JP2010103610A - 圧電発振器 - Google Patents

Abstract

【課題】外部周囲温度の影響を受け難い圧電発振器を提供する。
【解決手段】水晶発振器１には、メイン基板２と発振基板３とからなる二つの基板と、水晶振動子４とが設けられている。メイン基板２には、水晶振動子４の温度制御を行う温度制御回路を構成する温度制御部２３と、外部と電気的に接続された外部端子２６とが設けられている。発振基板３には、水晶振動子４を発振子とした圧電発振回路を構成する発振部３３が設けられている。また、水晶振動子４は、当該水晶振動子４の温度を所定温度に保つための恒温槽５によって覆われている。
【選択図】図１

Description

本発明は、圧電発振器に関する。

圧電発振器では、内部に配する圧電振動子を発振子とした発振回路の温度制御を行うことで周波数の高安定化を図ることができ、温度制御を行ったものとして恒温槽付圧電発振器（以下、ＯＣＸＯという）がある。

この恒温槽付圧電発振器（以下、ＯＣＸＯという）は、圧電振動子が恒温槽に覆われた状態で、発振回路とともに本体筐体に配されたものである（例えば、特許文献１参照）。

下記する特許文献１に示すようなＯＣＸＯによれば、外部の温度変化に影響することなく、圧電振動子を恒温槽内で温度制御することにより周波数の高安定化を図ることができる。

また、ＯＣＸＯによれば、周波数安定度として１×１０^-7〜１×１０^-10程度の圧電振動子で得られる最高水準の周波数安定度を得ることができるため、ＯＣＸＯは、無線基地局や伝送ラインなどの基準周波数として利用されている。

下記する特許文献１では、１枚の基板に、発振回路を構成する発振用素子と、温度制御回路を構成する温度制御素子と、水晶振動子を加熱するヒータ部である発熱用のチップ抵抗とが配置されている。

具体的に、基板の一主面に発振用素子と温度制御素子とが設けられ、基板の他主面の対向位置にチップ抵抗が設けられている。なお、恒温槽に覆われた水晶振動子は、チップ抵抗の上方に熱伝導性の柔軟性物体を介して設けられている。
特開２００５−１２４１２９号

ところで、上記した特許文献１に示すように、１枚の基板に、発振用素子と温度制御素子とが設けられているだけでなく、外部と金属線などで接続される外部端子が設けられている。そのため、この外部端子からの外部影響を発振用素子及び温度制御素子が受け易く、特に外部周囲温度の影響を発振用素子及び温度制御素子が受け易い。

そこで、上記課題を解決するために、本発明は、外部周囲温度の影響を受け難い圧電発振器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電発振器は、一方の基板と他方の基板とからなる二つの基板と、圧電振動子とが設けられ、前記一方の基板は、前記圧電振動子の温度制御を行う温度制御回路を構成する温度制御部と、外部と電気的に接続され外部入出力回路を構成する外部端子とが設けられたメイン基板であり、 前記他方の基板は、前記圧電振動子を発振子とした圧電発振回路を構成する発振部が設けられた発振基板であり、前記圧電振動子は、当該圧電振動子の温度を所定温度に保つための恒温槽によって覆われたことを特徴とする。

本発明によれば、前記メイン基板と前記発振基板（ＯＳＣ基板）と前記圧電振動子とが設けられ、前記メイン基板には前記温度制御部と前記外部端子とが設けられ、前記発振基板には前記発振部が設けられ、前記圧電振動子は前記恒温槽によって覆われているので、前記発振部と前記圧電振動子とが外部周囲温度の影響を受けるのを抑えることが可能となる。すなわち、本発明によれば、前記発振部と前記外部端子とが別々の基板に設けられるので、前記発振部が前記外部端子から外部影響を受け難く、特に外部周囲温度の影響を受け難い。その結果、前記圧電振動子と前記発振部との温度差が生じるのを抑えることが可能となる。

前記構成において、前記二つの基板が、前記圧電振動子を間に配した状態で対向して設けられてもよい。

この場合、前記二つの基板が、前記圧電振動子を間に配した状態で対向して設けられるので、前記二つの基板により、前記恒温槽によって覆われた前記圧電振動子を挟みこむ構造とすることが可能となり、その結果、前記恒温槽の熱が逃げるのを前記二つの基板により防ぐことが可能となる。

