction port 18 from the fourth position to the third position, and the suction mechanism 7 sucks gas and fine particles. Since the movable member 15 is fitted to the first end 4 a of the transport pipe 4, a first opening 4 c ′ having a smaller area than the first opening 4 c is formed, and the gas flowing into the transport pipe 4 The flow rate decreases. On the other hand, by sucking the flow rate corresponding to the reduced amount through the suction port 18, the pressure in the fine particle production chamber 2 can be maintained at the same pressure as during film formation. The amount of suction by the suction mechanism 7 can be adjusted by the flow rate adjusting valve 22, for example, by monitoring the pressure in the particulate generation chamber 2 with a pressure sensor (not shown) and feeding it back. The suction port 18 is present vertically above the evaporation source 10, that is, at a third position on the path of the particulate flow f, and sucks almost all the particulates contained in the particulate flow f in order to suck the particulate flow f. Is possible.

図５（Ｂ）に示すように、成膜停止時（deposition off)においては、微粒子生成室２のガスフローは、ガス導入系５から導入されるガス流量（ガス供給量）がＸ（Ｌ／ｍｉｎ）、搬送管４に流入するガス流量がＹ（Ｌ／ｍｉｎ）である場合に吸引口１８に吸引されるガス流量をＸ−Ｙ（Ｌ／ｍｉｎ）とする。これにより、微粒子生成室２と成膜室３の圧力差を成膜時における圧力差のまま維持することが可能である。成膜停止時に必要なガス供給量は、微粒子を除去するために必要なガス流量と、搬送管４内の微粒子の滞留を防ぐために搬送管４内必要なガス流量との和と同量である。搬送管４へのガスの流入はガス規制機構６によって規制されているため、搬送管４内を流通するガス流量は成膜時よりも低減されており、搬送管４を流通して排出される過剰なガス流量を抑制することが可能である。   As shown in FIG. 5B, when the deposition is stopped (deposition off), the gas flow rate in the fine particle generation chamber 2 is such that the gas flow rate (gas supply amount) introduced from the gas introduction system 5 is X (L / L min), the gas flow rate sucked into the suction port 18 when the gas flow rate flowing into the transfer tube 4 is Y (L / min) is defined as XY (L / min). Thereby, the pressure difference between the fine particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3 can be maintained as the pressure difference at the time of film formation. The amount of gas supply required when film formation is stopped is the same as the sum of the gas flow rate necessary for removing the fine particles and the gas flow rate necessary for preventing the particles from staying in the transfer tube 4. . Since the inflow of gas into the transport pipe 4 is regulated by the gas regulating mechanism 6, the flow rate of gas flowing through the transport pipe 4 is reduced as compared with the time of film formation, and is exhausted through the transport pipe 4. It is possible to suppress an excessive gas flow rate.

例えば、第２の端部４ｂが内径１ｍｍの丸型ノズルであり、Ｈｅガスを用いる場合であって、ガス供給量（Ｘ）が１０Ｌ／ｍｉｎ、搬送管４に流入するガス流量（Ｙ）が５Ｌ／ｍｉｎである場合に、吸引口１８に吸引されるガス流量を５Ｌ／ｍｉｎ（Ｘ−Ｙ）とすることによって、微粒子生成室２と成膜室３の圧力差を１気圧のまま維持することが可能である。また、第２の端部４ｂが流路のスリット幅０．３ｍｍ、スリット長さ３０ｍｍのスリット型ノズルであり、Ｎ２ガスを用いる場合であって、ガス供給量（Ｘ）が１２０Ｌ／ｍｉｎ、搬送管４に流入するガス流量（Ｙ）が４０Ｌ／ｍｉｎである場合に、吸引口１８に吸引されるガス流量を８０Ｌ／ｍｉｎ（Ｘ−Ｙ）とすることによって、圧力差を１気圧のまま維持することが可能である。換言すれば、圧力差を１気圧のまま維持しながら、ガス供給量を成膜時と同量とすることが可能である。 For example, when the second end 4b is a round nozzle having an inner diameter of 1 mm and He gas is used, the gas supply amount (X) is 10 L / min, and the gas flow rate (Y) flowing into the transport pipe 4 is When the flow rate is 5 L / min, the pressure difference between the fine particle generation chamber 2 and the film formation chamber 3 is maintained at 1 atm by setting the gas flow rate sucked into the suction port 18 to 5 L / min (XY). It is possible. The second end 4b is a slit-type nozzle having a slit width of 0.3 mm and a slit length of 30 mm, and N 2 gas is used, and the gas supply amount (X) is 120 L / min, When the gas flow rate (Y) flowing into the transport pipe 4 is 40 L / min, the pressure difference is kept at 1 atm by setting the gas flow rate sucked into the suction port 18 to 80 L / min (XY). It is possible to maintain. In other words, it is possible to make the gas supply amount the same as during film formation while maintaining the pressure difference at 1 atm.

