JP2010120101A - Apparatus and method for polishing work - Google Patents

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Yuji Matsuura
祐士 松浦
Kentaro Suzuki
健太郎 鈴木
Hiroyuki Miyazawa
博之 宮沢
Masanori Tachibana
雅典 橘
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and method for polishing work, performing efficient and exact polishing work by controlling a film thickness of a metallic layer or an insulation layer formed on a substrate. <P>SOLUTION: The apparatus for polishing work is provided with: a polishing head 20 having a head body 21 and a retainer ring 23; and a surface plate 12 having the polishing pad 10. The retainer ring 23 is provided with a first electrode 26 coming into contact with the polishing pad 10, and the head body 21 is provided with a second electrode 27 bringing electrical conduction into a rear face of a substrate 40. A control part 32 is provided which monitors a conductivity between the first electrode 26 and the second electrode 27 through a conduction portion 43 for a film thickness monitor formed on the substrate 40 with electrical conduction brought into the substrate 40 and the substrate 40, detects a final-point position of polishing work based on the progress of the conductivity, and controls a film thickness of a film-formed layer 42 formed on the substrate 40, when performing polishing work with the substrate 40 supported by the polishing head 20. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明はCMP(Chemical Mechanical Polishing)加工等の研磨加工装置及びこの研磨加工装置を用いた研磨加工方法に関する。   The present invention relates to a polishing apparatus such as a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process and a polishing method using the polishing apparatus.

磁気ディスク装置に搭載される磁気ヘッドの製造工程においては、ウエハ基板（Al2O3-TiC基板)上に縦横に整列させた配置に多数個の素子が形成される。これらの素子は、磁性層等の金属層と絶縁層とを積層して形成される。この金属層や絶縁層を形成する工程においては、たとえば金属層を所定パターンに形成し、絶縁層によって基板の表面を被覆した後、基板の表面を研磨して、金属層の表面を露出させ、隣接する金属層間には絶縁層が充填された状態にするといった平坦化加工がしばしば行われる。 In the manufacturing process of a magnetic head mounted on a magnetic disk device, a large number of elements are formed in an arrangement aligned vertically and horizontally on a wafer substrate (Al 2 O 3 —TiC substrate). These elements are formed by laminating a metal layer such as a magnetic layer and an insulating layer. In the step of forming the metal layer or the insulating layer, for example, the metal layer is formed in a predetermined pattern, and after covering the surface of the substrate with the insulating layer, the surface of the substrate is polished to expose the surface of the metal layer, A planarization process is often performed in which an insulating layer is filled between adjacent metal layers.

基板の平坦化加工は、金属層や絶縁層の厚さを所定の厚さに形成すること、基板の表面を平坦化することによって、基板の表面に形成するパターンを高精度に形成できるようにするという目的がある。
研磨加工後の金属層等の膜厚を所定の膜厚に制御する場合に、従来は、研磨加工前に研磨対象層の膜厚を測定し、研磨加工時間を予測して研磨加工を行い、研磨加工後に膜厚を測定し、再度、研磨加工を行って所望の厚さになるように加工している。
特開平６−５２５１５号公報 特開平１−２０７９２９号公報 The flattening process of the substrate is such that the pattern formed on the surface of the substrate can be formed with high accuracy by forming the thickness of the metal layer or the insulating layer to a predetermined thickness, and flattening the surface of the substrate. There is a purpose to do.
When controlling the film thickness of the metal layer etc. after the polishing process to a predetermined film thickness, conventionally, the film thickness of the layer to be polished is measured before the polishing process, the polishing process time is predicted, and the polishing process is performed. After the polishing process, the film thickness is measured, and the polishing process is performed again to obtain a desired thickness.
JP-A-6-52515 JP-A-1-207929

研磨対象層の膜厚を測定しながら研磨時間を設定して所望の膜厚になるように研磨加工する方法は、金属層や絶縁層を多層に積層して形成される製品においては、その都度、平坦化加工を行わなければならないから、作業が非常に煩雑である。また、研磨対象層の研磨面積が大きいような場合には、研磨作業を何回かに分けて行うために、同様に作業が煩雑になっている。
このような研磨作業を効率化する方法としては、研磨加工の終点位置（エンドポイント）を自動的に検知し、終点位置において研磨加工を停止させる方法を利用することが考えられる。しかしながら、研磨加工の終点位置を検知するためのテーブル電流方式、光学方式、渦電流方式といった従来方法では、正確に膜厚を管理して研磨することが困難であり、既存の研磨装置を利用することが難しいという問題があった。 The method of polishing to set the polishing time while measuring the film thickness of the layer to be polished to achieve the desired film thickness is the case for products formed by laminating metal layers and insulating layers in each case. Since the flattening process must be performed, the operation is very complicated. Further, when the polishing area of the polishing target layer is large, the work is similarly complicated because the polishing work is divided into several times.
As a method for improving the efficiency of such polishing work, it is conceivable to use a method of automatically detecting the end point position (end point) of the polishing process and stopping the polishing process at the end point position. However, the conventional methods such as the table current method, the optical method, and the eddy current method for detecting the end point of the polishing process are difficult to accurately control the film thickness and use an existing polishing apparatus. There was a problem that it was difficult.

たとえば、テーブル電流方式では、プラテンを駆動するモータの電流値の変化から終点位置を検知する。この方式では、研磨対象層における研磨部分（たとえば、絶縁層中の金属層の部分）が少ないと、正確に終点位置を検知することができない。光学方式では研磨対象層からの反射光によって終点位置を検知する。したがって、研磨パッドやプラテンに光を通過させる孔をあける必要があり、既存の装置を改変することが困難である。渦電流方式では、研磨対象層の表面に発生する渦電流とセンサコイルのインピーダンスとの共振周波数から膜厚を検知する。この方式は、研磨対象層が金属層からなる場合に有効であり、絶縁層と金属層が混在する場合には使用できない。また、装置が高価になるという問題がある。   For example, in the table current method, the end point position is detected from the change in the current value of the motor that drives the platen. In this method, if the polishing portion in the layer to be polished (for example, the portion of the metal layer in the insulating layer) is small, the end point position cannot be detected accurately. In the optical method, the end point position is detected by reflected light from the layer to be polished. Therefore, it is necessary to make a hole for allowing light to pass through the polishing pad or the platen, and it is difficult to modify the existing apparatus. In the eddy current method, the film thickness is detected from the resonance frequency of the eddy current generated on the surface of the layer to be polished and the impedance of the sensor coil. This method is effective when the layer to be polished is made of a metal layer, and cannot be used when an insulating layer and a metal layer are mixed. In addition, there is a problem that the apparatus becomes expensive.