前記構成において、前記メイン基板には、前記圧電振動子を加熱するヒータ部が設けられてもよい。

この場合、前記メイン基板に前記ヒータ部が設けられているので、前記発振基板に設けられた前記発振部は前記ヒータ部から直接熱を受けることもなく、安定して温度を一定に保つことが可能とあり、その結果、前記圧電振動子および前記発振部の温度を一定に保つ高安定な圧電発振器とすることが可能となる。

前記構成において、前記ヒータ部は、少なくとも抵抗とトランジスタとから構成され、前記メイン基板上において前記抵抗と前記トランジスタとが近接して配されてもよい。

この場合、前記ヒータ部が少なくとも抵抗とトランジスタとから構成され、前記メイン基板上において前記抵抗と前記トランジスタとが近接して配されるので、前記ヒータ部だけでなく前記温度制御部も発熱するが、この前記温度制御部の発熱によって温度勾配の変動が生じるのを抑制することが可能となる。

前記構成において、前記発振基板の熱伝導率に対して、前記メイン基板の熱伝導率が低くてもよい。例えば、前記発振基板としてアルミナセラミックからなる基板を用い、前記メイン基板としてこのアルミナセラミックに対して熱伝導率の低いガラスエポキシからなる基板を用いてもよい。また、他に前記発振基板としてＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）を用い、前記メイン基板としてテフロンを用いてもよい。

この場合、前記発振基板の熱伝導率に対して、前記メイン基板の熱伝導率が低いので、所定の温度に保たれた前記発振基板から前記メイン基板と外部端子を介して外部へ熱が伝わって逃げてしまうのを抑えることができる。その結果、周波数の安定化に重要な前記発振部が搭載された前記発振基板は前記外部端子から外部影響を受け難く、特に外部周囲温度の影響を受け難く、前記圧電振動子と前記発振部との温度差が生じるのを抑えることが可能となり、周波数のさらなる高安定化に寄与する。また、前記メイン基板の熱伝導率に対して、前記発振基板の熱伝導率が高いので、前記ヒータ部の熱が前記メイン基板から前記発振基板へと伝わりやすく、前記圧電振動子と前記発振部との温度差を無くすのに好適である。なお、アルミナセラミックスの熱伝導率は、２０Ｗ／ｍｋであり、ガラスエポキシの熱伝導率は、０．４Ｗ／ｍｋであり、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）の熱伝導率は、３Ｗ／ｍｋであり、テフロンの熱伝導率は、０．２５Ｗ／ｍｋであり、すなわち、上記したように、前記発振基板の熱伝導率の数値は、前記メイン基板の熱伝導率の数値に対して、少なくとも１桁以上の差となることが望まれる。

前記構成において、前記恒温槽には、前記圧電振動片の温度を測るセンサが設けられ、前記センサは前記温度制御部に接続されてもよい。

この場合、前記恒温槽に前記圧電振動片の温度を測るセンサが設けられ、前記センサは前記温度制御部に接続されるので、前記圧電振動片の温度をより正確な状態で一定に保つことが可能となる。

前記構成において、前記恒温槽は、アルミニウムからなってもよい。

この場合、前記恒温槽はアルミニウムからなるので、熱伝導率が高く温度制御を行うことがし易い。さらに前記恒温槽を軽くすることが可能となるので、前記恒温槽を支える当該圧電発振器の本体筐体の部材を強化しなくてもよい。

前記構成において、前記メイン基板に前記恒温槽が熱伝導性樹脂により接合されるとともに、前記発振基板に前記恒温槽が熱伝導性樹脂により接合されてもよい。

この場合、前記メイン基板に前記恒温槽が前記熱伝導性樹脂により接合されるとともに、前記発振基板に前記恒温槽が前記熱伝導性樹脂により接合されるので、前記ヒータ部の熱を前記恒温槽に伝えることが容易となるとともに、前記恒温槽の熱が前記発振基板に伝わり易くなり、その結果、前記恒温槽に覆われた前記圧電振動子と前記発振基板に設けられた前記発振部との温度差を無くすのに好適である。特に、前記メイン基板と前記恒温槽、および前記発振基板と前記恒温槽の互いの接触する部分においてその部分全体で前記熱伝導性樹脂により接合することで、より均一な状態で熱が伝わり、前記発振部との温度差を無くすのにより好ましい。なお、前記発振基板と前記恒温槽とが接触部分全面において接合されるのがより好適である。