図４（Ｂ）に示す遷移時について説明する。
上述した成膜時と成膜停止時を切り替える際、駆動源１７により可動部材１５を第１の位置と第２の位置の間で、また、吸引口１８を第３の位置と第４の位置の間で移動させ、吸引機構７による吸引量を調節する。可動部材１５が第１の位置と第２の位置との間で移動する過程では、搬送管４に流入するガスのコンダクタンスは成膜時より小さく、成膜停止時より大きくなるため、搬送管４に流入するガスの流量も成膜時より小さく、成膜停止時より大きくなる。このため、吸引口１８から吸引されるガス流量を、搬送管４に流入するガス流量と吸引口１８に流入するガス流量の和が一定となるように連続的に調節することにより、遷移時においても微粒子生成室の圧力を一定とすることが可能である。また、遷移時間が十分短く、微粒子生成室２の容積が十分大きい場合、微粒子生成室２内のガス量の若干の変動は吸収されるため、吸引口１８の吸引量を連続的に調節ことは要しない。また、遷移時においては、吸引口１８は微粒子流ｆに部分的に進入する位置をとる。上述のように可動部材１５の端１５ａと吸引口１８の端１８ａの水平位置は一致しているため、微粒子流ｆは一部が吸引口１８に吸引され、他の一部が吸引口１８に吸引されず鉛直上方に流れる。ここで、搬送管４の第１の開口４ｃは鉛直下方に傾斜するように形成されているため、可動部材１５と搬送管４の嵌合が開始されても、微粒子流ｆが第１の開口４ｃに流入する隙間が確保され、微粒子流の他の一部を第１の開口４ｃに流入させることが可能となる。 The transition time shown in FIG. 4B will be described.
When switching between the film formation time and the film formation stop time described above, the movable member 15 is moved between the first position and the second position by the drive source 17, and the suction port 18 is moved to the third position and the fourth position. The suction amount by the suction mechanism 7 is adjusted. In the process in which the movable member 15 moves between the first position and the second position, the conductance of the gas flowing into the transfer pipe 4 is smaller than that at the time of film formation and larger than that at the time of film formation stop. The flow rate of the gas flowing into the gas is also smaller than that at the time of film formation and larger than when the film formation is stopped. For this reason, by continuously adjusting the gas flow rate sucked from the suction port 18 so that the sum of the gas flow rate flowing into the transport pipe 4 and the gas flow rate flowing into the suction port 18 becomes constant, Also, the pressure in the fine particle production chamber can be made constant. In addition, when the transition time is sufficiently short and the volume of the particle generation chamber 2 is sufficiently large, slight fluctuations in the gas amount in the particle generation chamber 2 are absorbed, so that the suction amount of the suction port 18 can be continuously adjusted. I don't need it. At the time of transition, the suction port 18 takes a position where it partially enters the particulate flow f. As described above, since the horizontal position of the end 15a of the movable member 15 and the end 18a of the suction port 18 coincide, a part of the particulate flow f is sucked into the suction port 18 and the other part is brought into the suction port 18. It flows vertically upward without being sucked. Here, since the first opening 4c of the transport pipe 4 is formed so as to incline vertically downward, even if the fitting of the movable member 15 and the transport pipe 4 is started, the particulate flow f is the first opening. A gap flowing into 4c is secured, and the other part of the particulate flow can flow into the first opening 4c.