本発明は、これらの課題を解決すべくなされたものであり、基板上に形成した金属層あるいは絶縁層の膜厚を制御して効率的にかつ正確に研磨作業を行うことができる研磨加工装置及び研磨加工方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve these problems, and a polishing apparatus capable of efficiently and accurately performing a polishing operation by controlling the film thickness of a metal layer or an insulating layer formed on a substrate. It is another object of the present invention to provide a polishing method.

研磨加工装置についての実施形態の一観点によれば、ヘッド本体及びリテーナリングを備える研磨ヘッドと、研磨パッドが設けられた定盤とを備え、前記リテーナリングには、前記研磨パッドに接する第１の電極が設けられ、前記ヘッド本体には、基板の裏面と電気的に導通する第２の電極が設けられ、前記研磨ヘッドにより前記基板を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間における、前記基板上に該基板に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部と前記基板を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記基板上に形成された成膜層の膜厚を制御する制御部が設けられた研磨加工装置が提供される。   According to one aspect of the embodiment of the polishing apparatus, the polishing apparatus includes a polishing head including a head main body and a retainer ring, and a surface plate provided with a polishing pad, and the retainer ring is in contact with the polishing pad. The head body is provided with a second electrode that is electrically connected to the back surface of the substrate. When the polishing head supports and polishes the substrate, the first electrode The conductivity through the substrate and the conduction part for film thickness monitoring formed between the substrate and the second electrode in electrical conduction with the substrate on the substrate, and the transition of the conductivity Is provided with a control unit that detects the end point position of the polishing process based on the above and controls the film thickness of the film formation layer formed on the substrate.

本発明に係る研磨加工装置及び研磨加工方法によれば、研磨ヘッドに設けた第１の電極と第２の電極との間の導電率の推移を監視することによって研磨加工の終点位置を容易にかつ確実に検知することができ、基板に形成した層の膜厚を正確に制御することが可能となり、研磨加工作業の効率化を図ることができる。   According to the polishing processing apparatus and the polishing processing method of the present invention, it is possible to easily determine the end point position of the polishing process by monitoring the transition of the conductivity between the first electrode and the second electrode provided in the polishing head. And it can detect reliably, it becomes possible to control the film thickness of the layer formed in the board | substrate correctly, and it can aim at the efficiency improvement of polishing process.

（第１の実施の形態：加工研磨装置）
図１は、本発明に係る加工研磨装置の第１の実施の形態の構造を示す断面図である。
本実施形態の加工研磨装置は、表面に研磨パッド１０が被覆された定盤１２と、ワークを研磨パッド１０に押圧し、ワークを研磨する研磨ヘッド２０とを備える。
定盤１２は、水平に回転可能に支持され、駆動機構（不図示）により一方向に回転駆動される。研磨ヘッド２０の上面の中央部には回転軸２２が立設され、駆動機構２５により回転軸２２が回転駆動され研磨ヘッド２０が回転する。 (First embodiment: processing polishing apparatus)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a first embodiment of a processing and polishing apparatus according to the present invention.
The processing and polishing apparatus of this embodiment includes a surface plate 12 having a surface coated with a polishing pad 10 and a polishing head 20 that presses the workpiece against the polishing pad 10 and polishes the workpiece.
The surface plate 12 is supported so as to be horizontally rotatable, and is driven to rotate in one direction by a drive mechanism (not shown). A rotating shaft 22 is erected at the center of the upper surface of the polishing head 20, and the rotating shaft 22 is rotationally driven by the drive mechanism 25 to rotate the polishing head 20.

研磨ヘッド２０は、円板状に形成されたヘッド本体２１と、ヘッド本体２１の定盤１２に対向する面に設けられたリテーナリング２３と、リテーナリング２３によって囲まれた内側領域に配置されたバッキング材２４とを備える。
リテーナリング２３はワークの外周をガイドして支持するためのものであり、バッキング材２４は緩衝体として取り付けられているものであり、緩衝性をもたせてワークを押圧する作用を有する。バッキング材２４には複数のエア孔２４ａが開口して設けられ、エア孔２４ａはヘッド本体２１に設けられた内部流路を介してエア機構６０に連通する。
エア機構６０は、内部流路を介してエア孔２４ａからエア吸引し、バッキング材２４にワークをエア吸着する操作と、内部流路を介してエア孔２４ａからワークにエア圧を作用させてワークをバッキング材２４から離反させる作用をなす。 The polishing head 20 is disposed in an inner region surrounded by a head body 21 formed in a disk shape, a retainer ring 23 provided on a surface of the head body 21 facing the surface plate 12, and the retainer ring 23. Backing material 24.
The retainer ring 23 is for guiding and supporting the outer periphery of the workpiece, and the backing material 24 is attached as a buffer, and has a function of pressing the workpiece with buffering properties. A plurality of air holes 24 a are opened in the backing material 24, and the air holes 24 a communicate with the air mechanism 60 through an internal flow path provided in the head body 21.
The air mechanism 60 sucks air from the air hole 24a through the internal flow path, and air-sucks the work to the backing material 24, and applies air pressure to the work from the air hole 24a through the internal flow path. Is separated from the backing material 24.

リテーナリング２３には、定盤１２に対向する下面において開口する電極装着穴２３ａが設けられ、電極装着穴２３ａに、ワークを押圧する向きに平行方向に突出入可能に第１の電極２６が装着されている。第１の電極２６の基部にはスプリング２６ａが装着され、スプリング２６ａは第１の電極２６を、その端面がリテーナリング２３の下面から突出する向きに付勢している。
リテーナリング２３には、周方向に所定間隔に複数の第１の電極２６が配置されている。第１の電極２６は、回転軸２２に装着されたロータリージョイント２２ａを経由した配線により、導電率計３０に電気的に接続される。 The retainer ring 23 is provided with an electrode mounting hole 23a that opens on the lower surface facing the surface plate 12, and the first electrode 26 is mounted in the electrode mounting hole 23a so as to protrude in a parallel direction in the direction in which the workpiece is pressed. Has been. A spring 26 a is attached to the base of the first electrode 26, and the spring 26 a urges the first electrode 26 in a direction in which an end surface protrudes from the lower surface of the retainer ring 23.
A plurality of first electrodes 26 are arranged on the retainer ring 23 at predetermined intervals in the circumferential direction. The first electrode 26 is electrically connected to the conductivity meter 30 by wiring via a rotary joint 22 a attached to the rotary shaft 22.

