JP2010186851A - 半導体集積回路の検査装置及び半導体集積回路の検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プローブカードへの加熱を効率よく行い、かつ、半導体集積回路の電気的特性検査におけるコストの低減を図ることができる半導体集積回路の検査装置及び半導体集積回路の検査方法を提供する。
【解決手段】テストヘッド１１と、半導体集積回路に接触するプローブ１８を備えるプローブカード１００を着脱自在に保持するプローブカード保持部１６と、からなり、更に、プローブカード１８を加熱するヒーター１４と、プローブカード保持部１６に固定され且つヒーター１４を保持するヒーター保持部１５と、を有し、当該ヒーター１４はプローブカード１００がプローブカード保持部１６に保持された際に、プローブカード１００に接触するように配されていること。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体集積回路の検査装置及びこれを用いた半導体集積回路の検査方法に関し、特に、半導体集積回路の温度特性検査の技術に関するものである。

半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ上に複数の半導体集積回路が形成されると、ダイシングによって当該半導体ウエハが個片化される前に、ウエハ状態で半導体集積回路の電気的特性検査の実施が行われている。かかる電気的特性検査の実施方法としては、複数の半導体集積回路が形成された半導体ウエハがプローバの測定ステージに載置され、半導体集積回路上の外部電極引出し用パッドに、プローブカードに設けられたプローブが接触させられ、半導体集積回路の電気的特性が測定される。当該測定によって、半導体集積回路ごと（すなわち、チップごと）の良否判定が可能になる。かかる良否判定に基づいて、不良品の半導体集積回路のスクリーニングが行われることになる。

上述したプローバによる測定は、一般的に高温下（例えば、摂氏１００度（１００℃）以上）で行われる。かかる高温下での測定を行うためには、半導体集積回路が形成された半導体ウエハが加熱され、所定の温度に維持される必要がある。従って、かかる半導体ウエハの加熱を効率よく行うために、従来から半導体ウエハが載置される載置台等にヒーターが取り付けられていた。

また、チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ：Chip On Film）やテープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ：Tape Carrier Package）等のテープ形状の半導体装置における半導体集積回路の電気的特性検査の実施には、従来からプローブカードが取り付けられた集積回路用テストハンドラが、従来から使用されている。ＣＯＦやＴＣＰ等の場合には、エアーブローによって半導体集積回路が加熱され、かかる加熱状態下において半導体集積回路の電気的特性検査が実施される。

上述したプローバや集積回路用テストハンドラによる半導体集積回路の電気的特性の検査において、半導体ウエハや半導体集積回路のみが直接的に加熱されていた。一方、プローブカードは、半導体ウエハや半導体集積回路の加熱のための熱源（ヒーター及びエアーブローノズル）に接触又は近接していないので、プローブカードの加熱は間接的になっていた（すなわち、半導体ウエハや半導体集積回路よりも温度上昇が少ない）。また、プローバによる検査においては、半導体ウエハが載置される載置台が退避している場合には、プローブカードは全く加熱されることがなかった。以上のことから、プローブカードが所定の温度に到達しない状態で電気特性検査が実施されることがあり、適切な温度での電気的特性検査の実施が困難となる問題があった。また、プローブカードが適正な温度に到達しないと、プローブカードの熱膨張が不十分であるため、当該熱膨張を考慮して実施されたプローブの位置調整が再度行われることになり、検査時間の短縮を図ることができなかった。

このような問題点を解決する方法として、プローブカードの加熱用のヒーターをプローブカードの構成部材である補強板又はホルダに取り付ける技術が、従来から知られている。例えば、特許文献１には、プローブカードを構成する補強板にヒーターを取り付ける技術が開示されている。また、特許文献２には、プローブカードを構成するホルダにヒーターを取り付ける技術が開示されている。いずれの特許文献においても、半導体集積回路の電気的特性検査時にプローブカードが加熱されることになる。

特開２０００−２４１４５４ 特開２０００−１３８２６８

しかしながら、上述したようなプローブカードを構成する部品にヒーターが取り付けられる場合においては、プローブカードの数量と同じ数量のヒーターが必要となり、プローバ又は集積回路用テストハンドラによる電気的特性検査のコスト低減を図ることが困難であった。また、プローブカードを取り付けるたびにヒーターの電源が入れられるので、ヒーターから供給される熱量が所定値になるまで時間がかかり、プローブカードが所定温度に到達するまでの時間を短縮することが困難であった。

