JP2010123745A - 固体撮像装置、カメラ - Google Patents
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Abstract
【課題】感度を向上し、撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】第1の光導波部材131aよりも屈折率が低い光学材料にて発散レンズ121が形成し、集光レンズ111を介して入射された光を、発散レンズ121によって第2の光導波部材131bへ発散させる。そして、その発散レンズ121によって発散された光を、第2の光導波部材131bがフォトダイオード21の受光面JSへ導くように構成する。
【選択図】図4
【解決手段】第1の光導波部材131aよりも屈折率が低い光学材料にて発散レンズ121が形成し、集光レンズ111を介して入射された光を、発散レンズ121によって第2の光導波部材131bへ発散させる。そして、その発散レンズ121によって発散された光を、第2の光導波部材131bがフォトダイオード21の受光面JSへ導くように構成する。
【選択図】図4
Description
本発明は、固体撮像装置、カメラに関する。特に、本発明は、光を光電変換部の受光面へ導く光導波路部が形成されている固体撮像装置、カメラに関する。
デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのカメラは、固体撮像装置を含む。たとえば、固体撮像装置として、CMOS(Complementary Metal Oxicide Semiconductor)型イメージセンサ、CCD(Charge Coupled Device)型イメージセンサを含む。
固体撮像装置においては、複数の画素が形成されている画素領域が、半導体基板の面に設けられている。そして、この画素領域においては、被写体像による光を受光し、その受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部が、その複数の画素に対応するように複数形成されている。たとえば、フォトダイオードが、この光電変換部として形成されている。
このような固体撮像装置では、光の集光効率を高めて、感度を向上するために、光導波路が、各画素に形成されている。
ここでは、たとえば、集光レンズによって集光された光を、光導波路がフォトダイオードなどの光電変換部の受光面へ導くように構成されている。
具体的には、光導波路は、高い屈折率の光学材料で形成され、光を導くコア部を有しており、このコア部よりも低い屈折率であるクラッド部が、そのコア部の周囲に設けられている。このため、光導波路においては、入射する光を、コア部とクラッド部との界面において全反射させることができる。よって、光導波路を設けることで、集光効率を高めて、感度を向上することができる。
この光導波路においては、コア部が、互いに屈折率が異なる複数の光導波部材で構成されるものが提案されている。たとえば、コア部は、外側がプラズマ窒化シリコンで形成され、内側がポリイミド樹脂で形成されている(たとえば、特許文献1参照)。
しかしながら、上記のように、光導波路を形成した場合においても、光の集光効率が十分でなく、撮像画像の画像品質が好適でない場合がある。よって、さらに、光の集光効率をさらに向上させることで、感度を向上して、撮像画像の画像品質を向上することが望まれている。
特に、光電変換部の受光面へ垂直に入射する平行光については、この不具合が顕在化する場合があった。
したがって、本発明は、感度を向上し、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置、カメラを提供する。
本発明の固体撮像装置は、光を受光面で受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、入射した光を集光する集光レンズと、前記集光レンズによって集光された光を発散する発散レンズと、前記集光レンズと前記発散レンズとを順次介した光を前記光電変換部の受光面へ導く光導波路部とを有し、前記光導波路部は、前記集光レンズと前記発散レンズとの光軸に対応して設けられた第1の光導波部材と、前記第1の光導波部材の周囲に設けられており、前記第1の光導波部材よりも屈折率が高い光学材料にて形成されている第2の光導波部材とを含み、前記発散レンズは、前記第1の光導波部材よりも屈折率が低い光学材料にて形成されており、前記集光レンズを介して入射された光を前記第2の光導波部材へ発散し、前記第2の光導波部材は、前記発散レンズによって発散された光を前記光電変換部の受光面へ導く。
好適には、前記第1の光導波部材は、前記光電変換部の受光面に対面しており、前記発散レンズを介した光が出射される底面と、前記底面から前記発散レンズの側へ延在する側面とを有しており、前記第2の光導波部材は、前記第1の光導波部材の底面と側面とのそれぞれに設けられている。
好適には、前記集光レンズは、前記光電変換部から前記発散レンズへ向かう方向にて、中心が縁よりも厚く形成されており、前記発散レンズは、前記集光レンズから前記光電変換部へ向かう方向にて、中心が縁よりも厚く形成されている。
好適には、前記光導波路部は、前記光電変換部の受光面に沿った面の面積が、前記集光レンズおよび前記発散レンズから前記光電変換部へ向かう方向にて小さくなる形状で形成されている。
本発明のカメラは、好適には、光を受光面で受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、入射した光を集光する集光レンズと、前記集光レンズによって集光された光を発散する発散レンズと、前記集光レンズと前記発散レンズとを順次介した光を前記光電変換部の受光面へ導く光導波路部とを有し、前記光導波路部は、前記集光レンズの光軸に対応して設けられた第1の光導波部材と、前記第1の光導波部材の周囲に設けられており、前記第1の光導波部材よりも屈折率が高い光学材料にて形成されている第2の光導波部材とを含み、前記発散レンズは、前記第1の光導波部材よりも屈折率が低い光学材料にて形成されており、前記集光レンズを介して入射された光を前記第2の光導波部材へ発散し、前記第2の光導波部材は、前記発散レンズによって発散された光を前記光電変換部の受光面へ導く。
上記の本発明においては、発散レンズが、集光レンズを介して入射された光を第2の光導波部材へ発散し、その第2の光導波部材が、その発散レンズによって発散された光を光電変換部の受光面へ導く。
本発明によれば、感度を向上し、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置、カメラを提供することができる。
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
