JP2010192826A - Donor substrate and method of manufacturing display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a donor substrate which is easily brought into contact with a substrate to be transferred without using a vacuum device to thereby reduce the pressure in the inner space between the donor substrate and the substrate to be transferred, and to provide a method of manufacturing a display device using the same. <P>SOLUTION: In a base 41 of the donor substrate 40, a through-hole 45 is formed from a surface opposed to the substrate 11A to be transferred to an opposite-side surface. The donor substrate 40 and the substrate 11A to be transferred are put one over the other, and mounted on a stage 60. The pressure in a recessed part 61 is reduced by evacuation through a suction hole 62 and an inner passage 63 to thereby suck the donor substrate 40 to the stage 60. Simultaneously, the pressure in the inner space S between the donor substrate 40 and the substrate 11A to be transferred is reduced through the through-hole 45. Thus, the pressure in the inner space S is easily reduced under atmospheric pressure to easily bring the donor substrate 40 and the substrate 11A to be transferred into close contact with each other, which is very advantageous when the substrate 11A is made large-sized. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機発光素子の発光層を転写法により形成するためのドナー基板およびこれを用いた表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a donor substrate for forming a light emitting layer of an organic light emitting element by a transfer method and a method for manufacturing a display device using the donor substrate.

近年、次世代の表示装置が盛んに開発されており、駆動用基板に、第１電極、発光層を含む複数の有機層および第２電極を順に積層した有機発光素子（有機ＥＬ（Electroluminescence ）素子）を用いた有機発光表示装置が注目されている。有機発光表示装置は、自発光型であるので視野角が広く、バックライトを必要としないので省電力が期待でき、応答性が高く、装置の厚みを薄くできるなどの特徴を有している。そのため、テレビ等の大画面表示装置への応用が強く望まれている。   2. Description of the Related Art In recent years, next-generation display devices have been actively developed, and an organic light-emitting element (organic EL (Electroluminescence) element) in which a first electrode, a plurality of organic layers including a light-emitting layer, and a second electrode are sequentially stacked on a driving substrate. An organic light emitting display device using the above has attracted attention. Since the organic light emitting display device is a self-luminous type, it has a wide viewing angle and does not require a backlight, so that it can be expected to save power, has high responsiveness, and can reduce the thickness of the device. Therefore, application to a large screen display device such as a television is strongly desired.

このような有機発光表示装置の大型化や生産性向上のため、更に大型のマザーガラスの使用が検討されている。その際、一般的なメタルマスクを用いた発光層の形成方法では、金属シートに開口パターンを設けたメタルマスクを介して発光材料を蒸着または塗布することによりＲ，Ｇ，Ｂの発光層をパターニングするようにしているので、大型基板に対応してメタルマスクも大型化する必要がある。   In order to increase the size and productivity of such an organic light emitting display device, the use of a larger mother glass is being studied. At that time, in a method for forming a light emitting layer using a general metal mask, a light emitting material is deposited or applied through a metal mask having an opening pattern on a metal sheet, thereby patterning the R, G, and B light emitting layers. Therefore, it is necessary to enlarge the metal mask corresponding to the large substrate.

しかしながら、メタルマスクの大型化により、マスクの自重によるたわみ、搬送の煩雑さが顕著になり、また、マスクと駆動用基板とのアライメントが難しくなる。そのため、開口率を十分に大きくすることができず、結果的に素子特性も落ちてしまう。   However, due to the increase in size of the metal mask, the deflection due to the weight of the mask and the complexity of the conveyance become remarkable, and the alignment between the mask and the driving substrate becomes difficult. For this reason, the aperture ratio cannot be sufficiently increased, and as a result, the device characteristics also deteriorate.

そこで、メタルマスクを必要としないパターニング技術として、レーザなどの輻射線を用いた転写法がある。転写法は、ガラス等の基材に発光材料を含む転写層を形成したドナー基板を形成し、このドナー基板を、有機発光素子を形成するための被転写基板に対向配置し、減圧環境下で輻射線を照射することにより転写層を被転写基板に転写する方法である。   Therefore, as a patterning technique that does not require a metal mask, there is a transfer method using radiation such as a laser. In the transfer method, a donor substrate in which a transfer layer containing a luminescent material is formed on a base material such as glass is formed, and this donor substrate is placed opposite to a transfer target substrate for forming an organic light emitting element, under a reduced pressure environment. In this method, a transfer layer is transferred to a transfer substrate by irradiating radiation.

転写法では、ドナー基板と被転写基板との間の内部空間に酸素や水分が残留しないようにするため、この内部空間を減圧する必要がある。そのため、従来では、例えば、真空雰囲気でドナー基板と被転写基板とを重ね合わせた後、大気中に搬出して輻射線の照射を行うようにしている（例えば、特許文献１参照。）。   In the transfer method, it is necessary to decompress the internal space so that oxygen and moisture do not remain in the internal space between the donor substrate and the transfer target substrate. Therefore, conventionally, for example, after a donor substrate and a substrate to be transferred are overlapped in a vacuum atmosphere, the donor substrate is carried out to the atmosphere and irradiated with radiation (for example, refer to Patent Document 1).

特開２００８−５９９６１号公報JP 2008-59961 A

しかしながら、この従来方法では、重ね合わせのために真空装置が必要となるので、設備コストを考慮すると更に改善の余地があった。   However, this conventional method requires a vacuum device for superposition, so there is room for further improvement in consideration of equipment costs.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、真空装置を用いることなく、容易に被転写基板に密着させ、ドナー基板と被転写基板との間の内部空間を減圧することが可能なドナー基板およびこれを用いた表示装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and its purpose is to make the inner space between the donor substrate and the transferred substrate depressurized easily without using a vacuum apparatus. An object of the present invention is to provide a donor substrate that can be used and a method for manufacturing a display device using the same.

本発明によるドナー基板は、発光材料を含む転写層を形成し、前記転写層を被転写基板に対向配置して、転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成するためのものであって、平面形状が矩形である平板の基体と、基体の被転写基板との対向面から反対側の面まで設けられた貫通孔とを備えたものである。   The donor substrate according to the present invention forms a light emitting layer by forming a transfer layer containing a light emitting material, placing the transfer layer opposite to the substrate to be transferred, and sublimating or vaporizing the transfer layer to transfer it to the substrate to be transferred. For this purpose, a flat substrate having a rectangular planar shape and a through-hole provided from the surface of the substrate facing the substrate to be transferred to the surface on the opposite side are provided.

本発明による表示装置の製造方法は、駆動用基板に、第１電極、前記第１電極に対応して開口部を有する絶縁層、発光層を含む複数の有機層、および第２電極を順に有する有機発光素子を形成する表示装置を製造するものであって、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を含むものである。
（Ａ）駆動用基板に、第１電極、絶縁層、および複数の有機層の一部を形成し、被転写基板を形成する工程
（Ｂ）平面形状が矩形である平板の基体と、基体の被転写基板との対向面から反対側の面まで設けられた貫通孔とを備えたドナー基板を用い、ドナー基板に発光材料を含む転写層を形成し、ドナー基板および被転写基板を、被転写基板の第１電極側に転写層を対向させて重ね合わせる工程
（Ｃ）ドナー基板および被転写基板をステージに載置し、貫通孔を用いてドナー基板と被転写基板との間の内部空間を減圧する工程
（Ｄ）転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成する工程
（Ｅ）複数の有機層の残部および第２電極を形成する工程と A method for manufacturing a display device according to the present invention includes a driving substrate having a first electrode, an insulating layer having an opening corresponding to the first electrode, a plurality of organic layers including a light emitting layer, and a second electrode in order. A display device for forming an organic light-emitting element is manufactured, and includes the following steps (A) to (E).
(A) Forming a part of the first electrode, the insulating layer, and the plurality of organic layers on the driving substrate to form a transfer substrate (B) A flat substrate having a rectangular planar shape, Using a donor substrate having a through hole provided from the surface facing the transfer substrate to the opposite surface, a transfer layer containing a luminescent material is formed on the donor substrate, and the donor substrate and the transfer substrate are transferred. A step of superimposing the transfer layer facing the first electrode side of the substrate (C) The donor substrate and the transfer substrate are placed on the stage, and an internal space between the donor substrate and the transfer substrate is formed using the through hole. A step of reducing pressure (D) a step of forming a light emitting layer by sublimating or vaporizing the transfer layer and transferring it to a substrate to be transferred (E) a step of forming the remainder of the plurality of organic layers and the second electrode;

本発明のドナー基板では、基体の被転写基板との対向面から反対側の面まで貫通孔が設けられているので、この貫通孔を介して、ドナー基板と被転写基板との間の内部空間が減圧される。   In the donor substrate of the present invention, a through hole is provided from the surface of the substrate facing the transfer substrate to the opposite surface, so that the internal space between the donor substrate and the transfer substrate through the through hole. Is depressurized.

本発明のドナー基板によれば、基体の被転写基板との対向面から反対側の面まで貫通孔を設けるようにしたので、容易にドナー基板を被転写基板に密着させ、ドナー基板と被転写基板との間の内部空間を減圧することが可能となる。よって、このドナー基板を用いて表示装置を製造すれば、ドナー基板と被転写基板との重ね合わせのための真空装置が不要となり、設備コストの低減が可能となる。   According to the donor substrate of the present invention, since the through hole is provided from the surface facing the substrate to be transferred to the surface opposite to the substrate, the donor substrate is easily brought into close contact with the substrate to be transferred, and the donor substrate and the substrate to be transferred are transferred. The internal space between the substrate and the substrate can be decompressed. Therefore, when a display device is manufactured using this donor substrate, a vacuum device for superimposing the donor substrate and the transfer target substrate is not necessary, and the equipment cost can be reduced.