ワークの裏面側に配置されるバッキング材２４には、端面をワークの裏面に当接させる第２の電極２７が配置されている。第２の電極２７の基部にスプリング２７ａが装着され、第２の電極２７は、スプリング２７ａにより、その端面がバッキング材２４の下面（ワークが当接する面）から突出する向きに付勢されている。
第２の電極２７は、バッキング材２４の平面内に均等配置となるように複数個配置されている。これらの第２の電極２７は、ロータリージョイント２２ａを経由する配線により、導電率計３０に電気的に接続される。 On the backing material 24 disposed on the back side of the workpiece, a second electrode 27 is disposed so that the end surface comes into contact with the back surface of the workpiece. A spring 27a is attached to the base of the second electrode 27, and the second electrode 27 is urged by the spring 27a so that its end surface protrudes from the lower surface of the backing material 24 (the surface on which the workpiece abuts). .
A plurality of second electrodes 27 are arranged so as to be evenly arranged in the plane of the backing material 24. These second electrodes 27 are electrically connected to the conductivity meter 30 by wiring via the rotary joint 22a.

導電率計３０には、研磨装置の駆動を制御する制御部３２が接続されている。制御部３２は、ワークを研磨している状態において、第１の電極２６と第２の電極２７との間の導電率を監視し、導電率の計測値に基づいて研磨ヘッド２０によるワークの研磨（研磨時間）を制御する。   The conductivity meter 30 is connected to a control unit 32 that controls driving of the polishing apparatus. The controller 32 monitors the electrical conductivity between the first electrode 26 and the second electrode 27 while the workpiece is being polished, and the workpiece is polished by the polishing head 20 based on the measured value of the conductivity. (Polishing time) is controlled.

（ワークの構造）
本実施形態において研磨対象としているワークは、基板４０上に所定のパターンに金属層４２を形成し、金属層４２が形成された基板４０の表面を絶縁層４４によって被覆したものである。すなわち、絶縁層４４によって表面が被覆された基板４０の表面を研磨して平坦面とし、金属層４２を研磨面上に露出させ、金属層４２を所定の膜厚にまで研磨することを目的とする。
研磨対象とするワークはとくに限定されるものではないが、たとえば、磁気ヘッドの製造工程において、Al2O3-TiCからなるウエハ基板上に、各素子の配列にしたがって、磁気ヘッドの構造部分である磁性層、導電層等の金属層を形成したワークを研磨するといった場合に適用できる。 (Work structure)
The workpiece to be polished in the present embodiment is obtained by forming a metal layer 42 in a predetermined pattern on the substrate 40 and covering the surface of the substrate 40 on which the metal layer 42 is formed with an insulating layer 44. That is, the object is to polish the surface of the substrate 40 whose surface is covered with the insulating layer 44 to a flat surface, expose the metal layer 42 on the polished surface, and polish the metal layer 42 to a predetermined film thickness. To do.
The workpiece to be polished is not particularly limited. For example, in the magnetic head manufacturing process, on the wafer substrate made of Al 2 O 3 —TiC, according to the arrangement of each element, the structure of the magnetic head This method can be applied to polishing a work on which a metal layer such as a magnetic layer or a conductive layer is formed.

本実施形態の研磨加工装置を用いて研磨加工を制御する方法は、研磨加工を施した際に研磨面に金属層４２の表面が露出したことを第１の電極２６と第２の電極２７との間における電気的な導通を利用して検知して制御するものである。したがって、基板４０上には電気的な導通を検知することができる膜厚モニター用の導通部を基板４０に電気的に導通させた状態で形成する必要がある。基板上における研磨状態を検知しやすくするため膜厚モニター用の導通部は、基板上に均等配置に複数個設ける。
また、基板４０も導電性を有することが必要である。膜厚モニター用の導通部を介して検知する電気的導通は、基板４０と膜厚モニター用の導通部を介してなされるからである。なお、磁気ヘッドの製造に用いられるAl2O3-TiC基板は導電性を有している。 The method of controlling the polishing process using the polishing apparatus of the present embodiment is based on the fact that the surface of the metal layer 42 is exposed on the polishing surface when the polishing process is performed. It detects and controls using the electric conduction between. Therefore, it is necessary to form a conductive portion for film thickness monitoring capable of detecting electrical continuity on the substrate 40 in a state of being electrically conducted to the substrate 40. In order to easily detect the polishing state on the substrate, a plurality of conductive portions for film thickness monitoring are provided on the substrate in a uniform arrangement.
The substrate 40 also needs to have conductivity. This is because the electrical continuity detected through the conductive portion for film thickness monitoring is performed through the substrate 40 and the conductive portion for film thickness monitoring. The Al 2 O 3 —TiC substrate used for manufacturing the magnetic head has conductivity.

膜厚モニター用の導通部は、基板に形成する製品部分とは別に形成してもよいし、基板に形成する製品部分において、基板に電気的に導通して形成される導通パターンをモニターとして利用することもできる。
磁気ヘッドの製造工程においては、基板４０に金属層を形成する場合に、層間に絶縁層を介在させて金属層を積層する工程がしばしばある。この場合に、層間に絶縁層が介在して基板４０とが電気的に導通しない状態となる金属層（図１の金属層４２ｂ）は、膜厚モニター用の導通パターンとして利用することはできない。これに対して、基板４０に常に電気的に導通させて形成する金属層、たとえば、図１の金属層４２のような形態の導通パターンについては、ワークの研磨量を検知する金属層として利用することができる。 The conductive part for film thickness monitoring may be formed separately from the product part formed on the substrate, or a conductive pattern formed by electrical conduction to the substrate in the product part formed on the substrate is used as a monitor. You can also
In the manufacturing process of a magnetic head, when forming a metal layer on the substrate 40, there is often a process of laminating the metal layer with an insulating layer interposed between the layers. In this case, the metal layer (metal layer 42b in FIG. 1) that is not electrically connected to the substrate 40 with an insulating layer interposed between the layers cannot be used as a conductive pattern for film thickness monitoring. On the other hand, a metal layer that is always electrically connected to the substrate 40, for example, a conductive pattern such as the metal layer 42 in FIG. 1, is used as a metal layer that detects the amount of polishing of the workpiece. be able to.