(装置構成)
図1は、本発明にかかる実施形態において、カメラ40の構成を示す構成図である。
図1は、本発明にかかる実施形態において、カメラ40の構成を示す構成図である。
図1に示すように、カメラ40は、固体撮像装置1と、光学系42と、駆動回路43と、信号処理回路44とを有する。各部について、順次、説明する。
固体撮像装置1は、光学系42を介して、被写体像による光を受光面で受け、その被写体像による光を光電変換し、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置1は、駆動回路43から出力される駆動信号に基づいて、駆動する。具体的には、信号電荷を読み出して、ローデータとして出力する。この固体撮像装置1の詳細内容については、後述する。
光学系42は、たとえば、光学レンズを含み、被写体像を固体撮像装置1の受光面上に結像させる。
駆動回路43は、各種の駆動信号を固体撮像装置1と信号処理回路44とに出力し、固体撮像装置1と信号処理回路44とを駆動させる。
信号処理回路44は、固体撮像装置1から出力されたローデータについて信号処理を実施することによって、被写体像についてデジタル画像を生成する。
固体撮像装置1の全体構成について説明する。
図2は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置1の全体構成の概略を示す平面図である。
本実施形態の固体撮像装置1は、CMOS型イメージセンサであり、図2に示すように、基板101を含む。この基板101は、たとえば、シリコンからなる半導体基板であり、図2に示すように、基板101の面においては、画素領域PAと、周辺領域SAとが設けられている。
この基板101の面において画素領域PAは、図2に示すように、矩形形状であり、複数の画素Pが垂直方向Vと水平方向Hとに複数配置されている。つまり、画素Pがマトリクス状に並んでいる。
また、基板101の面において周辺領域SAは、図2に示すように、画素領域PAの周囲に位置している。そして、この周辺領域SAにおいては、画素Pにおいて生成された信号電荷を処理する周辺回路(図示なし)が設けられている。
具体的には、図2に示すように、この周辺回路としては、垂直選択回路13と、カラム回路14と、水平選択回路15と、水平信号線16と、出力回路17と、タイミングジェネレータ(TG)18とが設けられている。
垂直選択回路13は、たとえば、シフトレジスタを含み、画素Pを行単位で選択駆動する。
カラム回路14は、たとえば、S/H(サンプルホールド)回路およびCDS(Correlated Double Sampling;相関二重サンプリング)回路を含む。そして、カラム回路14は、列単位で画素Pから読み出した信号について信号処理を実施する。
水平選択回路15は、たとえば、シフトレジスタを含み、カラム回路14によって各画素Pから読み出した信号を、順次、選択して出力する。そして、水平選択回路15の選択駆動によって、順次、画素Pから読み出した信号を、水平信号線16を介して出力回路17に出力する。
出力回路17は、たとえば、デジタルアンプを含み、水平選択回路15によって出力された信号について、増幅処理などの信号処理を実施後、外部へ出力する。
タイミングジェネレータ18は、各種のタイミング信号を生成し、垂直選択回路13、カラム回路14、水平選択回路15に出力することで、各部について駆動制御を行う。
図3は、本発明にかかる実施形態において、画素領域PAにおいて設けられた画素Pの要部を示す回路図である。
画素領域PAにおいて設けられた画素Pは、図3に示すように、フォトダイオード21と、転送トランジスタ22と、増幅トランジスタ23と、アドレストランジスタ24と、リセットトランジスタ25とを含む。
フォトダイオード21は、被写体像による光を受光面で受光し、その受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成し蓄積する。フォトダイオード21は、図3に示すように、転送トランジスタ22を介して、増幅トランジスタ23のゲートに接続されている。そして、フォトダイオード21においては、増幅トランジスタ23のゲートに接続されているフローティングディフュージョンFDへ、その蓄積した信号電荷が、転送トランジスタ22によって出力信号として転送される。
転送トランジスタ22は、図3に示すように、フォトダイオード21とフローティングディフュージョンFDとの間において介在するように設けられている。そして、転送トランジスタ22は、転送線26からゲートに転送パルスが与えられることによって、フォトダイオード21において蓄積された信号電荷を、フローティングディフュージョンFDに出力信号として転送する。
増幅トランジスタ23は、図3に示すように、ゲートがフローティングディフュージョンFDに接続されており、フローティングディフュージョンFDを介して出力される出力信号を増幅する。ここでは、増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24を介して垂直信号線27に接続され、画素領域PA以外に設けられている定電流源Iとソースフォロアを構成している。このため、アドレストランジスタ24にアドレス信号が供給されることによって、フローティングディフュージョンFDから出力された出力信号が増幅される。
アドレストランジスタ24は、図3に示すように、アドレス信号が供給されるアドレス線28にゲートが接続されている。アドレストランジスタ24は、アドレス信号が供給された際にはオン状態になり、上記のように増幅トランジスタ23によって増幅された出力信号を、垂直信号線27に出力する。そして、その出力信号は、垂直信号線27を介して、上述したカラム回路14のS/H・CDS回路に出力される。
リセットトランジスタ25は、図3に示すように、リセット信号が供給されるリセット線29にゲートが接続され、また、電源VddとフローティングディフュージョンFDとの間において介在するように接続されている。そして、リセットトランジスタ25は、リセット線29からリセット信号がゲートに供給された際に、フローティングディフュージョンFDの電位を、電源Vddの電位にリセットする。
上記のように画素を駆動する動作は、転送トランジスタ22とアドレストランジスタ24とリセットトランジスタ25との各ゲートが、水平方向Hに並ぶ複数の画素からなる行単位で接続されていることから、その行単位に並ぶ複数の画素について同時に行われる。具体的には、上述した垂直選択回路13によって供給されるアドレス信号によって、水平ライン(画素行)単位で垂直方向に順次選択される。そして、タイミングジェネレータ18から出力される各種タイミング信号によって各画素のトランジスタが制御される。これにより、各画素における出力信号が垂直信号線27を通して画素列毎にカラム回路14のS/H・CDS回路に読み出される。
