JP2010120101A - 研磨加工装置及び研磨加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に形成した金属層あるいは絶縁層の膜厚を制御して効率的にかつ正確に研磨加工を行うことができる研磨加工装置及び研磨加工方法を提供する。
【解決手段】ヘッド本体２１及びリテーナリング２３を備える研磨ヘッド２０と、研磨パッド１０が設けられた定盤１２とを備え、前記リテーナリング２３には、前記研磨パッド１０に接する第１の電極２６が設けられ、前記ヘッド本体２１には、基板４０の裏面と電気的に導通する第２の電極２７が設けられ、前記研磨ヘッド２０により前記基板４０を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極２６と前記第２の電極２７との間における、前記基板４０上に該基板４０に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部４３と前記基板４０を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記基板４０上に形成された成膜層４２の膜厚を制御する制御部３２が設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明はCMP(Chemical Mechanical Polishing)加工等の研磨加工装置及びこの研磨加工装置を用いた研磨加工方法に関する。

磁気ディスク装置に搭載される磁気ヘッドの製造工程においては、ウエハ基板（Al₂O₃-TiC基板)上に縦横に整列させた配置に多数個の素子が形成される。これらの素子は、磁性層等の金属層と絶縁層とを積層して形成される。この金属層や絶縁層を形成する工程においては、たとえば金属層を所定パターンに形成し、絶縁層によって基板の表面を被覆した後、基板の表面を研磨して、金属層の表面を露出させ、隣接する金属層間には絶縁層が充填された状態にするといった平坦化加工がしばしば行われる。

基板の平坦化加工は、金属層や絶縁層の厚さを所定の厚さに形成すること、基板の表面を平坦化することによって、基板の表面に形成するパターンを高精度に形成できるようにするという目的がある。
研磨加工後の金属層等の膜厚を所定の膜厚に制御する場合に、従来は、研磨加工前に研磨対象層の膜厚を測定し、研磨加工時間を予測して研磨加工を行い、研磨加工後に膜厚を測定し、再度、研磨加工を行って所望の厚さになるように加工している。
特開平６−５２５１５号公報 特開平１−２０７９２９号公報

研磨対象層の膜厚を測定しながら研磨時間を設定して所望の膜厚になるように研磨加工する方法は、金属層や絶縁層を多層に積層して形成される製品においては、その都度、平坦化加工を行わなければならないから、作業が非常に煩雑である。また、研磨対象層の研磨面積が大きいような場合には、研磨作業を何回かに分けて行うために、同様に作業が煩雑になっている。
このような研磨作業を効率化する方法としては、研磨加工の終点位置（エンドポイント）を自動的に検知し、終点位置において研磨加工を停止させる方法を利用することが考えられる。しかしながら、研磨加工の終点位置を検知するためのテーブル電流方式、光学方式、渦電流方式といった従来方法では、正確に膜厚を管理して研磨することが困難であり、既存の研磨装置を利用することが難しいという問題があった。

たとえば、テーブル電流方式では、プラテンを駆動するモータの電流値の変化から終点位置を検知する。この方式では、研磨対象層における研磨部分（たとえば、絶縁層中の金属層の部分）が少ないと、正確に終点位置を検知することができない。光学方式では研磨対象層からの反射光によって終点位置を検知する。したがって、研磨パッドやプラテンに光を通過させる孔をあける必要があり、既存の装置を改変することが困難である。渦電流方式では、研磨対象層の表面に発生する渦電流とセンサコイルのインピーダンスとの共振周波数から膜厚を検知する。この方式は、研磨対象層が金属層からなる場合に有効であり、絶縁層と金属層が混在する場合には使用できない。また、装置が高価になるという問題がある。

本発明は、これらの課題を解決すべくなされたものであり、基板上に形成した金属層あるいは絶縁層の膜厚を制御して効率的にかつ正確に研磨作業を行うことができる研磨加工装置及び研磨加工方法を提供することを目的とする。

研磨加工装置についての実施形態の一観点によれば、ヘッド本体及びリテーナリングを備える研磨ヘッドと、研磨パッドが設けられた定盤とを備え、前記リテーナリングには、前記研磨パッドに接する第１の電極が設けられ、前記ヘッド本体には、基板の裏面と電気的に導通する第２の電極が設けられ、前記研磨ヘッドにより前記基板を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間における、前記基板上に該基板に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部と前記基板を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記基板上に形成された成膜層の膜厚を制御する制御部が設けられた研磨加工装置が提供される。