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。It is a figure showing the structure of the display apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the pixel drive circuit shown in FIG. 図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the structure of the display area shown in FIG. 図３に示した絶縁層の構成を表す平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing showing the structure of the insulating layer shown in FIG. 図３に示した絶縁層の他の構成を表す平面図および断面図である。FIG. 4 is a plan view and a cross-sectional view illustrating another configuration of the insulating layer illustrated in FIG. 3. 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 1 in order of steps. 図６に示した被転写基板の全体構成を表す平面図である。It is a top view showing the whole structure of the to-be-transferred substrate shown in FIG. 図１に示した表示装置の製造方法に用いるドナー基板の構成を表す平面図である。It is a top view showing the structure of the donor substrate used for the manufacturing method of the display apparatus shown in FIG. 図６に続く工程を表す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 6. 図９に続く工程を表す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 9. 図１０に続く工程を表す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 10. 図１１に続く工程を表す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 11. 図１２に続く工程を表す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 12. 図８に示したドナー基板の変形例を表す平面図である。It is a top view showing the modification of the donor substrate shown in FIG. 変形例に係るドナー基板の構成を表す平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing showing the structure of the donor substrate which concerns on a modification. 図１４に示したドナー基板を用いた転写工程を表す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a transfer process using the donor substrate illustrated in FIG. 14. 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。It is a top view showing schematic structure of the module containing the display apparatus of the said embodiment. 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the application example 1 of the display apparatus of the said embodiment. （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。(A) is a perspective view showing the external appearance seen from the front side of the application example 2, (B) is a perspective view showing the external appearance seen from the back side. 適用例３の外観を表す斜視図である。12 is a perspective view illustrating an appearance of application example 3. FIG. 適用例４の外観を表す斜視図である。14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 4. FIG. （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。(A) is a front view of the application example 5 in an open state, (B) is a side view thereof, (C) is a front view in a closed state, (D) is a left side view, and (E) is a right side view, (F) is a top view and (G) is a bottom view. 図３に示した表示領域の他の構成を表す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating another configuration of the display area illustrated in FIG. 3.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
２．変形例 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The description will be given in the following order.
1. Embodiment 2. FIG. Modified example

＜実施の形態＞
（表示装置）
図１は、本発明の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラー表示装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスよりなる駆動用基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置された表示領域１１０が形成されたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されている。 <Embodiment>
(Display device)
FIG. 1 shows a configuration of a display device according to an embodiment of the present invention. This display device is used as an ultra-thin organic light emitting color display device or the like. For example, a plurality of organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B described later are arranged in a matrix on a driving substrate 11 made of glass. The arranged display area 110 is formed. Around the display area 110, a signal line driver circuit 120 and a scanning line driver circuit 130, which are drivers for displaying images, are formed.

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。   A pixel drive circuit 140 is formed in the display area 110. FIG. 2 illustrates an example of the pixel driving circuit 140. The pixel driving circuit 140 is formed below the first electrode 13 to be described later, and includes a driving transistor Tr1 and a writing transistor Tr2, a capacitor (holding capacitor) Cs therebetween, a first power supply line (Vcc), and a second power source line (Vcc). This is an active drive circuit having an organic light emitting element 10R (or 10G, 10B) connected in series to the drive transistor Tr1 between power supply lines (GND). The drive transistor Tr1 and the write transistor Tr2 are configured by a general thin film transistor (TFT), and the configuration may be, for example, an inverted staggered structure (so-called bottom gate type) or a staggered structure (top gate type). There is no particular limitation.

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。   In the pixel driving circuit 140, a plurality of signal lines 120A are arranged in the column direction, and a plurality of scanning lines 130A are arranged in the row direction. An intersection between each signal line 120A and each scanning line 130A corresponds to one of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B (sub pixel). Each signal line 120A is connected to the signal line drive circuit 120, and an image signal is supplied from the signal line drive circuit 120 to the source electrode of the write transistor Tr2 via the signal line 120A. Each scanning line 130A is connected to the scanning line driving circuit 130, and a scanning signal is sequentially supplied from the scanning line driving circuit 130 to the gate electrode of the writing transistor Tr2 via the scanning line 130A.

図３は、表示領域１１０の断面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは長方形の平面形状を有し、各色別に長手方向（列方向）に配列されている。なお、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。画素ピッチは例えば３００μｍである。   FIG. 3 illustrates an example of a cross-sectional configuration of the display area 110. In the display area 110, an organic light emitting element 10R that generates red light, an organic light emitting element 10G that generates green light, and an organic light emitting element 10B that generates blue light are sequentially formed in a matrix. Has been. The organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B have a rectangular planar shape, and are arranged in the longitudinal direction (column direction) for each color. Note that a combination of adjacent organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B constitutes one pixel. The pixel pitch is, for example, 300 μm.

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、駆動用基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタ（図示せず）および平坦化絶縁膜（図示せず）を間にして、陽極としての第１電極１３、絶縁層１４、後述する赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。   The organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B are respectively anodes from the side of the driving substrate 11 with the driving transistor (not shown) and the planarization insulating film (not shown) of the pixel driving circuit 140 described above in between. The first electrode 13 as an insulating layer, the insulating layer 14, an organic layer 15 including a red light emitting layer 15CR, a green light emitting layer 15CG, or a blue light emitting layer 15CB, which will be described later, and a second electrode 16 as a cathode are stacked in this order. is doing.

このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。   Such organic light-emitting elements 10R, 10G, and 10B are covered with a protective film 17 such as silicon nitride (SiNx), and further, a sealing substrate 30 made of glass or the like with an adhesive layer 20 in between the protective film 17. Is sealed by being bonded over the entire surface.

第１電極１３は、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）またはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されている。また、第１電極１３は、反射電極により構成してもよい。その場合、第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。例えば、第１電極１３を構成する材料としては、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。   The first electrode 13 is made of, for example, ITO (indium / tin composite oxide) or IZO (indium / zinc composite oxide). Moreover, you may comprise the 1st electrode 13 with a reflective electrode. In that case, the first electrode 13 has a thickness of, for example, 100 nm or more and 1000 nm or less, and it is desirable that the first electrode 13 has a reflectivity as high as possible in order to increase luminous efficiency. For example, the material constituting the first electrode 13 is a metal such as chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), tungsten (W), or silver (Ag). An elemental element or an alloy is mentioned.

絶縁層１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば厚みが２μｍ程度であり、酸化シリコンまたはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。絶縁層１４には、第１電極１３に対応して開口部１４Ａが設けられており、第１電極１３の開口部１４Ａ内の領域が発光領域となっている。なお、有機層１５および第２電極１６は、開口部１４Ａだけでなく絶縁層１４の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは絶縁層１４の開口部１４Ａだけである。   The insulating layer 14 is for ensuring the insulation between the first electrode 13 and the second electrode 16 and for accurately forming the light emitting region in a desired shape. For example, the insulating layer 14 has a thickness of about 2 μm and is made of silicon oxide or polyimide. It is comprised with photosensitive resin. The insulating layer 14 is provided with an opening 14A corresponding to the first electrode 13, and a region in the opening 14A of the first electrode 13 is a light emitting region. The organic layer 15 and the second electrode 16 may be continuously provided not only on the opening 14A but also on the insulating layer 14, but light emission occurs only in the opening 14A of the insulating layer 14. is there.

図４および図５は、絶縁層１４の平面形状の例を表したものである。絶縁層１４は、例えば格子状に設けられている。絶縁層１４の対向する二辺（例えば短辺の中央）には、図４に示したような凸部１４Ｂ、または図５に示したような凹部１４Ｃが設けられている。この凸部１４Ｂまたは凹部１４Ｃは、後述する転写工程においてドナー基板４０と被転写基板１１Ａとの間の内部空間Ｓの減圧を容易にするためのものである。凹部１４Ｃは、開口部１４Ａどうしを連通させるように形成されている。凸部１４Ｂの高さＨＢ、または凹部１４Ｃの深さＨＣは、例えば１μｍ程度とすることができる。凸部１４Ｂは、例えば、絶縁膜１４と同じ材料により構成されている。   4 and 5 show examples of the planar shape of the insulating layer 14. The insulating layer 14 is provided, for example, in a lattice shape. Convex portions 14B as shown in FIG. 4 or concave portions 14C as shown in FIG. 5 are provided on two opposite sides (for example, the center of the short side) of the insulating layer 14. The convex portion 14B or the concave portion 14C is for facilitating the decompression of the internal space S between the donor substrate 40 and the transferred substrate 11A in a transfer process described later. The recess 14C is formed so as to allow the openings 14A to communicate with each other. The height HB of the convex portion 14B or the depth HC of the concave portion 14C can be set to about 1 μm, for example. The convex portion 14B is made of the same material as that of the insulating film 14, for example.