本実施形態にかかる固体撮像装置1の詳細内容について説明する。
図4は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置1の要部を示す断面図である。図4は、画素Pの断面を示している。なお、画素領域PAにおいては、上記したように、基板101上に、画素Pが配置されているが、フォトダイオード21を除き、その画素Pを構成する他の各部材については、図示を省略している。
図4に示すように、固体撮像装置1においては、フォトダイオード21と、集光レンズ111と、発散レンズ121と、光導波路部131と、カラーフィルタ301とが、画素Pに対応して形成されている。また、ここでは、図4に示すように、光導波路部131が、第1の光導波部材131aと、第2の光導波部材131bとを含む。
各部について順次説明する。
フォトダイオード21は、図4に示すように、基板101の面に設けられている。フォトダイオード21は、光を受光面JSで受光し、その受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する。図4に示すように、基板101の面において、この受光面JSに対して垂直な方向には、集光レンズ111と、発散レンズ121と、光導波路部131と、カラーフィルタ301とが配置されている。ここでは、受光面JSの側から、光導波路部131、発散レンズ121、カラーフィルタ301、集光レンズ111が、順次、配置されている。このため、本実施形態においては、フォトダイオード21は、この各部を介して入射する光を、受光面JSで受光し、光電変換することによって信号電荷を生成する。
集光レンズ111は、いわゆるオンチップマイクロレンズであり、図4に示すように、基板101の面に設けられており、入射した光を集光する。図4に示すように、基板101の面には、フォトダイオード21が設けられており、集光レンズ111は、光軸KJが、このフォトダイオード21の受光面JSの中心に対して垂直になるように配置されている。そして、集光レンズ111は、光軸KJの方向において、カラーフィルタ301と発散レンズ121と光導波路部131とを介在して、フォトダイオード21の受光面JSに対面している。ここでは、この集光レンズ111は、基板101の面において、カラーフィルタ301が設けられた面を平坦化する平坦化膜HTb上に設けられている。そして、この集光レンズ111は、フォトダイオード21の受光面JSから発散レンズ121へ向かう方向にて、中心が縁よりも厚く形成されている。このため、集光レンズ111によって集光された光は、カラーフィルタ301と発散レンズ121と光導波路部131とを介在して、フォトダイオード21の受光面JSにおいて受光される。
発散レンズ121は、図4に示すように、基板101の面に設けられており、入射した光を発散するように構成されている。図4に示すように、発散レンズ121は、集光レンズ111と同様に、フォトダイオード21の受光面JSの中心に対して光軸KJが垂直になるように配置されている。つまり、発散レンズ121は、図4に示すように、光軸KJが、集光レンズ111と一致するように設けられている。ここでは、図4に示すように、発散レンズ121は、集光レンズ111のレンズ径よりも小さなレンズ径になるように形成されている。そして、発散レンズ121は、フォトダイオード21と集光レンズ111との間に介在するように設けられており、その集光レンズ111によって集光された光を発散するように形成されている。
また、発散レンズ121は、図4に示すように、光導波路部131の上面に設けられており、入射した光を光導波路部131へ出射するように構成されている。本実施形態においては、発散レンズ121は、光導波路部131の第1の光導波部材131aよりも屈折率が低い光学材料にて形成されており、集光レンズ111を介して入射された光を、第2の光導波部材131bへ発散するように設けられている。ここでは、発散レンズ121は、集光レンズ111からフォトダイオード21へ向かう方向にて、中心が縁よりも厚く形成されている。この発散レンズ121は、光の入射し進行する方向へ凸状に突き出るように形成されている。
詳細については後述するが、発散レンズ121は、図4に示すように、光導波路部131にてフォトダイオード21の受光面JSに対応する部分の表面に設けられた凹部REに光学材料を埋め込んで形成される。具体的には、この表面を平坦化する平坦化膜HTaを成膜する際に、この凹部REに光学材料を埋め込んで、この発散レンズ121が形成される。たとえば、発散レンズ121は、スピンコート、プラズマCVD、または、HDP(High−density−plasma)−CVD法によって、SiO2(屈折率n=1.45)、シロキサン(屈折率n=1.69)、SiON(屈折率n=1.6〜1.8)、SiN膜(屈折率n=2.0)、または、SiLK(屈折率n=2以上)を、その表面に成膜することで形成される。
光導波路部131は、図4に示すように、基板101の面に設けられており、入射した光をフォトダイオード21の受光面JSへ導くように構成されている。図4に示すように、光導波路部131は、集光レンズ111および発散レンズ121と、フォトダイオード21の受光面JSとの間に介在しており、集光レンズ111と発散レンズ121とを順次介して入射した光を、受光面JSへ導くように形成されている。
具体的には、基板101の面においては、フォトダイオード21を被覆するように第1層間絶縁膜SZaが設けられており、その第1層間絶縁膜SZaの面には、第1配線Haが設けられている。そして、この第1配線Haを被覆するように第1層間絶縁膜SZaの面に、第2層間絶縁膜Szbが設けられており、その第2層間絶縁膜SZbの面に、第2配線Hbが設けられている。そして、この第2配線Hbを被覆するように第2層間絶縁膜SZbの面に、第3層間絶縁膜Szcが設けられており、その第3層間絶縁膜SZcの面に、第3配線Hcが設けられている。そして、さらに、この第3配線Hcを被覆するように第3層間絶縁膜SZcの面に、第4層間絶縁膜Szdが設けられている。
この第1から第4の層間絶縁膜SZa,Szb,Szc,Szdは、光を透過する光透過性材料で形成されている。たとえば、第1から第4の層間絶縁膜SZa,Szb,Szc,Szdは、酸化シリコン膜(屈折率n=1.43)で形成されている。この他に、酸化シリコンに、リン,ホウ素を添加したものなどの材料を用いて、形成することができる。また、第1から第3の配線Ha,Hb,Hcは、導電性材料で形成されている。たとえば、第1から第3の配線Ha,Hb,Hcは、アルミニウムや銅などの金属材料で形成されている。
