JP2010114002A - 近接センサ - Google Patents

Abstract

【課題】バイアス磁石に対する磁気抵抗効果センサの設置位置がずれたとしても被検出体の検出誤差が抑制される磁気式の近接センサを提供する。
【解決手段】近接センサは、被検出体に設けられる磁性体と、左右に伸びる腕部分４０ａとその中央部分から被検出体側へ腕部分４０ａに対し直交して延出する足部分４０ｂとからＴ字形状をなすバイアス磁石４０と、磁気抵抗素子が設けられ、バイアス磁石４０と磁性体とにより印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルの向きに応じて同磁気抵抗素子の抵抗値が変化することで出力電圧が変化するとともに、磁性体がバイアス磁石４０に近接しない状態においてバイアス磁石４０により印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルが同一方向を向く範囲に配置位置が設定される第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２とを備える。近接センサは、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２からの出力に基づいて被検出体の変位を検出する。
【選択図】図７

Description

この発明は、検出対象の変位を検出する近接センサに関する。

車両には、自車両の進行方向を他車両の運転者や歩行者等に知らせるための方向指示装置が備えられている。方向指示装置は、運転者によって操作レバーを中立位置から左折操作位置又は右折操作位置に回動操作されることによりそれぞれの方向指示器が動作するように構成されている（例えば、特許文献１参照。）。

この操作レバーは、中立位置から左折操作位又は右折操作位置に変位させると、その左折操作位置又は右折操作位置で保持されるようになっている。そして、操作レバーが左折操作位置に変位されて、その左折操作位置で保持されている間、左側の方向指示器が動作する。また、操作レバーが右折操作位置に変位されて、その右折操作位置で保持されている間、右側の方向指示器が動作する。

方向指示装置には、ステアリングホイールの操作に合わせて左折操作位置又は右折操作位置に保持された操作レバーを中立位置へ自動的に戻すための機械式の復帰機構が設けられている。操作レバーを左折操作位置又は右折操作位置に変位させた後、ステアリングホイールを左側（反時計回り方向）又は右側（時計回り方向）に所定の舵角以上に回転させてから車両が直進時の舵角範囲（直進舵角範囲）に戻した際に、復帰機構によりステアリングホイールの直進舵角範囲への戻りに合わせて、左折操作位置又は右折操作位置に保持された操作レバーが中立位置に自動的に戻される。操作レバーが中立位置に戻ると、方向指示器の動作が停止される。

近年、操作レバーが中立位置から左折操作位置又は右折操作位置に変位されても、その左折操作位置又は右折操作位置に保持されず、操作力が解除されると即座に中立位置に戻るモーメンタリ型の方向指示装置が開発されている（例えば、特許文献２参照。）。この方向指示装置は、操作レバーが中立位置から左折操作位置又は右折操作位置に変位されると、それを検出し、それぞれの方向指示器を動作させ、一定時間が経過すると、方向指示器の動作を停止する。すなわち、方向指示器の動作は操作レバーの操作によって開始されるが、方向指示器の動作の停止は操作レバーの位置、及びステアリングホイールの舵角のいずれにも対応しない。
特開２００５‐１７０１２８号公報 特開２００７‐２２３３８２号公報

ところで、上記特許文献２に記載の方向指示装置では、操作レバーが中立位置から左折操作位置又は右折操作位置に操作されてから一定時間が経過すると方向指示器の動作を停止するようになっているため、方向指示器を一定時間以上動作させたい際には再度操作レバーを操作しなければならなかった。

そこで、本発明者は、特許文献１に記載の方向指示装置のようにステアリングホイールの舵角が所定の舵角以上に回転された後に直進舵角範囲内の角度に戻ったことに基づいて方向指示器の動作を停止することができるモーメンタリ型の方向指示装置の開発を試みることとした。具体的には、ステアリングホイール、正確にはステアリングシャフトが直進舵角範囲内の角度に戻ったか否かを検出することができる磁気式の近接センサの開発である。方向指示装置は、同磁気式の近接センサからの検出信号に基づいて方向指示器の動作を停止する。

磁気式の近接センサは、被検出体としてのステアリングシャフトの変位によって変化する磁気ベクトルを検出する磁気抵抗素子等からなる磁気抵抗効果センサを用いたものを想定している。このような磁気式の近接センサは、被検出体に設けられた磁性体とこの磁性体に対応するバイアス磁石とによって形成される磁気ベクトルの変化を磁気抵抗効果センサにより検出し、磁気抵抗効果センサからの出力電圧に基づき被検出体の変位を検出する。しかしながら、バイアス磁石に対する磁気抵抗効果センサの設置位置がずれると検出誤差が発生してしまうため、設置位置の許容誤差が低かった。そこで、設置位置がずれたとしても検出誤差を抑制することができる磁気式の近接センサが求められていた。ここで、ステアリングシャフトのような回転変位する被検出体に限らず、直線変位等の他の変位をする被検出体に用いる磁気式の近接センサにおいても同様の問題があった。

この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、バイアス磁石に対する磁気抵抗効果センサの設置位置がずれたとしても被検出体の検出誤差が抑制される磁気式の近接センサを提供することにある。

以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について説明する。
請求項１に記載の発明は、被検出体の変位を検出する磁気式の近接センサにおいて、前記被検出体に設けられる磁性体と、前記磁性体に対して相対的に変位し、左右に伸びる腕部分とその中央部分から前記被検出体側へ腕部分に対し直交して延出する足部分とからＴ字形状をなすバイアス磁石と、前記バイアス磁石に対して相対位置が固定され、磁気抵抗素子が設けられ、前記バイアス磁石と前記磁性体とにより印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルの向きに応じて同磁気抵抗素子の抵抗値が変化することで出力電圧が変化するとともに、前記磁性体が前記バイアス磁石に近接しない状態において同バイアス磁石により印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルが同一方向を向く範囲に配置位置が設定される磁気抵抗効果センサとを備え、前記バイアス磁石に対する前記磁性体の近接の有無に伴う前記磁気抵抗効果センサからの出力電圧の変化に基づいて前記被検出体の変位を検出することをその要旨としている。