図３に示した有機層１５は、第１電極１３の側から順に、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ，赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢ、並びに電子輸送層および電子注入層１５ＤＥを積層した構成を有するが、これらのうち赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢ以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢへの正孔輸送効率を高めるためのものである。赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ2 Ｏなどにより構成されている。なお、図３では、正孔注入層および正孔輸送層を一層（正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ）、電子輸送層および電子注入層を一層（電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ）として表している。 The organic layer 15 shown in FIG. 3 includes a hole injection layer and a hole transport layer 15AB, a red light emitting layer 15CR, a green light emitting layer 15CG, or a blue light emitting layer 15CB, and an electron transport layer and Although the electron injection layer 15DE is stacked, a layer other than the red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG, and the blue light emitting layer 15CB may be provided as necessary. The organic layer 15 may have a different configuration depending on the emission color of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. The hole injection layer is a buffer layer for improving hole injection efficiency and preventing leakage. The hole transport layer is for increasing the efficiency of hole transport to the red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG, or the blue light emitting layer 15CB. The red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG, or the blue light emitting layer 15CB generates light by recombination of electrons and holes by applying an electric field. The electron transport layer is for increasing the efficiency of electron transport to the red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG, or the blue light emitting layer 15CB. The electron injection layer has a thickness of about 0.3 nm, for example, and is made of LiF, Li 2 O, or the like. In FIG. 3, the hole injection layer and the hole transport layer are one layer (hole injection layer and hole transport layer 15AB), and the electron transport layer and the electron injection layer are one layer (electron transport layer and electron injection layer 15DE). Represents.

有機発光素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの赤色発光層１５ＣＲは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）により構成されている。 The hole injection layer of the organic light emitting device 10R has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm, and 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) or 4, It is composed of 4 ′, 4 ″ -tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine (2-TNATA). The hole transport layer of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of bis [(N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine (α-NPD). The red light emitting layer 15CR of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less, and 2,6≡bis [4′≡methoxydiphenylamino] to 9,10-di- (2-naphthyl) anthracene (ADN). ) Styryl] ≡1,5≡30% by weight of dicyanonaphthalene (BSN). The electron transport layer of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of 5 nm or more and 300 nm or less, and is composed of 8≡hydroxyquinoline aluminum (Alq 3 ).

有機発光素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの緑色発光層１５ＣＧは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。 The hole injection layer of the organic light emitting element 10G has a thickness of 5 nm to 300 nm, for example, and is made of m-MTDATA or 2-TNATA. The hole transport layer of the organic light emitting element 10G has, for example, a thickness of 5 nm or more and 300 nm or less, and is configured by α-NPD. The green light emitting layer 15CG of the organic light emitting element 10G has a thickness of 10 nm to 100 nm, for example, and is configured by mixing 5% by volume of coumarin 6 with ADN. The electron transport layer of the organic light emitting element 10G has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of Alq 3 .

有機発光素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの青色発光層１５ＣＢは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。 The hole injection layer of the organic light emitting element 10B has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of m-MTDATA or 2-TNATA. The hole transport layer of the organic light emitting device 10B has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of α-NPD. The blue light emitting layer 15CB of the organic light emitting element 10B has a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less, and is 4,4′≡bis [2≡ {4≡ (N, N≡diphenylamino) phenyl} vinyl] biphenyl (ADN). DPAVBi) is mixed with 2.5% by weight. The electron transport layer of the organic light emitting element 10B has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of Alq 3 .

図３に示した第２電極１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。   The second electrode 16 shown in FIG. 3 has, for example, a thickness of 5 nm to 50 nm and is made of a simple substance or an alloy of a metal element such as aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), sodium (Na). It is configured. Among these, an alloy of magnesium and silver (MgAg alloy) or an alloy of aluminum (Al) and lithium (Li) (AlLi alloy) is preferable.

図３に示した保護膜１７は、有機層１５に水分などが侵入することを防止するためのものであり、透過水性および吸水性の低い材料により構成されると共に十分な厚みを有している。また、保護膜１７は、発光層１５Ｃで発生した光に対する透過性が高く、例えば８０％以上の透過率を有する材料により構成されている。このような保護膜１７は、例えば、厚みが２μｍないし３μｍ程度であり、無機アモルファス性の絶縁性材料により構成されている。具体的には、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）およびアモルファスカーボン（α−Ｃ）が好ましい。これらの無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないので透水性が低く、良好な保護膜１７となる。また、保護膜１７は、ＩＴＯのような透明導電材料により構成されていてもよい。 The protective film 17 shown in FIG. 3 is for preventing moisture and the like from entering the organic layer 15, and is made of a material having low permeability and water absorption and has a sufficient thickness. . Further, the protective film 17 is made of a material having a high transmittance with respect to the light generated in the light emitting layer 15C and having a transmittance of 80% or more, for example. For example, the protective film 17 has a thickness of about 2 μm to 3 μm and is made of an inorganic amorphous insulating material. Specifically, amorphous silicon (α-Si), amorphous silicon carbide (α-SiC), amorphous silicon nitride (α-Si 1-x N x ), and amorphous carbon (α-C) are preferable. Since these inorganic amorphous insulating materials do not constitute grains, the water permeability is low and a good protective film 17 is obtained. The protective film 17 may be made of a transparent conductive material such as ITO.

図３に示した接着層２０は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。   The adhesive layer 20 shown in FIG. 3 is made of, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin.

図３に示した封止用基板３０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６の側に位置しており、接着層２０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板３０には、例えば、カラーフィルタ（図示せず）が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっていてもよい。   The sealing substrate 30 shown in FIG. 3 is located on the second electrode 16 side of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and seals the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B together with the adhesive layer 20. It is made of a material such as glass that is transparent to the light generated by the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B. The sealing substrate 30 is provided with, for example, a color filter (not shown), and extracts light generated in the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and a portion therebetween. The external light reflected by the wiring may be absorbed to improve the contrast.

（表示装置の製造方法）
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。 (Manufacturing method of display device)
This display device can be manufactured, for example, as follows.

（被転写基板を形成する工程）
まず、図６に示したように、駆動用基板１１に、第１電極１３、絶縁層１４および正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成し、被転写基板１１Ａを形成する。 (Process for forming a transfer substrate)
First, as shown in FIG. 6, the first electrode 13, the insulating layer 14, the hole injection layer, and the hole transport layer 15AB are formed on the driving substrate 11, and the transfer substrate 11A is formed.

図７は、被転写基板１１Ａの全体の平面構成を表したものである。この被転写基板１１Ａは、いわゆる多面取りを行うものであり、一枚の駆動用基板１１上に例えば九つの発光層形成予定領域１１０Ａが配置され、九つの表示領域１１０を形成することが可能となっている。なお、図７では正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢは省略している。   FIG. 7 shows the overall planar configuration of the transfer substrate 11A. This transfer substrate 11A performs so-called multiple chamfering. For example, nine light emitting layer formation scheduled areas 110A are arranged on one driving substrate 11, and nine display areas 110 can be formed. It has become. In FIG. 7, the hole injection layer and the hole transport layer 15AB are omitted.

各発光層形成予定領域１１０Ａには、図４または図５に示したように、絶縁層１４が格子状に形成されている。   As shown in FIG. 4 or 5, the insulating layer 14 is formed in a lattice shape in each light emitting layer formation planned region 110 </ b> A.

被転写基板１１Ａの外縁部には、枠部１１Ｂが、九つの発光層形成予定領域１１０Ａの周囲を囲んで設けられている。この枠部１１Ｂは、後述する転写工程においてドナー基板４０と被転写基板１１Ａとの間の内部空間Ｓを閉空間とするためのものであり、例えば、絶縁膜１４と同じ材料により構成されている。枠部１１Ｂの高さは、絶縁層１４に凸部１４Ｂを設ける場合は絶縁層１４と凸部１４Ｂとの合計高さ以上であり、絶縁層１４に凹部１４Ｃを設ける場合は絶縁層１４の高さ以上である。なお、被転写基板１１Ａには、後述する転写工程においてドナー基板４０との位置合わせのためのアライメントマーク（図示せず）が設けられている。   A frame portion 11B is provided on the outer edge portion of the transfer substrate 11A so as to surround the nine light emitting layer formation scheduled regions 110A. The frame portion 11B is for making the internal space S between the donor substrate 40 and the transferred substrate 11A a closed space in a transfer step described later, and is made of, for example, the same material as the insulating film 14. . The height of the frame portion 11B is equal to or higher than the total height of the insulating layer 14 and the convex portion 14B when the convex portion 14B is provided on the insulating layer 14, and the height of the insulating layer 14 when the concave portion 14C is provided on the insulating layer 14. That's it. The transfer substrate 11A is provided with an alignment mark (not shown) for alignment with the donor substrate 40 in a transfer process described later.

この被転写基板１１Ａは、例えば、次のようにして形成することができる。すなわち、まず、上述した材料よりなる駆動用基板１１を用意し、この駆動用基板１１の上に画素駆動回路１４０を形成する。次いで、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜（図示せず）を形成し、露光および現像により所定の形状にパターニングすると共に、駆動トランジスタＴｒ１と第１電極１３との接続孔（図示せず）を形成し、焼成する。   This transferred substrate 11A can be formed as follows, for example. That is, first, the driving substrate 11 made of the above-described material is prepared, and the pixel driving circuit 140 is formed on the driving substrate 11. Next, a planarizing insulating film (not shown) is formed by applying a photosensitive resin on the entire surface, patterned into a predetermined shape by exposure and development, and a connection hole (the connection hole between the driving transistor Tr1 and the first electrode 13 ( (Not shown) is formed and fired.

