JP2010169804A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学装置の信頼性や歩留りを向上させる。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置は、画素領域と、前記画素領域の外周に位置する周辺領域とを有する基板と、前記画素領域に配置された電気光学素子と、前記周辺領域に配置され、前記電気光学素子を駆動する第１および第２の駆動回路と、前記周辺領域に配置された外部端子と、前記外部端子と前記第１又は第２の駆動回路を接続する第１配線、又は前記第１の駆動回路と前記第２の駆動回路とを接続する第２配線であって、前記周辺領域に配置される引出配線(L1)とを有し、前記配線部が互いに電気的に接続され、異なる層に形成され、平面視において互いに重なる第１層配線部(L1a)および第２層配線部(L1b)を有する。かかる構成によれば、周辺領域に物理的衝撃が加わり基板の欠けや割れが生じても、いずれかの配線部により回路駆動が担保される。
【選択図】図１

Description

本発明は、電気光学装置、特に、基板の周辺領域に引き出し配線を有する電気光学装置に関する。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）などに代表される電気光学装置は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に、液晶などの電気光学物質を配置した構成を有する。

上記アクティブマトリクス基板の中心部には画素領域が配置され、その周囲には、画素を駆動するための駆動回路や配線などが配置される。

例えば、下記特許文献１には、基板２０の外周に接続配線３４ｃを有する電気光学装置が開示されている。

特開２００５−２１５６１６号公報

本発明者は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）などに代表される電気光学装置に係る研究・開発を行っており、装置特性の向上を検討している。

上記のように基板の外周部に配線が配置される装置においては、装置の製造工程や実装工程に際し、ハンドリングミスなどにより基板に物理的衝撃が加わる場合がある。このような衝撃は、基板（装置）の端部に加わることが多く、これにより基板の欠けや割れが生じる。この際、基板の周囲に配置された配線が断裂し、表示不良の原因となる。このような装置端部に生じる欠けや割れの不良は、チッピング不良と呼ばれ、製造歩留りの低下を招き、また、実際の装置の使用に際しても信頼性の低下を招く。

そこで、本発明に係る具体的態様は、電気光学装置の信頼性や歩留りを向上させることができる装置構成を提供することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置の態様のひとつは、画素領域と、前記画素領域の外周に位置する周辺領域とを有する基板と、前記画素領域に配置された電気光学素子と、前記周辺領域に配置され、前記電気光学素子を駆動する第１および第２の駆動回路と、前記周辺領域に配置された外部端子と、前記外部端子と前記第１又は第２の駆動回路を接続する第１配線、又は前記第１の駆動回路と前記第２の駆動回路とを接続する第２配線であって、前記周辺領域に配置される引出配線とを有し、前記引出配線が互いに電気的に接続され、異なる層に形成され、平面視において互いに重なる第１層配線部および第２層配線部を有する。

かかる構成によれば、周辺領域に物理的衝撃が加わり基板の欠けや割れが生じても、第１層配線部および第２層配線部のうちいずれかの配線部により回路駆動が担保され、装置の信頼性を向上させることができる。また、装置の製造歩留りを向上させることができる。

例えば、前記基板は硬質基板である。このように、衝撃により破損し易い硬質基板を用いた場合であっても装置の信頼性を向上させることができる。また、例えば、前記第１層配線部および第２層配線部は、絶縁層を介して配置される。このように、配線部間には絶縁層が配置される。

例えば、前記画素領域には複数のトランジスタを有し、前記第１層配線部は、前記トランジスタのゲート電極と同層において同材料で形成されている。かかる構成によれば、装置の製造工程が簡略化され、また、使用する材料の有効利用が図れる。

例えば、前記画素領域には複数のトランジスタを有し、前記第２層配線部は、前記トランジスタのチャネル領域を構成する半導体層と同層において同材料で形成されている。かかる構成によれば、装置の製造工程が簡略化され、また、使用する材料の有効利用が図れる。

本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を有する。かかる構成によれば、電子機器の特性を向上させることができる。