本発明に係る研磨加工装置及び研磨加工方法によれば、研磨ヘッドに設けた第１の電極と第２の電極との間の導電率の推移を監視することによって研磨加工の終点位置を容易にかつ確実に検知することができ、基板に形成した層の膜厚を正確に制御することが可能となり、研磨加工作業の効率化を図ることができる。

（第１の実施の形態：加工研磨装置）
図１は、本発明に係る加工研磨装置の第１の実施の形態の構造を示す断面図である。
本実施形態の加工研磨装置は、表面に研磨パッド１０が被覆された定盤１２と、ワークを研磨パッド１０に押圧し、ワークを研磨する研磨ヘッド２０とを備える。
定盤１２は、水平に回転可能に支持され、駆動機構（不図示）により一方向に回転駆動される。研磨ヘッド２０の上面の中央部には回転軸２２が立設され、駆動機構２５により回転軸２２が回転駆動され研磨ヘッド２０が回転する。

研磨ヘッド２０は、円板状に形成されたヘッド本体２１と、ヘッド本体２１の定盤１２に対向する面に設けられたリテーナリング２３と、リテーナリング２３によって囲まれた内側領域に配置されたバッキング材２４とを備える。
リテーナリング２３はワークの外周をガイドして支持するためのものであり、バッキング材２４は緩衝体として取り付けられているものであり、緩衝性をもたせてワークを押圧する作用を有する。バッキング材２４には複数のエア孔２４ａが開口して設けられ、エア孔２４ａはヘッド本体２１に設けられた内部流路を介してエア機構６０に連通する。
エア機構６０は、内部流路を介してエア孔２４ａからエア吸引し、バッキング材２４にワークをエア吸着する操作と、内部流路を介してエア孔２４ａからワークにエア圧を作用させてワークをバッキング材２４から離反させる作用をなす。

リテーナリング２３には、定盤１２に対向する下面において開口する電極装着穴２３ａが設けられ、電極装着穴２３ａに、ワークを押圧する向きに平行方向に突出入可能に第１の電極２６が装着されている。第１の電極２６の基部にはスプリング２６ａが装着され、スプリング２６ａは第１の電極２６を、その端面がリテーナリング２３の下面から突出する向きに付勢している。
リテーナリング２３には、周方向に所定間隔に複数の第１の電極２６が配置されている。第１の電極２６は、回転軸２２に装着されたロータリージョイント２２ａを経由した配線により、導電率計３０に電気的に接続される。

ワークの裏面側に配置されるバッキング材２４には、端面をワークの裏面に当接させる第２の電極２７が配置されている。第２の電極２７の基部にスプリング２７ａが装着され、第２の電極２７は、スプリング２７ａにより、その端面がバッキング材２４の下面（ワークが当接する面）から突出する向きに付勢されている。
第２の電極２７は、バッキング材２４の平面内に均等配置となるように複数個配置されている。これらの第２の電極２７は、ロータリージョイント２２ａを経由する配線により、導電率計３０に電気的に接続される。

導電率計３０には、研磨装置の駆動を制御する制御部３２が接続されている。制御部３２は、ワークを研磨している状態において、第１の電極２６と第２の電極２７との間の導電率を監視し、導電率の計測値に基づいて研磨ヘッド２０によるワークの研磨（研磨時間）を制御する。

（ワークの構造）
本実施形態において研磨対象としているワークは、基板４０上に所定のパターンに金属層４２を形成し、金属層４２が形成された基板４０の表面を絶縁層４４によって被覆したものである。すなわち、絶縁層４４によって表面が被覆された基板４０の表面を研磨して平坦面とし、金属層４２を研磨面上に露出させ、金属層４２を所定の膜厚にまで研磨することを目的とする。
研磨対象とするワークはとくに限定されるものではないが、たとえば、磁気ヘッドの製造工程において、Al₂O₃-TiCからなるウエハ基板上に、各素子の配列にしたがって、磁気ヘッドの構造部分である磁性層、導電層等の金属層を形成したワークを研磨するといった場合に適用できる。