以上のように、成膜時において供給されているガス流量を、成膜停止時にガス規制機構６によって搬送管４への流入を防止すると共に吸引機構７によって吸引する。これにより、搬送管４を通過して成膜室３へ排出されるガス流量を、搬送管４内の微粒子の滞留を防止するために必要な流量を残して低減することが可能である。また、搬送管４の流入を規制されたガス流量を微粒子生成室２からの微粒子の排出に用いることにより、ガス導入系５からのガス供給量の調節を要することなく微粒子生成室２内の圧力を維持し、微粒子生成室２内の微粒子の滞留を防止することが可能である。即ち、成膜時において微粒子の搬送に必要不可欠なガス流量は、成膜停止時において搬送管４内の微粒子の滞留防止と微粒子生成室２内からの微粒子の排出に用いられ、不要に排出されるガス供給量を削減することが可能である。   As described above, the gas flow rate supplied at the time of film formation is prevented from flowing into the transfer tube 4 by the gas regulating mechanism 6 and stopped by the suction mechanism 7 when the film formation is stopped. As a result, the gas flow rate that passes through the transfer tube 4 and is discharged to the film forming chamber 3 can be reduced while leaving a flow rate necessary to prevent the particles from staying in the transfer tube 4. Further, by using the gas flow rate in which the inflow of the transfer pipe 4 is regulated for discharging the fine particles from the fine particle generation chamber 2, the pressure in the fine particle generation chamber 2 is not required to adjust the gas supply amount from the gas introduction system 5. It is possible to prevent the particles from staying in the particle generation chamber 2. That is, the gas flow rate indispensable for transporting the fine particles during film formation is used for preventing the retention of the fine particles in the transfer pipe 4 and discharging the fine particles from the fine particle generation chamber 2 when the film formation is stopped, and is discharged unnecessarily. It is possible to reduce the amount of gas supplied.

以下、補助吸引機構８の動作について説明する。
図６は、微粒子生成室２のガスフローを説明する図である。図６（Ａ）は成膜時、図６（Ｂ）は成膜停止時を示す。 Hereinafter, the operation of the auxiliary suction mechanism 8 will be described.
FIG. 6 is a view for explaining the gas flow in the fine particle production chamber 2. FIG. 6A shows the film formation, and FIG. 6B shows the film formation stop.

補助吸引機構８は、遷移時において、吸引機構７の吸引口１８によって吸引されず、かつ第１の開口４ｃに流入しなかった微粒子の吸引を主な目的として設けられる。また、成膜時及び成膜停止時において微粒子流ｆから逸脱し、微粒子生成室２を浮遊する微粒子が生じる場合もあり、この浮遊する微粒子も補助吸引機構８によって除去される。   The auxiliary suction mechanism 8 is provided mainly for suction of fine particles that are not sucked by the suction port 18 of the suction mechanism 7 and do not flow into the first opening 4c at the time of transition. Further, there may be a case where fine particles that deviate from the fine particle flow f at the time of film formation and at the time of film formation stop and float in the fine particle production chamber 2 are generated, and the floating fine particles are also removed by the auxiliary suction mechanism 8.

補助吸引機構８は成膜中に連続して動作させてもよい。この場合、上述の成膜準備の段階で補助吸引機構８による吸引を開始することができる。本実施形態にかかるガスデポジション装置１では、成膜時には生成された微粒子流ｆはそのほぼ全量が搬送管４に流入し、成膜停止時には微粒子流ｆのそのほぼ全量が吸引機構７に吸引される。ガスデポジション装置１は成膜停止時に主として補助吸引機構８によって微粒子流ｆを吸引する構成とは異なり、補助吸引機構８の吸引量はガス供給量に比べて十分小さいものとすることが可能であり、例えばガス供給量の１０％以下とすることが可能である。これにより、補助吸引機構８によって微粒子流ｆを吸引する構成に比べ、ガス供給量を低減することが可能である。   The auxiliary suction mechanism 8 may be operated continuously during film formation. In this case, suction by the auxiliary suction mechanism 8 can be started at the stage of film formation preparation described above. In the gas deposition apparatus 1 according to the present embodiment, almost all of the fine particle flow f generated during film formation flows into the transport pipe 4, and almost all of the fine particle flow f is sucked into the suction mechanism 7 when film formation is stopped. Is done. Unlike the configuration in which the gas deposition apparatus 1 mainly sucks the particulate flow f by the auxiliary suction mechanism 8 when the film formation is stopped, the suction amount of the auxiliary suction mechanism 8 can be made sufficiently smaller than the gas supply amount. For example, it may be 10% or less of the gas supply amount. Thereby, it is possible to reduce the gas supply amount as compared with the configuration in which the fine particle flow f is sucked by the auxiliary suction mechanism 8.