本発明は、以上の如き事情に鑑みてなされたものであり、プローブカードへの加熱を効率よく行い、かつ、半導体集積回路の電気的特性検査におけるコストの低減を図ることができる半導体集積回路の検査装置及びこれを利用した検査方法を提供する。

上述した課題を解決するために、本発明の半導体集積回路の検査装置は、テストヘッドと、半導体集積回路に接触するプローブを備えるプローブカードを着脱自在に保持するプローブカード保持部と、からなる半導体集積回路の検査装置であって、プローブカードを加熱するヒーターと、プローブカード保持部に固定され且つヒーターを保持するヒーター保持部と、を有し、ヒーターは、プローブカードがプローブカード保持部に保持された際に、プローブカードに接触するように配されていることを特徴とする。

また、上述した課題を解決するために、本発明の半導体集積回路の検査方法は、テストヘッドとテストヘッドに固定されたプローブカード保持部とからなるテスターにプローブカードを搭載する搭載工程と、半導体装置を測定位置に配置する配置工程と、半導体装置を加熱する半導体装置加熱工程と、半導体装置の特性を測定する検査工程と、を有する半導体集積回路の検査方法であって、テスターに設けられたヒーターによって搭載工程前からプローブカード保持部及びプローブカード搭載位置周辺の加熱を開始し、搭載工程後においてヒーターによってプローブカードを加熱することを特徴とする。

本発明の半導体集積回路の検査装置は、テストヘッドと、半導体集積回路に接触するプローブを備えるプローブカードを着脱自在に保持するプローブカード保持部と、からなり、更に、プローブカードを加熱するヒーターと、プローブカード保持部に固定され且つヒーターを保持するヒーター保持部と、を有している。また、当該ヒーターは、プローブカードがプローブカード保持部に保持された際に、プローブカードに接触するように配されている。上述したような検査装置の構成によって、プローブカードの搭載前からプローブカード搭載位置周辺及びプローブカードを保持するプローブカード保持部等を加熱することができる。これによって、プローブカードへの加熱を効率よく行い、早期にプローブカードを所定温度に到達させることができる。また、プローブカード毎にプローブカードを加熱するためのヒーターを設ける必要がないので、半導体集積回路の電気的特性検査におけるコストの低減を図ることができる。

また、本発明の半導体集積回路の検査方法によれば、プローブカードの搭載前からプローブカード搭載位置周辺及びプローブカードを保持するプローブカード保持部等を加熱するので、プローブカードへの加熱を効率よく行い、早期にプローブカードを所定温度に到達させることができる。

本発明の実施例である半導体集積回路の検査装置にプローブカードが搭載された状態の断面図である。 （ａ）は本発明の実施例である半導体集積回路の検査装置の構成部材の平面図であり、（ｂ）は本発明の実施例である半導体集積回路の検査装置の構成部材の側面図であり、（ｃ）は本発明の実施例である半導体集積回路の検査装置の構成部材の底面図である。 本発明の実施例である半導体集積回路の検査装置の構成部材の模式図である。 本発明の実施例である半導体集積回路の検査装置を備えるプローバの模式図である。 本発明の実施例である半導体集積回路の検査装置を備えるプローバを利用した半導体集積回路の検査フローである。 （ａ）は本発明の実施例である半導体集積回路の検査装置にプローブカードを搭載する前の断面図であり、（ｂ）本発明の実施例である半導体集積回路の検査装置にプローブカードを搭載した後の断面図である。 本発明の実施例である半導体集積回路の検査装置を備える集積回路用テストハンドラの模式図である。

以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。

（実施例１）
先ず、図１乃至図３を参照しつつ、半導体集積回路の電気的特性検査に用いられる半導体集積回路の検査装置について説明する。図１は、半導体集積回路の検査装置にプローブカードが搭載された状態の断面図である。図２は、半導体集積回路の検査装置を構成する部材の平面図、側面図及び底面図である。図３は、半導体集積回路の検査装置を構成する部材の１つであるヒーターの制御を説明するための模式図である。