本実施形態の研磨加工装置を用いて研磨加工を制御する方法は、研磨加工を施した際に研磨面に金属層４２の表面が露出したことを第１の電極２６と第２の電極２７との間における電気的な導通を利用して検知して制御するものである。したがって、基板４０上には電気的な導通を検知することができる膜厚モニター用の導通部を基板４０に電気的に導通させた状態で形成する必要がある。基板上における研磨状態を検知しやすくするため膜厚モニター用の導通部は、基板上に均等配置に複数個設ける。
また、基板４０も導電性を有することが必要である。膜厚モニター用の導通部を介して検知する電気的導通は、基板４０と膜厚モニター用の導通部を介してなされるからである。なお、磁気ヘッドの製造に用いられるAl₂O₃-TiC基板は導電性を有している。

膜厚モニター用の導通部は、基板に形成する製品部分とは別に形成してもよいし、基板に形成する製品部分において、基板に電気的に導通して形成される導通パターンをモニターとして利用することもできる。
磁気ヘッドの製造工程においては、基板４０に金属層を形成する場合に、層間に絶縁層を介在させて金属層を積層する工程がしばしばある。この場合に、層間に絶縁層が介在して基板４０とが電気的に導通しない状態となる金属層（図１の金属層４２ｂ）は、膜厚モニター用の導通パターンとして利用することはできない。これに対して、基板４０に常に電気的に導通させて形成する金属層、たとえば、図１の金属層４２のような形態の導通パターンについては、ワークの研磨量を検知する金属層として利用することができる。

磁気ヘッドの製造工程においては、磁気ヘッドが静電気によって損傷しないように、素子と基板４０とを電気的に接続するためのシャント抵抗を形成する。このシャント抵抗は金属層を形成する成膜工程ごとに、基板４０と電気的に接続されるように導体部が厚さ方向に連結された状態になるように形成される。したがって、磁気ヘッドの製造工程であれば、このシャント抵抗をモニター用の導通パターンとして利用することができる。シャント抵抗は各素子ごとに形成されるから、ウエハ基板の平面領域の全域にわたって均等に研磨量の検知ができるという利点もある。

磁気ヘッドの製造工程、あるいは磁気ヘッド以外の製品の製造工程において、基板４０と電気的に導通される金属層が工程上には存在しないような場合には、膜厚モニター用の導通部（図１の金属層４３）を、別に形成すればよい。膜厚モニター用の導通部４３は、膜厚を制御しようとする金属層４２と同時に形成してもよいし、別工程によって形成してもよい。膜厚モニター用の導通部４３と金属層４２とが同一材料でなければならないこともない。
膜厚モニター用の導通部４３と膜厚を制御する金属層４２とは、あらかじめ高さ位置関係（膜厚）を把握しておいて研磨加工の制御を行う。なお、膜厚を制御する対象は、金属層に限るものではなく、膜厚モニター用の導通部４３を利用して膜厚を制御する方法は、たとえば金属層の上に成膜されている絶縁層の厚さを制御するといった場合にも適用される。

図１に示すワークは、金属層４２、膜厚モニター用の導通部４３による電気的な導通状態をわかりやすく示すために、基板４０上に柱状に金属層４２と導通部４３を形成し、絶縁層４４によってこれらを被覆した状態を示す。絶縁層４４４は、隣接する金属層４２、導通部４３の間を充填するとともに、金属層４２及び導通部４３が形成された位置では、山形に膨出している。たとえば、磁気ヘッドの製造工程においては、金属層を形成した後に、絶縁材としてアルミナあるいはシリカをスパッタリングして金属層を被覆する工程がしばしばある。その場合は、ワークは図のような形態となる。

（研磨加工方法）
図１は、研磨ヘッド２０に研磨対象である基板４０を支持し、基板４０を研磨パッド１０に押圧して基板４０を研磨開始した状態を示す。
エア機構６０を駆動して基板４０の裏面をバッキング材２４に吸着し、リテーナリング２３によって基板４０の外周をガイドして、基板４０を研磨ヘッド２０に支持する。
研磨パッド１０に研磨用のスラリー５０を供給して、定盤１２及び研磨ヘッド２０を回転駆動して基板４０を研磨する。

