JP2010093236A - 半導体レーザ装置、光装置および表示装置 - Google Patents

半導体レーザ装置、光装置および表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】サージ電流によって発振波長の長い半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、青色半導体レーザ素子１０と、緑色半導体レーザ素子２０と、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０よりも発振波長の長い赤色半導体レーザ素子３０とを備え、青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０が単一のパッケージ４内に配置され、かつ、赤色半導体レーザ素子３０は、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０と電気的に接続されていない。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体レーザ装置、光装置および表示装置に関し、特に、第１半導体レーザ素子と、第２半導体レーザ素子と、第３半導体レーザ素子とを備える半導体レーザ装置、それを備える光装置および表示装置に関する。
従来、第１半導体レーザ素子と、第２半導体レーザ素子と、第３半導体レーザ素子とを備える半導体レーザ装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
図２２は、従来の半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。図２３は、図２２に示した従来の半導体レーザ装置の電気的な接続状態を示した模式図である。図２２および図２３を参照して、上記特許文献１に記載の従来の半導体レーザ装置７００では、約４００ｎｍの発振波長を有する青色光を出射可能な青色半導体レーザ素子７１０（第１半導体レーザ素子）の表面上に、約５２０ｎｍの発振波長を有する緑色光を出射可能な緑色半導体レーザ素子７２０（第２半導体レーザ素子）と、約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色光を出射可能な赤色半導体レーザ素子７３０（第３半導体レーザ素子）とからなるモノリシック半導体レーザ素子７９０が設置されている。また、青色半導体レーザ素子７１０は、基板７１１の表面上に、ｎ型クラッド層７１２、活性層７１３およびｐ型クラッド層７１４がこの順番で積層された構造を有している。また、緑色半導体レーザ素子７２０は、基板７９１のＹ１方向側の表面上に、ｎ型クラッド層７２２、活性層７２３およびｐ型クラッド層７２４がこの順番で積層された構造を有している。また、赤色半導体レーザ素子７３０は、基板７９１のＹ２方向側の表面上に、ｎ型クラッド層７３２、活性層７３３およびｐ型クラッド層７３４がこの順番で積層された構造を有している。また、ｐ型クラッド層７１４、７２４および７３４の平坦部とリッジの側面とを覆うように、電流ブロック層７１５、７２５および７３５がそれぞれ形成されている。また、ｐ型クラッド層７１４、７２４および７３４のリッジと電流ブロック層７１５、７２５および７３５との表面上には、それぞれ、ｐ側電極７１６、７２６および７３６が形成されている。また、緑色半導体レーザ素子７２０のｐ側電極７２６側は、融着層７９２を介して、青色半導体レーザ素子７１０のＹ１方向側の上面上に接着されている。また、赤色半導体レーザ素子７３０のｐ側電極７３６側は、融着層７９３を介して、青色半導体レーザ素子７１０のＹ２方向側の上面上に接着されている。また、基板７９１の表面上には、ｎ側電極７９４が形成されている。
また、基板７１１のＹ２方向側の表面上には、金属層７９５が形成されている。この金属層７９５は、青色半導体レーザ素子７１０のｎ側電極であるとともに、融着層７９３を介して、赤色半導体レーザ素子７３０のｐ側電極７３６と電気的に接続されている。つまり、青色半導体レーザ素子７１０のｎ側電極（金属層７９５）と赤色半導体レーザ素子のｐ側電極７３６とは、後述するワイヤ７０７ｃを介して、後述するリード端子７０６ｃを共用して電気を供給するように構成されている。
また、基板７１１のＹ１方向側の表面上には、絶縁体層７９６が形成されている。この絶縁体層７９６の表面上には、金属層７９７が形成されている。この金属層７９７は、融着層７９２を介して、緑色半導体レーザ素子７２０のｐ側電極７２６と電気的に接続されている。また、青色半導体レーザ素子７１０のｐ側電極７１６側は、融着層７９８を介して、導電性パッケージ７０４の一部である支持基体７０４ａに接着されている。
また、支持基体７０４ａは、ステム（支持体）７０４ｂに一体的に固定されている。また、ステム（支持体）７０４ｂには、絶縁リング５を介して、Ｙ１方向側から順にリード端子７０６ａ、７０６ｂおよび７０６ｃが取り付けられている。また、リード端子７０６ａ、７０６ｂおよび７０６ｃには、それぞれ、ワイヤ７０７ａ、７０７ｂおよび７０７ｃの一方端が接続されている。また、ワイヤ７０７ａ、７０７ｂおよび７０７ｃの他方端は、それぞれ、金属層７９７、ｎ側電極７９４および金属層７９５に接続されている。また、ステム（支持体）７０４ｂには、端子７０６ｇが電気的に接続されている。
これにより、特許文献１に記載の従来の半導体レーザ装置７００では、図２３に示すように、赤色半導体レーザ素子７３０は、ｐ側電極７３６（図２２参照）側において、青色半導体レーザ素子７１０のｎ側電極（金属層７９５）と電気的に接続されているとともに、ｎ側電極７９４側において、緑色半導体レーザ素子のｎ側電極７９４と電気的に接続される（同一の電極を共用する）ように構成されている。
特開２００１−２３０５０２号公報