磁気ヘッドの製造工程においては、磁気ヘッドが静電気によって損傷しないように、素子と基板４０とを電気的に接続するためのシャント抵抗を形成する。このシャント抵抗は金属層を形成する成膜工程ごとに、基板４０と電気的に接続されるように導体部が厚さ方向に連結された状態になるように形成される。したがって、磁気ヘッドの製造工程であれば、このシャント抵抗をモニター用の導通パターンとして利用することができる。シャント抵抗は各素子ごとに形成されるから、ウエハ基板の平面領域の全域にわたって均等に研磨量の検知ができるという利点もある。   In the manufacturing process of the magnetic head, a shunt resistor for electrically connecting the element and the substrate 40 is formed so that the magnetic head is not damaged by static electricity. The shunt resistor is formed so that the conductor portions are connected in the thickness direction so as to be electrically connected to the substrate 40 at every film forming process for forming the metal layer. Therefore, in the manufacturing process of the magnetic head, this shunt resistor can be used as a conduction pattern for monitoring. Since the shunt resistor is formed for each element, there is an advantage that the polishing amount can be detected evenly over the entire plane area of the wafer substrate.

磁気ヘッドの製造工程、あるいは磁気ヘッド以外の製品の製造工程において、基板４０と電気的に導通される金属層が工程上には存在しないような場合には、膜厚モニター用の導通部（図１の金属層４３）を、別に形成すればよい。膜厚モニター用の導通部４３は、膜厚を制御しようとする金属層４２と同時に形成してもよいし、別工程によって形成してもよい。膜厚モニター用の導通部４３と金属層４２とが同一材料でなければならないこともない。
膜厚モニター用の導通部４３と膜厚を制御する金属層４２とは、あらかじめ高さ位置関係（膜厚）を把握しておいて研磨加工の制御を行う。なお、膜厚を制御する対象は、金属層に限るものではなく、膜厚モニター用の導通部４３を利用して膜厚を制御する方法は、たとえば金属層の上に成膜されている絶縁層の厚さを制御するといった場合にも適用される。 In the manufacturing process of the magnetic head or the manufacturing process of the product other than the magnetic head, when there is no metal layer electrically connected to the substrate 40 on the process, the conductive portion for film thickness monitoring (see FIG. One metal layer 43) may be formed separately. The conductive portion 43 for monitoring the film thickness may be formed simultaneously with the metal layer 42 whose film thickness is to be controlled, or may be formed by a separate process. The conductive portion 43 for monitoring the film thickness and the metal layer 42 need not be made of the same material.
The conductive portion 43 for film thickness monitoring and the metal layer 42 for controlling the film thickness grasp the height positional relationship (film thickness) in advance and control the polishing process. The target for controlling the film thickness is not limited to the metal layer, and a method for controlling the film thickness using the conductive portion 43 for monitoring the film thickness is, for example, an insulating film formed on the metal layer. This also applies to the case where the thickness of the layer is controlled.

図１に示すワークは、金属層４２、膜厚モニター用の導通部４３による電気的な導通状態をわかりやすく示すために、基板４０上に柱状に金属層４２と導通部４３を形成し、絶縁層４４によってこれらを被覆した状態を示す。絶縁層４４４は、隣接する金属層４２、導通部４３の間を充填するとともに、金属層４２及び導通部４３が形成された位置では、山形に膨出している。たとえば、磁気ヘッドの製造工程においては、金属層を形成した後に、絶縁材としてアルミナあるいはシリカをスパッタリングして金属層を被覆する工程がしばしばある。その場合は、ワークは図のような形態となる。   The work shown in FIG. 1 is formed by forming a metal layer 42 and a conductive portion 43 in a columnar shape on a substrate 40 in order to easily show the electrical conductive state by the metal layer 42 and the conductive portion 43 for film thickness monitoring. A state in which these layers are covered with a layer 44 is shown. The insulating layer 444 fills the space between the adjacent metal layer 42 and the conductive portion 43 and bulges in a mountain shape at the position where the metal layer 42 and the conductive portion 43 are formed. For example, in the manufacturing process of a magnetic head, after forming a metal layer, there is often a step of coating the metal layer by sputtering alumina or silica as an insulating material. In that case, the workpiece has the form shown in the figure.

（研磨加工方法）
図１は、研磨ヘッド２０に研磨対象である基板４０を支持し、基板４０を研磨パッド１０に押圧して基板４０を研磨開始した状態を示す。
エア機構６０を駆動して基板４０の裏面をバッキング材２４に吸着し、リテーナリング２３によって基板４０の外周をガイドして、基板４０を研磨ヘッド２０に支持する。
研磨パッド１０に研磨用のスラリー５０を供給して、定盤１２及び研磨ヘッド２０を回転駆動して基板４０を研磨する。 (Polishing method)
FIG. 1 shows a state in which the substrate 40 to be polished is supported by the polishing head 20 and the substrate 40 is pressed against the polishing pad 10 to start polishing the substrate 40.
The air mechanism 60 is driven to adsorb the back surface of the substrate 40 to the backing material 24, the outer periphery of the substrate 40 is guided by the retainer ring 23, and the substrate 40 is supported by the polishing head 20.
The polishing slurry 50 is supplied to the polishing pad 10, and the surface plate 12 and the polishing head 20 are rotationally driven to polish the substrate 40.