本発明によれば、外部周囲温度の影響を受け難い圧電発振器を提供することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施例では、圧電発振器として、圧電材料として水晶を用いた水晶発振器に本発明を適用した場合を示す。

本発明にかかる水晶発振器１は、図１に示すように、金属材料のベース１１および蓋１２から構成される本体筐体１３内に、二つの基板（一方の基板であるメイン基板２と他方の基板である発振基板３（ＯＳＣ基板））が対向して設けられている。

これらメイン基板２と発振基板３との間には、図１に示すように、水晶振動子４が配されている。この水晶振動子４は、当該水晶振動子４の温度を所定温度（本実施例では約８０度）に保つための恒温槽５に装填され、結果、恒温槽５によって水晶振動子４は覆われている。また、恒温槽５はメイン基板２の一主面２１に熱伝導性樹脂６によって接合され、同様に恒温槽５は発振基板３の他主面３２に熱伝導性樹脂６によって接合されている。すなわち、図１，３に示すように発振基板３上に熱伝導性樹脂６を介して恒温槽５，メイン基板２が順に積層されている。もしくは、メイン基板２上に熱伝導性樹脂６を介して恒温槽５，発振基板３が順に積層されている。なお、本実施例では、熱伝導性樹脂６としては、熱伝導性の高いシリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂を用いる。

水晶振動子４は、図１に示すように、蓋４１によってベース４２に配されたＡＴカット水晶振動板からなる水晶振動片（図示省略）が気密封止されてなる。水晶振動片には、励振電極（図示省略）と、この励振電極から引き出された引出電極（図示省略）が形成され、この引出電極がリード端子４３に接続されている。このように構成された水晶振動子４は、図１に示すように、発振基板３に設けられた集積回路素子やその他の電子部品などの発振回路からなる発振部３３（下記参照）に電気的に接続されている。

メイン基板２は、ガラスエポキシからなり、熱伝導率は０．４Ｗ／ｍｋである。このメイン基板２の一主面２１には、図１に示すように、水晶振動子４を加熱するヒータ部２２と、水晶振動子４の温度制御を行う温度制御回路（図２参照）を構成する温度制御部２３と、外部と電気的に接続され外部入出力回路（図示省略）を構成する外部端子２６とが設けられている。ここで外部端子２６のみが、外部機器との電気的接続を行うために本体筐体１３外へ延出している。また、メイン基板２の一主面２１上において温度制御部２３とヒータ部２２とが近接して配されている。また、これら温度制御部２３とヒータ部２２とは、メイン基板２の一主面２１上において熱導電性樹脂６によって覆われている。なお、メイン基板２は１Ｗ／ｍｋ以下の熱伝導率を有することが条件として挙げられ、具体的にメイン基板２としてガラスエポキシ以外に、例えばテフロン（熱伝導率が０．２５Ｗ／ｍｋ）を用いてもよい。

ヒータ部２２は厚膜印刷抵抗などの膜抵抗体からなる抵抗２８とトランジスタ２５（下記参照）からなり、必要な配線パターン（図示せず）とともにメイン基板２の一主面２１上に印刷形成されている。このヒータ部２２は、トランジスタ２５のリード端子（図示省略）を介してメイン基板２の配線パターン（図示省略）に電気的機械的に接続されている。

温度制御部２３は、センサ７の出力に応じてヒータ部２２の温度を所定温度に保つためにヒータ部２２への電流を制御するものであり、図２に示すように少なくともオペアンプ２９と抵抗２４とトランジスタ２５とから構成されている。なお、本実施例でいうトランジスタ２５は、温度制御部２３の構成であるとともにヒータ部２２の構成でもあり、本実施例では、トランジスタ２５として加熱に適したパワートランジスタを用いている。

