JP2010171383A - 加熱処理方法および加熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】容器101を密閉した状態とし、排気管103より排出されるガスの量を圧力制御弁104で制御することで、容器101の内部圧力が、例えば0.5MPa程度となるように制御できる状態とする。次に、圧縮ポンプ105により圧縮したガスを、輸送管106および加熱部107を経由し、導入管108より容器101の内部に導入し、容器101の内部圧力を上昇させる。例えば、圧縮ポンプ105により、圧縮ガスを20リットル/minで、容器101の内部に導入する。次に、容器101の内部圧力が設定値(例えば0.5MPa)に到達したら、加熱部107を動作させて導入している圧縮ガスの加熱を開始する。
【選択図】 図1
Description
はじめに、本発明の実施の形態1における加熱処理方法について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における加熱処理方法を実施するための加熱処理装置の構成例を示す構成図である。この加熱処理装置は、まず、密閉可能な容器101と、処理対象の基板Wを載置する基板台102を備える。容器101は、例えば内容積が40リットルである。また、容器101には、容器101の内部のガスを排気するための排気管103が接続し、排気管103の途中に圧力制御弁(圧力制御手段)104を備える。排気管103は、容器101の内部と外部とを連通している。
フレキシブルパッケージ基板とチップとを、アクリル系熱可塑性接着剤で貼り付け、これらを、図1に示す加熱処理装置の基板台102の上に載置し、容器101を密閉状態とする。次いで、圧縮ポンプ105で作製した高圧空気(圧縮ガス)を容器101内に導入し、また、圧力制御弁104を設定して容器101の内部圧力を0.6MPaとする。次に、加熱部107を動作させて導入している高圧空気を150℃に加熱し、高圧空気が導入されている容器101の内部を150℃に昇温する。昇温時間は、2分程度である。
基板上にペーストを塗布し、塗布したペーストの上に細孔の開いたカバーを付ける。このように製造した基板を、容器101の基板台102の上に載置し、容器101を密閉状態とする。次いで、0.8MPaの圧力の窒素(圧縮窒素)を容器101内に導入し、また、圧力制御弁104を設定して容器101の内部圧力を0.6MPaとする。次に、加熱部107を動作させて導入している加圧窒素を200℃に加熱し、加圧窒素が導入されている容器101の内部を200℃に昇温する。昇温時間は5分程度である。
接着樹脂を介し、液晶基板を導光板に貼り合わせ、これら基板を図1に示す加熱処理装置の基板台102の上に載置し、容器101を密閉状態とする。次いで、0,8MPaの高圧窒素を容器101内に導入し、また、圧力制御弁104を設定して容器101の内部圧力を0.8MPaとする。次に、加熱部107を動作させて導入している高圧窒素を100℃に加熱し、容器101の内部を100℃に昇温する。昇温時間は1分程度である。
細孔の開いたシリコン基板に導電性樹脂を塗布し、この基板を図1に示す加熱処理装置の基板台102の上に載置する。次いで、高圧窒素を容器101内に導入し、また、圧力制御弁104を設定して容器101の内部圧力を0.9MPaとする。次に、加熱部107を動作させて導入している高圧窒素を150℃に加熱し、容器101の内部を150℃に昇温する。昇温時間は1分程度である。次いで、導入している高圧窒素を250℃に加熱し、容器101の内部を250℃に昇温する。この昇温時間も1分程度である。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。以下では、本発明の加熱処理方法を実施する他の加熱処理装置について説明する。図6は、本発明の実施の形態2における加熱処理方法を実施するための加熱処理装置の構成例を示す構成図である。この加熱処理装置は、まず、排出口602を備える内側容器601と、内側容器601を収容する外側容器603と、内側容器601と外側容器603との間に形成された排気流通層604とを備える。内側容器601と排気流通層604とは、排出口602で連通している。本実施の形態においては、一例として、内側容器601の上部に排出口602を備えている。ここで、上部は、内側容器601内部に基板が配置される側を下側として本装置を設置した場合の位置を示すものであり、以降では、これを基準として位置を説明する。なお、外側容器603は、例えば耐圧容器であればよい。また、外側容器603は、断熱材を備えるなど断熱構造としてもよい。
次に、本発明の実施の形態3について説明する。以下では、本発明の加熱処理方法を実施する他の加熱処理装置について説明する。図7は、本発明の実施の形態3における加熱処理方法を実施するための加熱処理装置の構成例を示す構成図である。この加熱処理装置は、まず、排出口702を備える内側容器701と、内側容器701を収容する外側容器703と、内側容器701と外側容器703との間に配置された中間容器711と、中間容器711に設けられた連通口712とを備える。本実施の形態では、一例として、内側容器701の上部に排出口702を備え、中間容器711の底部の側に連通口712を配置している。外側容器703は、例えば耐圧容器であればよい。また、外側容器703は、断熱材を備えるなど断熱構造としてもよい。
次に、本発明の実施の形態4について説明する。図8は、本発明の実施の形態4における加熱処理方法を実施するための加熱処理装置の構成例を示す構成図である。この加熱処理装置は、まず、排出口802を備える内側容器801と、内側容器801を収容する外側容器803と、内側容器801と外側容器803との間に形成された排気流通層804とを備える。本実施の形態においては、一例として、内側容器801の下部に排出口802を備えている。内側容器801と排気流通層804とは、排出口802で連通している。
次に、本発明の実施の形態5について説明する。図9は、本発明の実施の形態5における加熱処理方法を実施するための加熱処理装置の構成例を示す構成図である。この加熱処理装置は、まず、排出口902を備える内側容器901と、内側容器901を収容する外側容器903と、内側容器901と外側容器903との間に形成された排気流通層904とを備える。本実施の形態においては、一例として、内側容器901の横側に排出口902を備えている。なお、横側は、内側容器901内部に基板が配置される側を下側として本装置を設置した場合の位置を示すものである。内側容器901と排気流通層904とは、排出口902で連通している。