同構成によれば、Ｔ字形状の磁石とすることで、磁性体が同バイアス磁石に近接しない状態において同バイアス磁石により印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルが同一方向を向く範囲を形成することができ、この磁気ベクトルが同一方向を向く範囲に磁気抵抗効果センサを配置する。磁気抵抗効果センサを組み付ける際に、磁気ベクトルが同一方向を向く範囲においてバイアス磁石に対する位置がずれたとしても、出力電圧の変化は同様なものとなる。このため、出力電圧の変化への影響を抑制することができる。すなわち、配置された磁気抵抗効果センサは、組み付ける際の位置ずれを含んでいても、被検出体の変位に伴って変位する磁性体とバイアス磁石とにより印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルの向きに応じて磁気抵抗素子の抵抗値が変化することで位置ずれがない際と同様の出力電圧を出力する。この磁気抵抗効果センサからの磁性体の近接の有無に伴う出力電圧の変化に基づいて被検出体の変位を検出することができる。よって、バイアス磁石に対する磁気抵抗効果センサの設置位置がずれたとしても検出誤差を抑制することができる。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の近接センサにおいて、前記磁気抵抗効果センサは２つを一組として設けられ、前記バイアス磁石のＴ字の足部分の延びる方向と腕部分の延びる方向とによって形成される平面上において、同足部分を挟んで線対称に配置されることをその要旨としている。

同構成によれば、磁気抵抗効果センサが磁石のＴ字の足部分を挟んで線対称、すなわち同足部分の両側に配置される２つのセンサを一組とする。このため、被検出体が回転体の場合には、磁気抵抗効果センサからの出力電圧の変化タイミングが異なり、この出力電圧の変化の順番から回転方向を把握することができる。また、何らかの原因により一方の磁気抵抗効果センサからの出力電圧が得られなくなっても、他方の磁気抵抗効果センサからの出力電圧に基づいて被検出体の変位を検出することができる二重系を形成することができる。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の近接センサにおいて、前記一組の磁気抵抗効果センサは、１つのパッケージに収納されることをその要旨としている。
同構成によれば、一組の磁気抵抗効果センサを１つのパッケージに収納しているため、２つの磁気抵抗効果センサ同士の位置が予め固定される。このため、同センサ間の位置ずれを防止することができ、また１つのパッケージのため組み付け作業が容易である。

請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の近接センサにおいて、前記一組の磁気抵抗効果センサは、それぞれハーフブリッジ回路を構成する２つの磁気抵抗素子からなり、全体としてフルブリッジ回路を構成し、それぞれの出力電圧の差分値に基づいて前記被検出体の変位を検出することをその要旨としている。

同構成によれば、１つのパッケージに収容された一組の磁気抵抗効果センサを組み付ける際に位置ずれしたとしても、バイアス磁石に対して一方が近づき他方が離れることになる。そして、それぞれのハーフブリッジ回路の出力電圧が本来の出力変化と異なったとしても、これらハーフブリッジ回路の出力電圧の差分値を採用することによってこれらの出力電圧の変化を相殺することができるため、設置位置がずれたとしても被検出体の変位を正確に検出することができる。

請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の近接センサにおいて、前記被検出体は回動軸であり、前記磁性体は、前記回動軸の外周に沿った扇形形状であり、同扇形の円弧の各端部が所定の検出角度に対応し、前記回動軸の回転に伴って一体に回転変位され、前記回動軸の回転変位を検出することをその要旨としている。

同構成によれば、例えば、ステアリングホイールの所定の舵角を検出するべく、回動軸としてのステアリングシャフトに扇形形状の磁性体を設置し、同扇形の磁性体の円弧の各端部を所定の舵角に一致させる、すなわち所定の舵角を両端とする舵角範囲と磁性体の扇形の中心角が一致する。そして、磁気抵抗効果センサがバイアス磁石と磁性体とにより印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルの向きに応じて磁気抵抗素子の抵抗値が磁性体の端部の位置において大きく変化することで出力電圧の変化として、回動軸の回転変位を検出することができる。

本発明によれば、バイアス磁石に対する磁気抵抗効果センサの設置位置がずれたとしても被検出体の検出誤差が抑制される磁気式の近接センサを提供することができる。

（第１の実施形態）
以下、本発明にかかる近接センサを方向指示装置に用いる近接センサに具体化した第１の実施形態について図１〜図１１を参照して説明する。

図１に示されるように、方向指示装置は、運転者によって中立位置から左折操作位置又は右折操作位置に回動操作されることにより方向指示の入力操作が行われる操作レバー１と、同操作レバー１の左折操作位置又は右折操作位置へ回動操作されたことを検出し、制御装置３へ左折操作信号又は右折操作信号を出力する位置検出スイッチ２と、方向指示器として点灯する左ターンランプ４及び右ターンランプ５と、図示しないステアリングホイールに一体回動可能に接続される被検出体としてのステアリングシャフト６に設けられ、ステアリングシャフト６の回転角度が所定の舵角範囲内であるか否かを検出し、所定の舵角範囲内である際には舵角信号を制御装置３へ出力する近接センサ７とを備えている。