そして、この第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdの一部を除去して形成された孔を、埋め込むように、上記の光導波路部131が形成されている。つまり、図4に示すように、光導波路部131は、第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdを貫いて、フォトダイオード21の受光面JSへ延在するように形成されている。
ここでは、光導波路部131は、図4に示すように、フォトダイオード21の受光面JSに沿った面の面積が、集光レンズ111および発散レンズ121からフォトダイオード21へ向かう方向にて小さくなる形状で形成されている。すなわち、光導波路部131は、テーパー状に形成されている。
具体的には、光導波部材131は、第1のテーパー形状部T1と、第2のテーパー形状部T2とによって構成されている。第1のテーパー形状部T1は、フォトダイオード21の側に位置している。そして、第1のテーパー形状部T1は、基板101の面に対して側面が傾斜している。第2のテーパー形状部T2は、第1のテーパー形状部T1よりも、フォトダイオード21から離れた位置に設けられている。この第2のテーパー形状部T2は、基板101の面に対する側面が傾斜する角度が、第1のテーパー形状部T1よりも大きくなるように形成されている。
また、本実施形態においては、光導波路部131は、第1の光導波部材131aと、第2の光導波部材131bとを含む。
光導波路部131において、第1の光導波部材131aは、図4に示すように、集光レンズ111と発散レンズ121との光軸KJに対応して設けられている。ここでは、第1の光導波部材131aは、集光レンズ111と発散レンズ121との光軸KJが、中心を貫くように設けられている。具体的には、第1の光導波部材131aは、図4に示すように、フォトダイオード21の受光面JSに対面する底面131tを含み、この底面131tから、発散レンズを介して入射した光が出射される。また、第1の光導波部材131aは、図4に示すように、側面が131s、この底面131tから発散レンズ121の側へ、集光レンズ111と発散レンズ121との光軸KJに沿うように延在している。
本実施形態においては、この第1の光導波部材131aは、第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdの一部を除去して形成された孔の表面に、第2の光導波部材131bが成膜された後に、その孔を光学材料で埋め込むことで形成される。ここでは、第1の光導波部材131aは、周囲にある第2の光導波部材131bよりも屈折率が小さい光学材料を用いて形成される。また、第1の光導波部材131aは、発散レンズ121を構成する光学材料よりも屈折率が高い光学材料を用いて形成される。たとえば、第1の光導波部材131aは、スピンコート法によってポリイミド樹脂(屈折率n=1.69)を成膜することで形成される。この他に、Si3N4膜、DLC(Diamond Like Carbon)膜、ポリシロキサン樹脂膜を用いて形成することが好適である。
第1の光導波部材131aにおいては、フォトダイオード21の受光面JSに対応する部分の表面に、凹部REが形成されている。この凹部REは、第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdの一部を除去して形成した孔の表面に第2の光導波部材131bを成膜後に、その孔を埋め込む光学材料の量を調整することで、形成される。そして、上述したように、この第1の光導波部材131aにおいては、その凹部REに光学材料が埋め込まれて、発散レンズ121が設けられている。
光導波路部131において、第2の光導波部材131bは、図4に示すように、第1の光導波部材131aの周囲に設けられている。ここでは、第2の光導波部材131bは、第1の光導波部材131aの底面131tと側面131sとのそれぞれに設けられており、発散レンズ121によって発散された光をフォトダイオードの受光面JSへ導くように構成されている。
本実施形態においては、第2の光導波部材131bは、第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdの一部を除去して形成された孔の表面に形成される。ここでは、第2の光導波部材131bは、その周囲にある層間絶縁膜SZb,SZc,SZdよりも屈折率が高い光学材料にて形成されている。また、第2の光導波部材131bは、内部にある第1の光導波部材131aよりも屈折率が高い光学材料にて形成されている。たとえば、第2の光導波部材131bは、プラズマCVD法によってシリコン窒化(SiN)膜(屈折率n=2.0)を成膜することで形成される。この他に、プラズマCVD法によって成膜されたプラズマSiON膜、フォトレジスト膜、酸化チタン膜が、好適である。
カラーフィルタ301は、図4に示すように、基板101の面に設けられている。カラーフィルタ301は、図4に示すように、基板101の面において設けられた平坦化膜HTa上に、形成されている。
このカラーフィルタ301は、基板101の面に対面して配置されており、被写体像による光を受けた後、この光が着色され、基板101の面に出射される。
本実施形態においては、図4に示すように、カラーフィルタ301は、グリーンフィルタ層301Gと、レッドフィルタ層301Rと、ブルーフィルタ層301Bとを含む。
カラーフィルタ301において、グリーンフィルタ層301Gは、緑色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、被写体像による光が緑色光として透過される。つまり、グリーンフィルタ層301Gは、被写体像による光を分光することによって、その光を緑色に着色する。ここでは、グリーンフィルタ層301Gは、図4に示すように、集光レンズ111の光軸KJの方向において、発散レンズ121と光導波路部131とを介在して、フォトダイオード21の受光面JSに対面するように配置されている。このグリーンフィルタ層301Gは、たとえば、緑色の着色顔料とフォトレジスト樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工して形成される。