フレキシブルパッケージ基板とチップを、アクリル系熱可塑性接着剤で貼り付け、この試料を、図6を用いて説明した加熱処理装置の内側容器601に載置(搬入)し、外側容器603を密閉状態とする。なお、内側容器601は、板厚0.5mmのステンレス鋼から構成されている。次に、外側容器603の内部圧力が0.6MPaとなる条件に圧力制御弁608を設定し、熱風発生部606より150℃に熱した高圧空気を供給する。この高温高圧の空気を、導入管607より内側容器601に導入し、内側容器601の内部を150℃に昇温し、150℃に到達したらこの状態を維持する。昇温時間は3分程度である。
基板上にペーストを塗布し、塗布したペーストの上に細孔の開いたカバーを付ける。このように作製した試料を、図6を用いて説明した加熱処理装置の内側容器601に載置(搬入)し、外側容器603を密閉状態とする。なお、内側容器601は、板厚1mmのアルミニウム板から構成されている。上述したようにカバーを付けることで、ペーストから蒸発する溶剤の飽和蒸気下で、試料が加熱処理されるようになる。
液晶基板を、接着樹脂を介して導光板に貼り合わせ、この試料を、図6を用いて説明した加熱処理装置の内側容器601に搬入し、外側容器603を密閉状態とする。次に、外側容器603の内部圧力が0.8MPaとなる条件に圧力制御弁608を設定し、熱風発生部606より150℃に熱した高圧空気を供給する。この高温高圧の空気を、導入管607より内側容器601に導入し、内側容器601の内部を100℃に昇温し、100℃に到達したらこの状態を維持する。昇温時間は3分程度である。
プリント基板の実装位置において、各端子部にハンダボールを介して実装対象のチップを仮設置し、この試料を、図6を用いて説明した加熱処理装置の内側容器601に搬入し、外側容器603を密閉状態とする。
以下、実施例9について説明する。以下では、内側容器が加熱機構を備え、導入される加熱ガスとは別に、上記加熱機構により加熱可能とした場合について説明する。
Claims (12)
- 容器の内部に処理対象の基板を配置する第1工程と、
排出される気体の量を制御することで前記容器の内部圧力を制御している状態で、圧縮した気体を前記容器の内部に導入して前記容器の内部圧力を上昇させる第2工程と、
圧縮した気体を前記容器の内部に導入して前記容器の内部圧力を上昇させている状態で、圧縮した気体を加熱して前記容器の内部に導入して前記容器の内部を加熱する第3工程と、
圧縮した気体を前記容器の内部に導入して前記容器の内部圧力を上昇させている状態で、圧縮した気体の前記加熱を停止して前記容器の内部に導入して前記容器の内部を冷却する第4工程と
を少なくとも備えることを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項2記載の加熱処理方法において、
圧縮した前記気体の導入を停止し、前記容器内部の気体を放出することで前記容器の内部圧力を低下させる第5工程
を備えることを特徴とする加熱処理方法。 - 容器の内部に処理対象の基板を配置する第1工程と、
気体を加熱して前記容器の内部に導入して前記容器の内部を加熱する第2工程と、
前記気体の前記加熱を停止して前記容器の内部に導入して前記容器の内部を冷却する第3工程と
を少なくとも備えることを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に2記載の加熱処理方法において、
前記気体は、複数の箇所から前記容器の内部に導入することを特徴とする加熱処理方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の加熱処理方法において、
前記気体は、空気、窒素、アルゴンの中より選択されたものであることを特徴とする加熱処理方法。 - 容器およびこの容器の内部と外部とを連通する排気管と、
前記容器の内部に加熱した気体を供給する加熱気体供給手段と、
この加熱気体供給手段より供給される気体を前記容器に導入する導入管と
を少なくとも備えることを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項6記載の加熱処理装置において、
前記容器は、
内側容器およびこの内側容器を収容する外側容器から構成されている
ことを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項7記載の加熱処理装置において、
前記内側容器に形成された排出口と、
前記内側容器と前記外側容器との間に形成された排気流通層と、
前記内側容器の内部に加熱した気体を供給する加熱気体供給手段と、
前記加熱気体供給手段より供給される気体を前記内側容器に導入する前記導入管と
を少なくとも備え、
前記内側容器と前記排気流通層とは、前記排出口で連通し、
前記排気流通層と前記外側容器の外部とは、前記排気管で連通している
ことを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項8記載の加熱処理装置において、
前記内側容器と前記外側容器との間に配置された中間容器と、この中間容器に設けられた連通口とを備え、
前記排気流通層は、前記内側容器と前記中間容器との間に形成された内側排気流通層、および前記中間容器と前記外側容器との間に形成された外側排気流通層とから構成され、
前記内側容器と前記内側排気流通層とは、前記排出口で連通し、
前記内側排気流通層と前記外側排気流通層とは、前記連通口で連通している
ことを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項7記載の加熱処理装置において、
前記内側容器と前記外側容器との間に設けられた断熱材を備えることを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項7〜10のいずれか1項に記載の加熱処理装置において、
前記内側容器は、加熱により遠赤外線を放射する材料から構成されている
ことを特徴とする加熱処理装置。 - 請求項6〜11のいずれか1項に記載の加熱処理装置において、
前記気体を圧縮して供給する圧縮供給手段と、
前記排気管より排出される気体の量を制御する圧力制御手段と
を備えることを特徴とする加熱処理装置。
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