制御装置３は、運転者によって操作レバー１が中立位置から左折操作位置又は右折操作位置に回動操作されることにより、左ターンランプ４又は右ターンランプ５を点灯制御する。詳しくは、操作レバー１は、中立位置から左折操作位置又は右折操作位置に変位されても、その左折操作位置又は右折操作位置に保持されず、操作力が解除されると即座に中立位置に戻る。このとき、操作レバー１に設けられる位置検出スイッチ２は、中立位置から左折操作位置又は右折操作位置への回動操作を検出して制御装置３に左折操作信号又は右折操作信号を出力する。制御装置３は、左折操作信号又は右折操作信号が入力されると、左ターンランプ４又は右ターンランプ５を一定周期で点灯させる。また、制御装置３は、左ターンランプ４又は右ターンランプ５の点灯停止をステアリングシャフト６に設けられる近接センサ７の検出結果に基づいて行う。すなわち、制御装置３は、ステアリングシャフト６（ステアリングホイール）が所定の舵角範囲を超えて回転された後に所定の舵角範囲内に戻った旨の舵角信号が近接センサ７から入力された際には、点灯している左ターンランプ４又は右ターンランプ５の点灯を停止させる。

次に、ステアリングシャフト６に設けられる近接センサ７について図２〜図１１を参照して詳述する。
図２に示されるように、近接センサ７は、ステアリングシャフト６に外嵌された状態で固定される。この近接センサ７は、ステアリングシャフト６の外周に沿った扇形形状の磁性体３０が固定され、ステアリングシャフト６に固定される円環状の固定環３２と、Ｔ字形状のバイアス磁石４０及び２つの磁気抵抗効果センサ（ＭＲセンサ）４１，４２等が収容された検出部としての検出ユニット２０と、図示しないステアリングコラムに固設され、磁性体３０の回動範囲及び検出ユニット２０を覆う円環状のケース１０とを備えている。

詳しくは、図３に示されるように、固定環３２の内径部３４には、ステアリングシャフト６と一体回動するようにステアリングシャフト６の外周に係合する２つの凸部３４ａ，３４ｂが対向して形成されている。固定環３２は、ケース１０の内径部１４に位置し、上側ケース１１と下側ケース１２とに回動可能に挟持される。磁性体３０は、固定環３２の周方向に延びて固定環３２の外径部３３に固定されている。ケース１０は、円環形状と直方体形状とが組み合わされた形状であって、上側ケース１１と下側ケース１２とからなる。ケース１０の円環形状部分には磁性体３０が回動可能な磁性体収容部１５が形成され、ケース１０の直方体形状部分には検出ユニット２０を収容するユニット収容部１６が形成されている。

図４に示されるように、検出ユニット２０は、直方体形状であって、固定環３２側の側面に磁性体３０の円弧３１部分が通過可能な間隙２２が形成される検出ユニットケース２１を備えてなる。検出ユニット２０は、その間隙２２に磁性体３０が挿入された状態でケース１０のユニット収容部１６に収容される。検出ユニットケース２１の間隙２２と反対側の側面（固定環３２から離間する側の側面）の上側にはバイアス磁石４０を収容する磁石収容部２３が開口して形成されている。検出ユニットケース２１の底面には基板４３を収容する基板収容部２５が開口して形成されている。

バイアス磁石４０は、左右に伸びる腕部分４０ａとその中央部分から腕部分４０ａに対し直交して延出する足部分４０ｂとから形成されるＴ字形状であって、その足部分４０ｂ側を固定環３２へ向けて磁石収容部２３に挿入され、脱落が規制された状態で磁石収容部２３に収容される。基板４３は、凸形状をなし、凸部分が検出ユニットケース２１の間隙２２と反対側の側面下部に形成された切欠口２６から外部へ突出している。基板４３は、基板収容部２５に下方から挿入され、その脱落が規制された状態で収容される。

図５及び図６に示されるように、基板４３はバイアス磁石４０の下方に位置している。基板４３の上面４３ａには第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２が上方から見てバイアス磁石４０の足部分４０ｂの左右両側に、正確にはバイアス磁石４０の足部分４０ｂの延出方向に沿う中心線Ｐに対して線対称となる位置に実装されている。基板４３の下面４３ｂには第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２からの出力電圧に基づいてその時々の舵角が所定の舵角範囲内であるか否かを判断し所定の舵角範囲内である旨判断されるときに舵角信号を出力する処理装置としてのＣＰＵ４４等が実装されている。ステアリングシャフト６の時計回り（図５中矢印ＣＷ）又は反時計回り（図５中矢印ＣＣＷ）の方向への回動に伴い磁性体３０は回動し、バイアス磁石４０に対向した位置に形成された間隙２２を通過する。

近接センサ７は、ステアリングシャフト６の時計回り（図中矢印ＣＷ）又は反時計回り（図中矢印ＣＣＷ）の方向への回動に伴う磁性体３０の近接を検出することによりステアリングホイールの操作方向及び所定の舵角、正確には所定の舵角範囲内か否かを検出する。図５に示されるように、磁性体３０の円弧３１の中点Ｃがバイアス磁石４０の中心線Ｐ上に位置する状態を磁性体３０の初期位置とする。この初期位置は、ステアリングホイールの中立位置、すなわち舵角０°に対応する位置である。また、所定舵角は、ステアリングホイールの中立位置を基準として、左右回転方向へそれぞれ設定されており、本例では３０°、左右合わせて６０°に設定されている。この左右の所定角度に対応して磁性体３０は、円弧３１の中心角が６０°となるように設けられている。円弧３１の中点Ｃと図示しない円弧中心とを結ぶ線分は円弧３１の中心角を各３０°に二等分する二等分線となる。すなわち、磁性体３０が初期位置から左右それぞれに所定の舵角である３０°だけ回転したとき、円弧３１の左端及び右端は中心線Ｐに一致する。その円弧３１の端部３０ａ，３０ｂがそれぞれ所定の舵角に相当するようにその円弧３１の長さＬｃが設定されている（図３参照。）。

