JP2010157687A - 薄膜型太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
薄膜型太陽電池及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010157687A JP2010157687A JP2009217860A JP2009217860A JP2010157687A JP 2010157687 A JP2010157687 A JP 2010157687A JP 2009217860 A JP2009217860 A JP 2009217860A JP 2009217860 A JP2009217860 A JP 2009217860A JP 2010157687 A JP2010157687 A JP 2010157687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- solar cell
- thin film
- film solar
- light transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 144
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 53
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】基板と、基板上に所定間隔離間して形成される前面電極と、前面電極上にコンタクト部または分離部を介在して離間して形成される半導体層と、コンタクト部を通じて前面電極と連結され、分離部を介在して離間して形成される背面電極と、を含んでなり、ここで、光透過領域を増大させるために、所定部分に光透過部が設けられるように背面電極がパターン形成されたことを特徴とする薄膜型太陽電池及びその製造方法を提供する。
【選択図】図2
Description
図2は、本発明の一実施例による薄膜型太陽電池の斜視図であり、図3aは、図2のA−A矢視断面図であり、図3bは図2のB−B矢視断面図であり、図3cは図2のC−C矢視断面図である。
図7a〜図7dは、本発明の一実施例による薄膜型太陽電池の製造工程を示す斜視図で、前述した図2に示す薄膜型太陽電池を製造する方法に関する。
200 前面電極
300 半導体層
350 コンタクト部
400 透明導電層
500 背面電極
550 分離部
570 光透過部
Claims (25)
- 基板と、
前記基板上に所定間隔離間して形成される前面電極と、
前記前面電極上にコンタクト部または分離部を介在して離間して形成される半導体層と、
前記コンタクト部を通じて前記前面電極と連結され、前記分離部を介在して離間して形成される背面電極と、
を含んでなり、
ここで、光透過領域を増大させるために、所定部分に光透過部が設けられるように前記背面電極がパターン形成されたことを特徴とする薄膜型太陽電池。 - 前記光透過部には、前記半導体層が露出されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜型太陽電池。
- 前記露出されている半導体層が除去され、前記光透過部には前記前面電極が露出されていることを特徴とする請求項2に記載の薄膜型太陽電池。
- 前記半導体層上に透明導電層がさらに形成されており、前記光透過部には前記透明導電層が露出されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜型太陽電池。
- 前記露出されている透明導電層が除去され、前記光透過部には前記半導体層が露出されていることを特徴とする請求項4に記載の薄膜型太陽電池。
- 前記露出されている半導体層が除去され、前記光透過部には前記前面電極が露出されていることを特徴とする請求項5に記載の薄膜型太陽電池。
- 前記透明導電層は、前記半導体層と同じパターンで形成されていることを特徴とする請求項4に記載の薄膜型太陽電池。
- 前記光透過部は、直線形パターン、曲線形パターン、文字パターン、または記号パターンを含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜型太陽電池。
- 前記半導体層は、第1半導体層、バッファー層、及び第2半導体層が順次に積層して形成されたことを特徴とする請求項1に記載の薄膜型太陽電池。
- 基板上に所定間隔離間する前面電極を形成する工程と、
前記前面電極を含む基板の全面に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の所定領域を除去してコンタクト部及び分離部を形成する工程と、
前記コンタクト部を通じて前記前面電極と連結され、前記分離部を介在して離間して形成され、その内部に光透過領域を増大させるための光透過部が設けられるように背面電極をパターン形成する工程と、
を含むことを特徴とする薄膜型太陽電池の製造方法。 - 前記光透過部に前記前面電極を露出させるために、前記背面電極をマスクとして、前記光透過部に形成された半導体層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記半導体層形成工程の後に、前記半導体層上に透明導電層を形成する工程をさらに含み、前記コンタクト部及び分離部の形成工程時に、前記半導体層と前記透明導電層の所定領域を一緒に除去することを特徴とする請求項10に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記光透過部に前記半導体層を露出させるために、前記背面電極をマスクとして、前記光透過部に形成された透明導電層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記光透過部に前記前面電極を露出させるために、前記背面電極をマスクとして、前記光透過部に形成された透明導電層及び半導体層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記光透過部に形成された透明導電層及び半導体層を除去する工程は、乾式エッチング工程を用いて行なうことを特徴とする請求項14に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記光透過部に形成された透明導電層を乾式エッチング工程を用いて除去する工程は、CH4、C2H6、BCl3、Cl2、Ar、及びH2の中から選ばれる少なくとも一つのガスを使用して行い、
前記光透過部に形成された半導体層を乾式エッチング工程を用いて除去する工程は、フルオロ系ガス、塩素系ガス、またはフルオロ系ガスと塩素系ガスとの混合ガスを使用して行なうことを特徴とする請求項15に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。 - 前記光透過部に形成された透明導電層及び半導体層を除去する工程は、湿式エッチング工程を用いて行なうことを特徴とする請求項14に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記湿式エッチング工程は、NaOH、KOH、HCl、HNO3、H2SO4、H3PO3、H2O2、及びC2H2O4からなる群より選ばれる少なくとも一つのエッチング物質を含むエッチング液を使用して行なうことを特徴とする請求項17に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記エッチング液の温度は、20〜200℃に保つことを特徴とする請求項18に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記湿式エッチング工程は、前記基板を前記エッチング液に浸漬する、あるいは、前記基板上に前記エッチング液を吹き付ける工程により行なうことを特徴とする請求項18に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記コンタクト部及び分離部を形成する工程は、1個のレーザー発振器から放出されたレーザービームを複数のレーザービームに分割して照射することによって、1回のレーザービーム照射で前記コンタクト部及び分離部を同時に形成することを特徴とする請求項10に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記半導体層を形成する工程は、第1半導体層、バッファー層、及び第2半導体層を順次に積層する工程からなることを特徴とする請求項10に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 基板上に所定間隔離間する前面電極を形成する工程と、