しかしながら、上記特許文献１に開示された半導体レーザ装置７００では、発振波長の短い青色半導体レーザ素子７１０および緑色半導体レーザ素子７２０が、発振波長の長い赤色半導体レーザ素子７３０と電気的に切り離されていない。ここで、発振波長の長い赤色半導体レーザ素子７３０は、発振波長の短い青色半導体レーザ素子７１０および緑色半導体レーザ素子７２０と比べて、バンドギャップが小さい材料からなるために素子抵抗が小さく、赤色光を発振する活性層７３３に電流が流れやすい。このため、駆動電圧の高い青色半導体レーザ素子７１０および緑色半導体レーザ素子７２０を駆動させる際に発生するサージ電流が流入することによって、赤色半導体レーザ素子７３０が劣化しやすくなるという課題がある。なお、上記特許文献１の第３実施形態による半導体レーザ装置では、発振波長の短い半導体レーザ素子が他の半導体レーザ素子に対して絶縁されている例が示されているが、上記課題は解消されていない。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、サージ電流によって発振波長の長い半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することが可能な半導体レーザ装置、それを備える光装置および表示装置を提供することである。
課題を解決するための手段および発明の効果
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、第１半導体レーザ素子と、第２半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子よりも発振波長の長い第３半導体レーザ素子とを備え、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子が単一のパッケージ内に配置され、かつ、第３半導体レーザ素子は、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子と電気的に接続されていない。
この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子よりも発振波長の長い第３半導体レーザ素子を、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子と電気的に接続しないようにすることによって、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子よりもバンドギャップが小さい材料からなるため、素子抵抗が小さく発光層に電流が流れやすい第３半導体レーザ素子を電気的に切り離すことができるので、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を駆動させる際に発生するサージ電流によって、発振波長の長い第３半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子は、青色半導体レーザ素子であり、第２半導体レーザ素子は、緑色半導体レーザ素子であり、第３半導体レーザ素子は、赤色半導体レーザ素子である。このように構成すれば、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置において、バンドギャップが小さい材料からなるため、素子抵抗が小さく発光層に電流が流れやすい赤色半導体レーザ素子を電気的に切り離すことができるので、駆動電圧の高い青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を駆動させる際に発生するサージ電流によって、赤色半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子のうちの少なくとも１つと第３半導体レーザ素子とは、略同時に発振するか、または時系列的に周期的に発振するように構成されている。なお、「略同時に発振する」とは、一方の半導体レーザ素子が発振している間に、他の半導体レーザ素子が発振していればよく、必ずしも第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子のうちの少なくとも１つと第３半導体レーザ素子との発振の開始が一致している必要はない。このように第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子のうちの少なくとも１つと第３半導体レーザ素子とを略同時に発振するまたは時系列的に周期的に発振する場合には、第１半導体レーザ素子または第２半導体レーザ素子において発生したサージ電流が、抵抗の小さい部分を介して外部へ放出される。すなわち、バンドギャップが小さいために素子抵抗が小さい第３半導体レーザ素子にサージ電流が流れ込みやすい。これに対して、本発明では、第３半導体レーザ素子を第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子と電気的に接続しないように構成することによって、動作状態の第３半導体レーザ素子がサージ電流により劣化するのを有効に抑制することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、パッケージは、導電性であり、第３半導体レーザ素子は、少なくとも一方電極を含み、第３半導体レーザ素子の一方電極は、パッケージと電気的に接続されている。このように構成すれば、静電気などにより発生するサージ電流が導電性のパッケージにおいて一時的に蓄積されることによって、サージ電流が第３半導体レーザ素子に急激に流れ込むのを抑制することができる。これにより、第３半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子は、それぞれ、少なくとも一方電極を含み、第１半導体レーザ素子の一方電極と第２半導体レーザ素子の一方電極とは、互いに電気的に接続されている。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子の一方電極と第２半導体レーザ素子の一方電極とに対して、共通の端子およびワイヤを使用することができるので、端子およびワイヤの数を減少させることができる。また、ワイヤの本数が少なくて済むので、ワイヤ配線を簡略化することができる。