カラーフィルタ301において、レッドフィルタ層301Rは、赤色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、被写体像による光が赤色光として透過される。つまり、レッドフィルタ層301Rは、被写体像による光を分光することによって、その光を赤色に着色する。図4においては図示を省略しているが、グリーンフィルタ層301Gの部分と同様に、レッドフィルタ層301Rの部分においても、フォトダイオード21と、集光レンズ111と、発散レンズ121と、光導波路部131とが設けられている。つまり、レッドフィルタ層301Rは、グリーンフィルタ層301Gと同様に、集光レンズ111の光軸KJの方向において、発散レンズ121と光導波路部131とを介在して、フォトダイオード21の受光面JSに対面するように配置されている。このレッドフィルタ層301Rは、たとえば、赤色の着色顔料とフォトレジスト樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工して形成される。
カラーフィルタ301において、ブルーフィルタ層301Bは、青色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、被写体像による光が青色光として透過される。つまり、ブルーフィルタ層301Bは、被写体像による光を分光することによって、その光を青色に着色する。図4においては図示を省略しているが、グリーンフィルタ層301Gの部分と同様に、ブルーフィルタ層301Bの部分においても、フォトダイオード21と、集光レンズ111と、発散レンズ121と、光導波路部131とが設けられている。つまり、ブルーフィルタ層301Bは、グリーンフィルタ層301Gと同様に、集光レンズ111の光軸KJの方向において、発散レンズ121と光導波路部131とを介在して、フォトダイオード21の受光面JSに対面するように配置されている。このブルーフィルタ層301Bは、たとえば、青色の着色顔料とフォトレジスト樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工して形成される。
なお、図示していないが、上記のレッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれは、基板101の面に対応する面において、ベイヤー配列で並ぶように配置されている。
(製造方法)
以下より、上記の固体撮像装置1を製造する製造方法について説明する。
以下より、上記の固体撮像装置1を製造する製造方法について説明する。
図5と図6と図7は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置1を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す断面図である。
まず、図5(a)に示すように、フォトダイオード21を形成する。
たとえば、p型シリコン基板である基板101にn型不純物をイオン注入することで、フォトダイオード21を形成する。
その後、図5(a)に示すように、この基板101の面において、フォトダイオード21を被覆するように第1層間絶縁膜SZaを設けた後に、その第1層間絶縁膜SZaの面に、第1配線Haを設ける。
たとえば、酸化シリコン膜で第1層間絶縁膜SZaを形成する。その後、たとえば、アルミニウムや銅などの金属材料で第1配線Haを形成する。
そして、同様にして、この第1配線Haを被覆するように第1層間絶縁膜SZaの面に、第2層間絶縁膜Szbを設けた後に、その第2層間絶縁膜SZbの面に、第2配線Hbを設ける。そして、この第2配線Hbを被覆するように第2層間絶縁膜SZbの面に、第3層間絶縁膜Szcを設けた後に、その第3層間絶縁膜SZcの面に、第3配線Hcを設ける。そして、さらに、この第3配線Hcを被覆するように第3層間絶縁膜SZcの面に、第4層間絶縁膜Szdを設ける。
つぎに、図5(b)に示すように、孔Hを形成する。
ここでは、第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdの一部をエッチング処理にて除去することで、孔Hを形成する。
具体的には、まず、図5(b)に示すように、リソグラフィ技術によって、第4層間絶縁膜SZdの一部を除去し、孔Hを構成する第1の孔H1について形成する。ここでは、第4層間絶縁膜SZdにおいてフォトダイオード21の受光面JSに対応する部分の全体について、エッチングする。たとえば、ウェットエッチング処理などの等方性のエッチング処理を実施することによって、この第4層間絶縁膜SZdの一部を除去することで、第1の孔H1を形成する。これにより、基板101の面に対して側面が傾斜するように、この第1の孔H1が、お椀型に成形される。
そして、図5(b)に示すように、リソグラフィ技術によって、第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdの一部を除去し、孔Hを構成する第2の孔H2について形成する。ここでは、第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdにおいてフォトダイオード21の受光面JSの中心部分に対応する部分についてエッチングする。本実施形態においては、基板101の面に対して第1の孔H1の側面が傾斜する角度よりも、この第2の孔H2の側面が傾斜する角度が小さくなるように、第2の孔H2がテーパー状に形成される。たとえば、ドライエッチング処理などの異方性のエッチング処理を実施することによって、この第4層間絶縁膜SZdの一部を除去することで、第2の孔H2を形成する。このように、第1の孔H1と第2の孔H2とを順次形成することで、孔Hを形成する。
つぎに、図6(c)に示すように、第2の光導波部材131bを形成する。
ここでは、第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdの一部を除去して形成された孔Hの表面に、第2の光導波部材131bを形成する。たとえば、プラズマCVD法によってシリコン窒化(SiN)膜を、その孔Hの表面を被覆するように成膜することで、この第2の光導波部材131bを形成する。
つぎに、図6(d)に示すように、第1の光導波部材131aを形成する。
ここでは、上記のように、孔Hの表面に第2の光導波部材131bが成膜された後に、その孔Hを光学材料で埋め込むことで、第1の光導波部材131aを形成する。たとえば、スピンコート法によってポリイミド樹脂を成膜することで、この第1の光導波部材131aを形成される。
本実施形態においては、フォトダイオード21の受光面JSに対応する部分の表面に、凹部REが形成されるように、その孔Hを埋め込む光学材料の量を調整して、第1の光導波部材131aを形成する。たとえば、孔Hの周囲に設けられた第2の光導波部材131bの表面において、膜厚が、5〜100nmになるように、この第1の光導波部材131aを形成する。これにより、第1の光導波部材131aの表面に、凹部REを設けることができる。たとえば、深さが、10〜5000nm程度になるように、この凹部REを設けることができる。