次に、Ｔ字形状のバイアス磁石４０と磁性体３０とにより第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２に印加されるバイアス磁界について図７及び図８を参照して説明する。バイアス磁石４０は、腕部分４０ａの足部分４０ｂから遠い側がＳ極に、腕部分４０ａの足部分４０ｂ側と足部分４０ｂとがＮ極に着磁されている。図７は、磁性体３０がバイアス磁石４０から離間して、バイアス磁石４０のみにより印加されるバイアス磁界を示す。図８は、磁性体３０が初期位置にあるときに、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２に印加されるバイアス磁界を矢印で示す。

図７に示されるように、バイアス磁石４０のみにより印加されるバイアス磁界は、バイアス磁石４０の足部分４０ｂの先端側（図中下側）を中心とした放射状に磁気ベクトルが形成される。足部分４０ｂの右側面４０ｃ及び左側面４０ｄのそれぞれ先端側の近傍に、磁気ベクトルが腕部分４０ａの延出方向且つ同一方向を向く第１同一方向範囲Ａ１及び第２同一方向範囲Ａ２が形成される。第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２は、第１同一方向範囲Ａ１及び第２同一方向範囲Ａ２内にそれぞれ位置する。これら第１同一方向範囲Ａ１及び第２同一方向範囲Ａ２においては磁気ベクトルが同一方向を向くため、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２が実装された基板４３が配置される際に配置位置が前後方向又は左右方向へ多少ずれたとしても、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２を通過する磁気ベクトルは同一方向とすることができる。第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２は、磁界方向に応じた電圧を出力するため、磁気ベクトルが同一方向とすることができるため検出誤差を抑制することができる。

図８に示されるように、バイアス磁石４０と磁性体３０とにより印加されるバイアス磁界は、バイアス磁石４０から発生されるバイアス磁界が磁性体３０に引き付けられるため磁気ベクトルが磁性体３０に指向して形成される。すなわち、第１同一方向範囲Ａ１及び第２同一方向範囲Ａ２内においては磁気ベクトルが磁性体３０に指向して形成される。このとき、第１同一方向範囲Ａ１及び第２同一方向範囲Ａ２内での磁気ベクトルは、足部分４０ｂの延出方向に対し交わる方向となる。このように磁性体３０がステアリングシャフト６の回動に伴いバイアス磁石４０に近接すると、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２を通過する磁気ベクトルが腕部分４０ａの延出方向から磁性体３０側へ指向する方向へ変化する。磁性体３０の端部３０ａ，３０ｂの少なくとも一方が中心線Ｐから左右３０°の範囲に含まれる状態を磁性体３０がバイアス磁石４０に近接している状態とし、磁性体３０の端部３０ａ，３０ｂのいずれもが中心線Ｐから左右３０°の範囲に含まれない状態を磁性体３０がバイアス磁石４０に近接していない状態とする。

すなわち、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２に印加されるバイアス磁界は、図８に示される磁性体３０が初期位置にある状態と、図７に示される磁性体３０がバイアス磁石４０から離間して、磁性体３０の影響を受けない状態との間で変化する。この磁気ベクトルの変化を第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２によって検出する。

図９に示されるように、第１ＭＲセンサ４１は４つの磁気抵抗素子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄがブリッジ状に接続されたフルブリッジ回路から構成され、磁気抵抗素子４１ａと磁気抵抗素子４１ｂとの中点電位と、磁気抵抗素子４１ｃと磁気抵抗素子４１ｄとの中点電位とが出力される。そして、これら中点電位の差分値が所定の増幅率で増幅され、これが出力電圧Ｖａとして出力される。第２ＭＲセンサ４２は４つの磁気抵抗素子４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄがブリッジ状に接続されたフルブリッジ回路から構成され、磁気抵抗素子４２ａと磁気抵抗素子４２ｂとの中点電位と、磁気抵抗素子４２ｃと磁気抵抗素子４２ｄとの中点電位とが出力される。そして、これら中点電位の差分値が所定の増幅率で増幅され、これが出力電圧Ｖｂとして出力される。これらの回路には、それぞれ電圧Ｖｃｃが印加されている。すなわち、これら第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２は、それぞれに印加される磁気ベクトルの向きに応じて各磁気抵抗素子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの抵抗値が変化することで、出力電圧Ｖａ，Ｖｂが変化する。

図１０は、磁性体３０の回転角度とその角度における第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａ及び第２ＭＲセンサ４２の出力電圧Ｖｂとの関係を示す。なお、磁性体３０の円弧３１の中点Ｃがバイアス磁石４０の中心線Ｐ上に位置する磁性体３０の初期位置を回転角度０°とする。そして、磁性体３０が初期位置０°から時計回り（図中矢印ＣＷ）及び反時計回り（図中矢印ＣＣＷ）に６０°まで回動した際の出力電圧Ｖａ，Ｖｂの変化を示している。図１０では、初期位置から時計回り方向の角度を正（プラス）、反時計回り方向の角度を負（マイナス）の値として示す。出力電圧Ｖａ，Ｖｂは、Ｖｍから−Ｖｍの間において変化する。また、ＣＰＵ４４は、舵角信号を出力するか否か、すなわちセンサ出力の切り替わり有無を判断する際の基準となる出力電圧Ｖａ，Ｖｂである閾値が設定されている。閾値は０Ｖである。ＣＰＵ４４は、出力電圧Ｖａ，Ｖｂが閾値以上であれば、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２がオン状態であるとして舵角信号を出力する。