研磨が進むとともに、膜厚モニター用の導通部４３を被覆している絶縁層４４の膨出部分が徐々に研磨され、基板４０の表面の絶縁層４４が平坦化されていく。
図２は、基板４０の研磨が進み、基板４０の表面が平坦面に加工され、表面の研磨面に膜厚モニター用の導通部４３の端面が露出した状態を示す。
膜厚モニター用の導通部４３の端面が露出すると、第１の電極２６と第２の電極２７との間が、基板４０及び膜厚モニター用の導通部４３を介して電気的に導通する状態になる。本実施例では、第１の電極２６と膜厚モニター用の導通部４３との間の電気的導通は、スラリー５０の電気的導通性によってなされる。
なお、図２においては、金属層４２の端面も研磨面に露出している状態を示す。この場合は、金属層４２を介しても第１の電極２６と第２の電極２７が電気的に導通する状態になる。 As the polishing progresses, the bulge portion of the insulating layer 44 covering the conductive portion 43 for film thickness monitoring is gradually polished, and the insulating layer 44 on the surface of the substrate 40 is flattened.
FIG. 2 shows a state in which the polishing of the substrate 40 has progressed, the surface of the substrate 40 has been processed into a flat surface, and the end surface of the conductive portion 43 for film thickness monitoring is exposed on the polished surface.
When the end face of the conductive portion 43 for film thickness monitoring is exposed, the first electrode 26 and the second electrode 27 are electrically connected through the substrate 40 and the conductive portion 43 for film thickness monitoring. become. In the present embodiment, the electrical continuity between the first electrode 26 and the conductive portion 43 for film thickness monitoring is made by the electrical continuity of the slurry 50.
FIG. 2 shows a state in which the end surface of the metal layer 42 is also exposed on the polished surface. In this case, the first electrode 26 and the second electrode 27 are electrically connected even through the metal layer 42.

図２においては、膜厚モニター用の導通部４３によって第１の電極２６と第２の電極２７とが電気的に導通することを、破線によって示している。
研磨加工の際に、膜厚モニター用の導通部４３がはじめに導通し、次いで金属層４２が導通する場合には、このような導通状態となる。
第１の電極２６と第２の電極２７との電気的導通は、導電率計３０によって検知され、制御部３２によって導電率が監視される。 In FIG. 2, the broken line indicates that the first electrode 26 and the second electrode 27 are electrically connected by the conductive portion 43 for film thickness monitoring.
In the polishing process, when the conducting portion 43 for film thickness monitoring is first conducted and then the metal layer 42 is conducted, such a conducting state is obtained.
The electrical continuity between the first electrode 26 and the second electrode 27 is detected by the conductivity meter 30, and the conductivity is monitored by the control unit 32.

なお、膜厚モニター用の導通部４３と第１の電極２６との電気的な導通は、導電性を有するスラリー５０を用いる他に、導電性を有する研磨パッド１０を使用して検知する方法も可能である。研磨パッド１０が導電性を備えていれば、膜厚モニター用の導通部４３の端面が研磨面において露出すれば、研磨パッド１０を介して第１の電極２６と膜厚モニター用の導通部４３が電気的に導通する。研磨パッド１０に導電性を付与するには、パッド材にカーボン等の導電性材を含有させるようにすればよい。   Note that the electrical continuity between the conductive portion 43 for film thickness monitoring and the first electrode 26 may be detected using the conductive polishing pad 10 in addition to using the conductive slurry 50. Is possible. If the polishing pad 10 has conductivity, the end surface of the conductive portion 43 for monitoring the film thickness is exposed on the polishing surface, and the conductive portion 43 for monitoring the thickness of the first electrode 26 via the polishing pad 10. Is electrically conductive. In order to impart conductivity to the polishing pad 10, the pad material may be made to contain a conductive material such as carbon.

図５は、基板４０の表面研磨を進めていった際に、導電率計３０によって検知される導電率が変化する様子を示す。
同図のＡ点が研磨を開始した時点であり、膜厚モニター用の導通部４３は絶縁層４４によって被覆されているから、第１の電極２６と第２の電極２６とは電気的に絶縁され、導電率は低い状態にある。
Ｂ点は、導電率が上昇開始する時点、すなわち、膜厚モニター用の導通部４３の端面が露出開始した時点を示す。基板４０上に形成されている膜厚モニター用の導通部４３は研磨の進み方によって基板上の位置により露出するタイミングが若干ずれるから、徐々に導電率が上昇し、導電率が変化しなくなった時点（図のＣ点）が膜厚モニター用の導通部４３の端面が完全に露出した状態、すなわち終点位置に相当する。 FIG. 5 shows how the conductivity detected by the conductivity meter 30 changes when the surface polishing of the substrate 40 is advanced.
The point A in the figure is the time when polishing is started, and the conductive portion 43 for film thickness monitoring is covered with the insulating layer 44, so that the first electrode 26 and the second electrode 26 are electrically insulated. The conductivity is low.
Point B indicates the time when the conductivity starts to increase, that is, the time when the end face of the conductive portion 43 for film thickness monitoring starts to be exposed. The conductive portion 43 for film thickness monitoring formed on the substrate 40 is slightly exposed depending on the position on the substrate due to the progress of polishing, so that the conductivity gradually increases and the conductivity does not change. The time point (point C in the figure) corresponds to a state in which the end face of the conductive portion 43 for film thickness monitoring is completely exposed, that is, the end point position.

研磨加工においては、膜厚モニター用の導通部４３が露出した終点位置を検知したところで研磨加工を終了するという制御を行う場合もあるが、一般的には、膜厚モニター用の導通部４３が露出した状態を検出してから、一定時間研磨加工を行って研磨を終了する。図のＤ点が、研磨完了時を示す。   In the polishing process, there is a case where control is performed to end the polishing process when the end point position where the conductive part 43 for film thickness monitoring is exposed is detected, but in general, the conductive part 43 for film thickness monitoring is provided. After detecting the exposed state, polishing is performed for a certain period of time, and the polishing is finished. The point D in the figure indicates the completion of polishing.

終点位置を検知してから一定時間研磨を行って研磨を終了する場合は、終点位置から、どの程度研磨を進めることによって、所望の膜厚に金属層４２が仕上がるかをあらかじめ測定しておき、その測定結果に基づいて制御する。膜厚を制御しようとしている金属層４２と、膜厚モニター用の導通部４３とでは、研磨する面積が異なっている場合や、材質が異なっている場合があり得る。したがって、制御部３２によって研磨時間を制御する場合には、個々の金属層の特性を考慮して、研磨時間を制御するようにする。   When polishing is completed for a certain period of time after detecting the end point position, it is measured in advance how much the metal layer 42 is finished to a desired film thickness by proceeding polishing from the end point position, Control based on the measurement result. The metal layer 42 whose film thickness is to be controlled and the conductive portion 43 for film thickness monitoring may have different polishing areas or different materials. Therefore, when the polishing time is controlled by the control unit 32, the polishing time is controlled in consideration of the characteristics of the individual metal layers.