研磨が進むとともに、膜厚モニター用の導通部４３を被覆している絶縁層４４の膨出部分が徐々に研磨され、基板４０の表面の絶縁層４４が平坦化されていく。
図２は、基板４０の研磨が進み、基板４０の表面が平坦面に加工され、表面の研磨面に膜厚モニター用の導通部４３の端面が露出した状態を示す。
膜厚モニター用の導通部４３の端面が露出すると、第１の電極２６と第２の電極２７との間が、基板４０及び膜厚モニター用の導通部４３を介して電気的に導通する状態になる。本実施例では、第１の電極２６と膜厚モニター用の導通部４３との間の電気的導通は、スラリー５０の電気的導通性によってなされる。
なお、図２においては、金属層４２の端面も研磨面に露出している状態を示す。この場合は、金属層４２を介しても第１の電極２６と第２の電極２７が電気的に導通する状態になる。

図２においては、膜厚モニター用の導通部４３によって第１の電極２６と第２の電極２７とが電気的に導通することを、破線によって示している。
研磨加工の際に、膜厚モニター用の導通部４３がはじめに導通し、次いで金属層４２が導通する場合には、このような導通状態となる。
第１の電極２６と第２の電極２７との電気的導通は、導電率計３０によって検知され、制御部３２によって導電率が監視される。

なお、膜厚モニター用の導通部４３と第１の電極２６との電気的な導通は、導電性を有するスラリー５０を用いる他に、導電性を有する研磨パッド１０を使用して検知する方法も可能である。研磨パッド１０が導電性を備えていれば、膜厚モニター用の導通部４３の端面が研磨面において露出すれば、研磨パッド１０を介して第１の電極２６と膜厚モニター用の導通部４３が電気的に導通する。研磨パッド１０に導電性を付与するには、パッド材にカーボン等の導電性材を含有させるようにすればよい。

図５は、基板４０の表面研磨を進めていった際に、導電率計３０によって検知される導電率が変化する様子を示す。
同図のＡ点が研磨を開始した時点であり、膜厚モニター用の導通部４３は絶縁層４４によって被覆されているから、第１の電極２６と第２の電極２６とは電気的に絶縁され、導電率は低い状態にある。
Ｂ点は、導電率が上昇開始する時点、すなわち、膜厚モニター用の導通部４３の端面が露出開始した時点を示す。基板４０上に形成されている膜厚モニター用の導通部４３は研磨の進み方によって基板上の位置により露出するタイミングが若干ずれるから、徐々に導電率が上昇し、導電率が変化しなくなった時点（図のＣ点）が膜厚モニター用の導通部４３の端面が完全に露出した状態、すなわち終点位置に相当する。

研磨加工においては、膜厚モニター用の導通部４３が露出した終点位置を検知したところで研磨加工を終了するという制御を行う場合もあるが、一般的には、膜厚モニター用の導通部４３が露出した状態を検出してから、一定時間研磨加工を行って研磨を終了する。図のＤ点が、研磨完了時を示す。

終点位置を検知してから一定時間研磨を行って研磨を終了する場合は、終点位置から、どの程度研磨を進めることによって、所望の膜厚に金属層４２が仕上がるかをあらかじめ測定しておき、その測定結果に基づいて制御する。膜厚を制御しようとしている金属層４２と、膜厚モニター用の導通部４３とでは、研磨する面積が異なっている場合や、材質が異なっている場合があり得る。したがって、制御部３２によって研磨時間を制御する場合には、個々の金属層の特性を考慮して、研磨時間を制御するようにする。

このように、金属層４２を狙いとする膜厚に仕上げるためには、事前に膜厚を測定する等によって、膜厚モニター用の導通部４３との研磨の進行度合いの相違を把握しておくといった準備が必要である。しかしがら、このような準備をしておけば、本実施形態のように、第１の電極２６と第２の電極２７との間の導電率を監視しながら研磨を進める方法によって、ばらつきなく正確に狙いとする膜厚に金属層を加工することができ、研磨作業の効率を大幅に向上させることができる。

（第２の実施の形態）
図３、４は、本発明に係る研磨加工装置の第２の実施の形態の構造と、研磨加工装置を用いてワークを加工研磨している状態の断面図である。
本実施形態においては、第１の実施の形態におけるバッキング材２４にかえてメンブレンタイプの緩衝体２９を備え、緩衝体２９を平面状に形成した第２の電極２８によって支持した構造としている。緩衝体２９を介して基板４０と第２の電極２８とを電気的に導通させるため、緩衝体２９に導電材を含有させるか、緩衝体２９の表面に導電体をコーティングして緩衝体２９に導電性を付与する。