前記前面電極を含む基板の全面に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の所定領域を除去してコンタクト部を形成する工程と、
前記コンタクト部を通じて前記前面電極と連結され、分離部を介在して離間して形成され、その内部に光透過領域を増大させるための光透過部が設けられるように背面電極をパターン形成する工程と、
前記背面電極をマスクとして、前記光透過部内の半導体層を除去すると同時に前記分離部内の半導体層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする薄膜型太陽電池の製造方法。 - 前記半導体層形成工程の後に、前記半導体層上に透明導電層を形成する工程をさらに含み、前記コンタクト部形成工程時に、前記半導体層及び前記透明導電層の所定領域を一緒に除去し、前記光透過部及び前記分離部内の半導体層を除去する工程時に、前記透明導電層の所定領域も一緒に除去することを特徴とする請求項23に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
- 前記半導体層を形成する工程は、第1半導体層、バッファー層、及び第2半導体層を順次に積層する工程からなることを特徴とする請求項23に記載の薄膜型太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20080135936 | 2008-12-29 | ||
KR20090036121 | 2009-04-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010157687A true JP2010157687A (ja) | 2010-07-15 |
Family
ID=42234758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009217860A Pending JP2010157687A (ja) | 2008-12-29 | 2009-09-18 | 薄膜型太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8298852B2 (ja) |
JP (1) | JP2010157687A (ja) |
CN (1) | CN101771091B (ja) |
DE (1) | DE102009041941A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013179898A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2016-01-18 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池モジュールとその製造方法および太陽電池モジュール製造管理装置 |
JP2016058697A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール及び壁面形成部材 |
KR20170098605A (ko) * | 2016-02-22 | 2017-08-30 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101144570B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2012-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
CN102403380A (zh) * | 2010-09-13 | 2012-04-04 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 光伏建筑一体化组件及其制造方法 |
KR101118929B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2012-02-27 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법 |
CN102082186B (zh) * | 2010-10-29 | 2013-05-08 | 华南师范大学 | 电极及其制造方法 |
CN102254996B (zh) * | 2011-07-14 | 2013-09-11 | 保定天威集团有限公司 | 一种提高透光太阳能电池组件功率的划刻方法 |
FR2990300B1 (fr) * | 2012-05-04 | 2017-02-03 | Disasolar | Module photovoltaique et son procede de realisation. |
CN105378940B (zh) * | 2013-05-23 | 2018-12-14 | 太阳伙伴科技公司 | 薄层半透明光伏单电池 |
TWI528877B (zh) * | 2013-11-08 | 2016-04-01 | 長興材料工業股份有限公司 | 鈍化組合物及其應用 |
KR20150093291A (ko) * | 2014-02-06 | 2015-08-18 | 주성엔지니어링(주) | 시인성이 향상된 태양 전지 및 그의 제조 방법 |
CN104103703B (zh) * | 2014-06-23 | 2016-06-01 | 深圳先进技术研究院 | 薄膜太阳能电池模组及其制备方法 |
CN104124288B (zh) * | 2014-06-23 | 2016-11-02 | 深圳先进技术研究院 | 薄膜太阳能电池模组及其制备方法 |
NL2014040B1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-10-12 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of making a curent collecting grid for solar cells. |
EP3698408A4 (en) | 2017-09-29 | 2021-08-11 | (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. | SEMI-TRANSPARENT THIN-LAYER SOLAR MODULE |
JP7047078B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-04-04 | (シーエヌビーエム)ボンブー デザイン アンド リサーチ インスティテュート フォー グラス インダストリー カンパニー,リミティド | 半透明薄膜ソーラーモジュール |
CN111316450A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-06-19 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 半透明薄膜太阳能模块 |
CN107887457A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-04-06 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种透光太阳能电池及其制备方法 |
WO2020000596A1 (zh) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 用于太阳能芯片组件的透光处理***和透光处理方法 |