続いて、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第１電極１３を形成し、例えばドライエッチングにより所定の形状に成形する。このとき、駆動用基板１１の所定の位置には、後述する転写工程においてドナー基板との位置合わせに使用するアライメントマークを形成してもよい。   Subsequently, the first electrode 13 made of the above-described material is formed by, for example, sputtering, and is formed into a predetermined shape by, for example, dry etching. At this time, an alignment mark used for alignment with the donor substrate may be formed at a predetermined position of the driving substrate 11 in a transfer step described later.

そののち、駆動用基板１１の全面にわたり絶縁層１４を形成し、例えばフォトリソグラフィ法により、第１電極１３に対応して開口部１４Ａを設ける。このとき、駆動用基板１１Ａの外縁部に枠部１１Ｂを設ける。   After that, the insulating layer 14 is formed over the entire surface of the driving substrate 11, and the opening 14A is provided corresponding to the first electrode 13 by, for example, photolithography. At this time, the frame portion 11B is provided on the outer edge portion of the driving substrate 11A.

絶縁層１４および枠部１１Ｂを形成したのち、絶縁層１４に、上述した高さおよび材料よりなる凸部１４Ｂまたは凹部１４Ｃを設ける。   After the insulating layer 14 and the frame portion 11B are formed, the insulating layer 14 is provided with the convex portion 14B or the concave portion 14C made of the above-described height and material.

凸部１４Ｂおよび凹部１４Ｃを設けたのち、例えばエリアマスクを用いた蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを順次成膜する。これにより、図６および図７に示した被転写基板１１Ａが形成される。   After providing the convex portions 14B and the concave portions 14C, the hole injection layer and the hole transport layer 15AB made of the above-described thickness and material are sequentially formed by, for example, vapor deposition using an area mask. As a result, the transfer substrate 11A shown in FIGS. 6 and 7 is formed.

（ドナー基板）
次に、この表示装置の製造方法に用いられるドナー基板について説明する。 (Donor substrate)
Next, a donor substrate used in the method for manufacturing the display device will be described.

図８は、ドナー基板の構成を表したものである。ドナー基板４０は、転写法により赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成する工程に用いられるものであり、平面形状が矩形である平板の基体４１上に、九つのパターン領域４２と、プラス側配線層４３と、マイナス側配線層４４とを有している。   FIG. 8 shows the configuration of the donor substrate. The donor substrate 40 is used in a process of forming the red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG, or the blue light emitting layer 15CB by a transfer method, and has nine pattern regions on a flat substrate 41 having a rectangular planar shape. 42, a plus-side wiring layer 43, and a minus-side wiring layer 44.

基体４１は、後述するように、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを構成する発光材料を含む転写層を形成するためのものである。基体４１は、後述する被転写基板との位置合わせが可能な堅固さを有する絶縁性の材料、例えばガラスまたはフィルムにより構成されている。   As will be described later, the substrate 41 is for forming a transfer layer containing a light emitting material constituting the red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG, or the blue light emitting layer 15CB. The base 41 is made of an insulating material having rigidity that can be aligned with a transfer substrate described later, such as glass or a film.

パターン領域４２は、基体４１の前記被転写基板との対向面に形成され、複数の平行な直線状の通電層４２Ａにより構成されている。通電層４２Ａは、例えば、タンタル（Ｔａ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），鉄（Ｆｅ），クロム（Ｃｒ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）などの金属の単体または合金により構成されている。また、通電層４２Ａは、駆動用基板１１上の赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成したい領域（発光領域１３Ａ）に対応して、例えば幅１００μｍ程度のストライプ状に形成されている。   The pattern region 42 is formed on the surface of the base 41 facing the substrate to be transferred, and is composed of a plurality of parallel linear conductive layers 42A. The energization layer 42A is made of, for example, a metal such as tantalum (Ta), molybdenum (Mo), tungsten (W), iron (Fe), chromium (Cr), aluminum (Al), copper (Cu), or silver (Ag). It is composed of a simple substance or an alloy. The energization layer 42A is formed in a stripe shape having a width of about 100 μm, for example, corresponding to a region (light emitting region 13A) where the red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG or the blue light emitting layer 15CB is to be formed on the driving substrate 11. Has been.

プラス側配線層４３およびマイナス側配線層４４は、通電層４２Ａと同一面内に形成され、通電層４２Ａに対して基体４１の面内方向に電流を流すことが可能となっている。プラス側配線層４３およびマイナス側配線層４４は、例えば、通電層４２Ａと同様の材料により構成されている。   The plus-side wiring layer 43 and the minus-side wiring layer 44 are formed in the same plane as the energization layer 42A, and a current can flow in the in-plane direction of the base body 41 with respect to the energization layer 42A. The plus side wiring layer 43 and the minus side wiring layer 44 are made of the same material as that of the energization layer 42A, for example.

プラス側配線層４３は、基体４１の一辺に沿って形成されたプラス側母線４３Ａと、このプラス側母線４３Ａから分岐した３本のプラス側支線４３Ｂとを有している。プラス側母線４３Ａは、転写工程において通電層４２Ａに通電するための接続端子を接続するための電極パッドとしての機能も有している。プラス側支線４３Ｂは、パターン領域４２どうしの間に形成され、通電層４２Ａの一端に接続されている。   The plus-side wiring layer 43 has a plus-side bus 43A formed along one side of the base body 41 and three plus-side branch lines 43B branched from the plus-side bus 43A. The plus side bus bar 43A also has a function as an electrode pad for connecting a connection terminal for energizing the energization layer 42A in the transfer process. The plus side branch line 43B is formed between the pattern regions 42 and connected to one end of the conductive layer 42A.

マイナス側配線層４４は、基体４１のプラス側母線４３Ａが形成された辺に対向する辺に沿って形成されたマイナス側母線４４Ａと、このマイナス側母線４４Ａから分岐した３本のマイナス側支線４３Ｂとを有している。マイナス側母線４４Ａは、転写工程において通電層４２Ａに通電するための接続端子を接続するための電極パッドとしての機能も有している。マイナス側支線４３Ｂは、パターン領域４２どうしの間に形成され、通電層４２Ａの他端に接続されている。   The minus side wiring layer 44 includes a minus side bus 44A formed along a side opposite to the side where the plus side bus 43A of the base body 41 is formed, and three minus side branch lines 43B branched from the minus side bus 44A. And have. The minus side bus 44A also has a function as an electrode pad for connecting a connection terminal for energizing the energization layer 42A in the transfer process. The minus side branch line 43B is formed between the pattern regions 42 and connected to the other end of the energization layer 42A.

ドナー基板４０は被転写基板１１Ａよりも大きく形成され、プラス側母線４３Ａおよびマイナス側母線４４Ａは、ドナー基板４０の縁に形成されていることが好ましい。転写工程において、プラス側母線４３Ａおよびマイナス側母線４４Ａが被転写基板１１Ａに覆われてしまうことがなく、プラス側母線４３Ａおよびマイナス側母線４４Ａに接続端子を容易に接触させることができるからである。   The donor substrate 40 is preferably formed larger than the transfer substrate 11A, and the plus-side bus bar 43A and the minus-side bus bar 44A are preferably formed at the edge of the donor substrate 40. This is because, in the transfer process, the plus bus 43A and the minus bus 44A are not covered by the transfer substrate 11A, and the connecting terminals can be easily brought into contact with the plus bus 43A and the minus bus 44A. .

このドナー基板４０は、基体４１の被転写基板１１Ａとの対向面から反対側の面まで貫通孔４５を有している。これにより、このドナー基板４０では、真空装置を用いることなく、容易に被転写基板１１Ａに密着させ、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａとの間の内部空間を減圧することが可能となっている。   The donor substrate 40 has a through hole 45 from the surface of the base body 41 facing the transfer substrate 11A to the opposite surface. As a result, the donor substrate 40 can be easily brought into close contact with the transfer substrate 11A without using a vacuum device, and the internal space between the donor substrate 40 and the transfer substrate 11A can be decompressed. .

貫通孔４５は、被転写基板１１Ａ上の発光層形成予定領域１１０Ａ以外の領域に対応して設けられていることが好ましい。具体的には、貫通孔４５は、パターン領域４２の周囲およびパターン領域４２どうしの間の領域に配置されていることが好ましい。被転写基板１１Ａを大型化した場合にも、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａとの間の内部空間の中央部を容易に減圧することが可能となるからである。   The through-hole 45 is preferably provided corresponding to a region other than the light emitting layer formation scheduled region 110A on the transferred substrate 11A. Specifically, it is preferable that the through holes 45 are arranged around the pattern region 42 and in a region between the pattern regions 42. This is because even when the transfer substrate 11A is enlarged, the central portion of the internal space between the donor substrate 40 and the transfer substrate 11A can be easily decompressed.

また、ドナー基板４０には、被転写基板１１Ａとの位置合わせのためのアライメントマーク４６が形成されている。   An alignment mark 46 is formed on the donor substrate 40 for alignment with the transferred substrate 11A.

このドナー基板４０は、例えば、上述した材料よりなる基体４１上に、例えばスパッタリング法により、上述した材料よりなる通電層４２Ａを形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形したのち、例えばレーザ加工法またはエッチングにより基体４１に貫通孔４５を設けることにより製造することができる。   The donor substrate 40 is formed, for example, by forming a current-carrying layer 42A made of the above-described material on a base 41 made of the above-described material by sputtering, for example, and forming it into a predetermined shape by photolithography and etching. It can be manufactured by providing the through holes 45 in the base body 41 by a processing method or etching.