この発明の第２の局面による光装置は、単一の導電性のパッケージ内に収められた半導体レーザ装置と、複数の電力供給端子を有する第１電源と、第２電源と、第３電源とを備え、半導体レーザ装置は、一方電極および他方電極を含む第１半導体レーザ素子と、一方電極および他方電極を含む第２半導体レーザ素子と、少なくとも一方電極を含み、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子よりも発振波長の長い第３半導体レーザ素子とを含み、第３半導体レーザ素子の一方電極は、パッケージと電気的に直接接続されるとともに、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の一方電極および他方電極はパッケージと電気的に直接接続されず、第１電源により、第３半導体レーザ素子が駆動され、第１電源により、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の一方電極に正の電位または負の電位のいずれか一方の電位が与えられるとともに、第２電源および第３電源により、それぞれ、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の他方電極に正の電位または負の電位のいずれか他方の電位が与えられることによって、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子が駆動されるように構成されている。
この発明の第２の局面による光装置では、上記のように、第３半導体レーザ素子の一方電極を導電性のパッケージと電気的に直接接続し、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の一方電極および他方電極をパッケージと電気的に直接接続しないことによって、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子よりもバンドギャップが小さい材料からなるため、素子抵抗が小さく発光層に電流が流れやすい第３半導体レーザ素子を電気的に切り離すことができるので、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を駆動させる際に発生するサージ電流によって、発振波長の長い第３半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することができる。また、静電気などにより発生するサージ電流が導電性のパッケージにおいて一時的に蓄積されることによって、サージ電流が第３半導体レーザ素子に急激に流れ込むのを抑制することができる。これにより、第３半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することができる。
また、上記第２の局面による光装置では、第１電源により、第３半導体レーザ素子を駆動するとともに、第１電源により、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の一方電極に正の電位または負の電位のいずれか一方の電位を与え、第２電源および第３電源により、それぞれ、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の他方電極に正の電位または負の電位のいずれか他方の電位を与えることにより、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を駆動することによって、発振波長が長く、駆動電圧が小さい第３半導体レーザ素子に用いる第１電源と、第１電源と逆極性の電位を与える第２電源および第３電源とを用いて、駆動電圧が大きい第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を駆動させることができる。
上記第２の局面による光装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子は、青色半導体レーザ素子であり、第２半導体レーザ素子は、緑色半導体レーザ素子であり、第３半導体レーザ素子は、赤色半導体レーザ素子である。このように構成すれば、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を備える光装置において、バンドギャップが小さい材料からなるため、素子抵抗が小さく発光層に電流が流れやすい赤色半導体レーザ素子を電気的に切り離すことができるので、駆動電圧の高い青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を駆動させる際に発生するサージ電流によって、赤色半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することができる。
この発明の第３の局面による表示装置は、第１半導体レーザ素子と、第２半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子よりも発振波長の長い第３半導体レーザ素子とを含み、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子が単一のパッケージ内に配置され、かつ、第３半導体レーザ素子は、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子と電気的に接続されていない半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置からの光の変調を行う変調手段とを備える。
この発明の第３の局面による表示装置では、上記のように、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子よりも発振波長の長い第３半導体レーザ素子を、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子と電気的に接続しないようにすることによって、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子よりもバンドギャップが小さい材料からなるため、素子抵抗が小さく発光層に電流が流れやすい第３半導体レーザ素子を電気的に切り離すことができるので、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を駆動させる際に発生するサージ電流によって、発振波長の長い第３半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することができる半導体レーザ装置を用いて、変調手段により光を変調させて所望の画像を表示させることができる。