このように、金属層４２を狙いとする膜厚に仕上げるためには、事前に膜厚を測定する等によって、膜厚モニター用の導通部４３との研磨の進行度合いの相違を把握しておくといった準備が必要である。しかしがら、このような準備をしておけば、本実施形態のように、第１の電極２６と第２の電極２７との間の導電率を監視しながら研磨を進める方法によって、ばらつきなく正確に狙いとする膜厚に金属層を加工することができ、研磨作業の効率を大幅に向上させることができる。   Thus, in order to finish the metal layer 42 to a target film thickness, the difference in the degree of progress of polishing with the conductive portion 43 for film thickness monitoring is grasped by measuring the film thickness in advance. It is necessary to prepare. However, if such a preparation is made, the method of advancing polishing while monitoring the conductivity between the first electrode 26 and the second electrode 27 as in the present embodiment is accurate without variation. Thus, the metal layer can be processed to a target film thickness, and the efficiency of the polishing operation can be greatly improved.

（第２の実施の形態）
図３、４は、本発明に係る研磨加工装置の第２の実施の形態の構造と、研磨加工装置を用いてワークを加工研磨している状態の断面図である。
本実施形態においては、第１の実施の形態におけるバッキング材２４にかえてメンブレンタイプの緩衝体２９を備え、緩衝体２９を平面状に形成した第２の電極２８によって支持した構造としている。緩衝体２９を介して基板４０と第２の電極２８とを電気的に導通させるため、緩衝体２９に導電材を含有させるか、緩衝体２９の表面に導電体をコーティングして緩衝体２９に導電性を付与する。 (Second Embodiment)
3 and 4 are cross-sectional views of the structure of the second embodiment of the polishing apparatus according to the present invention and a state in which the workpiece is processed and polished using the polishing apparatus.
In this embodiment, instead of the backing material 24 in the first embodiment, a membrane type buffer body 29 is provided, and the buffer body 29 is supported by a second electrode 28 formed in a planar shape. In order to electrically connect the substrate 40 and the second electrode 28 through the buffer body 29, the buffer body 29 contains a conductive material, or the buffer body 29 is coated with a conductor to form the buffer body 29. Gives conductivity.

図３、４において、第２の電極２８及び緩衝体２９以外の構成部分は第１の実施の形態における研磨加工装置と同様である。
本実施形態においても、研磨ヘッド２０により基板４０を支持して研磨加工を進めて、膜厚モニター用の導通部４３の端面が絶縁層４４から露出した時点を第１の電極２６と第２の電極２７との間が電気的に導通することから検知される。本実施形態では、第１の電極２６と第２の電極２７との導通は、スラリー５０、膜厚モニター用の導通部４３、基板４０、緩衝体２９を介してなされる。 3 and 4, the components other than the second electrode 28 and the buffer 29 are the same as those of the polishing apparatus in the first embodiment.
Also in the present embodiment, the polishing process is performed while the substrate 40 is supported by the polishing head 20, and the time point when the end face of the conductive portion 43 for film thickness monitoring is exposed from the insulating layer 44 is the first electrode 26 and the second electrode. It is detected from electrical conduction between the electrode 27 and the electrode 27. In the present embodiment, the conduction between the first electrode 26 and the second electrode 27 is performed via the slurry 50, the conduction portion 43 for film thickness monitoring, the substrate 40, and the buffer body 29.

第１の実施の形態において説明したように、本実施の形態においても、制御部３２により導電率計３０によって検知される導電率を監視しながら研磨加工を進め、図５に示すように、膜厚モニター用の導通部４３端面が露出完了した時点（終点位置）から一定時間、研磨を行う方法によって、金属層４２を所望の膜厚に仕上げることができる。   As described in the first embodiment, also in this embodiment, the polishing process proceeds while monitoring the conductivity detected by the conductivity meter 30 by the control unit 32, and as shown in FIG. The metal layer 42 can be finished to a desired film thickness by a method of polishing for a predetermined time from the time when the end face of the conductive portion 43 for thickness monitoring is completely exposed (end point position).

本発明に係る研磨加工装置においては、研磨ヘッド２０に第１の電極２６と第２の電極２７、２８を設置して、研磨加工の終点位置を検知するから、研磨ヘッド２０を改変することは容易であり、既存の研磨加工装置を利用することが可能である。
また、上述した実施形態においては、第１の電極２６についてはスプリング２６ａにより第１の電極２６を研磨パッド１０に弾性的に付勢するように配置したことによって、第１の電極２６を確実に研磨パッド１０に接触させることができ、導電率の変化を確実に検出することができる。また、第２の電極２７についてもスプリング２７ａによって基板４０の裏面に確実に接触し、第２の電極２８も緩衝体２９を介することによって基板４０と第２の電極２７とが確実に電気的に導通される。 In the polishing apparatus according to the present invention, the first electrode 26 and the second electrodes 27 and 28 are installed in the polishing head 20 and the end position of the polishing process is detected. It is easy and an existing polishing apparatus can be used.
Further, in the above-described embodiment, the first electrode 26 is securely disposed by urging the first electrode 26 to the polishing pad 10 elastically by the spring 26a. The polishing pad 10 can be brought into contact, and a change in conductivity can be reliably detected. Further, the second electrode 27 is also reliably brought into contact with the back surface of the substrate 40 by the spring 27a, and the second electrode 28 is also electrically interposed between the substrate 40 and the second electrode 27 through the buffer 29. Conducted.

なお、第１の実施の形態及び第２の実施の形態は標準的な研磨加工装置の例を示したものであり、上記例とは異なる形態の研磨加工装置においても、研磨ヘッドに第１の電極及び第２の電極を取り付ける構造として、上述した方法によって研磨加工を制御することができる。
なお、上記実施形態においては、磁気ヘッドの製造工程における研磨加工に利用する例について説明したが、本発明方法は、磁気ヘッドの製造以外の一般的な研磨加工においても同様に適用することができる。また、膜厚を制御する対象は金属層に限られるものではなく、絶縁層についてその膜厚を制御するといった場合にももちろん適用することができる。 The first embodiment and the second embodiment show an example of a standard polishing apparatus, and even in a polishing apparatus having a form different from the above-described example, the first embodiment is applied to the polishing head. As a structure for attaching the electrode and the second electrode, polishing can be controlled by the above-described method.
In the above embodiment, the example used for the polishing process in the manufacturing process of the magnetic head has been described. However, the method of the present invention can be similarly applied to general polishing processes other than the manufacturing of the magnetic head. . In addition, the object of controlling the film thickness is not limited to the metal layer, and can be applied to the case where the film thickness of the insulating layer is controlled.