つぎに、図7(e)に示すように、発散レンズ121を形成する。
ここでは、第1の光導波部材131aにおいて凹部REが設けられた表面に、たとえば、スピンコート、プラズマCVD、または、HDP−CVD法によって、SiO2、シロキサン、SiON、SiN膜、SiLKを成膜する。これにより、第1の光導波部材131aの凹部REに、この光学材料で埋め込むことで、発散レンズ121が形成される。そして、これと共に、第1の光導波部材131aを平坦化するように、平坦化膜HTaが形成される。
つぎに、図7(f)に示すように、カラーフィルタ301を形成する。
ここでは、平坦化膜HTa上に、カラーフィルタ301を形成する。たとえば、各色の着色顔料とフォトレジスト樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工することで、カラーフィルタ301を構成する各色のフィルタ層を形成する。
そして、このカラーフィルタ301が形成された表面を平坦化するように、平坦化膜HTbを形成する。
この後、図4に示すように、集光レンズ111を形成して、固体撮像装置1を完成させる。
以上のように、本実施形態は、発散レンズ121が第1の光導波部材131aよりも屈折率が低い光学材料にて形成されており、集光レンズ111を介して入射された光を発散レンズ121が第2の光導波部材131bへ発散する。そして、第2の光導波部材131bは、その発散レンズ121によって発散された光をフォトダイオード21の受光面JSへ導く。
図8は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置1にて入射する光の経路を示す図である。一方で、図9は、本発明にかかる実施形態に対して、発散レンズ121を設けない固体撮像装置において、入射する光の経路を示す図である。図9において、(a)は、この固体撮像装置の要部を示しており、(b)は、(a)において、フォトダイオード21および光導波部材131が形成された部分Bを拡大して示す図である。なお、図8と図9とにおいては、図4と同様に、断面を示しているが、図4において各部に付したハッチングについては、説明の都合上、付していない。
図8に示すように、フォトダイオード21の受光面JSに垂直な方向に沿うように、平行光HLが入射した場合においては、その平行光HLを集光レンズ111がフォトダイオード21の受光面JSの側へ向かって集光する。具体的には、集光レンズ111の中心においては、平行光HLが受光面JSに垂直な方向に沿って進行し、集光レンズ111の縁側の部分においては、平行光HLが受光面JSの中心側へ傾斜されて進行する。
ここでは、集光レンズ111によって集光された光は、カラーフィルタ301を介して、発散レンズ121へ向かう。たとえば、グリーンフィルタ層301Gに入射後に、発散レンズ121へ出射される。
そして、その集光レンズ111によって集光された光を、発散レンズ121が外側へ発散する。具体的には、発散レンズ121の中心においては、その光が受光面JSに垂直な方向に沿って進行し、発散レンズ121の縁側の部分においては、その光が受光面JSの周囲の側へ傾斜されて進行する。
その後、その発散レンズ121によって発散された光が、光導波部材131にて外側に設けられた第2の光導波部材131bに入射する。すなわち、フォトダイオード21の受光面JSに垂直な方向に対して、受光面JSの中心から周囲の側へ傾斜する方向へ発散された光が、第2の光導波部材131bに多く入射する。
上述したように、第2の光導波路部材131bは、その内部に設けられている第1の光導波部材131aよりも屈折率が高い光学材料で形成されている。また、第2の光導波部材131bは、その周囲にある第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdよりも屈折率が高い光学材料で形成されている。
このため、図8に示すように、第2の光導波部材131bにおいては、その発散レンズ121によって発散された光が、第1の光導波部材131aと層間絶縁膜SZb,SZc,SZdとに挟まれた側壁部分において、受光面JSの側へ進行する。具体的には、図8に示すように、第2の光導波部材131bにおいては、第1の光導波部材131aとの界面と、第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdとの界面とのそれぞれにおいて、その発散レンズ121によって発散された光が反射されて進行する。
そして、図8に示すように、この第2の光導波部材131bの内部を進行した光が、受光面JSに入射して、フォトダイオード21において受光される。
一方で、本実施形態と異なり、図9(a)に示すように、発散レンズ121を設けない場合において、平行光HLが入射した場合には、集光レンズ111によって集光された光が、光導波部材131にて内側に設けられた第1の光導波部材131aへ、多く入射する。つまり、第1の光導波部材131aへ入射する光の割合が高く、第2の光導波部材131bへ入射する光の割合が低い。
この場合には、図9(b)に示すように、第1の光導波部材131aへ入射した光において集光レンズ111の光軸KJに対して傾斜して進行する光が、その底部に設けられた第2の光導波部材131bとの界面にて屈折される。そして、さらに、図9(b)に示すように、第2の光導波部材131bと第1の層間絶縁膜SZaとの界面において、その光が屈折される。ここでは、図9(b)に示すように、フォトダイオード21の受光面JSの外側へ、その屈折された光が進行する場合がある。このように、フォトダイオード21において光が受光されない場合がある。このため、発散レンズ121を設けない場合においては、平行光HLに対する感度が低くなる場合がある。
したがって、本実施形態は、発散レンズ121によって発散された光を、第2の光導波部材131bがフォトダイオード21の受光面JSへ導くため、感度が向上され、撮像画像の画像品質を向上することができる。特に、本実施形態は、フォトダイオード21の受光面JSへ垂直に入射する平行光HLを受光する際に、好適な効果を得ることができる。
本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
たとえば、上記の実施形態では、発散レンズ121を形成する際において、第1の光導波部材131aの表面に凹部REが設けられるように、第1の光導波部材131aを形成し、その凹部REに光学材料で埋め込む例について説明した。しかし、本発明は、これに限定されない。たとえば、第1の光導波部材131aの表面が平坦になるように、第1の光導波部材131aを形成後、その表面についてエッチング処理を実施することで、凹部REが設ける。その後、その凹部REに光学材料を埋め込むことで、発散レンズ121を形成しても、好適である。