（ドナー基板４０および被転写基板１１Ａを重ね合わせる工程）
被転写基板１１Ａを形成したのち、図８に示したようなドナー基板４０を複数用意し、例えば真空蒸着法または塗布法により、図９に示したように、各ドナー基板４０に赤色，緑色または青色のいずれかの転写層５０を形成する。続いて、同じく図９に示したように、赤色の転写層５０を形成したドナー基板４０および被転写基板１１Ａを、被転写基板１１Ａの第１電極１３側に転写層５０を対向させて重ね合わせる。このとき、予めドナー基板４０に設けられたアライメントマーク４６と被転写基板１１Ａに設けられたアライメントマーク（図示せず）とを用いて位置合わせを行う。 (Step of superposing donor substrate 40 and transferred substrate 11A)
After forming the transfer target substrate 11A, a plurality of donor substrates 40 as shown in FIG. 8 are prepared, and each donor substrate 40 is red, green or red, as shown in FIG. One of the blue transfer layers 50 is formed. Subsequently, similarly as shown in FIG. 9, the donor substrate 40 and the transferred substrate 11A on which the red transfer layer 50 is formed are overlapped with the transferred layer 50 facing the first electrode 13 side of the transferred substrate 11A. . At this time, alignment is performed using an alignment mark 46 provided in advance on the donor substrate 40 and an alignment mark (not shown) provided on the transfer substrate 11A.

（ドナー基板４０と被転写基板１１Ａとの間の内部空間Ｓを減圧する工程）
ドナー基板４０および被転写基板１１Ａを重ね合わせたのち、図１０に示したように、ドナー基板４０および被転写基板１１Ａをステージ６０に載置する。 (Step of depressurizing the internal space S between the donor substrate 40 and the transferred substrate 11A)
After overlapping the donor substrate 40 and the transfer substrate 11A, the donor substrate 40 and the transfer substrate 11A are placed on the stage 60 as shown in FIG.

ステージ６０の上面には、凹部６１および吸着孔６２が設けられている。凹部６１および吸着孔６２は、ステージ６０の内部通路６３を介して外部の排気装置（図示せず）に接続されている。凹部６１または吸着孔６２は、貫通孔４５に対応する位置に設けられていることが好ましい。貫通孔４５から効率的に排気することができるからである。   A recess 61 and a suction hole 62 are provided on the upper surface of the stage 60. The recess 61 and the suction hole 62 are connected to an external exhaust device (not shown) via an internal passage 63 of the stage 60. The recess 61 or the suction hole 62 is preferably provided at a position corresponding to the through hole 45. This is because the air can be efficiently exhausted from the through hole 45.

ドナー基板４０および被転写基板１１Ａをステージ６０に載置したのち、同じく図１０に示したように、吸着孔６２および内部通路６３を介して外部の排気装置により排気することにより、凹部６１内が減圧され、ドナー基板４０がステージ６０に吸着される。このとき、ドナー基板４０には貫通孔４５が設けられているので、この貫通孔４５を介して、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａとの間の内部空間Ｓが減圧される。よって、大気圧下で容易に内部空間Ｓを減圧してドナー基板４０と被転写基板１１Ａとを容易に密着させることができ、特に被転写基板１１Ａを大型化した場合に極めて有利である。また、内部空間Ｓを減圧することにより、内部空間Ｓから酸素や水分を除去することができ、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢの品質や寿命を向上させることが可能となる。   After the donor substrate 40 and the transfer substrate 11A are placed on the stage 60, as shown in FIG. 10, the interior of the recess 61 is made to exhaust by an external exhaust device through the suction hole 62 and the internal passage 63. The pressure is reduced and the donor substrate 40 is adsorbed to the stage 60. At this time, since the through hole 45 is provided in the donor substrate 40, the internal space S between the donor substrate 40 and the transferred substrate 11A is decompressed through the through hole 45. Therefore, the internal space S can be easily depressurized under atmospheric pressure so that the donor substrate 40 and the transferred substrate 11A can be easily brought into close contact with each other. This is particularly advantageous when the transferred substrate 11A is enlarged. Further, by reducing the internal space S, oxygen and moisture can be removed from the internal space S, and the quality and life of the red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG, or the blue light emitting layer 15CB can be improved. Become.

更に、被転写基板１１Ａの外縁部に枠部１１Ｂを設け、内部空間Ｓを、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａと枠部１１Ｂとにより囲まれた閉空間とするようにしたので、内部空間Ｓを減圧しやすくすることができる。   Further, the frame portion 11B is provided on the outer edge portion of the transfer substrate 11A, and the internal space S is a closed space surrounded by the donor substrate 40, the transfer substrate 11A, and the frame portion 11B. Can be easily decompressed.

加えて、絶縁層１４に凸部１４Ｂまたは凹部１４Ｃを形成するようにしたので、絶縁層１４とドナー基板４０との間に気体の通り道となる隙間を形成することができ、内部空間Ｓを減圧しやすくすることができる。   In addition, since the convex portion 14B or the concave portion 14C is formed in the insulating layer 14, a gap serving as a gas passage can be formed between the insulating layer 14 and the donor substrate 40, and the internal space S is decompressed. Can be easier.

更にまた、貫通孔４５を、パターン領域４２の周囲およびパターン領域４２どうしの間の領域に配置するようにしたので、被転写基板１１Ａを大型化した場合にも、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａとの間の内部空間Ｓの中央部を容易に減圧することが可能となる。   Furthermore, since the through holes 45 are arranged in the periphery of the pattern region 42 and in the region between the pattern regions 42, even when the transfer substrate 11A is enlarged, the donor substrate 40 and the transfer substrate 11A. It is possible to easily depressurize the central portion of the internal space S between the two.

（赤色発光層１５ＣＲを形成する工程）
内部空間Ｓを減圧したのち、プラス側母線４３Ａおよびマイナス側母線４４Ａに接続端子４３Ｃ，４４Ｃをそれぞれ当接させ、所定の電流パルスを印加する。これにより、通電層４２Ａに通電して転写層５０を有機発光材料の昇華温度以上に加熱し、図１１に示したように、転写層５０を昇華または気化させて被転写基板１１Ａに転写して赤色発光層１５ＣＲを形成する。 (Step of forming red light emitting layer 15CR)
After decompressing the internal space S, the connection terminals 43C and 44C are brought into contact with the plus-side bus 43A and the minus-side bus 44A, respectively, and a predetermined current pulse is applied. Thus, the energization layer 42A is energized to heat the transfer layer 50 to a temperature higher than the sublimation temperature of the organic light emitting material, and as shown in FIG. 11, the transfer layer 50 is sublimated or vaporized and transferred to the transfer substrate 11A. A red light emitting layer 15CR is formed.

（内部空間を大気圧以上とする工程）
赤色発光層１５ＣＲを形成したのち、ステージ６０の吸着孔６２および内部通路６３を大気圧に開放、または正圧を与えることによって、ドナー基板４０のステージ６０への吸着を解除する。これと同時に、貫通孔４５も大気圧に開放、または正圧を与えられるので、内部空間Ｓも大気圧以上となり、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａとの減圧密着状態を容易に解除することができる。そののち、静電チャックやアーム機構などにより、ドナー基板４０を被転写基板１１Ａから容易に分離することができ、被転写基板１１Ａの割れなどのトラブルを抑えることができる。 (Process to make internal space above atmospheric pressure)
After the red light emitting layer 15CR is formed, the adsorption of the donor substrate 40 to the stage 60 is released by opening the adsorption hole 62 and the internal passage 63 of the stage 60 to atmospheric pressure or applying a positive pressure. At the same time, since the through-hole 45 is also opened to atmospheric pressure or given positive pressure, the internal space S also becomes atmospheric pressure or higher, and the reduced-pressure contact state between the donor substrate 40 and the transferred substrate 11A can be easily released. it can. After that, the donor substrate 40 can be easily separated from the transferred substrate 11A by an electrostatic chuck or an arm mechanism, and troubles such as cracking of the transferred substrate 11A can be suppressed.

赤色発光層１５ＣＲを形成したのち、緑色の転写層５０を形成したドナー基板４０および被転写基板１１Ａを重ね合わせ、赤色発光層１５ＣＲの場合と同様にして、貫通孔４５を用いて内部空間Ｓを減圧する。続いて、図１２に示したように、赤色発光層１５ＣＲの場合と同様にして、緑色発光層１５ＣＧを形成する。そののち、赤色発光層１５ＣＲの場合と同様にして、貫通孔４５を用いて内部空間Ｓを大気圧以上とし、ドナー基板４０を剥離する。   After forming the red light emitting layer 15CR, the donor substrate 40 on which the green transfer layer 50 is formed and the transferred substrate 11A are overlapped, and the internal space S is formed using the through holes 45 in the same manner as in the case of the red light emitting layer 15CR. Reduce pressure. Subsequently, as shown in FIG. 12, the green light emitting layer 15CG is formed in the same manner as the red light emitting layer 15CR. After that, as in the case of the red light emitting layer 15CR, the internal space S is set to atmospheric pressure or higher using the through hole 45, and the donor substrate 40 is peeled off.