本実施の形態の液晶装置（電気光学装置）の構成を示す平面図および断面図である。 本実施の形態のアクティブマトリクス基板の構成を示す回路図である。 本実施の形態の液晶装置（電気光学装置）の製造工程を示す断面図である。 本実施の形態の液晶装置（電気光学装置）の製造工程を示す断面図である。 最上層配線のみで引出配線Ｌ１を構成した比較例を示す断面図である。 引出配線Ｌ１を多層化した本実施の形態の場合の効果を示す断面図である。 本実施の形態の液晶装置（電気光学装置）の他の製造工程を示す断面図である。 本実施の形態の液晶装置（電気光学装置）の他の製造工程を示す断面図である。 電気光学装置を用いた電子機器の例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の機能を有するものには同一もしくは関連の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する。

（液晶装置の構成）
図１は、本実施の形態の液晶装置（電気光学装置）の構成を示す平面図および断面図である。図２は、本実施の形態のアクティブマトリクス基板の構成を示す回路図である。なお、図１（Ａ）の灰色の領域は、外部接続端子Ｐと引出配線Ｌ１、Ｌ２との接続の様子を簡略化して示すものである。

図１（Ｂ）に示すように、アクティブマトリクス基板（アレイ基板、以下、単に「基板」という）Ｓ１と対向基板Ｓ２とは、対向して配置され、これらの間とシール材５０によって液晶（図示せず）が注入封止されている。基板Ｓ１およびＳ２の材質および大きさに制限はないが、例えば、ガラス基板のような硬質基板よりなり、図１（Ａ）に示すように、一例として、基板Ｓ１は、対向基板Ｓ２より一回り大きく構成される。

基板Ｓ１は、図１および図２に示すように、画素領域Ａ１とその周囲の周辺領域Ａ２とを有している。図２に示すように、画素領域Ａ１には、複数の画素がアレイ状に配置され、各画素は、薄膜トランジスタＴと画素電極ＰＥとを有する。薄膜トランジスタＴのゲート電極は、走査線ＳＬに接続され、ソース、ドレイン電極の一方は画素電極ＰＥに、他方は、データ線ＤＬに接続されている。ここでは、画素領域Ａ１のｘ方向の両側に走査線駆動回路（回路ブロック）ＤＣ２が配置され、交互に走査線ＳＬを駆動する。また、データ線ＤＬは、データ線駆動回路（回路ブロック）ＤＣ１に接続され、これにより駆動される。

このような、走査線駆動回路ＤＣ２およびデータ線駆動回路ＤＣ１は、周辺回路とも呼ばれ、画素領域Ａ１の外周に位置する周辺領域Ａ２に配置される。また、走査線駆動回路ＤＣ２およびデータ線駆動回路ＤＣ１は、外部接続端子（外部端子）Ｐと接続され、当該端子に入力される駆動信号を受信し、また、所定の信号を外部接続端子Ｐを介して外部に出力する。

ここで、外部接続端子Ｐと走査線駆動回路ＤＣ２およびデータ線駆動回路ＤＣ１を接続する配線、および駆動回路間（ここでは、走査線駆動回路ＤＣ２間）を接続する配線は、周辺領域Ａ２に引き回されるため、引出配線（引き出し配線）Ｌ１、Ｌ２と呼ぶ。

この引出配線Ｌ１、Ｌ２のうちＬ１においては、図１（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、多層構造を有し、基板Ｓ１上に絶縁膜を介して積層された複数層の配線部（Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃ）よりなる。もちろん、Ｌ２においても多層構造を採用してもよい。なお、図１中、Ｅ２は、対向電極を示す。また、ＣＰは、接続パッドを示し、当該部位において、対向基板Ｓ２上に対向電極Ｅ２と所定の外部接続端子（例えば、接地電位供給端子）Ｐが図示しない配線を介して接続される。

（液晶装置の製造工程）
以下、本実施の形態の液晶装置（電気光学装置）の製造工程を示す断面図である図３および図４を参照しながら、本実施の形態の液晶装置（電気光学装置）の製造工程を説明しつつ、その構成をより明確にする。図中、右側は、画素領域Ａ１における薄膜トランジスタＴの形成部を、左側は、周辺領域Ａ２における引出配線Ｌ１の形成部を示す。

図３（Ａ）に示すように、基板Ｓ１として、例えば、ガラス基板を準備する。この基板Ｓ１の全面上に、半導体層１３として、例えば、アモルファスシリコン膜を形成する。このアモルファスシリコン膜は、例えば、ＣＶＤ（化学気相成長、Chemical Vapor Deposition）法により形成することができる。