図１に示されているように、本発明の半導体集積回路の検査装置であるテスター１０は、テストヘッド１１、接続リング部１２を構成する接続リング１２ａ〜１２ｄ、接続リング部１２とプローブカード１００との接続用のピンであるポゴピン１３、ヒーター１４、及びヒーター１４を保持するためのヒーター保持部１５から構成されている。なお、接続リング部１２とポゴピン１３とから、プローブカード保持部１６が構成されている。また、テスター１０に搭載されるプローブカード１００は、基板１７と、基板１７上に設けられたプローブ１８、補強板１９及びリレー又は抵抗等の部品２０と、から構成されている。更に、基板１７の略中央部には、矩形状の開口２１が設けられている。以下において、上述した構成部品について詳細に説明する。

テストヘッド１１には、ネジ等の接続部品（図示せず）によって接続リング１２ａが接続されている。また、接続リング１２ａ〜１２ｄはネジ穴（図示せず）を有しており、当該ネジ穴にネジが螺合されることにより、接続リング同士が接続されることになる。接続リング１２ａ〜１２ｄの中央部には略円形の開口２２ａ〜２２ｄが設けられている。開口２２ａ〜２２ｄによって、テストヘッド１１の一部が露出している。テストヘッド１１に対して近傍に位置する接続リングほど、かかる開口部が小さくなる。具体的には、開口２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの順に、開口の直径が大きくなっている。なお、接続リング１２ａ〜１２ｄに設けられている開口２２ａ〜２２ｄは、円形に限られることなく、例えば矩形又は正方形であっても良い。

接続リング１２ｂの表面であって接続リング１２ｃとの接触面には、ヒーター保持部１５が固着されている。また、ヒーター保持部１５は、接続リング１２ｃの側面に接触しており、接続リング１２ｃの開口部分を塞ぐように嵌合し且つ固定されている。ヒーター保持部１５は、ヒーター１４を保持している。また、ヒーター保持部１５は、接続リング１２ｂと接続リング１２ｃとの接触面において、接続リング１２ａ〜１２ｄに形成された開口２２ａ〜２２ｄからなる空間を分離する。すなわち、開口２２ａ〜２２ｄからなる空間は、ヒーター保持部１５により、テストヘッド１１の表面、接続リング１２ａ、１２ｂの表面及び側面、並びにヒーター保持部１５の表面によって形成される空間２３ａと、接続リング１２ｃ、１２ｄの側面、及びヒーター保持部１５の表面によって形成される空間２３ｂと、に分離される。ヒーター保持部１５が接続リング１２ｃの開口部分を塞ぐように嵌合して空間２３ａ及び２３ｂを形成することにより、テストヘッド１１を冷却するための冷却風等がヒーター１４に到達することがない。これによって、ヒーター１４の加熱効率を向上することができ、プローブカード１００が所望の温度まで到達する時間を短縮することができる。

接続リング１２ｄには複数のポゴピン１３が設けられており、ポゴピン１３を介して接続リング１２ｄにプローブカード１００を構成する基板１７が着脱自在に保持されている。すなわち、プローブカード１００は、補強板１９及び部品２０が配置された面（以下、上面と称する）がポゴピン１３との接触面となる。また、プローブカード１００の上面においては、開口２１が補強板１９によって覆われている。プローブカード１００の上面に対して反対側の面（以下、下面と称する）には、プローブ１８が設けられている。プローブ１８は、プローブ１８の先端が開口２１と対向するように、プローブカード１００の下面に対して傾斜して設置されている。

また、プローブカード１００の搭載時においては、補強板１９とヒーター１４とは、接触することになる。これによって、ヒーター１４において発生する熱が補強板１９を介して基板１７及びプローブ１８に供給され、プローブカード１００が容易に加熱されることになる。なお、補強版１９は、ヒーター１４と同等の寸法又はそれよりも少し大きい寸法であることが望ましい。これは、ヒーター１４が基板１７上に配置された部品２０に接触しないようにするためである。また、プローブ１８の各々は、テストヘッド１１の電気配線と信号線（図示せず）等によって電気的に接続されている。