緑色発光層１５ＣＧを形成したのち、青色の転写層５０を形成したドナー基板４０および被転写基板１１Ａを重ね合わせ、赤色発光層１５ＣＲの場合と同様にして、貫通孔４５を用いて内部空間Ｓを減圧する。続いて、図１３に示したように、赤色発光層１５ＣＲの場合と同様にして、青色発光層１５ＣＢを形成する。そののち、赤色発光層１５ＣＲの場合と同様にして、貫通孔４５を用いて内部空間Ｓを大気圧以上とし、ドナー基板４０を剥離する。   After forming the green light emitting layer 15CG, the donor substrate 40 on which the blue transfer layer 50 is formed and the transferred substrate 11A are overlapped, and the internal space S is formed using the through holes 45 in the same manner as in the case of the red light emitting layer 15CR. Reduce pressure. Subsequently, as shown in FIG. 13, the blue light emitting layer 15CB is formed in the same manner as the red light emitting layer 15CR. After that, as in the case of the red light emitting layer 15CR, the internal space S is set to atmospheric pressure or higher using the through hole 45, and the donor substrate 40 is peeled off.

（電子輸送層および電子注入層と、第２電極１６とを形成する工程）
赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成したのち、被転写基板１１Ａには、例えば蒸着により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ、並びに第２電極１６を形成する。このようにして、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。一方、使用済みのドナー基板４０は、転写層５０の残りを洗浄・除去したのち、繰り返し使用が可能である。 (Step of forming the electron transport layer, the electron injection layer, and the second electrode 16)
After the red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG, or the blue light emitting layer 15CB is formed, the electron transport layer and the electron injection layer 15DE and the second electrode 16 are formed on the transfer substrate 11A by, for example, vapor deposition. In this way, the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B are formed. On the other hand, the used donor substrate 40 can be used repeatedly after the remaining transfer layer 50 is washed and removed.

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、これらの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。保護膜１７の形成方法は、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法またはＣＶＤ法が好ましい。また、保護膜１７は、第２電極１６を大気に暴露することなく、第２電極１６の形成と連続して行うことが望ましい。大気中の水分や酸素により有機層１５が劣化してしまうのを抑制することができるからである。更に、有機層１５の劣化による輝度の低下を防止するため、保護膜１７の成膜温度は常温に設定すると共に、保護膜１７の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。   After the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B are formed, the protective film 17 made of the above-described material is formed thereon. As a method for forming the protective film 17, a film forming method in which the energy of the film forming particles is small to such an extent that the protective film 17 is not affected, for example, a vapor deposition method or a CVD method is preferable. Further, it is desirable that the protective film 17 be performed continuously with the formation of the second electrode 16 without exposing the second electrode 16 to the atmosphere. It is because it can suppress that the organic layer 15 deteriorates with the water | moisture content or oxygen in air | atmosphere. Further, in order to prevent a decrease in luminance due to deterioration of the organic layer 15, the film forming temperature of the protective film 17 is set to room temperature, and in order to prevent the protective film 17 from being peeled off, the film stress is minimized. It is desirable to film.

そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして、カラーフィルタを設けた封止用基板３０を貼り合わせる。以上により、図１に示した表示装置が完成する。   After that, an adhesive layer 20 is formed on the protective film 17, and a sealing substrate 30 provided with a color filter is bonded to the adhesive layer 20 with the adhesive layer 20 in between. Thus, the display device shown in FIG. 1 is completed.

このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタおよび封止用基板３０を透過して取り出される。   In the display device thus obtained, a scanning signal is supplied to each pixel from the scanning line driving circuit 130 via the gate electrode of the writing transistor Tr2, and an image signal is supplied from the signal line driving circuit 120 to the writing transistor. It is held in the holding capacitor Cs via Tr2. That is, the driving transistor Tr1 is controlled to be turned on / off in accordance with the signal held in the holding capacitor Cs, whereby the driving current Id is injected into each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, so that holes, electrons, Recombine to emit light. This light passes through the second electrode 16, the color filter, and the sealing substrate 30 and is extracted.

このように本実施の形態では、基体４１の被転写基板１１Ａとの対向面から反対側の面まで貫通孔４５を設けるようにしたので、容易にドナー基板４０を被転写基板１１Ａに密着させることが可能となる。よって、真空室を不要とすることができ、設備コストの低減が可能となり、特に大型の被転写基板１１Ａを使用する場合に極めて好適である。   As described above, in this embodiment, since the through hole 45 is provided from the surface of the base body 41 facing the substrate to be transferred 11A to the opposite surface, the donor substrate 40 can be easily brought into close contact with the substrate to be transferred 11A. Is possible. Therefore, a vacuum chamber can be dispensed with, and the equipment cost can be reduced, which is extremely suitable particularly when a large substrate 11A to be transferred is used.

なお、上記実施の形態では、絶縁層１４に凸部１４Ｂまたは凹部１４Ｃを形成する場合について説明したが、図１４に示したように、ドナー基板４０の通電層４２Ａどうしの間の領域に凸部４７を形成するようにしてもよい。このようにした場合にも、絶縁層１４とドナー基板４０との間に気体の通り道となる隙間を形成することができ、内部空間Ｓを減圧しやすくすることができる。また、絶縁層１４に凸部１４Ｂまたは凹部１４Ｃを形成すると共に、ドナー基板４０の通電層４２Ａどうしの間の領域に凸部４７を形成するようにしてもよい。   In the above embodiment, the case where the convex portion 14B or the concave portion 14C is formed in the insulating layer 14 has been described. However, as shown in FIG. 14, the convex portion is formed in the region between the conductive layers 42A of the donor substrate 40. 47 may be formed. Even in such a case, a gap serving as a gas passage can be formed between the insulating layer 14 and the donor substrate 40, and the internal space S can be easily decompressed. Further, the convex portion 14B or the concave portion 14C may be formed in the insulating layer 14, and the convex portion 47 may be formed in a region between the conductive layers 42A of the donor substrate 40.

（変形例）
図１５は、本発明の変形例に係るドナー基板の構成を表したものである。このドナー基板４０Ａは、レーザ光などの輻射線を照射することにより転写を行うためのものであり、基体４１上に光熱変換層４２Ｂを有している。このことを除いては、ドナー基板４０Ａは、上記第１の実施の形態と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。 (Modification)
FIG. 15 shows a configuration of a donor substrate according to a modification of the present invention. The donor substrate 40A is for performing transfer by irradiating radiation such as laser light, and has a photothermal conversion layer 42B on the base 41. Except for this, the donor substrate 40A has the same configuration as that of the first embodiment. Accordingly, the corresponding components will be described with the same reference numerals.

基体４１は、上記実施の形態と同様に構成されている。   The base 41 is configured in the same manner as in the above embodiment.

光熱変換層４２Ｂは、レーザ光を吸収して熱に変換するものであり、例えば、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ）あるいはこれらを含む合金など吸収率の高い金属材料により構成されている。光熱変換層４２Ｂは、九つのパターン領域４２のすべてにわたって形成されていることが望ましい。レーザ光ＬＢの照射パターンはソフトウェア上で適宜調整することができるので、光熱変換層４２Ｂを全面に形成しておくことにより、さまざまな寸法のパターン領域４２に対応可能となるからである。なお、光熱変換層４２Ｂは、九つのパターン領域４２のそれぞれに形成されていてもよいし、そのうち二つ以上にわたって形成されていてもよい。   The photothermal conversion layer 42B absorbs laser light and converts it into heat. For example, molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), tin (Sn), or an alloy containing these has an absorptivity. It is composed of a high metal material. The photothermal conversion layer 42 </ b> B is desirably formed over all nine pattern regions 42. This is because the irradiation pattern of the laser beam LB can be adjusted as appropriate on the software, and by forming the photothermal conversion layer 42B on the entire surface, it is possible to deal with pattern regions 42 of various dimensions. The photothermal conversion layer 42B may be formed in each of the nine pattern regions 42, or may be formed over two or more of them.

基体４１には、上記実施の形態と同様の貫通孔４５が設けられている。貫通孔４５は、光熱変換層４２Ｂが九つのパターン領域４２のすべてにわたって形成されている場合は、パターン領域４２の周囲、すなわち基体４１の四辺に配置されていることが好ましい。一方、光熱変換層４２Ｂが九つのパターン領域４２のそれぞれに形成されている場合は、貫通孔４５は、上記実施の形態と同様に、パターン領域４２の周囲およびパターン領域４２の間の領域に配置されていることが望ましい。   The base body 41 is provided with the same through-hole 45 as in the above embodiment. When the photothermal conversion layer 42 </ b> B is formed over all nine pattern regions 42, the through holes 45 are preferably arranged around the pattern region 42, that is, on the four sides of the base body 41. On the other hand, when the photothermal conversion layer 42B is formed in each of the nine pattern regions 42, the through holes 45 are arranged around the pattern region 42 and in the region between the pattern regions 42 as in the above embodiment. It is desirable that

このドナー基板４０Ａは、例えば、基体４１の上に上述した材料よりなる光熱変換層４２Ｂを形成したのち、所定の形状に成形し、貫通孔４５を設けることにより製造することができる。   The donor substrate 40A can be manufactured by, for example, forming the photothermal conversion layer 42B made of the above-described material on the base body 41, forming the donor substrate 40A into a predetermined shape, and providing the through hole 45.

次に、本変形例のドナー基板４０Ａを用いた表示装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing a display device using the donor substrate 40A of this modification will be described.

まず、上記実施の形態と同様にして、駆動用基板１１に、第１電極１３、絶縁層１４および正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成し、被転写基板１１Ａを形成する。   First, in the same manner as in the above embodiment, the first electrode 13, the insulating layer 14, the hole injection layer, and the hole transport layer 15AB are formed on the driving substrate 11, and the transfer substrate 11A is formed.

