JP2010171022A - 半導体検査方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SEMは特定条件で調整するため観察環境と調整環境が異なると光学系軸とステージ回転軸がずれる。この軸のずれを観察環境毎に容易に調整することでずれを少なくする。マウスで水平又は垂直と思われる線を引き近い軸に合わせてラスタローテーションを行った後ステージを水平に移動させ本来あるべき位置の像とパターンマッチングを行い角度調整する。ステージの移動方法をXY軸均等に移動することで目的地まで直線的に移動してスムースなステージ移動に同期してルール301により一つの矩形枠205内で一つのセル201を包囲しセルの個数を数値302で表示する。これにより正確な方向性と安定した速度を得られることを利用し更にステージ移動中(403)に画像補正(501〜504)を行うことでセル201のカウントを容易かつ正確に行なえる。
【選択図】図3
Description
図1において、半導体検査装置は、真空チャンバ隔壁113内の薄片の試料103に対向してSEM(走査電子顕微鏡:Scanning Electron Microscope)あるいはFIB(FIB:Focused Ion Beam)などの1次電子ビーム101を当てる。そして、2次電子ビーム102を2次電子検出器104で検出して、制御コンピュータ116を介して表示装置117に半導体の画像を表示する。制御コンピュータ116は、半導体検査装置全体の動作制御を行い、後述するセルカウンターの動作もコンピュータプログラムに従って制御する。
セルカウントする方向とステージの移動方向を求める。詳細は、後述する図7から図9にて示す。
このラスタローテーション設定をセルカウントする前に実施することによって、セルカウントする際、ステージ114を移動しても光学系とステージ114の回転軸の差による誤差がなくなり、セル枠内にセルがより正確に入ることになり、より正確なセルカウントが可能となる。
Claims (10)
- 移動可能なステージ上の半導体に電子ビーム、或いは集束イオンビームを照射する走査電子顕微鏡、或いは集束イオンビーム装置を制御するコンピュータに、前記電子ビーム、或いは集束イオンビームの照射に基づいて取得される試料画像上に表示されたセルの数をカウントさせるコンピュータプログラムであって、
当該プログラムは、前記コンピュータに、前記試料画像上に表示されたセルを包囲する枠及び当該枠に対応する数値を表示させ、当該枠の表示を、前記ステージによる移動に伴って前記試料画像上にて移動させると共に、前記数値を前記ステージの移動に伴って前記枠の個数に対応した数値を増加させ、当該数値の増加を、前記ステージの移動方向に選択的に実施させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項1に記載のコンピュータプログラムにおいて、
前記ステージは、互いに直交するX軸及びY軸方向に移動可能なステージであって、当該X軸方向、或いはY軸方向に沿って、前記数値を増加させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項1に記載のコンピュータプログラムにおいて、
前記ステージの移動方向に対する前記セルの移動方向のずれを補正するように、前記電子ビーム、或いは集束イオンビームの走査方向を回転させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項1に記載のコンピュータプログラムにおいて、
前記試料画像について、輪郭線強調処理、2値化処理、或いは拡大処理を行わせることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項1に記載のコンピュータプログラムにおいて、
前記表示したセルに対応する数値を、前記コンピュータに変更させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 半導体を支持し、移動可能なステージと、このステージ上の半導体に荷電粒子線を照射する荷電粒子線照射手段と、前記荷電粒子線の半導体への照射により得られた試料信号に基づいて、前記半導体に形成された複数のセルを表示する表示手段と、前記ステージ、荷電粒子線照射手段及び表示手段を制御する制御手段とを有し、特定のセルを判別する走査型電子顕微鏡或いは集束イオンビーム装置の機能を有する半導体検査装置において、
前記表示手段に表示されたセルの移動に追従して、セルをカウントするセルカウント手段を備え、
前記制御手段は、
前記表示手段に、前記試料画像上に表示されたセルを包囲する枠及び当該枠に対応する数値を表示させ、当該枠の表示を、前記ステージによる移動に伴って前記試料画像上にて移動させると共に、前記数値を前記ステージの移動に伴って前記枠の個数に対応した数値を増加させ、当該数値の増加を、前記ステージの移動方向に選択的に実施させることを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項6に記載の半導体検査装置において、
前記ステージは、互いに直交するX軸及びY軸方向に移動可能なステージであって、前記制御手段は、当該X軸方向、或いはY軸方向に沿って、前記数値を増加させることを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項6に記載の半導体検査装置において、
前記制御手段は、前記ステージの移動方向に対する前記セルの移動方向のずれを補正するように、前記電子ビーム、或いは集束イオンビームの走査方向を回転させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項6に記載の半導体検査装置において、
前記制御手段は、前記試料画像について、輪郭線強調処理、2値化処理、或いは拡大処理を行わせることを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項6に記載の半導体検査装置において、
前記制御手段は、前記表示したセルに対応する数値を変更させることを特徴とする半導体検査装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105388176A (zh) * | 2014-08-28 | 2016-03-09 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 荧光x射线分析装置以及其样品显示方法 |
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JPH0991999A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Hitachi Ltd | フェイルビットマップの表示方法 |
JP2000031233A (ja) * | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Hitachi Ltd | 欠陥位置を呼び出す方法およびそれを適用した装置 |
JP2000251824A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置及びそのステージ移動位置合せ方法 |
JP2002216684A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Nikon Corp | 電子ビーム装置、電子ビームの軸ずれ検出方法、及び電子ビーム装置を用いたデバイス製造方法 |
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