また、上記の実施形態では、孔Hを形成する際において、第2から第4の層間絶縁膜SZb,SZc,SZdの一部をエッチング処理にて除去する例について説明した。つまり、本実施形態では、第2層間絶縁膜SZbの途中までの深さになるように、孔Hを形成した。しかし、本発明の実施形態は、これに限定されない。孔Hの深さは任意に設定することができる。このため、たとえば、第1の層間絶縁膜SZaに到達する深さになるように、孔Hを形成してもよい。また、フォトダイオード21の受光面JSまで到達する深さになるように、孔Hを形成してもよい。
また、上記の実施形態では、第1から第4の層間絶縁膜SZa,SZb,SZc,SZdを設けると共に、第1から第3の配線Ha,Hb,Hcを設ける場合について説明した。しかし、本発明は、これに限定されない。本発明の実施形態は、4層未満の層間絶縁膜を設ける場合に適用してもよく、また、5層以上の層間絶縁膜を設ける場合に適用してもよい。
また、上記の実施形態では、第1の光導波部材131aの表面に、発散レンズ121が直接、積層される例について示した。しかし、本発明の実施形態は、これに限定されない。たとえば、第1の光導波部材131aと発散レンズ121との間に、反射防止層、応力緩和層などの種々の機能を有する他の層を設けてもよい。
また、本実施形態においては、CMOSイメージセンサに適用する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、CCDイメージセンサについて、適用可能である。
なお、上記の実施形態において、固体撮像装置1は、本発明の固体撮像装置に相当する。また、上記の実施形態において、カメラ40は、本発明のカメラに相当する。また、上記の実施形態において、フォトダイオード21は、本発明の光電変換素子に相当する。また、上記の実施形態において、集光レンズ111は、本発明の集光レンズに相当する。また、上記の実施形態において、発散レンズ121は、本発明の発散レンズに相当する。また、上記の実施形態において、光導波路部131は、本発明の光導波路部に相当する。また、上記の実施形態において、第1の光導波部材131aは、本発明の第1の光導波部材に相当する。また、上記の実施形態において、第2の光導波部材131bは、本発明の第2の光導波部材に相当する。
1…固体撮像装置、40…カメラ、42…光学系、43…駆動回路、44…信号処理回路、101…基板、PA…画素領域、SA…周辺領域、21…フォトダイオード(光電変換素子)、301…カラーフィルタ、111…集光レンズ、121…発散レンズ、131…光導波路部、131a…第1の光導波部材、131b…第2の光導波部材
Claims (5)
- 光を受光面で受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、
入射した光を集光する集光レンズと、
前記集光レンズによって集光された光を発散する発散レンズと、
前記集光レンズと前記発散レンズとを順次介した光を前記光電変換部の受光面へ導く光導波路部と
を有し、
前記光導波路部は、
前記集光レンズと前記発散レンズとの光軸に対応して設けられた第1の光導波部材と、
前記第1の光導波部材の周囲に設けられており、前記第1の光導波部材よりも屈折率が高い光学材料にて形成されている第2の光導波部材と
を含み、
前記発散レンズは、前記第1の光導波部材よりも屈折率が低い光学材料にて形成されており、前記集光レンズを介して入射された光を前記第2の光導波部材へ発散し、
前記第2の光導波部材は、前記発散レンズによって発散された光を前記光電変換部の受光面へ導く
固体撮像装置。 - 前記第1の光導波部材は、
前記光電変換部の受光面に対面しており、前記発散レンズを介した光が出射される底面と、
前記底面から前記発散レンズの側へ延在する側面と
を有しており、
前記第2の光導波部材は、
前記第1の光導波部材の底面と側面とのそれぞれに設けられている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記集光レンズは、前記光電変換部から前記発散レンズへ向かう方向にて、中心が縁よりも厚く形成されており、
前記発散レンズは、前記集光レンズから前記光電変換部へ向かう方向にて、中心が縁よりも厚く形成されている、
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記光導波路部は、前記光電変換部の受光面に沿った面の面積が、前記集光レンズおよび前記発散レンズから前記光電変換部へ向かう方向にて小さくなる形状で形成されている、
請求項1から3に記載の固体撮像装置。 - 光を受光面で受光し、当該受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、
入射した光を集光する集光レンズと、
前記集光レンズによって集光された光を発散する発散レンズと、
前記集光レンズと前記発散レンズとを順次介した光を前記光電変換部の受光面へ導く光導波路部と
を有し、
前記光導波路部は、
前記集光レンズの光軸に対応して設けられた第1の光導波部材と、
前記第1の光導波部材の周囲に設けられており、前記第1の光導波部材よりも屈折率が高い光学材料にて形成されている第2の光導波部材と
を含み、
前記発散レンズは、前記第1の光導波部材よりも屈折率が低い光学材料にて形成されており、前記集光レンズを介して入射された光を前記第2の光導波部材へ発散し、
前記第2の光導波部材は、前記発散レンズによって発散された光を前記光電変換部の受光面へ導く
カメラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008295838A JP2010123745A (ja) | 2008-11-19 | 2008-11-19 | 固体撮像装置、カメラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008295838A JP2010123745A (ja) | 2008-11-19 | 2008-11-19 | 固体撮像装置、カメラ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010123745A true JP2010123745A (ja) | 2010-06-03 |
Family
ID=42324826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008295838A Pending JP2010123745A (ja) | 2008-11-19 | 2008-11-19 | 固体撮像装置、カメラ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010123745A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102637710A (zh) * | 2011-02-09 | 2012-08-15 | 佳能株式会社 | 光电转换元件、光电转换装置和图像感测*** |