上記第３の局面による表示装置において、好ましくは、複数の電力供給端子を有する第１電源と、第２電源と、第３電源とをさらに備え、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子は、それぞれ、一方電極および他方電極を含み、第３半導体レーザ素子は、少なくとも一方電極を含み、パッケージは、導電性であり、第３半導体レーザ素子の一方電極は、パッケージと電気的に直接接続されるとともに、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の一方電極および他方電極はパッケージと電気的に直接接続されず、第１電源により、第３半導体レーザ素子が駆動され、第１電源により、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の一方電極に正の電位または負の電位のいずれか一方の電位が与えられるとともに、第２電源および第３電源により、それぞれ、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の他方電極に正の電位または負の電位のいずれか他方の電位が与えられることによって、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子が駆動されるように構成されている。このように構成すれば、静電気などにより発生するサージ電流が導電性のパッケージにおいて一時的に蓄積されることによって、サージ電流が第３半導体レーザ素子に急激に流れ込むのを抑制することができる。これにより、第３半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することができる。また、第１電源により、第３半導体レーザ素子を駆動するとともに、第１電源により、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の一方電極に正の電位または負の電位のいずれか一方の電位を与え、第２電源および第３電源により、それぞれ、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の他方電極に正の電位または負の電位のいずれか他方の電位を与えることにより、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を駆動することによって、発振波長が長く、駆動電圧が小さい第３半導体レーザ素子に用いる第１電源と、第１電源と逆極性の電位を与える第２電源および第３電源とを用いて、駆動電圧が大きい第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を駆動させることができる。
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。 図１の１０００−１０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。 図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の電気的な接続状態を示した模式図である。 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。 図４の２０００−２０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。 図４に示した第２実施形態による半導体レーザ装置の電気的な接続状態を示した模式図である。 本発明の第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。 図７の３０００−３０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。 図７に示した第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置の電気的な接続状態を示した模式図である。 図７に示した第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置を備える光装置の電気的な接続状態を示した模式図である。 図１０に示した第２実施形態の第１変形例による光装置を備え、レーザ素子が時系列的に周期的に点灯されるプロジェクタ装置を示した模式図である。 図１１に示した第２実施形態の第１変形例による制御部が時系列的に信号を発信する状態を示したタイミングチャートである。 図１０に示した第２実施形態の第１変形例による光装置を備え、レーザ素子が略同時に点灯されるプロジェクタ装置を示した模式図である。 本発明の第２実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。 図１４の４０００−４０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。 図１６の５０００−５０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。 図１６に示した第３実施形態による半導体レーザ装置の電気的な接続状態を示した模式図である。 本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。 図１９の６０００−６０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。 図１９に示した第４実施形態による半導体レーザ装置の電気的な接続状態を示した模式図である。 従来の半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。 図２２に示した従来の半導体レーザ装置の電気的な接続状態を示した模式図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００の構造について説明する。