WO2020254865A1 (fr) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | Garmin Switzerland | Dispositif photovoltaïque multi-cellule semi-transparent |
CN112599610A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-04-02 | 中山瑞科新能源有限公司 | 透光太阳电池制造工艺 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63174468U (ja) * | 1986-06-09 | 1988-11-11 | ||
JPH06120152A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Nippondenso Co Ltd | 水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法 |
JPH09321328A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
JP2000058886A (ja) * | 1998-08-14 | 2000-02-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP2004503112A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド | 部分透過性光起電モジュール |
JP2004327901A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 透光性薄膜太陽電池モジュール |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4667058A (en) * | 1985-07-01 | 1987-05-19 | Solarex Corporation | Method of fabricating electrically isolated photovoltaic modules arrayed on a substrate and product obtained thereby |
EP0500451B1 (fr) * | 1991-02-21 | 1999-01-07 | Phototronics Solartechnik GmbH | Dispositif photovoltaique et module solaire à transparence partielle, et procédé de fabrication |
GB2260220B (en) * | 1991-09-10 | 1996-01-03 | Sanyo Electric Co | An amorphous silicon solar cell and method of the solar cell manufacture |
JPH06104465A (ja) | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP3537196B2 (ja) | 1994-11-08 | 2004-06-14 | 松下電器産業株式会社 | 太陽電池モジュールの作製方法 |
JP4440389B2 (ja) | 1999-03-25 | 2010-03-24 | 株式会社カネカ | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
ATE240589T1 (de) * | 1999-03-25 | 2003-05-15 | Kaneka Corp | Verfahren zum herstellen von dünnschicht- solarzellen-modulen |
DE10005330A1 (de) | 2000-02-08 | 2001-09-06 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung von leitfähigen transparenten Strukturen sowie Verwendung von transparenten, leitfähigen Oxidschichten zur Strukturierung von leitfähigen, transparenten Bereichen |
US6525264B2 (en) * | 2000-07-21 | 2003-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film solar cell module |
JP4987191B2 (ja) | 2001-03-21 | 2012-07-25 | 株式会社カネカ | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 |
US20030079772A1 (en) * | 2001-10-23 | 2003-05-01 | Gittings Bruce E. | Sealed photovoltaic modules |
US20030116185A1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-06-26 | Oswald Robert S. | Sealed thin film photovoltaic modules |
KR101024288B1 (ko) * | 2003-07-24 | 2011-03-29 | 가부시키가이샤 가네카 | 실리콘계 박막 태양전지 |
US7071017B2 (en) * | 2003-08-01 | 2006-07-04 | Yamaha Corporation | Micro structure with interlock configuration |
TWI266436B (en) * | 2004-07-30 | 2006-11-11 | Fujikura Ltd | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
DE102004057663B4 (de) | 2004-09-15 | 2015-08-20 | Sunways Ag | Solarmodul mit durch regulär angeordnete Löcher semitransparenten kristallinen Solarzellen und Verfahren zur Herstellung |
JP2006332453A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池 |
JP2007088280A (ja) | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Msk Corp | 透過型太陽電池モジュール |
KR100725110B1 (ko) | 2005-12-14 | 2007-06-04 | 한국과학기술원 | 투과형 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법. |
CA2656327A1 (en) | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Veridex, Llc | A method of modifying a macromolecule without prior extraction from a sample |
JP2009033003A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Fujifilm Corp | 薄膜素子とその製造方法、半導体装置 |
TWI377624B (en) * | 2008-05-13 | 2012-11-21 | Ind Tech Res Inst | Conducting film structure, fabrication method thereof, and conducting film type probe device for ic |