上述の例において補助吸引機構８を動作させた場合、成膜時（deposition on)では図６（Ａ）に示すように、ガス供給流量をＸ＋α（Ｌ／ｍｉｎ）、搬送管４に流入するガス流量をＸ（Ｌ／ｍｉｎ）、補助吸引機構８による吸引量をα（Ｌ／ｍｉｎ）とすることが可能である。また、成膜停止時（deposition off)では図６（Ｂ）に示すように、ガス供給流量をＸ＋α（Ｌ／ｍｉｎ）、搬送管４に流入するガス流量をＹ（Ｌ／ｍｉｎ）、吸引口１８に吸引されるガス流量をＸ＋α−Ｙ（Ｌ／ｍｉｎ）、補助吸引機構８による吸引量をα（Ｌ／ｍｉｎ）とすることができる。なお、補助吸引機構８は成膜中連続して動作させる場合に限られず、遷移時、あるいは遷移時後に短時間動作させてもよい。補助吸引機構８による吸引量αは例えば１Ｌ／ｍｉｎとすることが可能である。   When the auxiliary suction mechanism 8 is operated in the above-described example, the gas supply flow rate is X + α (L / min) and the gas flowing into the transfer tube 4 at the time of film formation (deposition on), as shown in FIG. It is possible to set the flow rate to X (L / min) and the suction amount by the auxiliary suction mechanism 8 to α (L / min). When the film formation is stopped (deposition off), as shown in FIG. 6B, the gas supply flow rate is X + α (L / min), the gas flow rate flowing into the transfer tube 4 is Y (L / min), and the suction port The gas flow rate drawn to 18 can be set to X + α−Y (L / min), and the suction amount by the auxiliary suction mechanism 8 can be set to α (L / min). The auxiliary suction mechanism 8 is not limited to being operated continuously during film formation, and may be operated for a short time at or after the transition. The suction amount α by the auxiliary suction mechanism 8 can be set to 1 L / min, for example.

以上、本実施形態に係るガスデポジション装置１によるガスデポジション方法について説明した。ガス供給量が低減される理由について以下で説明する。
図７は比較例としてのガスデポジション装置の微粒子生成室のガスフローを説明する図である。図７（Ａ）は成膜時、図７（Ｂ）は成膜停止時を示す。 The gas deposition method by the gas deposition apparatus 1 according to this embodiment has been described above. The reason why the gas supply amount is reduced will be described below.
FIG. 7 is a view for explaining the gas flow in the particulate generation chamber of a gas deposition apparatus as a comparative example. FIG. 7A shows the film formation, and FIG. 7B shows the film formation stop.

一般的なガスデポジション装置において、成膜停止時に搬送管からの微粒子の噴出を停止するためには、例えばバルブ等により搬送管を遮断することが考えられる。しかし、搬送管が遮断されることにより、搬送管を流れるガス流が停止し搬送管内に微粒子が付着、凝集するおそれがある。また、微粒子生成室へのガス供給を停止するとしても、微粒子生成室の圧力が変動し、微粒子生成条件が変化するため好ましくない。   In a general gas deposition apparatus, in order to stop the ejection of fine particles from the transport pipe when the film formation is stopped, it is conceivable to shut off the transport pipe with a valve or the like, for example. However, when the transport pipe is shut off, the gas flow flowing through the transport pipe may stop, and the fine particles may adhere and aggregate in the transport pipe. Even if the gas supply to the fine particle production chamber is stopped, the pressure in the fine particle production chamber fluctuates and the fine particle production conditions change, which is not preferable.

このため、成膜停止時においても搬送管内にガスを流通させることが考えられる。この場合、成膜停止時において搬送管への微粒子の流入を防止する必要があり、例えば生成される微粒子を別途吸引することが考えられる。しかしながら、この場合、成膜停止時において、搬送管に流入するガス流量に加え、微粒子の吸引に要するガス流量が必要となる。この微粒子の吸引に要するガス流量は、搬送管への微粒子の流入を阻止する必要があるため、搬送管へのガス流量の数倍のガス流量が必要である。一方、微粒子生成室の圧力を維持するためには、これらの和に相当するガス流量を供給する必要がある。このため、特にノズルの開口径が大きい場合、即ち搬送管を流通するガス流量が多い場合、成膜停止時において必要なガス供給量も増大する。   For this reason, it is conceivable that the gas is circulated in the transport pipe even when the film formation is stopped. In this case, it is necessary to prevent the inflow of fine particles into the transfer tube when the film formation is stopped. For example, it is conceivable to suck the generated fine particles separately. However, in this case, when the film formation is stopped, in addition to the gas flow rate flowing into the transfer pipe, the gas flow rate required for suction of the fine particles is required. The gas flow rate required for the suction of the fine particles needs to prevent the inflow of the fine particles into the transfer tube, and therefore requires a gas flow rate several times the gas flow rate to the transfer tube. On the other hand, in order to maintain the pressure in the fine particle production chamber, it is necessary to supply a gas flow rate corresponding to the sum of these. For this reason, especially when the opening diameter of the nozzle is large, that is, when the flow rate of gas flowing through the transport pipe is large, the amount of gas supply required when the film formation is stopped also increases.