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００では、図１および図２に示すように、約４４０ｎｍの発振波長を有する青色半導体レーザ素子１０と、約５２０ｎｍの発振波長を有する緑色半導体レーザ素子２０と、約６４０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子３０とが、絶縁性を有する１つの副基板１の表面上に所定の間隔を隔てて接着されている。これにより、半導体レーザ装置１００は、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を構成している。なお、青色半導体レーザ素子１０は、約４３５ｎｍ〜約４８５ｎｍの範囲の発振波長を有するように構成してもよい。また、緑色半導体レーザ素子２０は、約５００ｎｍ〜約５６５ｎｍの範囲の発振波長を有するように構成してもよい。また、赤色半導体レーザ素子３０は、約６１０ｎｍ〜約７５０ｎｍの範囲の発振波長を有するように構成してもよい。また、赤色半導体レーザ素子３０の駆動電圧は、青色半導体レーザ素子１０の駆動電圧および緑色半導体レーザ素子２０の駆動電圧よりも小さい。なお、青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０は、それぞれ、本発明の「第１半導体レーザ素子」、「第２半導体レーザ素子」および「第３半導体レーザ素子」の一例である。
また、半導体レーザ装置１００は、ディスプレイ用の光源として使用することが可能なように構成されている。すなわち、半導体レーザ装置１００は、ディスプレイ用の光源として使用可能なように、青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０が、実質的に同時に発振するか、または時系列的にそれぞれ周期的に発振するように構成されている。これによって、半導体レーザ装置１００を、白色などの複数色を表示可能なディスプレイ用の光源として用いることが可能となるように構成されている。
また、青色半導体レーザ素子１０は、副基板１のＹ１方向側の端部近傍に接着されているとともに、赤色半導体レーザ素子３０は、副基板１のＹ２方向側の端部近傍に接着されている。すなわち、青色半導体レーザ素子１０および赤色半導体レーザ素子３０は、それぞれ、後述するパッケージ４の端部近傍に接着されている。そして、緑色半導体レーザ素子２０は、青色半導体レーザ素子１０および赤色半導体レーザ素子３０の間で、副基板１のＹ方向の中央近傍に接着されている。
また、図２に示すように、副基板１は、熱伝導性のよいセラミックなどからなるとともに、Ａｕを含む導電層２およびＡｕＳｎを含む半田からなる導電性の融着層３を介して、導電性を有する支持基体４ａに接着されている。この支持基体４ａは、熱伝導性が良好なＣｕまたはＦｅからなり、表面にはＡｕメッキが施されている。また、支持基体４ａは、導電性を有するステム（支持体）４ｂに一体的に固定されている。なお、導電性を有する支持基体４ａとステム（支持体）４ｂとはパッケージ４の構成要素である。これにより、青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０は、単一のパッケージ４内に配置されている。また、パッケージ４は、接地されている。
また、図１に示すように、ステム（支持体）４ｂには、絶縁リング５を介して、Ｙ１方向側から順にリード端子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅおよび６ｆが取り付けられている。また、絶縁リング５によって、リード端子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅおよび６ｆは、互いに電気的に切り離されているとともに、ステム（支持体）４ｂと電気的に切り離されている。また、リード端子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅおよび６ｆには、それぞれ、Ａｕからなる導電性のワイヤ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅおよび７ｆの一方端が接続されている。
また、図２に示すように、副基板１の青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０が接着される側の表面上には、Ｙ１方向側から順にＡｕを含む金属層８ａ、８ｂおよび８ｃが形成されている。この金属層８ａ、８ｂおよび８ｃは、それぞれ、互いに接触しないように構成されている。これにより、金属層８ａ、８ｂおよび８ｃは、互いに電気的に接続されていない。
また、金属層８ａ、８ｂおよび８ｃの表面上には、それぞれ、導電性を有するとともに、熱伝導性が良好なＡｕＳｎを含む半田からなる融着層９ａ、９ｂおよび９ｃが形成されている。この融着層９ａ、９ｂおよび９ｃは、それぞれ、青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０を副基板１上に接着するために設けられている。これにより、金属層８ａは、融着層９ａを介して、青色半導体レーザ素子１０の後述するｐ側電極１６と電気的に接続されている。また、金属層８ｂは、融着層９ｂを介して、緑色半導体レーザ素子２０の後述するｐ側電極２６と電気的に接続されている。また、金属層８ｃは、融着層９ｃを介して、赤色半導体レーザ素子３０の後述するｐ側電極３６と電気的に接続されている。また、融着層９ａ、９ｂおよび９ｃは、互いに電気的に接続されていない。
また、図１に示すように、金属層８ａ、８ｂおよび８ｃには、それぞれ、ワイヤ７ａ、７ｄおよび７ｆの他方端が接続されている。これにより、金属層８ａは、ワイヤ７ａを介して、リード端子６ａと電気的に接続されている。また、金属層８ｂは、ワイヤ７ｄを介して、リード端子６ｄと電気的に接続されている。また、金属層８ｃは、ワイヤ７ｆを介して、リード端子６ｆと電気的に接続されている。