図３、４において、第２の電極２８及び緩衝体２９以外の構成部分は第１の実施の形態における研磨加工装置と同様である。
本実施形態においても、研磨ヘッド２０により基板４０を支持して研磨加工を進めて、膜厚モニター用の導通部４３の端面が絶縁層４４から露出した時点を第１の電極２６と第２の電極２７との間が電気的に導通することから検知される。本実施形態では、第１の電極２６と第２の電極２７との導通は、スラリー５０、膜厚モニター用の導通部４３、基板４０、緩衝体２９を介してなされる。

第１の実施の形態において説明したように、本実施の形態においても、制御部３２により導電率計３０によって検知される導電率を監視しながら研磨加工を進め、図５に示すように、膜厚モニター用の導通部４３端面が露出完了した時点（終点位置）から一定時間、研磨を行う方法によって、金属層４２を所望の膜厚に仕上げることができる。

本発明に係る研磨加工装置においては、研磨ヘッド２０に第１の電極２６と第２の電極２７、２８を設置して、研磨加工の終点位置を検知するから、研磨ヘッド２０を改変することは容易であり、既存の研磨加工装置を利用することが可能である。
また、上述した実施形態においては、第１の電極２６についてはスプリング２６ａにより第１の電極２６を研磨パッド１０に弾性的に付勢するように配置したことによって、第１の電極２６を確実に研磨パッド１０に接触させることができ、導電率の変化を確実に検出することができる。また、第２の電極２７についてもスプリング２７ａによって基板４０の裏面に確実に接触し、第２の電極２８も緩衝体２９を介することによって基板４０と第２の電極２７とが確実に電気的に導通される。

なお、第１の実施の形態及び第２の実施の形態は標準的な研磨加工装置の例を示したものであり、上記例とは異なる形態の研磨加工装置においても、研磨ヘッドに第１の電極及び第２の電極を取り付ける構造として、上述した方法によって研磨加工を制御することができる。
なお、上記実施形態においては、磁気ヘッドの製造工程における研磨加工に利用する例について説明したが、本発明方法は、磁気ヘッドの製造以外の一般的な研磨加工においても同様に適用することができる。また、膜厚を制御する対象は金属層に限られるものではなく、絶縁層についてその膜厚を制御するといった場合にももちろん適用することができる。

（付記１） ヘッド本体及びリテーナリングを備える研磨ヘッドと、研磨パッドが設けられた定盤とを備え、前記リテーナリングには、前記研磨パッドに接する第１の電極が設けられ、前記ヘッド本体には、基板の裏面と電気的に導通する第２の電極が設けられ、前記研磨ヘッドにより前記基板を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間における、前記基板上に該基板に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部と前記基板を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記基板上に形成された成膜層の膜厚を制御する制御部が設けられていることを特徴とする研磨加工装置。
（付記２） 前記第１の電極は、前記リテーナリングに設けられた電極装着穴に、前記研磨パッドに向けて突出する向きに付勢して取り付けられていることを特徴とする付記１記載の研磨加工装置。
（付記３） 前記第２の電極は、前記基板の裏面に端面が当接する向きに付勢して取り付けられていることを特徴とする付記１または２記載の研磨加工装置。
（付記４） 前記ヘッド本体には、前記基板の裏面が当接する位置に緩衝体が取り付けられ、該緩衝体は導電性が付与されて前記第２の電極と前記基板の裏面とが電気的に導通していること特徴とする付記１〜３のいずれか一項記載の研磨加工装置。
（付記５） 前記研磨パッドは導電性を備えることを特徴とする付記１〜４のいずれか一項記載の研磨加工装置。
（付記６） ヘッド本体及びリテーナリングを備える研磨ヘッドと、研磨パッドが設けられた定盤とを備えた研磨加工装置を使用し、研磨加工の終点位置を検知して基板上に形成された成膜層を加工する研磨加工方法であって、前記研磨ヘッドのリテーナリングには、前記研磨パッドに接する第１の電極を設けるとともに、前記ヘッド本体には、前記基板の裏面と電気的に導通する第２の電極を設け、前記研磨パッドに導電性を備えるスラリーを供給し、または導電性を備える研磨パッドを使用し、前記研磨ヘッドにより前記基板を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間における、前記基板上に該基板に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部と前記基板を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記成膜層の膜厚を制御することを特徴とする研磨加工方法。
（付記７） 前記膜厚モニター用の導通部として、基板に電気的に導通して形成された製品に用いられる導通パターンを利用することを特徴とする付記６記載の研磨加工方法。
（付記８） 前記基板は、基板に形成された金属層及び前記膜厚モニター用の導通部が絶縁層によって被覆されて形成され、前記第１の電極と前記第２の電極との間における導電率の変化から、前記膜厚モニター用の導通部が研磨面に露出した時点を検知して前記金属層の膜厚を制御することを特徴とする付記６または７記載の研磨加工方法。
（付記９） 前記膜厚モニター用の導通部が研磨面に露出した時点から一定時間経過した時点を研磨加工の終点位置と設定して前記金属層の膜厚を制御することを特徴とする付記８記載の研磨加工方法。