例えば、図７に示す比較例では、図７（Ａ）に示す成膜時（deposition on)においては、必要なガス供給量Ｘ（Ｌ／ｍｉｎ）は搬送管に流入するガス流量Ｘ（Ｌ／ｍｉｎ）と同量である。一方、図７（Ｂ）に示す成膜停止時（deposition off)においては、必要なガス供給量４Ｘ（Ｌ／ｍｉｎ）は、搬送管に流入するガス流量Ｘ（Ｌ／ｍｉｎ）と微粒子の除去に要するガス流量の３Ｘ（Ｌ／ｍｉｎ）の和である。搬送管に流入するガス流量が多い場合、ガス供給量も多量に必要である。   For example, in the comparative example shown in FIG. 7, during the deposition (deposition on) shown in FIG. 7A, the required gas supply amount X (L / min) is equal to the gas flow rate X (L / L) flowing into the transfer pipe. min). On the other hand, when the film formation is stopped (deposition off) shown in FIG. 7B, the required gas supply amount 4X (L / min) is equal to the gas flow rate X (L / min) flowing into the transfer pipe and the removal of fine particles. Is the sum of 3X (L / min) of the gas flow rate required for. When the flow rate of gas flowing into the transfer pipe is large, a large amount of gas supply is required.

これに対し、本実施形態にかかるガスデポジション装置１によるガスデポジション方法では、成膜停止時において可動部材１５により搬送管４へ流入するガス流量を成膜時に対して低減させる。また、同時に吸引口１８により微粒子流ｆの経路上で、低減されたガス流量に相当するガス流量を吸引する。これにより、微粒子を滞留させることなく除去し、かつ、微粒子生成室２の圧力を維持することが可能である。即ち、成膜停止時において微粒子を排出するために必要なガス流量を、成膜時において搬送管４を流通させるのに必要となるガス流量の一部を流用することにより確保するため、微粒子を排出するためのガス流量を別途供給する必要はなく、ガス供給流量を低減することが可能である。   On the other hand, in the gas deposition method by the gas deposition apparatus 1 according to the present embodiment, the flow rate of the gas flowing into the transport pipe 4 by the movable member 15 when the film formation is stopped is reduced compared to the film formation time. At the same time, the suction port 18 sucks a gas flow rate corresponding to the reduced gas flow rate on the path of the particulate flow f. Thereby, it is possible to remove the fine particles without retaining them and to maintain the pressure in the fine particle generation chamber 2. That is, in order to secure the gas flow rate necessary for discharging the fine particles when the film formation is stopped by diverting a part of the gas flow rate necessary for circulating the transport pipe 4 during the film formation, There is no need to separately supply a gas flow rate for discharge, and the gas supply flow rate can be reduced.

例えば、図５に示したように、本実施形態に係るガスデポジション装置１では、成膜時（deposition on)においては、必要なガス供給量Ｘ（Ｌ／ｍｉｎ）は搬送管４に流入するガス流量Ｘ（Ｌ／ｍｉｎ）と同量である。また、成膜停止時（deposition off)においては、必要となるガス供給量は搬送管４に流入するガス流量Ｙ（Ｌ／ｍｉｎ）と微粒子の除去に要するガス流量の（Ｘ−Ｙ）Ｌ／ｍｉｎの和であるＸ（Ｌ／ｍｉｎ）であり、比較例の場合と比べて低減することが可能である。   For example, as shown in FIG. 5, in the gas deposition apparatus 1 according to the present embodiment, the necessary gas supply amount X (L / min) flows into the transfer pipe 4 during the deposition (deposition on). It is the same amount as the gas flow rate X (L / min). When the deposition is stopped (deposition off), the required gas supply amount is the gas flow rate Y (L / min) flowing into the transfer tube 4 and the gas flow rate (XY) L / X (L / min), which is the sum of min, can be reduced as compared with the comparative example.

