JP2010186994A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. 絶縁表面上の、ゲート電極と、
   少なくとも亜鉛元素及びＳｉ元素を含む、酸化物半導体層と、
   前記ゲート電極と、前記酸化物半導体層との間の、絶縁層とを有し、
   前記酸化物半導体層の膜厚方向におけるＳｉ元素濃度は、前記ゲート電極に近い側から前記ゲート電極に遠い側に増加する濃度勾配を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記Ｓｉ元素濃度は、段階的に変化することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記Ｓｉ元素濃度は、連続的に変化することを特徴とする半導体装置。
4. 絶縁表面上の、ゲート電極と、
   少なくとも亜鉛元素及びＳｉ元素を含む、酸化物半導体層と、
   前記ゲート電極と、前記酸化物半導体層との間の、絶縁層とを有し、
   前記酸化物半導体層は、
   前記ゲート電極に近い側の、第１の酸化物半導体層と、
   前記ゲート電極に遠い側の、第２の酸化物半導体層とを有し、
   前記第１の酸化物半導体層は、一定濃度のＳｉ元素を含み、
   前記第２の酸化物半導体層の膜厚方向におけるＳｉ元素濃度は、前記ゲート電極に近い側から前記ゲート電極に遠い側に増加する濃度勾配を有することを特徴とする半導体装置。
5. 絶縁表面上の、ゲート電極と、
   少なくとも亜鉛元素及びＳｉ元素を含む、酸化物半導体層と、
   前記ゲート電極と、前記酸化物半導体層との間の、絶縁層とを有し、
   前記酸化物半導体層は、
   前記ゲート電極に近い側の、第１の酸化物半導体層と、
   前記ゲート電極に遠い側の、第２の酸化物半導体層とを有し、
   前記第１の酸化物半導体層は、Ｓｉ元素を含まず、
   前記第２の酸化物半導体層は、Ｓｉ元素を含むことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、インジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、ガリウムを含むことを特徴とする半導体装置。