JP2010134425A - 分極反転部分の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1の一方の主面1aに、複数列の絶縁膜6と、隣り合う絶縁膜6の隙間11および各各絶縁膜6を被覆する導電膜5とを設けることによって、隣り合う絶縁膜6の間にそれぞれ第一の電極部5aを形成する。基板1の他方の主面1b側に第二の電極部3を設ける。第一の電極部5aと第二の電極部3との間に電圧を印加することによって、複数列の第一の電極部5a下およびこれら第一の電極部に挟まれた絶縁膜下にわたって延びる一体の分極反転部分9を基板1に生成させる。
【選択図】 図2
Description
基板の一方の主面に、複数列の絶縁膜と、隣り合う絶縁膜の隙間および前記各絶縁膜を被覆する導電膜とを設けることによって、隣り合う絶縁膜の間にそれぞれ第一の電極部を形成し、基板の他方の主面側に第二の電極部を設け、第一の電極部と第二の電極部との間に電圧を印加することによって、複数列の第一の電極部下およびこれら第一の電極部に挟まれた前記絶縁膜下にわたって延びる一体の分極反転部分を基板に生成させることを特徴とする。
パルス電圧:2.0kV〜8.0kV(/mm)
パルス幅:0.1ms〜10ms
直流バイアス電圧:1.0kV〜5.0kV(/mm)
図1を参照しつつ説明した方法に従い、分極反転部分を形成した。ただし、基板1としては、MgO添加のLiNbO3(MgLN)のZカット基板を使用した。基板1の+Z面1a、−Z面1bに、スパッタリング法によって、導電膜2および3を成膜した。これらの膜厚は1000オングストロームとし、材質はタンタルとした。電極2の寸法は、縦5mm、横5mmとした。このように作製した基板1を、絶縁オイル中に浸漬し、170℃でパルス電圧を印加した。電圧印加条件としては、ウェハの抗電界となる電界強度の約3kV/mmに設定し、約1msec幅の矩形パルスを印加した。パルスの印加回数は、パターン面積に依存するが、例えば20mm2のとき、20000パルスが好適であった。
図2を参照しつつ説明した方法に従い、分極反転部分を形成した。ただし、基板1としては、MgO添加のLiNbO3(MgLN)のZカット基板を使用した。基板1の+z面1aおよび−z面1bに、絶縁膜6、7としてSiO2膜を成膜した。絶縁膜6、7の膜厚は2000オングストロームとした。次いで、絶縁膜6上にフォトレジストをスピンコーティングし、マスク露光、現像を経て、レジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクにして、ウェットエッチング処理を行うことで、図2に示すような絶縁膜パターンを形成した。Iは3μmとし、Eは1μmとした。
実施例1と同様にして分極反転部分を形成した。ただし、絶縁膜6、7の膜厚は3000オングストロームとし、Iは3.2μmとし、Eは1.0μmとした。この結果、導電膜5の外形輪郭の内側には、全体にわたって極反転部分が形成されていることを確認した。分極反転部分の寸法は、縦5mm、横5mmであり、幅広い分極反転部分を形成することができた。
実施例1と同様にして分極反転部分を形成した。ただし、絶縁膜6、7の膜厚は2000オングストロームとし、Iは5.8μmとし、Eは1.2μmとした。この結果、導電膜5の外形輪郭の内側には広域に分極反転部分が形成されていることを確認した。分極反転部分の寸法は、縦2mm、横2mmであった。
Claims (5)
- 強誘電体単結晶基板に分極反転部分を製造する方法であって、
前記基板の一方の主面に、複数列の絶縁膜と、隣り合う絶縁膜の隙間および前記各絶縁膜を被覆する導電膜とを設けることによって、隣り合う前記絶縁膜の間にそれぞれ第一の電極部を形成し、前記基板の他方の主面側に第二の電極部を設け、前記第一の電極部と前記第二の電極部との間に電圧を印加することによって、複数列の前記第一の電極部下およびこれら第一の電極部に挟まれた前記絶縁膜下にわたって延びる一体の分極反転部分を前記基板に生成させることを特徴とする、分極反転の製造方法。 - 前記基板の前記他方の主面に接するように絶縁層が設けられており、この絶縁層上に前記第二の電極部が設けられていることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記第一の電極部の幅Eの前記絶縁膜の幅Iに対する比率E/Iが0.2以上、20以下であることを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
- 前記分極反転部分の幅が30μm以上であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記絶縁層の厚みを1000 オングストロームから3000 オングストロームにすることを特徴とする、請求項2記載の方法。
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