具体的には、上述のように、搬送管のノズルが内径１ｍｍの丸型ノズルであり、圧力差１気圧において搬送管に流入するガス流量（Ｘ）は１０Ｌ／ｍｉｎである。比較例の場合、成膜停止時に必要なガス供給量（４Ｘ）は４０Ｌ／ｍｉｎであるのに対し、本実施形態の場合は１０Ｌ／ｍｉｎであり、即ち、ガス供給量を３０Ｌ／ｍｉｎ低減することが可能である。また搬送管のノズルが流路のスリット幅０．３ｍｍ、スリット長さ３０ｍｍのスリット型ノズルであり、Ｎ２ガス使用時に、圧力差１気圧において搬送管に流入するガス流量（Ｘ）は１２０Ｌ／ｍｉｎである。比較例の場合、成膜停止時に必要なガス供給量（４Ｘ）は４８０Ｌ／ｍｉｎであるのに対し、本実施形態の場合は１２０Ｌ／ｍｉｎであり、即ち、ガス供給量を３６０Ｌ／ｍｉｎ低減することが可能である。このように、特にノズルの開口径が大きい場合、即ち搬送管を流通するガス流量が多い場合、必要なガス供給量を大幅に低減することが可能である。 Specifically, as described above, the nozzle of the transport pipe is a round nozzle having an inner diameter of 1 mm, and the gas flow rate (X) flowing into the transport pipe at a pressure difference of 1 atm is 10 L / min. In the case of the comparative example, the gas supply amount (4X) required when the film formation is stopped is 40 L / min, whereas in the present embodiment, it is 10 L / min, that is, the gas supply amount is reduced by 30 L / min. It is possible. Further, the nozzle of the transport pipe is a slit type nozzle having a slit width of 0.3 mm and a slit length of 30 mm. When N 2 gas is used, the gas flow rate (X) flowing into the transport pipe at a pressure difference of 1 atm is 120 L / min. In the case of the comparative example, the gas supply amount (4X) required when the film formation is stopped is 480 L / min, whereas in the present embodiment, it is 120 L / min, that is, the gas supply amount is reduced by 360 L / min. It is possible. Thus, particularly when the nozzle opening diameter is large, that is, when the flow rate of gas flowing through the transport pipe is large, it is possible to greatly reduce the necessary gas supply amount.

本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において変更され得る。   The present invention is not limited only to the above-described embodiment, and can be changed within a range not departing from the gist of the present invention.

上述の実施形態では、搬送管４の第１の開口４ｃは鉛直下方に向けて斜めになるように形成されているものとしたが、これに限られず、ガス規制機構６の可動部材１５と嵌合することにより第１の開口４ｃに流入するガスのコンダクタンスを可変できる構成であればよい。例えば、第１の開口４は、第１の端部４ａに搬送管４の長手方向に沿って形成されたスリット状とすることもできる。   In the above-described embodiment, the first opening 4c of the transport pipe 4 is formed so as to be inclined downward in the vertical direction. However, the first opening 4c is not limited to this, and is fitted to the movable member 15 of the gas regulating mechanism 6. Any structure that can vary the conductance of the gas flowing into the first opening 4c by combining them may be used. For example, the 1st opening 4 can also be made into the slit shape formed along the longitudinal direction of the conveyance pipe 4 in the 1st edge part 4a.

１ ガスデポジション装置
２ 微粒子生成室
３ 成膜室
４ 搬送管
４ａ 第１の端部
４ｂ 第２の端部
４ｃ 第１の開口
４ｄ 第２の開口
５ ガス導入系
６ ガス規制機構
７ 吸引機構
８ 補助吸引機構
１０ 蒸発源
１５ 可動部材
１７ 駆動源
１８ 吸引口
ｓ 成膜対象物
ｆ 微粒子流
ｍ 成膜材料 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gas deposition apparatus 2 Fine particle production | generation chamber 3 Film-forming chamber 4 Transfer pipe 4a 1st edge part 4b 2nd edge part 4c 1st opening 4d 2nd opening 5 Gas introduction system 6 Gas control mechanism 7 Suction mechanism 8 Auxiliary suction mechanism 10 Evaporation source 15 Movable member 17 Drive source 18 Suction port s Deposition target f Fine particle flow m Deposition material

Claims (7)