また、図２に示すように、青色半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１１の表面上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＮからなるｎ型クラッド層１２、ＩｎＧａＮからなる活性層１３およびｐ型ＡｌＧａＩｎＮからなるｐ型クラッド層１４がこの順番で積層された構造を有している。また、緑色半導体レーザ素子２０は、ｎ型ＩｎＧａＮ基板２１の表面上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＮからなるｎ型クラッド層２２、ＩｎＧａＮからなる活性層２３およびｐ型ＡｌＧａＩｎＮからなるｐ型クラッド層２４がこの順番で積層された構造を有している。また、赤色半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の表面上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層３２、ＡｌＧａＩｎＰからなる活性層３３およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層３４がこの順番で積層された構造を有している。また、活性層１３、２３および３３は、単層構造、２層の障壁層（図示せず）と１層の井戸層（図示せず）とが交互に積層された単一量子井戸（ＳＱＷ）構造、障壁層（図示せず）と井戸層（図示せず）とが交互に複数積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造などのいずれの構造により構成されてもよい。
また、ｐ型クラッド層１４、２４および３４は、それぞれ、素子の略中央部に形成されたリッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａと、リッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａの両側（Ｙ方向）に延びる平坦部とを有している。また、図１に示すように、リッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａは、それぞれ、共振器方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。すなわち、青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０は、リッジ導波型のレーザ素子構造を有するように構成されている。
また、図２に示すように、ｐ型クラッド層１４、２４および３４の平坦部とリッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａの側面とを覆うように、ＳｉＯ２からなる電流ブロック層１５、２５および３５がそれぞれ形成されている。また、リッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａと電流ブロック層１５、２５および３５との表面上には、それぞれ、Ａｕなどからなるｐ側電極１６、２６および３６が別個に形成されている。なお、リッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａを構成するｐ型クラッド層１４、２４および３４の上部に、それぞれ、ｐ側電極１６、２６および３６とのコンタクト特性を向上させるためのｐ側コンタクト層を設けてもよい。また、ｎ型ＧａＮ基板１１の表面上には、Ａｕを含むｎ側電極１７が形成されている。また、ｎ型ＩｎＧａＮ基板２１の表面上には、Ａｕを含むｎ側電極２７が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の表面上には、Ａｕを含むｎ側電極３７が形成されている。すなわち、ｎ側電極１７、２７および３７は、それぞれ別個に形成されている。なお、ｐ側電極１６、２６および３６と、ｎ側電極１７、２７および３７とは、それぞれ、本発明の「一方電極」、または、「他方電極」の一例である。
ここで、第１実施形態では、図１に示すように、青色半導体レーザ素子１０のｎ側電極１７は、ワイヤ７ｂを介して、リード端子６ｂと電気的に接続されている。この際、ワイヤ７ｂおよびリード端子６ｂは、他のワイヤ（ワイヤ７ａ、７ｃ、７ｄ、７ｅおよび７ｆ）および他のリード端子（リード端子６ａ、６ｃ、６ｄ、６ｅおよび６ｆ）と電気的に切り離されている。また、緑色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２７は、ワイヤ７ｃを介して、リード端子６ｃと電気的に接続されている。この際、ワイヤ７ｃおよびリード端子６ｃは、他のワイヤ（ワイヤ７ａ、７ｂ、７ｄ、７ｅおよび７ｆ）および他のリード端子（リード端子６ａ、６ｂ、６ｄ、６ｅおよび６ｆ）と電気的に切り離されている。また、赤色半導体レーザ素子３０のｎ側電極３７は、ワイヤ７ｅを介して、リード端子６ｅと電気的に接続されている。この際、ワイヤ７ｅおよびリード端子６ｅは、他のワイヤ（ワイヤ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄおよび７ｆ）および他のリード端子（リード端子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄおよび６ｆ）と電気的に切り離されている。これにより、青色半導体レーザ素子１０のｎ側電極１７と、緑色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２７と、赤色半導体レーザ素子３０のｎ側電極３７とは、それぞれ、電気的に接続されていない。