発振基板３は、アルミナセラミックス（熱伝導率が２０Ｗ／ｍｋ）からなり、上記したメイン基板２の熱伝導率に対して発振基板３の熱伝導率が高い（発振基板３の熱伝導率に対してメイン基板２の熱伝導率が低い）。この発振基板３の一主面３１には、図１に示すように、水晶振動子４を発振子とした発振回路（図示省略）を構成する発振部３３が設けられている。なお、発振基板３は２Ｗ／ｍｋ以上の熱伝導率を有することが条件として挙げられ、具体的に発振基板３としてアルミナセラミックス以外に、例えば、熱伝導率が３Ｗ／ｍｋであるＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）を用いてもよい。このように、発振基板３の熱伝導率の数値は、メイン基板２の熱伝導率の数値に対して、約３倍以上高いことが好適である。

恒温槽５は、図１に示すように、アルミニウムからなるアルミブロックの恒温ベース５１と恒温蓋５２とからなる。

恒温ベース５１は、一端を開口端５３とした凹状態の箱型形状からなり、その底面部５４の中央部分には貫通孔５５が設けられている。そして、この貫通孔５５には、水晶振動子４の温度を測るセンサ７が設けられ、貫通孔５５を塞ぐように熱伝導性樹脂６にてセンサ７が埋められる。

センサ７は、サーミスタなどからなり、水晶振動子４に近傍の位置となる恒温ベース５１の底面部５４に設けられ、メイン基板２に設けられた温度制御部２３に接続されている。

また、恒温蓋５２は、直方体からなり、下記する水晶振動子４のリード端子４３を挿通する挿通孔５６が両主面間を貫通して形成されている。

そして、恒温槽５への水晶振動子４の装填について、まず、センサ７が埋められた状態の恒温ベース５１内に熱伝導性樹脂６を注入し、その後に恒温ベース５１にリード端子４３付きの水晶振動子４を挿入する。なお、この水晶振動子の挿入では、リード端子４３を露出する状態で水晶振動子４の蓋４１を恒温ベース５１の開口端５３から挿入する。そして、恒温ベース５１へ水晶振動子４を挿入した後、恒温蓋５２にてリード端子４３を挿通孔５６から挿通させた状態で水晶振動子４を恒温ベース５１内に封止し、恒温ベース５１内に水晶振動子４を封止した状態で挿通孔５６を熱伝導性樹脂６にて埋めて、恒温槽５へ水晶振動子４を装填的に接続する。上記したように恒温槽５に水晶振動子４を配することで、恒温槽５の内部に水晶振動子４が密接した状態で隙間なく格納されている。そのため、恒温槽５の内部に密接していない状態で配された水晶振動子と比べて、水晶振動子４への熱の伝導率を良くすることができる。

上記した構成からなる水晶発振器１では、水晶振動子４がリード端子４３により発振基板３の発振部３３の発振回路に電気的に接続され、発振部３３の発振回路はリード線８（図３参照）によりメイン基板２に設けられた温度制御部２３の温度制御回路や外部端子２６の外部入出力回路に電気的に接続されている。なお、リード線８以外に金属板によるリードフレームやフレキシブル基板などにより、発振部３３の発振回路が、温度制御部２３の温度制御回路や外部端子２６の外部入出力回路に電気的に接続されてもよい。

上記したように、本実施例にかかる水晶発振器１によれば、二つの基板（メイン基板２と発振基板３）と水晶振動子４とが設けられ、メイン基板２には温度制御部２３と外部端子２６とが設けられ、発振基板３には発振部３３が設けられ、水晶振動子４は恒温槽５によって覆われているので、発振部３３と水晶振動子４とが外部周囲温度の影響を受けるのを抑えることができる。

すなわち、本実施例によれば、発振部３３と外部端子２６とが別々の基板（メイン基板２と発振基板３）に設けられるので、発振部３３が外部端子２６から外部影響を受け難く、特に外部周囲温度の影響を受け難い。その結果、水晶振動子４と発振部３３との温度差が生じるのを抑えることができる。

また、二つの基板（メイン基板２と発振基板３）が、水晶振動子４を間に配した状態で対向して設けられるので、二つの基板（メイン基板２と発振基板３）により、恒温槽５によって覆われた水晶振動子４を挟みこむ構造とすることができる。その結果、恒温槽５の熱が逃げるのを二つの基板（メイン基板２と発振基板３）により防ぐことができる。