次いで、半導体層１３をパターニングすることにより、画素領域Ａ１において、薄膜トランジスタＴの形成部にのみ、複数の島状の半導体層１３をアレイ状に残存させる。この際、引出配線Ｌ１の形成部にも、当該配線パターンに対応した第１層配線部Ｌ１ａも残存させる。即ち、半導体層１３上に、フォトレジスト膜（図示せず）を形成し、露光・現像（フォトリソグラフィ）することにより所望の形状のフォトレジスト膜を形成する。次いで、フォトレジスト膜をマスクに、半導体層１３をエッチングし、残存するフォトレジスト膜を除去する。このフォトレジスト膜の形成から除去までの一連の工程をパターニングという。

次いで、図３（Ｂ）に示すように、半導体層１３および第１層配線部Ｌ１ａ上を含む基板Ｓ１の全面上に、第１絶縁膜１５として例えば、酸化シリコン膜をＣＶＤ法により堆積する。なお、酸化シリコン膜に変えて、窒化シリコン膜などの他の無機系の絶縁膜を用いてもよい。また、ポリイミドなどの有機系の絶縁膜を用いることも可能である。なお、この第１絶縁膜１５は、薄膜トランジスタＴの形成部においてゲート絶縁膜となる。

次いで、図３（Ｃ）に示すように、第１層配線部Ｌ１ａ上の第１絶縁膜１５を選択的に除去することによりコンタクトホールＣ１を形成する。

次いで、図３(Ｄ)に示すように、コンタクトホールＣ１上を含む第１絶縁膜１５上に、導電性膜として例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属膜をスパッタリング法により堆積する。この後、パターニングすることにより、画素領域Ａ１の薄膜トランジスタＴの形成部にゲート電極Ｇを形成し、さらに、引出配線Ｌ１の形成部に、第２層配線部Ｌ１ｂを形成する。この際、第１層配線部Ｌ１ａと第２層配線部Ｌ１ｂは、コンタクトホールＣ１内に充填された金属膜（接続部）により接続される。また、第１層配線部Ｌ１ａと第２層配線部Ｌ１ｂのパターン形状は同一である。

次いで、図４（Ａ）に示すように、ゲート電極Ｇおよび第２層配線部Ｌ１ｂ含む基板Ｓ１の全面上に、第２絶縁膜１７として例えば、酸化シリコン膜をＣＶＤ法により堆積する。なお、酸化シリコン膜に変えて、窒化シリコン膜などの他の無機系の絶縁膜を用いてもよい。また、ポリイミドなどの有機系の絶縁膜を用いることも可能である。

次いで、図４（Ｂ）に示すように、第２層配線部Ｌ１および半導体層１３上の第２絶縁膜１７を選択的に除去することによりコンタクトホールＣ２を形成する。半導体層１３上においては、ゲート電極Ｇの両側、即ち、ソース、ドレイン領域上にコンタクトホールＣ２を形成する。なお、ソース、ドレイン領域間は、チャネル領域となる。

次いで、図４(Ｃ)に示すように、コンタクトホールＣ２上を含む第２絶縁膜１７上に、導電性膜として例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属膜をスパッタリング法により堆積する。この後、パターニングすることにより、画素領域Ａ１の薄膜トランジスタＴの形成部にソース、ドレイン引き出し配線１９ａ、１９ｂを形成し、さらに、引出配線Ｌ１の形成部に、第３層配線部Ｌ１ｃを形成する。この際、第２層配線部Ｌ１ｂと第３層配線部Ｌ１ｃは、コンタクトホールＣ２内に充填された金属膜（接続部）により接続される。また、第２層配線部Ｌ１ｂと第３層配線部Ｌ１ｃのパターン形状は同一である。

この後、ソース、ドレイン引き出し配線１９ａと接続される画素電極ＰＥを形成し、薄膜トランジスタＴおよび画素電極ＰＥが形成されたアクティブマトリクス基板Ｓ１が略完成する。

なお、ゲート電極Ｇおよびソース、ドレイン引き出し配線１９ｂをライン状に形成し、走査線ＳＬおよびデータ線ＤＬとしてもよい。また、これらに接続される配線層を別途設けてもよい。また、周辺領域Ａ２には、上記第１〜第３層配線部Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃの他、引出配線Ｌ２や外部接続端子Ｐなどが適宜形成される。例えば、第３層配線部と同じ層にて、これらを形成してもよい。