図１０に示されるように、ステアリングシャフト６、すなわち磁性体３０が回動すると、回転角度±３０°付近において第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａ及び第２ＭＲセンサ４２の出力電圧Ｖｂがプラスからマイナスの値へ変化する。具体的には、磁性体３０が初期位置から時計回り（図中矢印ＣＷ）方向へ回動すると、まず第２ＭＲセンサ４２の出力電圧Ｖｂがプラスからマイナスの値へ変化する。続いて第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａがプラスからマイナスの値へ変化する。磁性体３０が初期位置から反時計回り（図中矢印ＣＣＷ）方向へ回動すると、まず第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａがプラスからマイナスの値へ変化する。続いて第２ＭＲセンサ４２の出力電圧Ｖｂがプラスからマイナスの値へ変化する。このように、磁性体３０の回転方向が時計回りであれば第２ＭＲセンサ４２の出力電圧Ｖｂが第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａより先に変化し、反時計回りであれば第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａが第２ＭＲセンサ４２の出力電圧Ｖｂより先に変化する。これは、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２がバイアス磁石４０の足部分４０ｂを挟んで互いに離間して配置されているためである。

ＣＰＵ４４は、変化する前の出力電圧Ｖａ，Ｖｂに加えて、出力電圧Ｖａ，Ｖｂの変化タイミングの違いから磁性体３０の回転方向が時計回りであるか反時計回りであるかを判断することができる。例えば、ＣＰＵ４４は、第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａ及び第２ＭＲセンサ４２の出力電圧Ｖｂがマイナスである状態から第２ＭＲセンサ４２の出力電圧Ｖｂが第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａより先にプラスへ変化した場合には、時計回りであると判断する。逆に、ＣＰＵ４４は、第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａ及び第２ＭＲセンサ４２の出力電圧Ｖｂがマイナスである状態から第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａが第２ＭＲセンサ４２の出力電圧Ｖｂより先にプラスへ変化した場合には、反時計回りであると判断する。

近接センサ７は、出力電圧Ｖａ，Ｖｂがプラスから時計回りにマイナスへ変化し、反時計回りにプラスへ変化した際には、ステアリングホイールが右旋回走行状態から直進走行状態へ戻ったと判断し、その旨を示す舵角信号を制御装置３へ出力する。ここで、出力電圧Ｖａ，Ｖｂがプラスから時計回りにマイナスへ変化し、マイナスから時計回りにプラスへ変化した際には、右旋回走行を継続しているため、右旋回走行状態から直進走行状態へ戻ったと判断しない。逆に、近接センサ７は、出力電圧Ｖａ，Ｖｂがプラスから反時計回りにマイナスへ変化し、時計回りにプラスへ変化した際には、ステアリングホイールが左旋回走行状態から直進走行状態へ戻ったと判断し、その旨を示す舵角信号を制御装置３へ出力する。ここで、出力電圧Ｖａ，Ｖｂがプラスから反時計回りにマイナスへ変化し、マイナスから反時計回りにプラスへ変化した際には、左旋回走行を継続しているため、左旋回走行状態から直進走行状態へ戻ったと判断しない。

ここで、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２が予め設定された位置に対して前後方向又は左右方向にずれて配置された場合について説明する。図１１は、第１ＭＲセンサ４１がバイアス磁石４０の足部分４０ｂの延出する方向及びバイアス磁石４０の腕部分４０ａの延出する方向へそれぞれずらした状態における磁性体３０の回転角度と第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａとの関係を示す図である。

第１ＭＲセンサ４１の出力電圧Ｖａは、予め設定された位置に対してずれて配置されると、出力電圧Ｖａ，Ｖｂの最大値と最小値との大きさが変化するが、同じ回転角度（±３０°付近）において閾値となる０Ｖとなる。このため、第１ＭＲセンサ４１の位置がずれたとしても磁性体３０の近接を検出することができる。第２ＭＲセンサ４２においても同様である。

制御装置３は、運転者によって操作レバー１が中立位置から左折操作位置又は右折操作位置に回動操作されることによって、位置検出スイッチ２から左折操作信号又は右折操作信号が入力されると、左ターンランプ４又は右ターンランプ５を一定周期で点灯させる。そして、制御装置３は、ステアリングシャフト６が所定の舵角範囲、すなわち左右３０°を越えて回転後、回転範囲内の角度に逆回転されることによって、近接センサ７から舵角信号が入力されると、点灯している左ターンランプ４又は右ターンランプ５の点灯を停止させる。

以上、説明した実施形態によれば、以下の作用効果を奏することができる。
（１）Ｔ字形状のバイアス磁石４０とすることで、磁性体３０がバイアス磁石４０に近接しない状態においてバイアス磁石４０により印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルが同一方向を向く範囲を形成することができ、この磁気ベクトルが同一方向を向く範囲に第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２を配置する。第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２を組み付ける際に、磁気ベクトルが同一方向を向く範囲においてバイアス磁石４０に対する位置がずれたとしても、出力電圧Ｖａ，Ｖｂの変化は同様なものとなる。このため、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２の位置ずれによる出力電圧の変化への影響を抑制することができる。すなわち、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２は、組み付ける際の位置ずれを含んでいても、被検出体としてのステアリングシャフト６の変位に伴って変位する磁性体３０とバイアス磁石４０とにより印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルの向きに応じて磁気抵抗素子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの抵抗値が変化することで位置ずれがない際と同様の出力電圧を出力する。この第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２からの磁性体３０の近接の有無に伴う出力電圧の変化に基づいて被検出体の変位を検出することができる。よって、バイアス磁石４０に対する第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２の設置位置がずれたとしても被検出体の検出誤差を抑制することができる。

（２）第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２がバイアス磁石４０のＴ字の足部分４０ｂを挟んで線対称、すなわち同足部分４０ｂの両側に配置される２つのセンサを一組とする。このため、被検出体がステアリングシャフト６のように回転体の場合には、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２からの出力電圧Ｖａ，Ｖｂの変化タイミングが異なり、この出力電圧Ｖａ，Ｖｂの変化の順番から回転方向を把握することができる。また、何らかの原因により第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２の一方からの出力電圧が得られなくなっても、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２の他方からの出力電圧に基づいて被検出体の検出位置への近接を検出することができる二重系を形成することができる。