（付記１） ヘッド本体及びリテーナリングを備える研磨ヘッドと、研磨パッドが設けられた定盤とを備え、前記リテーナリングには、前記研磨パッドに接する第１の電極が設けられ、前記ヘッド本体には、基板の裏面と電気的に導通する第２の電極が設けられ、前記研磨ヘッドにより前記基板を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間における、前記基板上に該基板に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部と前記基板を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記基板上に形成された成膜層の膜厚を制御する制御部が設けられていることを特徴とする研磨加工装置。
（付記２） 前記第１の電極は、前記リテーナリングに設けられた電極装着穴に、前記研磨パッドに向けて突出する向きに付勢して取り付けられていることを特徴とする付記１記載の研磨加工装置。
（付記３） 前記第２の電極は、前記基板の裏面に端面が当接する向きに付勢して取り付けられていることを特徴とする付記１または２記載の研磨加工装置。
（付記４） 前記ヘッド本体には、前記基板の裏面が当接する位置に緩衝体が取り付けられ、該緩衝体は導電性が付与されて前記第２の電極と前記基板の裏面とが電気的に導通していること特徴とする付記１〜３のいずれか一項記載の研磨加工装置。
（付記５） 前記研磨パッドは導電性を備えることを特徴とする付記１〜４のいずれか一項記載の研磨加工装置。
（付記６） ヘッド本体及びリテーナリングを備える研磨ヘッドと、研磨パッドが設けられた定盤とを備えた研磨加工装置を使用し、研磨加工の終点位置を検知して基板上に形成された成膜層を加工する研磨加工方法であって、前記研磨ヘッドのリテーナリングには、前記研磨パッドに接する第１の電極を設けるとともに、前記ヘッド本体には、前記基板の裏面と電気的に導通する第２の電極を設け、前記研磨パッドに導電性を備えるスラリーを供給し、または導電性を備える研磨パッドを使用し、前記研磨ヘッドにより前記基板を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間における、前記基板上に該基板に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部と前記基板を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記成膜層の膜厚を制御することを特徴とする研磨加工方法。
（付記７） 前記膜厚モニター用の導通部として、基板に電気的に導通して形成された製品に用いられる導通パターンを利用することを特徴とする付記６記載の研磨加工方法。
（付記８） 前記基板は、基板に形成された金属層及び前記膜厚モニター用の導通部が絶縁層によって被覆されて形成され、前記第１の電極と前記第２の電極との間における導電率の変化から、前記膜厚モニター用の導通部が研磨面に露出した時点を検知して前記金属層の膜厚を制御することを特徴とする付記６または７記載の研磨加工方法。
（付記９） 前記膜厚モニター用の導通部が研磨面に露出した時点から一定時間経過した時点を研磨加工の終点位置と設定して前記金属層の膜厚を制御することを特徴とする付記８記載の研磨加工方法。 (Supplementary Note 1) A polishing head including a head main body and a retainer ring, and a surface plate provided with a polishing pad are provided. The retainer ring is provided with a first electrode in contact with the polishing pad. Is provided with a second electrode that is electrically connected to the back surface of the substrate, and the polishing head supports the substrate and polishes the substrate between the first electrode and the second electrode. The conductivity through the substrate and the conductive portion for film thickness monitoring formed on the substrate in electrical conduction with the substrate are monitored, and the end point of the polishing process is detected based on the transition of the conductivity. A polishing apparatus characterized by comprising a controller for controlling the film thickness of the film formation layer formed on the substrate.
(Additional remark 2) The said 1st electrode is urged | attached and attached to the electrode mounting hole provided in the said retainer ring in the direction which protrudes toward the said polishing pad, The additional remark 1 characterized by the above-mentioned. Polishing equipment.
(Additional remark 3) The said 2nd electrode is urged | attached and attached to the direction which an end surface contact | abuts to the back surface of the said board | substrate, The polishing processing apparatus of Additional remark 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
(Supplementary Note 4) A buffer is attached to the head main body at a position where the back surface of the substrate contacts, and the buffer body is provided with conductivity so that the second electrode and the back surface of the substrate are electrically connected. The polishing apparatus according to any one of appendices 1 to 3, wherein the polishing apparatus is conductive.
(Additional remark 5) The said polishing pad is provided with electroconductivity, The polishing apparatus as described in any one of Additional remark 1-4 characterized by the above-mentioned.
(Supplementary note 6) A polishing apparatus provided with a polishing head having a head body and a retainer ring and a surface plate provided with a polishing pad is used to detect the end point position of the polishing process and to form the polishing head on the substrate. A polishing method for processing a film layer, wherein the retainer ring of the polishing head is provided with a first electrode in contact with the polishing pad, and the head body is electrically connected to the back surface of the substrate. When the second electrode is provided, a slurry having conductivity is supplied to the polishing pad, or a polishing pad having conductivity is used, and the substrate is supported by the polishing head and polished, the first electrode is used. The conductivity through the substrate and the conduction part for film thickness monitoring formed between the electrode and the second electrode in electrical conduction with the substrate on the substrate is monitored, and the conductivity In the transition A polishing method characterized by detecting the end point position of polishing processing based on the control and controlling the film thickness of the film-forming layer.
(Supplementary note 7) The polishing method according to supplementary note 6, wherein a conduction pattern used for a product formed by electrical conduction to a substrate is used as the conduction part for film thickness monitoring.
(Supplementary Note 8) The substrate is formed by covering the metal layer formed on the substrate and the conductive portion for film thickness monitoring with an insulating layer, and conducting between the first electrode and the second electrode. 8. The polishing method according to appendix 6 or 7, wherein the film thickness of the metal layer is controlled by detecting when the conductive portion for film thickness monitoring is exposed to the polishing surface from the change in rate.
(Supplementary Note 9) The film thickness of the metal layer is controlled by setting a time point when a predetermined time has elapsed from the time when the conductive portion for film thickness monitoring is exposed to the polishing surface as a polishing end point position. 8. The polishing method according to 8.