この後、対向電極Ｅ２が形成された対向基板Ｓ２と基板Ｓ１とをシール材（封止膜）５０を介して接着するとともに、図示しない注入口から液晶を充填した後、注入口を樹脂等で塞ぐ。

さらに、対向基板Ｓ２の外周に露出した基板Ｓ１の周辺領域Ａ２上に、走査線駆動回路ＤＣ２およびデータ線駆動回路ＤＣ１を構成するＩＣチップを実装する。この際、ＩＣチップの複数の外部端子、例えば、複数のバンプ電極と引出配線Ｌ１、Ｌ２の各端部が接続するよう位置合わせし、ボンディングされる（図１参照）。

以上により、液晶装置が略完成する。

なお、上記工程においては、走査線駆動回路ＤＣ２およびデータ線駆動回路ＤＣ１を別チップとしたが、周辺領域にこれらの回路を論理回路として作り込んでも良い。例えば、上記薄膜トランジスタＴと同様の工程で、論理回路を構成する薄膜トランジスタを形成してもよい。また、薄膜トランジスタ以外の素子、例えば、容量や抵抗なども適宜形成することができ、これらを適宜接続し、走査線駆動回路ＤＣ２やデータ線駆動回路ＤＣ１を形成してもよい。

このように、本実施の形態においては、周辺領域Ａ２に配置される引出配線Ｌ１を第１〜第３層配線部Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃよりなる多層構造としたので、周辺領域に物理的衝撃が加わり基板の欠けや割れが生じても、いずれかの配線層で電気的通信が担保できる。

図５は、最上層配線のみで引出配線Ｌ１を構成した比較例を示す断面図であり、図６は、引出配線Ｌ１を多層化した本実施の形態の場合の効果を示す断面図である。

即ち、図５に示すように、最上層配線のみ、即ち、単層で、引き出し配線Ｌ１を構成した場合、物理的衝撃が加わり断線した場合、電気的通信が確保できず、不良となり、又は故障する。これに対して、図６に示すように、引出配線Ｌ１を多層化した場合、物理的衝撃により上層部の配線（ここでは、Ｌ１ｃ、Ｌ１ｂ）が断線しても、下層の配線Ｌ１ａにより電気的通信が確保できる。その結果、装置の製造歩留りを向上させ、また、信頼性を向上させることができる。

多層化した場合の層数に制限はないが、層数が多いほど信頼性は向上する。また、下層の層に形成された配線部は断線し難い傾向にある。よって、図４に示したように、基板Ｓ１の最上層の絶縁膜表面から５００ｎｍ以上の位置に、引出配線Ｌ１を構成する下層の配線部が位置することが好ましい。

また、本実施の形態においては、図１（Ａ）に示すように、略矩形の基板Ｓ１の外部接続端子Ｐが形成された一辺以外の辺に沿って引き回された引出配線Ｌ１の全体を多層化したが、当該配線の一部のみを多層化してもよい。多層化する箇所としては、断線の発生確率が高い箇所をあらかじめ検証しておき、当該箇所において引出配線Ｌ１を多層化することが効果的である。また、ハンドリングなどにおいて衝撃が加わり易い基板Ｓ１の四隅を多層化することも効果的である。

また、引出配線Ｌ１を構成する各配線部は、上記実施の形態において詳細に説明したように、画素を構成する薄膜トランジスタＴや配線と同じ工程（同層において同材料）で形成することが好ましい。かかる方法によれば、装置の製造工程の簡略化を図ることができ、各層の材料、例えば、金属層などの無駄を低減し、材料の有効利用を図ることができる。

また、上記図３および図４においては、薄膜トランジスタＴとしてトップゲート型のトランジスタを例示したが、以下に説明するように、ボトムゲート型のトランジスタを用いてもよい。

図７および図８は、本実施の形態の液晶装置（電気光学装置）の他の製造工程を示す断面図である。なお、図３および図４を参照しながら説明した製造工程と同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。

この場合、図７（Ａ）に示すように、基板Ｓ１として、例えば、ガラス基板等を準備し、この基板Ｓ１の全面上に、導電性膜として例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属膜をスパッタリング法により堆積する。この後、パターニングすることにより、画素領域Ａ１の薄膜トランジスタＴの形成部にゲート電極Ｇを形成し、さらに、引出配線Ｌ１の形成部に、第１層配線部Ｌ１ａを形成する。