（３）ステアリングホイールの所定の舵角を検出するべく、回動軸としてのステアリングシャフト６に扇形形状の磁性体３０を設置し、同扇形の磁性体３０の円弧３１の各端部３０ａ，３０ｂを所定の舵角に一致させる。そして、第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２がバイアス磁石４０と磁性体３０とにより印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルの向きに応じて磁気抵抗素子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの抵抗値が磁性体３０の端部の位置において大きく変化することで出力電圧の変化として、ステアリングシャフト６の回転変位を検出することができる。

（第２の実施形態）
以下、本発明にかかる近接センサを制動指示装置に用いる近接センサに具体化した第２の実施形態について、図１３〜図１７を参照して説明する。この実施形態の近接センサは、検出ユニットの延出方向に対して磁性体が近づいたり、遠ざかったりする点が上記第１の実施形態と異なっている。以下、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。なお、この実施形態の近接センサのバイアス磁石及びＭＲセンサは、第１の実施形態の近接センサのバイアス磁石及びＭＲセンサと同様の構成を備えている。

図１３に示されるように、制動指示装置は、運転者によって非制動位置から制動位置に踏み込み操作されることにより制動指示の入力操作が行われる被検出体としてのブレーキペダル１０１と、同ブレーキペダル１０１が制動位置へ踏み込み操作されたことを検出し、制動操作信号を制御装置１０３へ出力する近接センサ１０２と、制動指示器として点灯するブレーキランプ１０４とを備えている。

制御装置１０３は、運転者によってブレーキペダル１０１が非制動位置から制動位置へ踏み込み操作されることにより、ブレーキランプ１０４を点灯制御する。詳しくは、ブレーキペダル１０１は非制動位置から制動位置への踏み込み操作による踏み込み量に応じて位置が変位する。このとき、ブレーキペダル１０１に設けられる近接センサ１０２は、非制動位置から制動位置への踏み込み操作を検出して制動操作信号を制御装置１０３へ出力する。ここで、所定の踏み込み量未満の位置を非制動位置とし、所定の踏み込み量以上の位置を制動位置とする。所定の踏み込み量は、少しの踏み込みで制動位置であると検出できるように設定されている。制御装置１０３は、制動操作信号が入力されると、ブレーキランプ１０４を点灯させる。また、制御装置１０３は、制動操作信号の入力がなくなると、ブレーキランプ１０４の点灯を停止させる。

次に、ブレーキペダル１０１に設けられる近接センサ１０２について図１４〜図１７を参照して詳述する。
図１４に示されるように、近接センサ１０２は、ブレーキペダル１０１の踏み込み操作を検出できるように設置されている。この近接センサ１０２は、ブレーキペダル１０１の裏面に固定される長方形状の磁性体１３０と、Ｔ字形状のバイアス磁石１４０及び２つの磁気抵抗効果センサ（ＭＲセンサ）１４１，１４２等がケース１２１に収容された検出部としての検出ユニット１２０とを備えている。第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２が実装された基板１４３がセンサ素子ユニット１１０に収容され、このセンサ素子ユニット１１０が検出ユニット１２０に収容されている。検出ユニット１２０は、図示しない車両のフロアに固定される。近接センサ１０２は、ブレーキペダル１０１に設けられた磁性体１３０が近接する方向（Ａ方向）と離間する方向（Ｂ方向）とへの相対変位による近接を検出することによりブレーキペダル１０１の踏み込み操作が所定の踏み込み量以上であるか否かを検出する。

詳しくは、図１５に示されるように、バイアス磁石１４０は、第１の実施形態と同様にＴ字形状であって、その足部分１４０ｂ側をブレーキペダル１０１へ向けてセンサ素子ユニット１１０に接着固定される。センサ素子ユニット１１０は、バイアス磁石１４０の下方に位置している。センサ素子ユニット１１０は、基板１４３の上面１４３ａに第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２が上方から見てバイアス磁石１４０の足部分１４０ｂの左右両側に位置して実装されている。基板１４３の下面には第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２からの出力電圧に基づいてその時々の踏み込み量が所定の踏み込み量以上であるか否かを判断し所定の踏み込み量以上である旨判断されるときに制動操作信号を出力する処理装置としてのＣＰＵ等が実装されている。センサ素子ユニット１１０には、制御装置１０３等の外部装置へ制動操作信号等の信号を出力するための端子１１１が３個設けられている。そして、これら端子１１１は、外部装置に接続するための接続端子１１２にそれぞれ溶接等により固着される。

図１６に示されるように、一体に固定されたバイアス磁石１４０と、センサ素子ユニット１１０と、接続端子１１２とがモールド成形されることによって検出ユニット１２０が形成される。接続端子１１２の端部１１２ａのみがコネクタとなる中空部１２２の内側に露出されている。この検出ユニット１２０は、車両のフロアに取り付けられる際に固定される孔部１２３が形成されてなる。

次に、Ｔ字形状のバイアス磁石１４０と磁性体１３０とにより第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２に印加されるバイアス磁界は、図７及び図８に示されるように第１の実施形態と同様のバイアス磁界を形成する。また、第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２は、図９に示されるように第１の実施形態と同様の回路から構成される。

