JP2010108385A - 記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】記憶装置は、記憶領域が複数からなるn個のブロックに分けられたRAMと、複数のm組に分けられたフラシュメモリと、外部からRAMに対してデータの書き込みが可能にされた第1バスと、RAMから前記m組に分けられたフラシュメモリに対してそれぞれ独立してデータの書き込みが可能にされたm個の第2バスからなる内部バスと、第1バスを用いてRAMの書き込みを行う第1動作と、第1動作のための記憶領域を確保すべく、RAMの記憶データのうち書き込み時の古い順であって、かかる記憶データのデータ量に対応して第2バスを用いて1ないしm個のブロック分のデータをフラシュメモリに対して書き込む第2動作とを時分割的に同時に行う内部コントローラ部とを有する。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 半導体ランダム・アクセス・メモリと、
一括消去型不揮発性メモリと、
上記半導体ランダム・アクセス・メモリ及び上記一括消去型不揮発性メモリに対して第1動作及び第2動作を含むメモリアクセスを行うコントローラ部と、
内部バスとを有し、
上記半導体ランダム・アクセス・メモリは、記憶領域が複数からなるn個のブロックに分けられ、
上記一括消去型不揮発性メモリは、複数のm組に分けられ、
上記内部バスは、
外部から上記半導体ランダム・アクセス・メモリに対してデータの書き込みが可能にされた第1バスと、
上記半導体ランダム・アクセス・メモリから前記m組に分けられた一括消去型不揮発性メモリに対してそれぞれ独立してデータの書き込みが可能にされたm個の第2バスとを有し、
上記コントローラ部は、
上記第1動作と上記第2動作とを時分割的に同時に行うことが可能にされ、
上記第1動作は、上記第1バスを用いて外部から上記半導体ランダム・アクセス・メモリに対してデータの書き込み、
第2動作は、上記半導体ランダム・アクセス・メモリに対する上記第1動作のための記憶領域を確保すべく、上記半導体ランダム・アクセス・メモリの記憶データのうち書き込み時の古い順であって、かかる記憶データのデータ量に対応して上記第2バスを用いて1ないしm個のブロック分を上記一括消去型不揮発性メモリに対して書き込む、
記憶装置 - 請求項1において、
上記一括消去型不揮発性メモリは、上記半導体ランダム・アクセス・メモリのブロック単位に対応した記憶領域毎の一括消去動作が可能にされる、
記憶装置。 - 請求項1において、
上記第2動作は、上記第2バスを用いて上記記憶データの書き込み時の古い複数順であって、上記最大m個のブロック分を上記一括消去型不揮発性メモリに対して書き込む動作を含む、
記憶装置。 - 請求項1又は2において、
上記半導体ランダム・アクセス・メモリの上記n個のブロックは、複数のp組に分けられ、各組には上記m個のブロックがそれぞれ割り当てられ、
上記第2動作は、m個のブロック単位で上記一括消去型不揮発性メモリに対して上記第2バスを用いて上記一括消去型不揮発性メモリに対して書き込む動作を含む、
記憶装置 - 請求項1ないし4において、
上記コントローラ部は、ホストとの間でのデータの入出力を行うHDD互換性のインターフェイス部とを更に備え、
上記半導体ランダム・アクセス・メモリ、一括消去型不揮発性メモリ、コントローラ部及び内部バスは、汎用小型ハードディスクドライブ装置に対応された外形サイズ及びコネクタピンを備えたパッケージに搭載される、
記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008281957A JP2010108385A (ja) | 2008-10-31 | 2008-10-31 | 記憶装置 |
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