次いで、図１６に示したように、赤色の転写層５０を形成したドナー基板４０および被転写基板１１Ａを重ね合わせてステージ６０に載置し、上記実施の形態と同様にして、貫通孔４５を用いて内部空間Ｓを減圧する。その際、ステージ６０として、輻射線、例えばレーザ光ＬＢに対して透明なものを用いる。なお、輻射線としてはレーザ光のほか、フラッシュランプ，赤外線ランプなど他の光源を用いて輻射線を照射するようにしてもよい。   Next, as shown in FIG. 16, the donor substrate 40 on which the red transfer layer 50 is formed and the transferred substrate 11A are superposed and placed on the stage 60, and the through hole 45 is formed in the same manner as in the above embodiment. Using this, the internal space S is decompressed. At this time, the stage 60 is transparent to radiation, for example, the laser beam LB. In addition to the laser light, other light sources such as a flash lamp and an infrared lamp may be used as the radiation.

続いて、同じく図１６に示したように、ドナー基板４０の裏面側からレーザ光ＬＢを照射し、転写層５０を昇華または気化させて被転写基板１１Ａに転写することにより赤色発光層１５ＣＲを形成する。レーザ光ＬＢの照射パターンは、パターン領域４２の寸法に応じて適宜調整することが可能である。   Subsequently, similarly as shown in FIG. 16, the red light emitting layer 15CR is formed by irradiating the laser beam LB from the back side of the donor substrate 40 to sublimate or vaporize the transfer layer 50 and transfer it to the transfer substrate 11A. To do. The irradiation pattern of the laser beam LB can be appropriately adjusted according to the size of the pattern region 42.

そののち、上記実施の形態と同様にして、貫通孔４５を用いて内部空間Ｓを大気圧以上とし、ドナー基板４０を剥離する。   After that, as in the above embodiment, the internal space S is set to atmospheric pressure or higher using the through holes 45, and the donor substrate 40 is peeled off.

赤色発光層１５ＣＲを形成したのち、同様にして、緑色発光層１５ＣＧおよび青色発光層１５ＣＢを形成する。続いて、上記実施の形態と同様にして、例えば蒸着により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ、並びに第２電極１６を形成する。このようにして、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。   After forming the red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG and the blue light emitting layer 15CB are formed in the same manner. Subsequently, in the same manner as in the above embodiment, the electron transport layer and the electron injection layer 15DE and the second electrode 16 are formed, for example, by vapor deposition. In this way, the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B are formed.

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、上記実施の形態と同様にして、これらの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして、カラーフィルタを形成した封止用基板３０を貼り合わせる。以上により、図１に示した表示装置が完成する。   After the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B are formed, the protective film 17 made of the above-described material is formed thereon as in the above embodiment. After that, the adhesive layer 20 is formed on the protective film 17, and the sealing substrate 30 on which the color filter is formed is bonded with the adhesive layer 20 in between. Thus, the display device shown in FIG. 1 is completed.

なお、光熱変換層４２Ｂは、通電層４２Ａと同様に、各パターン領域４２ごとに、駆動用基板１１上の赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成したい領域（発光領域１３Ａ）に対応して、例えば幅１００μｍ程度のストライプ状に形成されていてもよい。その場合、レーザ光ＬＢは、ドナー基板４０Ａの裏面全面に照射するようにしてもよい。   In addition, the photothermal conversion layer 42B is a region (light emitting region 13A) in which the red light emitting layer 15CR, the green light emitting layer 15CG, or the blue light emitting layer 15CB on the driving substrate 11 is to be formed for each pattern region 42, similarly to the energizing layer 42A. For example, it may be formed in a stripe shape having a width of about 100 μm. In that case, the laser beam LB may be applied to the entire back surface of the donor substrate 40A.

（モジュールおよび適用例）
以下、上述した各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。 (Modules and application examples)
Hereinafter, application examples of the display device described in each of the above-described embodiments will be described. The display device in each of the above embodiments is a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, or a video camera, such as an externally input video signal or an internally generated video signal. The present invention can be applied to display devices for electronic devices in various fields that display images or videos.

（モジュール）
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図１７に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、被転写基板１１の一辺に、封止用基板３０および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。 (module)
The display device of each of the above embodiments is incorporated into various electronic devices such as application examples 1 to 5 described later, for example, as a module shown in FIG. In this module, for example, a region 210 exposed from the sealing substrate 30 and the adhesive layer 20 is provided on one side of the transfer substrate 11, and the signal line driving circuit 120 and the scanning line driving circuit 130 are provided in the exposed region 210. The wiring is extended to form an external connection terminal (not shown). The external connection terminal may be provided with a flexible printed circuit (FPC) 220 for signal input / output.

（適用例１）
図１８は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 (Application example 1)
FIG. 18 illustrates an appearance of a television device to which the display device of each of the above embodiments is applied. The television apparatus has, for example, a video display screen unit 300 including a front panel 310 and a filter glass 320, and the video display screen unit 300 is configured by the display device according to each of the above embodiments. .

（適用例２）
図１９は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 (Application example 2)
FIG. 19 shows the appearance of a digital camera to which the display device of each of the above embodiments is applied. The digital camera includes, for example, a flash light emitting unit 410, a display unit 420, a menu switch 430, and a shutter button 440. The display unit 420 is configured by the display device according to each of the above embodiments. Yes.

（適用例３）
図２０は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 (Application example 3)
FIG. 20 shows the appearance of a notebook personal computer to which the display device of each of the above embodiments is applied. The notebook personal computer has, for example, a main body 510, a keyboard 520 for inputting characters and the like, and a display unit 530 for displaying an image. The display unit 530 is a display according to each of the above embodiments. It is comprised by the apparatus.

（適用例４）
図２１は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 (Application example 4)
FIG. 21 shows the appearance of a video camera to which the display device of each of the above embodiments is applied. This video camera has, for example, a main body 610, a subject photographing lens 620 provided on the front side surface of the main body 610, a start / stop switch 630 at the time of photographing, and a display 640. Reference numeral 640 denotes the display device according to each of the above embodiments.

（適用例５）
図２２は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 (Application example 5)
FIG. 22 shows the appearance of a mobile phone to which the display device of each of the above embodiments is applied. For example, the mobile phone is obtained by connecting an upper housing 710 and a lower housing 720 with a connecting portion (hinge portion) 730, and includes a display 740, a sub-display 750, a picture light 760, and a camera 770. Yes. The display 740 or the sub-display 750 is configured by the display device according to each of the above embodiments.

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、被転写基板１１Ａの外縁部に枠部１１Ｂを設けた場合について説明したが、ドナー基板４０の外縁部に枠部を設けるようにしてもよい。   While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above embodiment, the case where the frame portion 11B is provided on the outer edge portion of the transfer substrate 11A has been described, but the frame portion may be provided on the outer edge portion of the donor substrate 40.

また、上記実施の形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂすべての発光層１５Ｃを転写法により形成する場合について説明したが、図２３に示したように、赤色発光層１５ＣＲおよび緑色発光層１５ＣＧのみを転写法により形成したのち、青色発光層１５ＣＢを蒸着法により全面成膜するようにしてもよい。このとき、有機発光素子１０Ｒでは、赤色発光層１５ＣＲと、青色発光層１５ＣＢとが形成されているが、最もエネルギー準位の低い赤色にエネルギー移動が起こり、赤色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｇでは、緑色発光層１５ＣＧと、青色発光層１５ＣＢとが形成されているが、よりエネルギー準位の低い緑色にエネルギー移動が起こり、緑色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｂでは、青色発光層１５ＣＢのみを有するので、青色発光が生じる。   Further, in the above embodiment, the case where the R, G, and B light emitting layers 15C are all formed by the transfer method has been described. However, as shown in FIG. 23, only the red light emitting layer 15CR and the green light emitting layer 15CG are transferred. After forming by the method, the blue light emitting layer 15CB may be formed over the entire surface by the vapor deposition method. At this time, in the organic light emitting element 10R, the red light emitting layer 15CR and the blue light emitting layer 15CB are formed, but energy transfer occurs in red having the lowest energy level, and red light emission becomes dominant. In the organic light emitting device 10G, the green light emitting layer 15CG and the blue light emitting layer 15CB are formed, but energy transfer occurs in green having a lower energy level, and green light emission becomes dominant. Since the organic light emitting element 10B has only the blue light emitting layer 15CB, blue light emission occurs.

更に、例えば、上記実施の形態および実施例において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法，成膜条件および転写条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法，成膜条件および転写条件としてもよい。   Furthermore, for example, the material and thickness of each layer described in the above embodiment and examples, or the film formation method, film formation conditions, and transfer conditions are not limited, and may be other materials and thicknesses, or Other film forming methods, film forming conditions, and transfer conditions may be used.