また、第１実施形態では、図２に示すように、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６は、融着層９ａ、金属層８ａおよびワイヤ７ａ（図１参照）を介して、リード端子６ａと電気的に接続されている。この際、融着層９ａ、金属層８ａ、ワイヤ７ａおよびリード端子６ａは、他の融着層（融着層９ｂおよび９ｃ）、他の金属層（金属層８ｂおよび８ｃ）、他のワイヤ（ワイヤ７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅおよび７ｆ）および他のリード端子（リード端子６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅおよび６ｆ）と電気的に切り離されている。また、緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６は、融着層９ｂ、金属層８ｂおよびワイヤ７ｄを介して、リード端子６ｄと電気的に接続されている。この際、融着層９ｂ、金属層８ｂ、ワイヤ７ｄおよびリード端子６ｄは、他の融着層（融着層９ａおよび９ｃ）、他の金属層（金属層８ａおよび８ｃ）、他のワイヤ（ワイヤ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｅおよび７ｆ）および他のリード端子（リード端子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｅおよび６ｆ）と電気的に切り離されている。また、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６は、融着層９ｃ、金属層８ｃおよびワイヤ７ｆ（図１参照）を介して、リード端子６ｆと電気的に接続されている。この際、融着層９ｃ、金属層８ｃ、ワイヤ７ｆおよびリード端子６ｆは、他の融着層（融着層９ａおよび９ｂ）、他の金属層（金属層８ａおよび８ｂ）、他のワイヤ（ワイヤ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄおよび７ｅ）および他のリード端子（リード端子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄおよび６ｅ）と電気的に切り離されている。これにより、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と、緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６と、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６とは、それぞれ、電気的に接続されていない。この結果、図３に示すように、青色半導体レーザ素子１０と、緑色半導体レーザ素子２０と、赤色半導体レーザ素子３０とは、それぞれ、電気的に接続されていない。
第１実施形態では、上記のように、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０よりも発振波長の長い赤色半導体レーザ素子３０を、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０と電気的に切り離すことによって、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置において、バンドギャップが小さい材料からなるため、素子抵抗が小さく活性層３３に電流が流れやすい赤色半導体レーザ素子３０を電気的に切り離すことができるので、駆動電圧の高い青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０を駆動させる際に発生するサージ電流によって、発振波長の長い赤色半導体レーザ素子３０が劣化するのを抑制することができる。
また、第１実施形態では、ｐ側電極１６、２６および３６をそれぞれ別個に形成するとともに、ｎ側電極１７、２７および３７をそれぞれ別個に形成することによって、より容易に、赤色半導体レーザ素子３０を、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０と電気的に切り離すことができるので、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０からのサージ電流が赤色半導体レーザ素子３０に流入するのを抑制することができる。また、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０が劣化するのも抑制することができる。
また、第１実施形態では、青色半導体レーザ素子１０と、緑色半導体レーザ素子２０と、赤色半導体レーザ素子３０とを、絶縁性を有する１つの副基板１の表面上に所定の間隔を隔てて接着することによって、絶縁性を有する副基板１により、容易に、赤色半導体レーザ素子３０を、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０と電気的に切り離すことができるので、発振波長の長い赤色半導体レーザ素子３０が劣化するのをより抑制することができる。
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子３０を、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０と電気的に切り離すことによって、ディスプレイ用途などにおいて、青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０を、実質的に同時に発振するか、または時系列的に周期的に発振する場合においても、バンドギャップが大きい材料からなり、素子抵抗が大きく、駆動電圧が大きい青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０において発生したサージ電流が、バンドギャップが小さい材料からなり、素子抵抗が小さい赤色半導体レーザ素子３０に流れ込むのを防止することができるので、動作状態の赤色半導体レーザ素子３０がサージ電流により劣化するのを有効に抑制することができる。
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子３０をパッケージ４の端部近傍に接着することによって、赤色半導体レーザ素子３０がパッケージ４の中央近傍に配置されている場合と比べて、容易に、赤色半導体レーザ素子３０を青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０から電気的に切り離して配置することができる。