次いで、図７（Ｂ）に示すように、ゲート電極Ｇおよび第１層配線部Ｌ１ａ上を含む基板Ｓ１の全面上に、第１絶縁膜１５として例えば、酸化シリコン膜をＣＶＤ法により堆積する。なお、酸化シリコン膜に変えて、窒化シリコン膜などの他の無機系の絶縁膜を用いてもよい。なお、この第１絶縁膜１５は、薄膜トランジスタＴの形成部においてゲート絶縁膜となる。

次いで、図７（Ｃ）に示すように、第１層配線部Ｌ１ａ上の第１絶縁膜１５を選択的に除去することによりコンタクトホールＣ１を形成する。

次いで、図７(Ｄ)に示すように、コンタクトホールＣ１上を含む第１絶縁膜１５上に、半導体層１３として、例えば、アモルファスシリコン膜を形成する。このアモルファスシリコン膜は、例えば、ＣＶＤ法により形成することができる。この後、パターニングすることにより、画素領域Ａ１において、薄膜トランジスタＴの形成部にのみ、複数の半導体層１３をアレイ状に残存させ、また、引出配線Ｌ１の形成部に、第２層配線部Ｌ１ｂを形成する。この際、第１層配線部Ｌ１ａと第２層配線部Ｌ１ｂは、コンタクトホールＣ１内に充填された半導体層（接続部）により接続される。また、第１層配線部Ｌ１ａと第２層配線部Ｌ１ｂのパターン形状は同一である。

次いで、図８（Ａ）に示すように、半導体層１３および第２層配線部Ｌ１ｂ含む基板Ｓ１の全面上に、第２絶縁膜１７として例えば、酸化シリコン膜をＣＶＤ法により堆積する。なお、酸化シリコン膜に変えて、窒化シリコン膜などの他の無機系の絶縁膜を用いてもよい。また、ポリイミドなどの有機系の絶縁膜を用いることも可能である。

次いで、図８（Ｂ）に示すように、第２層配線部Ｌ１ｂおよび半導体層１３上の第２絶縁膜１７を選択的に除去することによりコンタクトホールＣ２を形成する。半導体層１３上においては、ゲート電極Ｇの両側、即ち、ソース、ドレイン領域上にコンタクトホールＣ２を形成する。なお、ソース、ドレイン領域間は、チャネル領域となる。

次いで、図８(Ｃ)に示すように、コンタクトホールＣ２上を含む第２絶縁膜１７上に、導電性膜として例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属膜をスパッタリング法により堆積する。この後、パターニングすることにより、画素領域Ａ１の薄膜トランジスタＴの形成部にソース、ドレイン引き出し配線１９ａ、１９ｂを形成し、さらに、引出配線Ｌ１の形成部に、第３層配線部Ｌ１ｃを形成する。この際、第２層配線部Ｌ１ｂと第３層配線部Ｌ１ｃは、コンタクトホールＣ２内に充填された金属膜（接続部）により接続される。また、第２層配線部Ｌ１ｂと第３層配線部Ｌ１ｃのパターン形状は同一である。

この後、ソース、ドレイン引き出し配線１９ａと接続される画素電極ＰＥを形成し、薄膜トランジスタＴおよび画素電極ＰＥが形成されたアクティブマトリクス基板Ｓ１が略完成する。

このように、ボトムゲート型のトランジスタの各構成部と、引出配線Ｌ１を構成する各配線部とを同じ工程（同材料）で形成してもよい。また、図４（Ｃ）や図８（Ｃ）における層間絶縁層（１５、１７）の層中に他の配線層を形成しても良く、また、配線部Ｌ１ｃ上に更なる配線層を形成してもよい。これらの配線層に、例えば、上記走査線ＳＬやデータ線ＤＬなどの配線や、保持容量を構成する上部電極や下部電極などを形成することができる。よって、トランジスタの構成部のみならず、上記配線や電極などと引出配線Ｌ１を構成する配線部とを同じ工程で形成してもよい。

