JP2010177264A5

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Publication number: JP2010177264A5
Application number: JP2009015508A
Authority: JP
Filing date: 2009-01-27
Publication date: 2011-08-25
Anticipated expiration: 2029-01-27

Claims

受光面と前記受光面の裏面とを含み、結晶粒の長手方向が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となる一導電型を有する多結晶シリコン基板を備え、
前記多結晶シリコン基板の裏面側に真性の第一薄膜層を備え、
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第一領域では、前記第一薄膜層の上に逆導電型を示す第二薄膜層と、第一電極とを有し
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第二領域では、前記第一薄膜層の上に一導電型を示す第三薄膜層と、第二電極とを有することを特徴とする太陽電池素子。 A polycrystalline silicon substrate having one conductivity type including a light receiving surface and a back surface of the light receiving surface, wherein the longitudinal direction of the crystal grains is substantially perpendicular to the thickness direction of the substrate;
An intrinsic first thin film layer is provided on the back side of the polycrystalline silicon substrate,
The first region on the back side of the polycrystalline silicon substrate has a second thin film layer having a reverse conductivity type on the first thin film layer, and a first electrode. In the two regions, a solar cell element having a third thin film layer having one conductivity type and a second electrode on the first thin film layer.

受光面と前記受光面の裏面とを含み、結晶粒の長手方向が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となる一導電型を有する多結晶シリコン基板を備え、
前記多結晶シリコン基板の裏面側に真性の第一薄膜層を備え、
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第一領域では、前記第一薄膜層の上に逆導電型を示す第二薄膜層と、第一電極とを有し
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第二領域では、一導電型を示す第一拡散層と、第二電極とを有することを特徴とする太陽電池素子。 A polycrystalline silicon substrate having one conductivity type including a light receiving surface and a back surface of the light receiving surface, wherein the longitudinal direction of the crystal grains is substantially perpendicular to the thickness direction of the substrate;
An intrinsic first thin film layer is provided on the back side of the polycrystalline silicon substrate,
The first region on the back side of the polycrystalline silicon substrate has a second thin film layer having a reverse conductivity type on the first thin film layer, and a first electrode. In the two regions, a solar cell element having a first diffusion layer exhibiting one conductivity type and a second electrode.

前記第一拡散層の上に前記第一薄膜層を有することを特徴とする請求項２に記載の太陽電池素子。 The solar cell element according to claim 2, wherein the first thin film layer is provided on the first diffusion layer.

前記第一薄膜層がアモルファスシリコンであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の太陽電池素子。 The solar cell element according to any one of claims 1 to 3, wherein the first thin film layer is amorphous silicon.

前記第一電極と前記第二電極とはそれぞれ、前記多結晶シリコン基板の前記裏面側に複数の電極指を有する櫛歯状電極として形成されており、
前記第一電極および前記第二電極の前記電極指の延びる方向が、結晶粒の長手方向に対してほぼ垂直となることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の太陽電池素子。 Each of the first electrode and the second electrode is formed as a comb-like electrode having a plurality of electrode fingers on the back surface side of the polycrystalline silicon substrate ,
5. The solar cell element according to claim 1, wherein the extending direction of the electrode fingers of the first electrode and the second electrode is substantially perpendicular to the longitudinal direction of the crystal grains.

受光面と前記受光面の裏面とを含み、結晶粒の長手方向が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となる一導電型を有する多結晶シリコン基板を準備する工程と、
前記多結晶シリコン基板の裏面側に真性の第一薄膜層を形成する工程と、
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第一領域に、前記第一薄膜層の上に逆導電型を示す第二薄膜層を形成する工程と、
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第二領域に、前記第一薄膜層の上に一導電型を示す
第三薄膜層を形成する工程と、
前記第二薄膜層の上に第一電極を形成する工程と、
前記第三薄膜層の上に第二電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。 Preparing a polycrystalline silicon substrate having one conductivity type including a light receiving surface and a back surface of the light receiving surface, wherein the longitudinal direction of the crystal grains is substantially perpendicular to the thickness direction of the substrate;
Forming an intrinsic first thin film layer on the back side of the polycrystalline silicon substrate;
Forming a second thin film layer having a reverse conductivity type on the first thin film layer in the first region on the back side of the polycrystalline silicon substrate;
Forming a third thin film layer having one conductivity type on the first thin film layer in a second region on the back side of the polycrystalline silicon substrate;
Forming a first electrode on the second thin film layer;
Forming a second electrode on the third thin film layer;
The manufacturing method of the solar cell element characterized by having.

受光面と前記受光面の裏面とを含み、結晶粒の長手方向が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となる一導電型を有する多結晶シリコン基板を準備する工程と、
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第二領域に、一導電型を示す第一拡散層を形成する工程と、
前記多結晶シリコン基板の裏面側に真性の第一薄膜層を形成する工程と、
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第一領域に、前記第一薄膜層の上に逆導電型を示す第二薄膜層を形成する工程と、
前記第二薄膜層の上に第一電極を形成する工程と、
前記第一拡散層の上に第二電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。 Preparing a polycrystalline silicon substrate having one conductivity type including a light receiving surface and a back surface of the light receiving surface, wherein the longitudinal direction of the crystal grains is substantially perpendicular to the thickness direction of the substrate;
Forming a first diffusion layer having one conductivity type in the second region on the back surface side of the polycrystalline silicon substrate;
Forming an intrinsic first thin film layer on the back side of the polycrystalline silicon substrate;
Forming a second thin film layer having a reverse conductivity type on the first thin film layer in the first region on the back side of the polycrystalline silicon substrate;
Forming a first electrode on the second thin film layer;
Forming a second electrode on the first diffusion layer;
The manufacturing method of the solar cell element characterized by having.