また、メイン基板２にヒータ部２２が設けられているので、発振基板３に設けられた発振部３３はヒータ部２２から直接熱を受けることもなく、安定して温度を一定に保つことができる。その結果、水晶振動子４および発振部３３の温度を一定に保つ高安定な水晶発振器１とすることができる。

また、ヒータ部２２が少なくとも抵抗２４とトランジスタ２５とから構成され、メイン基板２上において抵抗２４と前記トランジスタ２５とが近接して配されるので、ヒータ部２２だけでなく温度制御部２３も発熱するが、この温度制御部２３の発熱によって温度勾配の変動が生じるのを抑制することができる。

また、発振基板３の熱伝導率に対して、メイン基板２の熱伝導率が低いので、所定の温度に保たれた発振基板３からメイン基板２と外部端子２６を介して外部へ熱が伝わって逃げてしまうのを抑えることができる。その結果、周波数の安定化に重要な発振部３３が搭載された発振基板３は外部端子２６から外部影響を受け難く、特に外部周囲温度の影響を受け難く、水晶振動子４と発振部３３との温度差が生じるのを抑えることができ、周波数のさらなる高安定化に寄与する。また、メイン基板２の熱伝導率に対して、発振基板３の熱伝導率が高いので、ヒータ部２２の熱がメイン基板２から発振基板３へと伝わりやすく、水晶振動子４と発振部３３との温度差を無くすのに好適である。なお、アルミナセラミックスの熱伝導率は２０Ｗ／ｍｋであり、ガラスエポキシの熱伝導率は０．４Ｗ／ｍｋであり、ＬＴＣＣの熱伝導率は３Ｗ／ｍｋであり、テフロンの熱伝導率は０．２５Ｗ／ｍｋであり、本実施例に示すように、発振基板３の熱伝導率の数値は、メイン基板２の熱伝導率の数値に対して、少なくとも１桁以上の差となることが望まれる。

また、恒温槽５に水晶振動子の温度を測るセンサ７が設けられ、センサ７は温度制御部２３に接続されるので、水晶振動子４（水晶振動片）の温度をより正確な状態で一定に保つことができる。

また、恒温槽５はアルミニウムからなるので、熱伝導率が高く温度制御を行うことがし易い。さらに恒温槽５を軽くすることができるので、恒温槽５を支える当該水晶発振器１の本体筐体１３の部材を強化しなくてもよい。

また、メイン基板２に恒温槽５が熱伝導性樹脂６により接合されるとともに、発振基板３に恒温槽５が熱伝導性樹脂６により接合されるので、ヒータ部２２の熱を恒温槽５に伝えることが容易となるとともに、恒温槽５の熱が発振基板３に伝わり易くなる。その結果、本実施例は、恒温槽５に覆われた水晶振動子４と発振基板３に設けられた発振部３３との温度差を無くすのに好適な形態となる。特に、メイン基板２と恒温槽５、および発振基板３と恒温槽５の互いの接触する部分においてその接触部分全体で熱伝導性樹脂６により接合することで、より均一な状態で熱が伝わり、発振部３３との温度差を無くすのにより好ましい。なお、本実施例に示すように発振基板３と恒温槽５とが接触部分全面において接合されるのがより好適である。

なお、本実施例では、メイン基板２の一主面２１にヒータ部２２と温度制御部２３とを設けているが、これに限定されるものではなく、メイン基板２の一主面２１にヒータ部２２を設け、メイン基板２の他主面２７に温度制御部２３を設けてもよい。この時、互いに対向させる位置にヒータ部２２と温度制御部２３とが配されることが、より好ましい。

また、本実施例では、発振基板３の一主面３１に発振部３３を設けているが、これに限定されるものではなく、発振基板３の他主面３２に発振部３３を設けてもよい。

また、本実施例では、加熱に関係する部材としてヒータ部を用いているが、さらに冷却に関する部材としてペルチェ素子などの冷却要素を別途設けてもよい。

また、本実施例では、水晶振動子４やセンサ７やトランジスタ２５などの他の電子部品素子としてリード端子を設けたものとしているが、これに限定されるものではなく、面実装型の電子部品素子であってもよい。また、当該圧電発振器自体を面実装型のものとしてもよい。