図２（ａ）〜（ｃ）に示されているように、ヒーター保持部１５は、固定板１５ａ及びヒーター保持体１５ｂとから構成されている。固定板１５ａは円盤状であり、接続リング１２ｃの開口部分に嵌合し且つ固定されている。なお、開口２２ｃの形状が正方形又は矩形である場合には、固定板１５ａの形状も正方形又は矩形となる。固定板１５ａの中央部には、正方形の開口が設けられており、かかる開口部分にヒーター保持体１５ｂが嵌合されている。すなわち、ヒーター保持体１５ｂは、固定板１５ａを貫通している。また、固定板１５ａの縁部分には、円形の開口２４が複数（図２（ａ）においては、左右に３個ずつ）設けられている。開口２４は、接続リング１２ｂに固定板１５ａが固定されるときに使用されるネジが螺合するための開口である。従って、接続リング１２ｂには、開口２４に対応する位置に開口が設けられている。更に、固定板１５ａには、測定用ケーブルを通すための開口２５が設けられている。このような開口２５を設ける理由は、テストヘッド１１からヒーター１４に測定用ケーブルを最短で通すためには、接続リング１２ｃの開口部分に嵌合している固定板１５ａを測定用ケーブルが貫通する必要があるからである。なお、上述した測定とは、例えば、ヒーター温度、ヒーターにおける電流値及び電圧値等の測定のことである。また、上述した測定を行わない場合は、開口２５に金属又はゴム等の嵌合部材を嵌め込んでおくことが望ましい。これは、テストヘッド１１の冷却用の冷却風等をヒーター１４側に侵入させないためである。

また、ヒーター保持体１５ｂの内部にはバネ等の弾性体が設けられており、ヒーター保持体１５ｂは伸縮自在の構造になっている。これによってヒーター１４は、図２（ｂ）の双方向矢印２ｂ−２ｂによって示されているように、上下に移動することが可能になる。すなわち、ヒーター保持体１５ｂは、伸縮自在にヒーター１４を保持している。このような構成を採用する理由としては、ヒーター１４がプローブカード１００を構成する補強板１９と接触する場合において、当該接触によるヒーター１４及び補強板１９の破損を防止するためである。

更に、ヒーター保持体１５ｂには、モーター（図示せず）等が接続されており、ヒーター１４を図２（ｃ）の双方向矢印２ｃ−２ｃによって示されているように、回転させることができる。すなわち、ヒーター保持体１５ｂは、ヒーター１４とプローブカード１００とが接触する面に平行な面内において、ヒーター１４を回転自在に保持する回転保持器としても機能する。例えば、ヒーター１４は、図２（ｃ）の実線から波線で示された状態に、その向きを９０度変更することができる。これは、プローブカード１００の種類は様々であり、プローブカード１００に設けられる補強板１９の位置及び向きもプローブカード１００ごとに異なるからである。このように、ヒーター１４の向きが変更することができれば、種々のプローブカード１００に対応することが可能になる。なお、ヒーター保持体１５ｂを回転させるのではく、ヒーター１４のみを回転させるように、ヒーター１４がヒーター保持体１５ｂに保持されても良い。

図３に示されているように、ヒーター１４には接続配線３１を介してヒーターコントローラー３２が接続されている。具体的には、ヒーター１４には、熱電対等のセンサ（図示せず）が設けられており、かかるセンサから接続配線３１を介してヒーターコントローラー３２に温度信号が供給される。また、ヒーターコントローラー３２は、当該センサから供給される温度信号に応じて、ヒーター１４の温度調整を行い、プローブカード１００の温度を所定の温度に維持する。更に、ヒーター支持体１５ｂには、ヒーター１４の向きを変更するために使用される駆動機構であるモーター３３が接続されている。

次に、図４を参照しつつ、テスター１０を備える検査装置について説明をする。図４は、テスター１０に所定のプローブカード１００が搭載された状態のプローバの模式図である。

図４に示されているように、プローバ４０は、半導体ウエハＷを搬送するローダ室４１と、ローダ室４１に隣接し且つ半導体ウエハＷの電気的特性の測定が行われるプローバ室４２とから構成されている。ローダ室４１には、半導体ウエハＷを保持するカセット４３を収納するカセット収納部４４と、ウエハ搬送機構（図示せず）とが設けられている。一方、プローバ室４２には、半導体ウエハＷが載置される載置台４５と、載置台４５を支持する支持台４６と、載置台４５と支持台４６を接続し且つ載置台４５を上下方向（すなわち、垂直方向）に移動せしめる接続アーム４７と、プローブカード１００と、テスター１０とが設けられている。なお、プローバ室４２は、プローバ壁４８によって形成されている。テスター１０を構成する接続リング部１２は、プローバ壁４８に接続したリング固定部４９によって固定されている。なお、テスター１０を構成するテストヘッド１１は、プローバ壁４８及びリング固定部４９上（すなわち、プローバ室の外側）に位置する。

