JP2010141039A - スーパールミネッセントダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスーパールミネッセントダイオード1は、GaAs系の材料からなるスーパールミネッセントダイオードであって、活性層30は、多重量子井戸構造を有し、In及びAlのうちの少なくとも一方を組成として含み、活性層30における障壁層32の層数は4層以下であり、障壁層32の厚さは、それぞれ、1.5nm以上3.0nm以下である。
【選択図】図2
Description
Claims (1)
- GaAs系の材料からなるスーパールミネッセントダイオードであって、
活性層は、多重量子井戸構造を有し、In及びAlのうちの少なくとも一方を組成として含み、
前記活性層における障壁層の層数は4層以下であり、
前記障壁層の厚さは、それぞれ、1.5nm以上3.0nm以下である、
スーパールミネッセントダイオード。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014051137A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device, driving method thereof, and optical coherence tomography apparatus having the optical semiconductor device |
JP2014096513A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Fujikura Ltd | 半導体発光素子 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06237011A (ja) * | 1993-02-12 | 1994-08-23 | Olympus Optical Co Ltd | 光半導体素子 |
JPH11284223A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Anritsu Corp | スーパールミネッセントダイオード |
JP2003168844A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置および光増幅装置 |
JP2004327719A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2005340644A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発光ダイオードおよび発光ダイオードの製造方法 |
JP2007184557A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-07-19 | Fujifilm Corp | 半導体発光素子および該素子を備えた光源装置および光断層画像化装置 |
JP2009283736A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Fujifilm Corp | 光半導体素子および光半導体素子を用いた光干渉断層画像装置 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06237011A (ja) * | 1993-02-12 | 1994-08-23 | Olympus Optical Co Ltd | 光半導体素子 |
JPH11284223A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Anritsu Corp | スーパールミネッセントダイオード |
JP2003168844A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置および光増幅装置 |
JP2004327719A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2005340644A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発光ダイオードおよび発光ダイオードの製造方法 |
JP2007184557A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-07-19 | Fujifilm Corp | 半導体発光素子および該素子を備えた光源装置および光断層画像化装置 |
JP2009283736A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Fujifilm Corp | 光半導体素子および光半導体素子を用いた光干渉断層画像装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014051137A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device, driving method thereof, and optical coherence tomography apparatus having the optical semiconductor device |
JP2014096513A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Fujikura Ltd | 半導体発光素子 |
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