また、本実施例では、ヒータ部２２として膜抵抗体を用いているが、これに限定されるものではなく、チップ抵抗を用いてもよい。この時、トランジスタ２５の構造として、単体トランジスタのみで回路構成してもよく、ダーリントン接続のトランジスタでも構成してもよい。

また、本実施例では、図１，２に示すように、メイン基板２の一主面２１にヒータ部２２と温度制御部２３と外部端子２６とが設けられているので、メイン基板２の他主面２７における回路設計の変更が容易となる。しかしながら、本実施例はこれに限定されるものではなく、図４に示すように、メイン基板２の一主面２１に外部端子２６が設けられ、他主面２７にヒータ部２２と温度制御部２３とが設けられてもよい。この場合、発振基板３の一主面３１における回路設計の変更が容易となる。

なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。

本発明は、発振回路を構成する発振部と圧電振動子とを設けた恒温槽付圧電発振器に好適である。

図１は、本実施例にかかる水晶発振器の内部を公開した概略断面図である。 図２は、本実施例にかかる水晶発振器の概略回路図である。 図３は、本実施例にかかる水晶発振器の本体筐体内部の二つの基板と恒温槽との関係を示した概略斜視図である。 図４は、本実施例の他の例にかかる水晶発振器の本体筐体内部の二つの基板と恒温槽との関係を示した概略斜視図である。

符号の説明

１ 水晶発振器
１１ ベース
１２ 蓋
１３ 本体筐体
２ メイン基板
２１ 一主面
２２ ヒータ部
２３ 温度制御部
２４ 抵抗
２５ トランジスタ
２６ 外部端子
２７ 他主面
３ 発振基板
３１ 一主面
３２ 他主面
３３ 発振部
４ 水晶振動子
４１ 蓋
４２ ベース
４３ リード端子
５ 恒温槽
５１ 恒温ベース
５２ 恒温蓋
５３ 開口端
５４ 底面部
５５ 貫通孔
５６ 挿通孔
６ 熱伝導性樹脂
７ センサ
８ リード線

Claims (8)

1. 圧電発振器において、
   一方の基板と他方の基板とからなる二つの基板と、圧電振動子とが設けられ、
   前記一方の基板は、前記圧電振動子の温度制御を行う温度制御回路を構成する温度制御部と、外部と電気的に接続され外部入出力回路を構成する外部端子とが設けられたメイン基板であり、
   前記他方の基板は、前記圧電振動子を発振子とした圧電発振回路を構成する発振部が設けられた発振基板であり、
   前記圧電振動子は、当該圧電振動子の温度を所定温度に保つための恒温槽によって覆われたことを特徴とする圧電発振器。
2. 請求項１に記載の圧電発振器において、
   前記二つの基板が、前記圧電振動子を間に配した状態で対向して設けられたことを特徴とする圧電発振器。
3. 請求項１または２に記載の圧電発振器において、
   前記メイン基板には、前記圧電振動子を加熱するヒータ部が設けられたことを特徴とする圧電発振器。
4. 請求項３に記載の圧電発振器において、
   前記ヒータ部は、少なくとも抵抗とトランジスタとから構成され、
   前記メイン基板上において前記抵抗と前記トランジスタとが近接して配されたことを特徴とする圧電発振器。
5. 請求項１乃至４のうちいずれか１つに記載の圧電発振器において、
   前記発振基板の熱伝導率に対して、前記メイン基板の熱伝導率が低いことを特徴とする圧電発振器。
6. 請求項１乃至５のうちいずれか１つに記載の圧電発振器において、
   前記恒温槽には、前記圧電振動片の温度を測るセンサが設けられ、前記センサは前記温度制御部に接続されたことを特徴とする圧電発振器。
7. 請求項１乃至６のうちいずれか１つに記載の圧電発振器において、
   前記恒温槽は、アルミニウムからなることを特徴とする圧電発振器。
8. 請求項１乃至７のうちいずれか１つに記載の圧電発振器において、
   前記メイン基板に前記恒温槽が熱伝導性樹脂により接合されるとともに、前記発振基板に前記恒温槽が熱伝導性樹脂により接合されたことを特徴とする圧電発振器。

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