また、載置台４５には、例えばヒーター及び冷却ジャケット等の温度調節機構（図示せず）が内蔵されている。かかる温度調節機構によって半導体ウエハＷが所望の測定温度に調整される。更に、支持台４６は、半導体ウエハＷの表面と平行面内（すなわち、水平面内）において移動自在である。

次に、図５及び図６（ａ）、（ｂ）を参照しつつ、図４に示されたプローバ４０による半導体ウエハＷの電気的特性の検査フローを説明する。

先ず、プローブカード１００が取外されている状態において、プローブカード１００を構成する補強板１９と、テスター１０を構成するヒーター１４とが対向するように、ヒーター１４の位置及び向きの調整が行われる（図５：ステップＳ１）。具体的には、モーター３３を駆動することにより、ヒーター保持体１５ｂを回転させてヒーター１４の位置及び向きの調整が行われる。

次に、ヒーター１４がオン状態に移行され、ヒーター１４による加熱が開始される（図５：ステップＳ２）。続いて、プローブカード１００を構成する補強板１９とヒーター１４とが対向するように、プローブカード１００がテスター１０に搭載される（図５：ステップＳ３）。具体的には、テスター１０を構成する接続リング部１２に設けられたポゴピン１３を介して、テスター１０にプローブカード１００が搭載されることになる（図６（ａ）、（ｂ）参照）。ここで、ヒーター１４はすでにオン状態であり、リング接続部１２及びプローブカード１００の搭載位置周辺は加熱されているので、搭載されたプローブカード１００は短時間で所定の温度に到達することになる。例えば、プローブカード１００の温度が、約摂氏１００度（１００℃）になるように調整される。また、プローブカード１００がテスター１０に搭載される位置合せにより、ヒーター１４と補強板１９との位置合せが完了しているので、プローブカード１００の搭載後に再度のヒーター１４の位置合せは不要になる。

次に、複数の半導体集積回路が形成された半導体ウエハＷが、測定機器であるプローバ４０内に配置される（図５：ステップＳ４）。具体的な半導体ウエハＷの配置方法としては、先ず、複数の半導体ウエハＷがカセット４３に保持される。次に、複数の半導体ウエハＷを保持した状態のカセット４３が、ローダ室４１のカセット収納部４４に収納される。続いて、カセット４３に保持された半導体ウエハＷのうちの一枚がウエハ搬送機構によってプローバ室４２に搬送され、半導体ウエハＷが載置台４５上に載置される。以上の工程を経て、プローバ４０内への半導体ウエハＷの配置が完了する。

次に、半導体ウエハＷが、所望の測定温度まで加熱される（図５：ステップＳ５）。具体的には、半導体ウエハＷが載置台４５に内蔵された温度調節機構によって加熱される。例えば、半導体ウエハＷが１００℃になるように、当該加熱が調整される。続いて、半導体ウエハＷの加熱が完了する（すなわち、半導体ウエハＷが所定の温度に到達し、その温度が維持された状態になる）と、半導体ウエハＷ上に形成された半導体集積回路（図示せず）の電気的特性の測定（ウエハのテスト）が開始される（図５：ステップＳ６）。なお、プローブカード１００は、半導体ウエハＷよりも先に加熱が開始されているので、半導体ウエハＷの加熱が完了した時点においては、プローブカード１００の加熱も完了している（すなわち、プローブカード１００が所定の温度に到達し、その温度が維持された状態になる）。具体的な測定方法としては、支持台４６が水平面内において移動することにより、半導体ウエハＷとプローブカード１００との位置調整が行われる。続いて、接続アーム４７が上昇することにより、載置台４５がプローブカード１００に近づき、半導体集積回路の外部電極引出し用パッド（図示せず）と、プローブ１８とが接触し、電気的特性の測定が可能な状態になる。更に、テストヘッド１１から供給される測定用信号が、プローブ１８を介して半導体ウエハＷ上の外部電極引出し用パッドに印加され、半導体ウエハＷに形成された半導体集積回路の電気的特性が測定される。

次に、本実施例においては、カセット４３に保持された半導体ウエハＷの測定が終了し、測定が終了した半導体ウエハＷとは異なる種類の半導体ウエハＷ´（例えば、半導体集積回路の形状が異なる）の電気的特性検査を続いて行う。このような場合においては、先ず、テスター１０に搭載されたプローブカード１００が取り外される（図５：ステップＳ７）。このとき、ヒーター１４はオフ状態に移行されず、オン状態が維持される。このように、ヒーター１４をオン状態に維持することで、接続リング部１２及びポゴピン１３からなるプローブカード保持部１６等を加熱し続けることができる。