US20100059110A1 (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-11 | Applied Materials, Inc. | Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications |
-
2009
- 2009-07-10 US US12/460,005 patent/US8298852B2/en active Active
- 2009-09-11 CN CN2009101703198A patent/CN101771091B/zh active Active
- 2009-09-17 DE DE102009041941A patent/DE102009041941A1/de not_active Ceased
- 2009-09-18 JP JP2009217860A patent/JP2010157687A/ja active Pending
-
2012
- 2012-10-01 US US13/632,809 patent/US20130025661A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63174468U (ja) * | 1986-06-09 | 1988-11-11 | ||
JPH06120152A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Nippondenso Co Ltd | 水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法 |
JPH09321328A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
JP2000058886A (ja) * | 1998-08-14 | 2000-02-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP2004503112A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド | 部分透過性光起電モジュール |
JP2004327901A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 透光性薄膜太陽電池モジュール |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013179898A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2016-01-18 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池モジュールとその製造方法および太陽電池モジュール製造管理装置 |
JP2016058697A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール及び壁面形成部材 |
KR20170098605A (ko) * | 2016-02-22 | 2017-08-30 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조 방법 |
KR102523303B1 (ko) | 2016-02-22 | 2023-04-19 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101771091A (zh) | 2010-07-07 |
US20130025661A1 (en) | 2013-01-31 |
CN101771091B (zh) | 2013-03-06 |
DE102009041941A1 (de) | 2010-07-08 |
US8298852B2 (en) | 2012-10-30 |
US20100167458A1 (en) | 2010-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010157687A (ja) | 薄膜型太陽電池及びその製造方法 | |
KR101494153B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
US8987038B2 (en) | Method for forming solar cell with selective emitters | |
KR101070199B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR20090089945A (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
JP2010045332A (ja) | 薄膜形太陽電池及びその製造方法 | |
KR101676750B1 (ko) | 기판형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR101079612B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR101114217B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR20090030362A (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR101368903B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
JP3220300U (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
KR101476125B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
JP2013168605A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
KR101144066B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR101079614B1 (ko) | 박막형 태양전지의 제조방법 | |
KR101053782B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR101073832B1 (ko) | 박막형 태양전지의 제조 방법 | |
JP6350981B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP2006237100A (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
TWI502754B (zh) | 薄膜型太陽能電池及其製造方法 | |
JP5957102B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
KR101313760B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법과 이를 이용한 태양 전지의 제조 장치 및 제조 방법 | |
KR20110086335A (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR20160132356A (ko) | 기판형 태양전지 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130807 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131024 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140408 |