CN102637711A (zh) * | 2011-02-09 | 2012-08-15 | 佳能株式会社 | 光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像*** |
JP2012182436A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-09-20 | Canon Inc | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
US8786044B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and imaging system |
US9054243B2 (en) | 2010-04-06 | 2015-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
JP2016178341A (ja) * | 2016-06-15 | 2016-10-06 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
WO2021149577A1 (ja) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121725A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
JP2003249633A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2004207433A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006120845A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Canon Inc | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP2008192951A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-11-19 JP JP2008295838A patent/JP2010123745A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121725A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
JP2003249633A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2004207433A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006120845A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Canon Inc | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP2008192951A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9054243B2 (en) | 2010-04-06 | 2015-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
CN102637710A (zh) * | 2011-02-09 | 2012-08-15 | 佳能株式会社 | 光电转换元件、光电转换装置和图像感测*** |
CN102637711A (zh) * | 2011-02-09 | 2012-08-15 | 佳能株式会社 | 光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像*** |
JP2012182436A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-09-20 | Canon Inc | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
RU2497234C2 (ru) * | 2011-02-09 | 2013-10-27 | Кэнон Кабусики Кайся | Фотоэлектрический преобразующий элемент, фотоэлектрическое преобразующее устройство и система для считывания изображений |
US8773558B2 (en) | 2011-02-09 | 2014-07-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element, and photoelectric conversion apparatus and image sensing system |
US8878115B2 (en) | 2011-02-09 | 2014-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element, and photoelectric conversion apparatus and imaging system having a light guide |
US8786044B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and imaging system |
JP2016178341A (ja) * | 2016-06-15 | 2016-10-06 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
WO2021149577A1 (ja) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130426 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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