また、上記実施の形態においては、引出配線の例として外部接続端子Ｐと走査線駆動回路ＤＣ２およびデータ線駆動回路ＤＣ１を接続する配線、および駆動回路間（ここでは、走査線駆動回路ＤＣ２間）を接続する配線（Ｌ１、Ｌ２）を例に説明したが、その他の回路と外部接続端子との間や他のブロック間の引出配線を多層化してもよい。また、上記実施の形態においては、アクティブマトリクス基板を例に説明したが、当該基板に限定されず、パッシブマトリクス基板など周辺領域に引出配線が形成される各種基板に適用することができる。また、上記実施の形態においては、液晶装置を例に説明したが、この他、有機ＥＬ装置、電気泳動装置などの各種電気光学装置に適用可能である。このような、電気光学装置は、画素領域を大きく確保するため、周辺領域に配線が引き回されることが多く、本発明を適用して好適である。
＜電子機器＞
上記電気光学装置は、各種電子機器に組み込むことができる。このような電気光学装置が使用される電子機器について説明する。図９に、電気光学装置を用いた電子機器の例を示す。

図９（Ａ）は携帯電話への適用例であり、図９（Ｂ）は、ビデオカメラへの適用例である。また、図９（Ｃ）は、テレビジョン（ＴＶ）への適用例である。

図９（Ａ）に示すように、携帯電話５３０には、アンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４および電気光学装置（表示部）５００を備えている。

図９（Ｂ）に示すように、ビデオカメラ５４０には、受像部５４１、操作部５４２、音声入力部５４３および電気光学装置（表示部）５００を備えている。

図９（Ｃ）に示すように、テレビジョン５５０は、電気光学装置（表示部）５００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等も電気光学装置を備えている。

なお、電気光学装置を有する電子機器としては、上記の他、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイなどがある。上記電子機器の電気光学装置部に本発明の電気光学装置を組み込むことができる。

なお、上記実施の形態を通じて説明された実施例や応用例は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述した実施の形態の記載に限定されるものではない。

１３…半導体層、１５…第１絶縁膜、１７…第２絶縁膜、１９ａ、１９ｂ…ソース、ドレイン引き出し配線、５０…シール材、５００…電気光学装置、５３０…携帯電話、５３１…アンテナ部、５３２…音声出力部、５３３…音声入力部、５３４…操作部、５４０…ビデオカメラ、５４１…受像部、５４２…操作部、５４３…音声入力部、５５０…テレビジョン、Ａ１…画素領域、Ａ２…周辺領域、ＣＰ…接続パッド、Ｃ１、Ｃ２…コンタクトホール、Ｅ２…対向電極、ＤＬ…データ線、ＤＣ１…データ線駆動回路、ＤＣ２…走査線駆動回路、Ｇ…ゲート電極、Ｌ１ａ…第１層配線部、Ｌ１ｂ…第２層配線部、Ｌ１ｃ…第３層配線部、Ｌ１、Ｌ２…引出配線、ＰＥ…画素電極、Ｐ…外部接続端子、Ｓ１…基板（アクティブマトリクス基板）、Ｓ２…対向基板、ＳＬ…走査線、Ｔ…薄膜トランジスタ

Claims (6)

1. 画素領域と、前記画素領域の外周に位置する周辺領域とを有する基板と、
   前記画素領域に配置された電気光学素子と、
   前記周辺領域に配置され、前記電気光学素子を駆動する第１および第２の駆動回路と、
   前記周辺領域に配置された外部端子と、
   前記外部端子と前記第１又は第２の駆動回路を接続する第１配線、又は前記第１の駆動回路と前記第２の駆動回路とを接続する第２配線であって、前記周辺領域に配置される引出配線とを有し、
   前記引出配線が互いに電気的に接続され、異なる層に形成され、平面視において互いに重なる第１層配線部および第２層配線部を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 前記基板は硬質基板である、請求項１記載の電気光学装置。
3. 前記第１層配線部および第２層配線部は、絶縁層を介して配置される、請求項１又は２記載の電気光学装置。
4. 前記画素領域には複数のトランジスタを有し、
   前記第１層配線部は、前記トランジスタのゲート電極と同層において同材料で形成されている請求項1乃至３のいずれか一項記載の電気光学装置。
5. 前記画素領域には複数のトランジスタを有し、
   前記第２層配線部は、前記トランジスタのチャネル領域を構成する半導体層と同層において同材料で形成されている請求項1乃至４のいずれか一項記載の電気光学装置。
6. 請求項１乃至５記載のいずれか一項記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。