次に、半導体ウエハＷ´の電気的特性検査に使用されるプローブカード１００を構成する補強板１９と、テスター１０を構成するヒーター１４とが対向するように、ヒーター１４の位置及び向きの調整が行われる（図５：ステップＳ８）。具体的には、ステップＳ１同様であって、モーター３３を駆動することにより、ヒーター保持体１５ｂを回転させてヒーター１４の位置及び向きの調整が行われる。

次に、ステップ３と同様にして、プローブカード１００を構成する補強板１９とヒーター１４とが対向するように、プローブカード１００がテスター１０に搭載される（図５：ステップＳ９）。ここで、ヒーター１４は、ステップＳ２においてオン状態に移行してから、かかるオン状態を維持し続けている。従って、ステップＳ７においてプローブカード１００が取外された状態においても、テスター１０の内部及び接続リング部１２等は高温状態（例えば、１００℃の状態）に維持されている。これによって、新たに搭載されるプローブカード１００の温度は、従来よりも短い時間で所定の温度にまで到達し、その温度が維持されることになる。

次に、ステップＳ４、Ｓ５、Ｓ６と同様にして、半導体ウエハＷ´の配置、半導体ウエハＷ´の加熱及び半導体ウエハＷ´のテストが行われる（ステップＳ１０〜Ｓ１２）。

上述したような検査フローによる半導体ウエハＷ（Ｗ´）の半導体集積回路の電気的特性検査の方法においては、プローブカード１００がヒーター１４から直接的に加熱されるので、電気的特性検査の精度を向上することができる。また、プローブカード１００の搭載前からヒーター１４によりプローブカード１００の搭載位置周辺の温度を上昇させておくことができるので、プローブカード１００を早期に所定に温度に到達させることができる。これにより、半導体集積回路の電気的特性検査自体の時間を短縮することができる。なお、プローブカード１００の搭載前からのヒーター１４による加熱は、特に、プローブカード１００の交換を行う必要あるときに、その効果を得ることができる。

以上のように、本発明の半導体集積回路の検査装置であるテスター１０は、テストヘッド１１と、プローブカード１００を着脱自在に保持するプローブカード保持部１６と、から構成され、更に、プローブカード１００を加熱するヒーター１４と、プローブカード保持部１６に固定され且つヒーター１４を保持するヒーター保持部１５と、を有している。また、ヒーター１４は、プローブカード１００がプローブカード保持部１６に保持された際に、プローブカード１００に接触するように配されている。上述したようなテスター１０の構成によって、プローブカード１００の搭載前からプローブカード搭載位置周辺及びプローブカード１００を保持するプローブカード保持部１６等を加熱することができる。これによって、プローブカード１００への加熱を効率よく行い、早期にプローブカード１００を所定温度に到達させることができる。また、プローブカード毎にプローブカード１００を加熱するためのヒーター１４を設ける必要がないので、半導体装置の電気的特性検査におけるコストの低減を図ることができる。

また、本発明の半導体装置の検査方法によれば、プローブカード１００の搭載前からプローブカード搭載位置周辺及びプローブカード１００を保持するプローブカード保持部１６等を加熱するので、プローブカード１００への加熱を効率よく行い、早期にプローブカード１００を所定温度に到達させることができる。

なお、本実施例においては、プローブカード１００を構成する補強板１９にヒーター１４を接触させていたが、プローブカード１００に補強板１９が無いような場合においては、基板１７とヒーター１４とを接触させることで、プローブカード１００を加熱しても良い。

（実施例２）
第１の実施例においては、本発明の半導体集積回路の検査装置であるテスター１０をプローバに搭載することを記載したが、図７に示されているように、チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ：Chip On Film）やテープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ：Tape Carrier Package）等のテープ形状の半導体装置における半導体集積回路の電気的特性検査の実施に使用される集積回路用テストハンドラに本発明のテスター１０が搭載されても良い。以下に、本発明の半導体集積回路の検査装置であるテスター１０が集積回路用テストハンドラに搭載される場合について説明する。