成膜材料を蒸発させる蒸発源を含む微粒子生成室と、
成膜対象物を収容する真空排気可能な成膜室と、
前記微粒子生成室にガスを導入するガス導入系と、
前記微粒子生成室に臨み前記蒸発源の鉛直上方に位置する第１の開口を有する第１の端部と、前記成膜室に臨む第２の開口を有する第２の端部とを有する搬送管と、
前記第１の端部に嵌合することで前記第１の開口に流入するガスの流路を制限する第１の位置と前記第１の端部に嵌合しない第２の位置とのいずれかをとる可動部材と、前記可動部材を前記第１の位置と前記第２の位置の間で移動させる駆動源とを有するガス規制機構と、
前記可動部材が前記第１の位置にある場合に前記蒸発源と前記第１の開口との間にある第３の位置に位置し、前記可動部材が前記第２の位置にある場合に前記第３の位置と異なる第４の位置に位置する吸引口を有し、前記吸引口が前記第３の位置にある場合に前記ガスを吸引し、前記吸引口が前記第４の位置にある場合に前記ガスの吸引を停止する吸引機構と
を具備するガスデポジション装置。 A fine particle generation chamber including an evaporation source for evaporating the film forming material;
A film forming chamber capable of evacuating the film to be formed;
A gas introduction system for introducing gas into the fine particle generation chamber;
A transfer tube having a first end having a first opening facing the fine particle generation chamber and positioned vertically above the evaporation source, and a second end having a second opening facing the film formation chamber When,
Either the first position that restricts the flow path of the gas flowing into the first opening by being fitted to the first end, or the second position that is not fitted to the first end. A gas regulating mechanism having a movable member that takes the following relationship; and a drive source that moves the movable member between the first position and the second position;
When the movable member is at the first position, the movable member is located at a third position between the evaporation source and the first opening, and when the movable member is at the second position, A suction port located at a fourth position different from the position of 3, wherein the gas is sucked when the suction port is at the third position, and the suction port is at the fourth position A gas deposition apparatus comprising: a suction mechanism that stops suction of the gas. 請求項１に記載のガスデポジション装置であって、
前記搬送管は、前記第１の端部が水平方向に延び、
前記可動部材は、前記第１の位置から前記第２の位置へ、及び前記第２の位置から前記第１の位置へ水平方向に移動する
ガスデポジション装置。 The gas deposition apparatus according to claim 1,
The transport pipe has the first end portion extending in a horizontal direction,
The movable member moves in a horizontal direction from the first position to the second position and from the second position to the first position. 請求項２に記載のガスデポジション装置であって、
前記吸引口は前記可動部材に固定されている
ガスデポジション装置。 The gas deposition apparatus according to claim 2,
The suction port is fixed to the movable member. 請求項３に記載のガスデポジション装置であって、
前記第２の端部はスリット型ノズルである
ガスデポジション装置。 The gas deposition apparatus according to claim 3, wherein
The second end portion is a slit type nozzle. 請求項１に記載のガスデポジション装置であって、
前記第１の開口の鉛直上方に設けられ、前記吸引口が前記第３の位置にある場合に前記吸引機構が吸引する前記ガスの流量より小さい流量の前記ガスを常時吸引する補助吸引機構をさらに具備する
ガスデポジション装置。 The gas deposition apparatus according to claim 1,
An auxiliary suction mechanism that is provided vertically above the first opening and that constantly sucks the gas at a flow rate smaller than the flow rate of the gas sucked by the suction mechanism when the suction port is at the third position; A gas deposition device. 微粒子生成室にガスを導入して成膜室と前記微粒子生成室の間に差圧を形成し、
前記微粒子生成室内に配置された蒸発源によって成膜材料を蒸発させて前記成膜材料の微粒子を生成させ、
搬送管の前記微粒子生成室に臨む第１の開口から前記搬送管の前記成膜室に臨む第２の開口にガスを流通させることで、前記成膜室内に設置された成膜対象物に前記微粒子を堆積させ、
可動部材を前記搬送管に嵌合させて前記第１の開口に流入する前記ガスの流路を制限し、前記蒸発源から前記第１の開口へ向かう前記ガスを吸引機構によって吸引することで堆積を停止させる
ガスデポジション方法。 A gas is introduced into the particle generation chamber to form a differential pressure between the film formation chamber and the particle generation chamber,
The film forming material is evaporated by an evaporation source disposed in the fine particle generation chamber to generate the film forming material fine particles,
By flowing gas from the first opening facing the fine particle generation chamber of the transfer pipe to the second opening facing the film forming chamber of the transfer pipe, the film-forming object installed in the film formation chamber Deposit fine particles,
Deposition is performed by fitting a movable member to the transport pipe to restrict the flow path of the gas flowing into the first opening and sucking the gas from the evaporation source toward the first opening by a suction mechanism. Stop the gas deposition method. 請求項６に記載のガスデポジション方法であって、
前記堆積を停止させる工程では、前記第１の開口への流入を制限された前記ガスと同流量の前記ガスを前記吸引機構によって吸引する
ガスデポジション方法。 A gas deposition method according to claim 6, wherein
In the step of stopping the deposition, the gas having the same flow rate as the gas restricted to flow into the first opening is sucked by the suction mechanism.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013172403A1 (en) * 2012-05-16 2013-11-21 東京エレクトロン株式会社 Film-formation device and film-formation method
WO2014077410A1 (en) * 2012-11-19 2014-05-22 田中貴金属工業株式会社 Method and device for producing silver-containing layer, silver-containing layer, and sliding contact material using silver-containing layer
US9725814B2 (en) 2012-01-10 2017-08-08 Jx Nippon Mining & Metals Corporation High purity manganese and method for producing same
KR20190139073A (en) * 2018-06-07 2019-12-17 엘지전자 주식회사 Deposition apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0544019A (en) * 1991-08-07 1993-02-23 Vacuum Metallurgical Co Ltd Method and device for forming film by gas deposition
JPH08209330A (en) * 1995-02-06 1996-08-13 Vacuum Metallurgical Co Ltd Pattern formation of conductive metal thick film
JP2000256834A (en) * 1999-03-10 2000-09-19 Canon Inc Device and method for gas deposition
JP2000256876A (en) * 1999-03-10 2000-09-19 Canon Inc Gas deposition apparatus and method therefor
JP2004158268A (en) * 2002-11-06 2004-06-03 Sony Corp Film forming device
JP2007063615A (en) * 2005-08-31 2007-03-15 Fuchita Nano Giken:Kk Method for forming lithium or lithium alloy thin film