図１７は、ブレーキペダル１０１の踏み込み量（距離）と第１ＭＲセンサ１４１の出力電圧Ｖａ及び第２ＭＲセンサ１４２の出力電圧Ｖｂとの関係を示す。本実施形態では、磁性体１３０が検出ユニット１２０の延出方向に対して相対変位するため、第１ＭＲセンサ１４１の出力電圧Ｖａ及び第２ＭＲセンサ１４２の出力電圧Ｖｂは同じように変位する。本実施形態では、出力電圧Ｖａ，Ｖｂが０Ｖとなる位置が所定の踏み込み量となるように踏み込み量０ｃｍの位置が設定されている。そのため、出力電圧Ｖａ，Ｖｂは、踏み込み操作がない状態ではマイナスの値であって、踏み込み操作が行われるとマイナスの値からプラスの値へ変化する。そして、ＣＰＵは、出力電圧Ｖａ，Ｖｂが０Ｖ以上であるときに制動操作信号を出力する。

ここで、第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２が予め設定された位置に対して前後方向又は左右方向にずれて配置された場合においても第１の実施形態と同様に磁性体１３０の近接を検出することができる。

制御装置１０３は、運転者によってブレーキペダル１０１が非制動位置から制動位置に踏み込み操作されることによって、近接センサ１０２から制動操作信号が入力されると、ブレーキランプ１０４を点灯させる。そして、制御装置１０３は、近接センサ１０２から制動操作信号の入力がなくなると、点灯しているブレーキランプ１０４の点灯を停止させる。

以上、説明した実施形態によれば、以下の作用効果を奏することができる。
（４）Ｔ字形状のバイアス磁石１４０とすることで、磁性体１３０がバイアス磁石１４０に近接しない状態においてバイアス磁石１４０により印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルが同一方向を向く範囲を形成することができ、この磁気ベクトルが同一方向を向く範囲に第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２を配置する。第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２を組み付ける際に、磁気ベクトルが同一方向を向く範囲においてバイアス磁石１４０に対する位置がずれたとしても、出力電圧Ｖａ，Ｖｂの変化は同様なものとなる。このため、第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２の位置ずれによる出力電圧の変化への影響を抑制することができる。すなわち、第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２は、組み付ける際の位置ずれを含んでいても、被検出体としてのブレーキペダル１０１の変位に伴って変位する磁性体１３０とバイアス磁石１４０とにより印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルの向きに応じて磁気抵抗素子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの抵抗値が変化することで位置ずれがない際と同様の出力電圧を出力する。この第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２からの磁性体１３０の近接の有無に伴う出力電圧の変化に基づいて被検出体の変位を検出することができる。よって、バイアス磁石１４０に対する第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２の設置位置がずれたとしても被検出体の検出誤差を抑制することができる。

（５）第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２がバイアス磁石１４０のＴ字の足部分４０ｂの両側に配置される２つのセンサを一組とする。このため、何らかの原因により第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２の一方からの出力電圧が得られなくなっても、第１ＭＲセンサ１４１及び第２ＭＲセンサ１４２の他方からの出力電圧に基づいて被検出体の検出位置への近接を検出することができる二重系を形成することができる。

なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することができる。
・上記第１の実施形態では、初期位置に対して左右それぞれに所定の舵角として３０°に設定したが、これに限らずステアリングシャフト６の検出したい舵角に応じて任意に変更してもよい。

・上記実施形態では、第１同一方向範囲Ａ１及び第２同一方向範囲Ａ２にそれぞれ１つずつＭＲセンサを配置するようにしたが、１つの範囲内に２つのＭＲセンサを配置して二重系を構成するようにしてもよい。例えば、第１同一方向範囲Ａ１に第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２を配置したり、第１同一方向範囲Ａ１及び第２同一方向範囲Ａ２にそれぞれ第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２を配置したりする。

・上記実施形態では、第１ＭＲセンサ４１（１４１）及び第２ＭＲセンサ４２（１４２）をそれぞれのパッケージに収容するようにしたが、第１ＭＲセンサ４１（１４１）及び第２ＭＲセンサ４２（１４２）を１つのパッケージに収容するようにしてもよい。

同構成によれば、一組の第１ＭＲセンサ４１（１４１）及び第２ＭＲセンサ４２（１４２）を１つのパッケージに収納しているため、２つの第１ＭＲセンサ４１（１４１）及び第２ＭＲセンサ４２（１４２）同士の位置が予め固定される。このため、第１ＭＲセンサ４１（１４１）及び第２ＭＲセンサ４２（１４２）間の位置ずれを防止することができ、また１つのパッケージのため組み付け作業が容易である。

・上記実施形態では、第１ＭＲセンサ４１（１４１）及び第２ＭＲセンサ４２（１４２）はそれぞれ４つの磁気抵抗素子が接続されたフルブリッジ回路が構成され、各回路における中点電位の差分値を出力電圧Ｖａ，Ｖｂとした。しかしながら、図１２に示されるように、第１ＭＲセンサ５１及び第２ＭＲセンサ５２は、それぞれハーフブリッジ回路を構成する２つの磁気抵抗素子５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂからなり、全体としてフルブリッジ回路を構成してもよい。そして、第１ＭＲセンサ５１及び第２ＭＲセンサ５２のそれぞれの出力電圧の差分値を出力電圧Ｖｄとして出力するようにしてもよい。近接センサ７は、出力電圧Ｖｄに基づいて磁性体３０の近接を検出する。なお、磁気抵抗素子５１ａ，５１ｂと磁気抵抗素子５２ａ，５２ｂとの向きは同じである。

同構成によれば、ケース１０に収容された第１ＭＲセンサ４１及び第２ＭＲセンサ４２を組み付ける際に前後方向又は左右方向へ位置ずれしたとしても、バイアス磁石４０に対して一方が近づき他方が離れることになる。そして、それぞれのハーフブリッジ回路の出力電圧の差分値を採用することによってこれらの出力電圧の変化を相殺することができるため、設置位置がずれたとしても被検出体の変位を正確に検出することができる。

・上記第１の実施形態では、被検出体としてのステアリングシャフト６に固定された回転変位する磁性体３０の近接を検出する近接センサとしたが、回転変位する他の被検出体の変位を検出する近接センサに適用してもよい。