図７に示されているように、テスター１０は、集積回路用テストハンドラ６０のテスター固定部６１に取り付けられる。テスター固定部６１は、集積回路用テストハンドラ６０の本体部６２に接続アーム６３を介して接続されている。接続アーム６２は上下方向に移動自在であって、テスター１０及びテスター固定部６１を後述する半導体集積回路に対して接近及び離間することができる構成である。なお、テスター１０には、プローブカード１００が搭載されている。テスター１０及びプローブカード１００の構成は、第１の実施例と同様であるため、その説明は省略する。

テスター１０及びプローブカード１００の上方には、テープ６４上に形成された半導体集積回路６５が位置することになる。接続アーム６３が上下方向に移動することにより、プローブ１８が半導体集積回路６５の外部電極引出し用パッド（図示せず）と検査時のみに接触することになる。なお、テープ６４の先端及び終端にはリール（図示せず）が接続されており、検査終了後のテープ６４は当該リールの一方（先端側に接続されたリール）に巻かれることになる。

また、テープ６４上に形成された半導体集積回路６５は、プローブ１８と接触する位置に到達すると、エアーブローノズル６６から放出される熱風により加熱される。なお、エアーブローノズル６６は、例えば、プローブカード１００の上方に位置し、テープ６４側から半導体集積回路６５が加熱される（エアーブローが施される）。

半導体集積回路６５の電気的特性検査の検査フローについては、第１の実施例とほぼ同じであり、相違点は半導体ウエハＷの搬送がリールを回転させてテープ６５を巻きつける点、半導体集積回路の加熱方法がエアーブローによる点が変更されているだけあるので、集積回路用テストハンドラ６０の検査フローについては省略する。

上述したような半導体集積回路６５の電気的特性検査の方法においても、プローブカード１００がヒーター１４から直接的に加熱されるので、電気的特性検査の精度を向上することができる。また、プローブカード１００の搭載前からヒーター１４によりプローブカード１００の搭載位置周辺の温度を上昇させておくことができるので、プローブカード１００を早期に所定に温度に到達させることができる。これにより、半導体集積回路６５の電気的特性検査自体の時間を短縮することができる

１０ テスター
１１ テストヘッド
１２ 接続リング部
１３ ポゴピン
１４ ヒーター
１５ ヒーター保持部
１５ａ 固定板
１５ｂ ヒーター保持体
１６ プローブカード保持部
１７ 基板
１８ プローブ
１９ 補強板
１００ プローブカード

Claims (7)

1. テストヘッドと、半導体集積回路に接触するプローブを備えるプローブカードを着脱自在に保持するプローブカード保持部と、からなる半導体集積回路の検査装置であって、
   前記プローブカードを加熱するヒーターと、
   前記プローブカード保持部に固定され且つ前記ヒーターを保持するヒーター保持部と、を有し、
   前記ヒーターは、前記プローブカードが前記プローブカード保持部に保持された際に、前記プローブカードに接触するように配されていることを特徴とする検査装置。
2. 前記プローブカード保持部は、前記テストヘッドを露出する開口部を有し、前記ヒーター保持部は、前記開口部を塞ぐように嵌合していることを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
3. 前記ヒーター保持部の一部は弾性部材からなり、前記ヒーターを伸縮自在に保持することを特徴とする請求項１又は２に記載の検査装置。
4. 前記ヒーター保持部は、前記ヒーターと前記プローブカードとが接触する面に平行な面内において前記ヒーターを回転自在に保持する回転保持器を含むことを特徴とする請求項３に記載の検査装置。
5. 前記ヒーター保持部は、前記ヒーターと前記プローブカードとが接触する面に平行な面内において前記ヒーターを回転自在に保持することを特徴とする請求項３に記載の検査装置。
6. テストヘッドと前記テストヘッドに固定されたプローブカード保持部とからなるテスターにプローブカードを搭載する搭載工程と、
   半導体装置を測定位置に配置する配置工程と、
   前記半導体装置を加熱する半導体装置加熱工程と、
   前記半導体装置の特性を測定する検査工程と、を有する半導体集積回路の検査方法であって、
   前記テスターに設けられたヒーターによって前記搭載工程前から前記プローブカード保持部及び前記プローブカード搭載位置周辺の加熱を開始し、前記搭載工程後において前記ヒーターによって前記プローブカードを加熱することを特徴とする半導体装置の検査方法。
7. 前記搭載工程前に、前記ヒーターの位置及び向きを調整するヒーター調整工程を有することを特徴とする請求項６に記載の検査方法。

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