研磨加工装置の第１の実施の形態の構造を示す断面図である。 第１の実施の形態の研磨加工装置により金属層の端面を露出させた状態にまで研磨した状態の断面図である。 研磨加工装置の第２の実施の形態の構造を示す断面図である。 第２の実施の形態の研磨加工装置により金属層の端面を露出させた状態にまで研磨した状態の断面図である。 研磨加工によって導電率が変化する状態を示すグラフである。

符号の説明

１０ 研磨パッド
１２ 定盤
２０ 研磨ヘッド
２１ ヘッド本体
２２ 回転軸
２２ａ ロータリージョイント
２３ リテーナリング
２４ バッキング材
２５ 駆動機構
２６ 第１の電極
２６ａ スプリング
２７ 第２の電極
２７ａ スプリング
２９ 緩衝体
３０ 導電率計
３２ 制御部
４０ 基板
４２ 金属層
４３ 膜厚モニター用の導通部
４４ 絶縁層
５０ スラリー
６０ エア機構

Claims (6)

1. ヘッド本体及びリテーナリングを備える研磨ヘッドと、研磨パッドが設けられた定盤とを備え、
   前記リテーナリングには、前記研磨パッドに接する第１の電極が設けられ、
   前記ヘッド本体には、基板の裏面と電気的に導通する第２の電極が設けられ、
   前記研磨ヘッドにより前記基板を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間における、前記基板上に該基板に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部と前記基板を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記基板上に形成された成膜層の膜厚を制御する制御部が設けられていることを特徴とする研磨加工装置。
2. 前記第１の電極は、前記リテーナリングに設けられた電極装着穴に、前記研磨パッドに向けて突出する向きに付勢して取り付けられていることを特徴とする請求項１記載の研磨加工装置。
3. 前記第２の電極は、前記基板の裏面に端面が当接する向きに付勢して取り付けられていることを特徴とする請求項１または２記載の研磨加工装置。
4. ヘッド本体及びリテーナリングを備える研磨ヘッドと、研磨パッドが設けられた定盤とを備えた研磨加工装置を使用し、研磨加工の終点位置を検知して基板上に形成された成膜層を加工する研磨加工方法であって、
   前記研磨ヘッドのリテーナリングには、前記研磨パッドに接する第１の電極を設けるとともに、前記ヘッド本体には、前記基板の裏面と電気的に導通する第２の電極を設け、
   前記研磨パッドに導電性を備えるスラリーを供給し、または導電性を備える研磨パッドを使用し、
   前記研磨ヘッドにより前記基板を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間における、前記基板上に該基板に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部と前記基板を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記成膜層の膜厚を制御することを特徴とする研磨加工方法。
5. 前記膜厚モニター用の導通部として、基板に電気的に導通して形成された製品に用いられる導通パターンを利用することを特徴とする請求項４記載の研磨加工方法。
6. 前記基板は、基板に形成された金属層及び前記膜厚モニター用の導通部が絶縁層によって被覆されて形成され、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間における導電率の変化から、前記膜厚モニター用の導通部が研磨面に露出した時点を検知して前記金属層の膜厚を制御することを特徴とする請求項４または５記載の研磨加工方法。

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