・上記第２の実施形態では、被検出体としてのブレーキペダル１０１に固定された検出ユニット１２０の延出方向へ直線変位する磁性体１３０の近接を検出する近接センサとしたが、直線変位する他の被検出体の変位を検出する近接センサに適用してもよい。

・上記実施形態の回転変位や直線変位等に限らず、他の変位をする被検出体の変位を検出する近接センサとしてもよい。
・上記実施形態では、２つのＭＲセンサを用いたが、１つのＭＲセンサによって被検出体の変位を検出するようにしてもよい。

次に、前記実施形態から把握できる技術的思想を記載する。
（ａ）請求項１〜５のいずれか一項に記載の近接センサにおいて、前記磁石のＴ字の足部分と腕部分の足部分側とはＮ極に着磁され、前記磁石のＴ字の腕部分の足部分から遠い側はＳ極に着磁されることを特徴とする近接センサである。

方向指示装置の全体構成を示すブロック図。 近接センサの設置状態を示す斜視図。 近接センサの全体構成を示す分解斜視図。 バイアス磁石とＭＲセンサとを含む検出部の分解斜視図。 近接センサの検出部内の配置を示す上面図。 近接センサの検出部の配置を示すＡ‐Ａ断面図。 磁性体が近接しない状態におけるバイアス磁界を示す上面図。 磁性体が近接する状態におけるバイアス磁界を示す上面図。 検出部の回路構成を示す回路図。 ステアリングシャフトの回転角度とＭＲセンサの出力電圧との関係を示す図。 ＭＲセンサの複数位置におけるステアリングシャフトの回転角度とＭＲセンサの出力電圧との関係を示す図。 検出部の回路構成を示す回路図。 制動指示装置の全体構成を示すブロック図。 近接センサの設置状態を示す斜視図。 近接センサの組み付けを示す分解斜視図。 近接センサの構成を示す斜視図。 ブレーキペダルの踏み込み量とＭＲセンサの出力電圧との関係を示す図。

符号の説明

１…操作レバー、２…位置検出スイッチ、３…制御装置、４…左ターンランプ、５…右ターンランプ、６…ステアリングシャフト、７…近接センサ、１０…ケース、１１…上側ケース、１２…下側ケース、１４…内径部、１５…磁性体収容部、１６…ユニット収容部、２０…検出ユニット、２１…検出ユニットケース、２２…間隙、２３…磁石収容部、２５…基板収容部、２６…切欠口、３０…磁性体、３０ａ，３０ｂ…端部、３１…円弧、３２…固定環、３３…外径部、３４ａ，３４ｂ…凸部、４０…バイアス磁石、４０ａ…腕部分、４０ｂ…足部分、４１…第１ＭＲセンサ、４２…第２ＭＲセンサ、４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ…磁気抵抗素子、４３…基板、４４…ＣＰＵ、１０１…ブレーキペダル、１０２…近接センサ、１０３…制御装置、１０４…ブレーキランプ、１１０…センサ素子ユニット、１１１…端子、１１２…接続端子、１１２ａ…端部、１２０…検出ユニット、１２１…ケース、１２２…中空部、１２３…孔部、１３０…磁性体、１４０…バイアス磁石、１４０ｂ…足部分、１４１…第１ＭＲセンサ、１４２…第２ＭＲセンサ、１４３…基板、１４３ａ…上面、Ｖａ，Ｖｂ…出力電圧、Ａ１…第１同一方向範囲、Ａ２…第２同一方向範囲。

Claims (5)

1. 被検出体の変位を検出する磁気式の近接センサにおいて、
   前記被検出体に設けられる磁性体と、
   前記磁性体に対して相対的に変位し、左右に伸びる腕部分とその中央部分から前記被検出体側へ腕部分に対し直交して延出する足部分とからＴ字形状をなすバイアス磁石と、
   前記バイアス磁石に対して相対位置が固定され、磁気抵抗素子が設けられ、前記バイアス磁石と前記磁性体とにより印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルの向きに応じて同磁気抵抗素子の抵抗値が変化することで出力電圧が変化するとともに、前記磁性体が前記バイアス磁石に近接しない状態において同バイアス磁石により印加されるバイアス磁界の磁気ベクトルが同一方向を向く範囲に配置位置が設定される磁気抵抗効果センサとを備え、
   前記バイアス磁石に対する前記磁性体の近接の有無に伴う前記磁気抵抗効果センサからの出力電圧の変化に基づいて前記被検出体の変位を検出する
   ことを特徴とする近接センサ。
2. 請求項１に記載の近接センサにおいて、
   前記磁気抵抗効果センサは２つを一組として設けられ、前記バイアス磁石のＴ字の足部分の延びる方向と腕部分の延びる方向とによって形成される平面上において、同足部分を挟んで線対称に配置される
   ことを特徴とする近接センサ。
3. 請求項２に記載の近接センサにおいて、
   前記一組の磁気抵抗効果センサは、１つのパッケージに収納される
   ことを特徴とする近接センサ。
4. 請求項３に記載の近接センサにおいて、
   前記一組の磁気抵抗効果センサは、それぞれハーフブリッジ回路を構成する２つの磁気抵抗素子からなり、全体としてフルブリッジ回路を構成し、それぞれの出力電圧の差分値に基づいて前記被検出体の変位を検出する
   ことを特徴とする近接センサ。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の近接センサにおいて、
   前記被検出体は回動軸であり、
   前記磁性体は、前記回動軸の外周に沿った扇形形状であり、同扇形の円弧の各端部が所定の検出角度に対応し、前記回動軸の回転に伴って一体に回転変位され、
   前記回動軸の回転変位を検出する
   ことを特徴とする近接センサ。

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