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0544019A (en) * 1991-08-07 1993-02-23 Vacuum Metallurgical Co Ltd Method and device for forming film by gas deposition
JPH08209330A (en) * 1995-02-06 1996-08-13 Vacuum Metallurgical Co Ltd Pattern formation of conductive metal thick film
JP2000256834A (en) * 1999-03-10 2000-09-19 Canon Inc Device and method for gas deposition
JP2000256876A (en) * 1999-03-10 2000-09-19 Canon Inc Gas deposition apparatus and method therefor
JP2004158268A (en) * 2002-11-06 2004-06-03 Sony Corp Film forming device
JP2007063615A (en) * 2005-08-31 2007-03-15 Fuchita Nano Giken:Kk Method for forming lithium or lithium alloy thin film

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9725814B2 (en) 2012-01-10 2017-08-08 Jx Nippon Mining & Metals Corporation High purity manganese and method for producing same
WO2013172403A1 (en) * 2012-05-16 2013-11-21 東京エレクトロン株式会社 Film-formation device and film-formation method
JP2013237024A (en) * 2012-05-16 2013-11-28 Tokyo Electron Ltd Film-formation device and film-formation method
WO2014077410A1 (en) * 2012-11-19 2014-05-22 田中貴金属工業株式会社 Method and device for producing silver-containing layer, silver-containing layer, and sliding contact material using silver-containing layer
CN104797735A (en) * 2012-11-19 2015-07-22 田中贵金属工业株式会社 Method and device for producing silver-containing layer, silver-containing layer, and sliding contact material using silver-containing layer
JP5914693B2 (en) * 2012-11-19 2016-05-11 田中貴金属工業株式会社 Ag-containing layer and sliding contact material having Ag-containing layer
JPWO2014077410A1 (en) * 2012-11-19 2017-01-05 田中貴金属工業株式会社 Ag-containing layer and sliding contact material having Ag-containing layer
CN104797735B (en) * 2012-11-19 2018-02-09 田中贵金属工业株式会社 The manufacture method of including ag layers, its device, including ag layers and the sliding contact material using the including ag layers
KR20190139073A (en) * 2018-06-07 2019-12-17 엘지전자 주식회사 Deposition apparatus
KR102626454B1 (en) 2018-06-07 2024-01-19 엘지전자 주식회사 Deposition apparatus

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