１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…駆動用基板、１１Ａ…被転写基板、１３…第１電極、１４…絶縁層、１５…有機層、１５ＡＢ…正孔注入層および正孔輸送層、１５Ｃ…発光層、１５ＤＥ…電子輸送層および電子注入層、１６…第２電極、１７…保護膜、２０…接着層、３０…封止用基板、４０…ドナー基板、４１…基体、４２…パターン領域、４３…プラス側配線層、４４…マイナス側配線層、４５…貫通孔、５０…転写層、５０Ｒ…赤色転写層、５０Ｇ…緑色転写層、５０Ｂ…青色転写層、６０…ステージ   10R, 10G, 10B ... organic light emitting element, 11 ... driving substrate, 11A ... transferred substrate, 13 ... first electrode, 14 ... insulating layer, 15 ... organic layer, 15AB ... hole injection layer and hole transport layer, 15C ... Light emitting layer, 15DE ... Electron transport layer and electron injection layer, 16 ... Second electrode, 17 ... Protective film, 20 ... Adhesive layer, 30 ... Substrate for sealing, 40 ... Donor substrate, 41 ... Base, 42 ... Pattern Area 43... Plus side wiring layer 44. Negative side wiring layer 45. Through hole 50. Transfer layer 50 R Red transfer layer 50 G Green transfer layer 50 B Blue transfer layer 60 Stage

Claims (16)

発光材料を含む転写層を形成し、前記転写層を被転写基板に対向配置して、前記転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成するためのドナー基板であって、
平面形状が矩形である平板の基体と、
前記基体の前記被転写基板との対向面から反対側の面まで設けられた貫通孔と
を備えたドナー基板。 A donor substrate for forming a light emitting layer by forming a transfer layer containing a light emitting material, disposing the transfer layer opposite to a substrate to be transferred, and sublimating or vaporizing the transfer layer to transfer to the substrate to be transferred. There,
A flat substrate having a rectangular planar shape;
A donor substrate comprising: a through hole provided from a surface of the substrate facing the substrate to be transferred to a surface on the opposite side. 前記貫通孔は、前記被転写基板上の発光層形成予定領域以外の領域に対応して設けられている
請求項１記載のドナー基板。 The donor substrate according to claim 1, wherein the through hole is provided corresponding to a region other than a region where the light emitting layer is to be formed on the transfer substrate. 前記基体の前記被転写基板との対向面に形成され、複数の平行な直線状の通電層よりなる少なくとも一つの矩形のパターン領域と、
前記通電層と同一面内に形成され、前記通電層の一端に接続されたプラス側配線層と、
前記通電層と同一面内に形成され、前記通電層の他端に接続されたマイナス側配線層と
を備えた請求項２記載のドナー基板。 At least one rectangular pattern region formed of a plurality of parallel linear conductive layers formed on a surface of the substrate facing the substrate to be transferred;
A plus-side wiring layer formed in the same plane as the energization layer and connected to one end of the energization layer;
The donor substrate according to claim 2, further comprising: a negative wiring layer formed in the same plane as the energization layer and connected to the other end of the energization layer. 前記貫通孔は、前記パターン領域の周囲と、前記パターン領域どうしの間の領域とのうち少なくとも一方に配置されている
請求項３記載のドナー基板。 The donor substrate according to claim 3, wherein the through-hole is disposed in at least one of a periphery of the pattern region and a region between the pattern regions. 前記プラス側配線層は、前記基体の一辺に沿って形成されたプラス側母線と、前記プラス側母線から分岐して前記パターン領域どうしの間に形成され、前記通電層の一端に接続されたプラス側支線とを有し、
前記マイナス側配線層は、前記基体の前記プラス側母線が形成された辺に対向する辺に沿って形成されたマイナス側母線と、前記マイナス側母線から分岐して前記パターン領域どうしの間に形成され、前記通電層の他端に接続されたマイナス側支線とを有する
請求項４記載のドナー基板。 The plus side wiring layer is formed between the plus side bus formed along one side of the base and the pattern bus between the plus side bus and connected to one end of the energization layer. A side branch line,
The minus-side wiring layer is formed between a minus-side bus formed along a side opposite to the side where the plus-side bus is formed of the base, and the pattern region branched from the minus-side bus. The donor substrate according to claim 4, further comprising a negative branch line connected to the other end of the conductive layer. 前記通電層どうしの間の領域に、凸部が形成されている
請求項３ないし５のいずれか１項に記載のドナー基板。 The donor substrate according to any one of claims 3 to 5, wherein a convex portion is formed in a region between the conductive layers. 駆動用基板に、第１電極、前記第１電極に対応して開口部を有する絶縁層、発光層を含む複数の有機層、および第２電極を順に有する有機発光素子を形成する表示装置の製造方法であって、
前記駆動用基板に、前記第１電極、前記絶縁層、および前記複数の有機層の一部を形成し、被転写基板を形成する工程と、
平面形状が矩形である平板の基体と、前記基体の前記被転写基板との対向面から反対側の面まで設けられた貫通孔とを備えたドナー基板を用い、前記ドナー基板に発光材料を含む転写層を形成し、前記ドナー基板および前記被転写基板を、前記被転写基板の前記第１電極側に前記転写層を対向させて重ね合わせる工程と、
前記ドナー基板および前記被転写基板をステージに載置し、前記貫通孔を用いて前記ドナー基板と前記被転写基板との間の内部空間を減圧する工程と、
前記転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成する工程と、
前記複数の有機層の残部および前記第２電極を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。 Manufacture of a display device in which a driving electrode is formed with a first electrode, an insulating layer having an opening corresponding to the first electrode, a plurality of organic layers including a light emitting layer, and an organic light emitting element sequentially including a second electrode. A method,
Forming a part of the first electrode, the insulating layer, and the plurality of organic layers on the driving substrate to form a transferred substrate;
A donor substrate comprising a flat substrate having a rectangular planar shape and a through-hole provided from the surface facing the substrate to be transferred to the opposite surface of the substrate is used, and the donor substrate contains a light emitting material. Forming a transfer layer, and superimposing the donor substrate and the transferred substrate with the transfer layer facing the first electrode side of the transferred substrate;
Placing the donor substrate and the transferred substrate on a stage, and depressurizing an internal space between the donor substrate and the transferred substrate using the through hole;
Forming a light emitting layer by sublimating or vaporizing the transfer layer and transferring it to a transfer substrate;
Forming the remaining portions of the plurality of organic layers and the second electrode. 前記発光層を形成する工程ののち、前記貫通孔を用いて前記内部空間を大気圧以上とする工程を含む
請求項７記載の表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a display device according to claim 7, further comprising, after the step of forming the light emitting layer, a step of setting the internal space to atmospheric pressure or higher using the through hole. 前記貫通孔を、前記被転写基板上の発光層形成予定領域以外の領域に対応して設ける
請求項８記載の表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a display device according to claim 8, wherein the through hole is provided corresponding to a region other than a region where the light emitting layer is to be formed on the transfer substrate. 前記被転写基板または前記ドナー基板の外縁部に枠部を設け、前記内部空間を、前記ドナー基板と前記被転写基板と前記枠部とにより囲まれた閉空間とする
請求項９記載の表示装置の製造方法。 The display device according to claim 9, wherein a frame portion is provided at an outer edge portion of the transfer substrate or the donor substrate, and the internal space is a closed space surrounded by the donor substrate, the transfer substrate, and the frame portion. Manufacturing method. 前記絶縁層に凸部、または前記開口部どうしを連通させる凹部を形成する
請求項１０記載の表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a display device according to claim 10, wherein a convex portion or a concave portion that communicates the openings is formed in the insulating layer. 前記基体の前記被転写基板との対向面に、複数の平行な直線状の通電層よりなる少なくとも一つの矩形のパターン領域と、前記通電層の一端に接続されたプラス側配線層と、前記通電層の他端に接続されたマイナス側配線層とを形成し、
前記発光層を形成する工程において、前記プラス側配線層と前記マイナス側配線層との間に電圧をかけることにより前記通電層に通電して前記転写層を昇華または気化させる
請求項７ないし１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 At least one rectangular pattern region composed of a plurality of parallel linear energization layers on a surface of the substrate facing the substrate to be transferred, a plus-side wiring layer connected to one end of the energization layer, and the energization Forming a negative wiring layer connected to the other end of the layer,
12. The step of forming the light emitting layer, wherein a voltage is applied between the plus side wiring layer and the minus side wiring layer to energize the energizing layer to sublimate or vaporize the transfer layer. The manufacturing method of the display apparatus of any one. 前記貫通孔を、前記パターン領域の周囲と、前記パターン領域どうしの間の領域とのうち少なくとも一方に配置する
請求項１２記載の表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a display device according to claim 12, wherein the through-hole is disposed in at least one of a periphery of the pattern region and a region between the pattern regions. 前記通電層どうしの間の領域に凸部を形成する
請求項１３記載の表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a display device according to claim 13, wherein a convex portion is formed in a region between the conductive layers. 前記ステージとして輻射線に対して透明なものを用い、
前記発光層を形成する工程において、前記ステージを介して輻射線を照射することにより前記転写層を昇華または気化させる
請求項７ないし１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 Use a stage transparent to the radiation,
The method for manufacturing a display device according to claim 7, wherein, in the step of forming the light emitting layer, the transfer layer is sublimated or vaporized by irradiating radiation through the stage. 前記基体の前記被転写基板との対向面に、前記被転写基板上の発光層形成予定領域に対応する少なくとも一つの矩形のパターン領域のそれぞれまたは二つ以上にわたって形成された光熱変換層を形成し、
前記貫通孔を、前記パターン領域の周囲と、前記パターン領域どうしの間の領域とのうち少なくとも一方に配置する
請求項１５記載の表示装置の製造方法。 A light-to-heat conversion layer formed on at least one rectangular pattern region corresponding to a light-emitting layer formation scheduled region on the transfer substrate is formed on the surface of the substrate facing the transfer substrate. ,
The method for manufacturing a display device according to claim 15, wherein the through holes are arranged in at least one of a periphery of the pattern region and a region between the pattern regions.
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