研磨加工装置の第１の実施の形態の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of 1st Embodiment of a grinding | polishing processing apparatus. 第１の実施の形態の研磨加工装置により金属層の端面を露出させた状態にまで研磨した状態の断面図である。It is sectional drawing of the state grind | polished to the state which exposed the end surface of the metal layer with the grinding | polishing processing apparatus of 1st Embodiment. 研磨加工装置の第２の実施の形態の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of 2nd Embodiment of a grinding | polishing processing apparatus. 第２の実施の形態の研磨加工装置により金属層の端面を露出させた状態にまで研磨した状態の断面図である。It is sectional drawing of the state grind | polished to the state which exposed the end surface of the metal layer with the grinding | polishing processing apparatus of 2nd Embodiment. 研磨加工によって導電率が変化する状態を示すグラフである。It is a graph which shows the state from which electrical conductivity changes with grinding | polishing.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 研磨パッド
１２ 定盤
２０ 研磨ヘッド
２１ ヘッド本体
２２ 回転軸
２２ａ ロータリージョイント
２３ リテーナリング
２４ バッキング材
２５ 駆動機構
２６ 第１の電極
２６ａ スプリング
２７ 第２の電極
２７ａ スプリング
２９ 緩衝体
３０ 導電率計
３２ 制御部
４０ 基板
４２ 金属層
４３ 膜厚モニター用の導通部
４４ 絶縁層
５０ スラリー
６０ エア機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Polishing pad 12 Surface plate 20 Polishing head 21 Head main body 22 Rotating shaft 22a Rotary joint 23 Retainer ring 24 Backing material 25 Drive mechanism 26 First electrode 26a Spring 27 Second electrode 27a Spring 29 Buffer 30 Conductivity meter 32 Control Part 40 Substrate 42 Metal layer 43 Conductive part for film thickness monitoring 44 Insulating layer 50 Slurry 60 Air mechanism

Claims (6)

ヘッド本体及びリテーナリングを備える研磨ヘッドと、研磨パッドが設けられた定盤とを備え、
前記リテーナリングには、前記研磨パッドに接する第１の電極が設けられ、
前記ヘッド本体には、基板の裏面と電気的に導通する第２の電極が設けられ、
前記研磨ヘッドにより前記基板を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間における、前記基板上に該基板に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部と前記基板を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記基板上に形成された成膜層の膜厚を制御する制御部が設けられていることを特徴とする研磨加工装置。 A polishing head having a head body and a retainer ring, and a surface plate provided with a polishing pad,
The retainer ring is provided with a first electrode in contact with the polishing pad,
The head body is provided with a second electrode that is electrically connected to the back surface of the substrate,
The film thickness formed between the first electrode and the second electrode in electrical conduction with the substrate between the first electrode and the second electrode when the substrate is supported by the polishing head for polishing. Control for monitoring the conductivity through the conductive part for monitoring and the substrate, detecting the end point of the polishing process based on the transition of the conductivity, and controlling the film thickness of the film formation layer formed on the substrate A polishing apparatus characterized in that a portion is provided. 前記第１の電極は、前記リテーナリングに設けられた電極装着穴に、前記研磨パッドに向けて突出する向きに付勢して取り付けられていることを特徴とする請求項１記載の研磨加工装置。   2. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the first electrode is attached to an electrode mounting hole provided in the retainer ring while being biased in a direction protruding toward the polishing pad. . 前記第２の電極は、前記基板の裏面に端面が当接する向きに付勢して取り付けられていることを特徴とする請求項１または２記載の研磨加工装置。   3. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the second electrode is attached while being biased in a direction in which an end surface abuts on a back surface of the substrate. ヘッド本体及びリテーナリングを備える研磨ヘッドと、研磨パッドが設けられた定盤とを備えた研磨加工装置を使用し、研磨加工の終点位置を検知して基板上に形成された成膜層を加工する研磨加工方法であって、
前記研磨ヘッドのリテーナリングには、前記研磨パッドに接する第１の電極を設けるとともに、前記ヘッド本体には、前記基板の裏面と電気的に導通する第２の電極を設け、
前記研磨パッドに導電性を備えるスラリーを供給し、または導電性を備える研磨パッドを使用し、
前記研磨ヘッドにより前記基板を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間における、前記基板上に該基板に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部と前記基板を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記成膜層の膜厚を制御することを特徴とする研磨加工方法。 Using a polishing machine equipped with a polishing head equipped with a head body and retainer ring, and a surface plate provided with a polishing pad, the deposition layer formed on the substrate is processed by detecting the end point of the polishing process. A polishing method for
The retainer ring of the polishing head is provided with a first electrode that contacts the polishing pad, and the head body is provided with a second electrode that is electrically connected to the back surface of the substrate,
Supplying a slurry with conductivity to the polishing pad, or using a polishing pad with conductivity;
The film thickness formed between the first electrode and the second electrode in electrical conduction with the substrate between the first electrode and the second electrode when the substrate is supported by the polishing head for polishing. A polishing process characterized in that the conductivity through the conductive part for monitoring and the substrate is monitored, the end point position of the polishing process is detected based on the transition of the conductivity, and the film thickness of the film forming layer is controlled. Method. 前記膜厚モニター用の導通部として、基板に電気的に導通して形成された製品に用いられる導通パターンを利用することを特徴とする請求項４記載の研磨加工方法。   The polishing method according to claim 4, wherein a conductive pattern used for a product formed by electrical conduction to a substrate is used as the conductive part for film thickness monitoring. 前記基板は、基板に形成された金属層及び前記膜厚モニター用の導通部が絶縁層によって被覆されて形成され、
前記第１の電極と前記第２の電極との間における導電率の変化から、前記膜厚モニター用の導通部が研磨面に露出した時点を検知して前記金属層の膜厚を制御することを特徴とする請求項４または５記載の研磨加工方法。 The substrate is formed by covering the metal layer formed on the substrate and the conductive portion for film thickness monitoring with an insulating layer,
Controlling the film thickness of the metal layer by detecting when the conductive part for film thickness monitoring is exposed to the polished surface from the change in conductivity between the first electrode and the second electrode. The polishing method according to claim 4 or 5, wherein:
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