（第２実施形態）
次に、図１および図４〜図６を参照して第２実施形態について説明する。この第２実施形態による半導体レーザ装置２００では、上記第１実施形態と異なり、赤色半導体レーザ素子３０が、融着層９ｃ、金属層８ｃおよびワイヤ２０７ｆを介して、パッケージ４の支持基体４ａと電気的に接続されている場合について説明する。
本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置２００では、図４に示すように、接地されているパッケージ４の導電性を有するステム（支持体）４ｂには、Ｙ１方向側から順にリード端子２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ、２０６ｄおよび２０６ｅが取り付けられている。また、リード端子２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ、２０６ｄおよび２０６ｅには、それぞれ、導電性のワイヤ２０７ａ、２０７ｂ、２０７ｃ、２０７ｄおよび２０７ｅの一方端が接続されている。つまり、第２実施形態において、上記第１実施形態のリード端子６ｆ（図１参照）は取り付けられていない。
ここで、第２実施形態では、図５に示すように、ワイヤ２０７ｆの他方端は、金属層８ｃと接続されている。この金属層８ｃは、融着層９ｃを介して、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６と電気的に接続されている。そして、ワイヤ２０７ｆの一方端は、パッケージ４の導電性を有する支持基体４ａ上に接続されている。また、ステム（支持体）４ｂには、端子２０６ｇが電気的に接続されている。これによって、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６は、融着層９ｃ、金属層８ｃおよびワイヤ２０７ｆを介して、パッケージ４および端子２０６ｇと電気的に接続されている。この結果、パッケージ４は接地されていることによって、静電気などにより発生するサージ電流を、赤色半導体レーザ素子３０側に流すのを抑制しつつ半導体レーザ装置２００の外部に逃がすことができるので、赤色半導体レーザ素子３０が劣化するのをより抑制することが可能である。なお、ｐ側電極３６は、本発明の「一方電極」の一例である。
また、第２実施形態では、上記第１実施形態と同様に、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と、緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６とは、絶縁性を有する副基板１によって、支持基体４ａと電気的に切り離されている。これにより、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と、緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６と、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６とは、それぞれ、電気的に切り離されている。また、上記第１実施形態と同様に、青色半導体レーザ素子１０のｎ側電極１７と、緑色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２７と、赤色半導体レーザ素子３０のｎ側電極３７とは、それぞれ、電気的に切り離されている。この結果、図６に示すように、青色半導体レーザ素子１０と、緑色半導体レーザ素子２０と、赤色半導体レーザ素子３０とは、それぞれ、電気的に切り離されている。なお、第２実施形態のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
第２実施形態では、上記のように、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６を、導電性を有するパッケージ４と電気的に接続することによって、静電気などにより発生するサージ電流が導電性を有するパッケージ４において一時的に蓄積されることにより、サージ電流が赤色半導体レーザ素子３０に急激に流れ込むのを抑制することができる。これにより、赤色半導体レーザ素子３０が劣化するのを抑制することができる。
また、第２実施形態では、上記のように、パッケージ４を接地することによって、サージ電流を速やかに半導体レーザ装置２００の外部に逃がすことができるので、確実に、サージ電流が赤色半導体レーザ素子３０に急激に流れ込むのを抑制することができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
（第２実施形態の第１変形例）
次に、図７〜図１３を参照して第２実施形態の第１変形例について説明する。この第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置３００では、上記第２実施形態と異なり、導電性のワイヤ３０７ｅの他方端が金属層８ｃと接続されるとともに、導電性のワイヤ３０７ｆの一方端が、支持基体４ａの表面に接続される場合について説明する。また、この半導体レーザ装置３００を含む光装置３４０およびこの光装置３４０を備えるプロジェクタ装置３５０および３６０について説明する。なお、プロジェクタ装置３５０および３６０は、それぞれ、本発明の「表示装置」の一例である。
まず、図７〜図９を参照して、第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置３００について説明する。
本発明の第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置３００では、図７に示すように、リード端子２０６ｅには、導電性のワイヤ３０７ｅの一方端が接続されている。また、ワイヤ３０７ｅの他方端は、図８に示すように、融着層９ｃを介して、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６と電気的に接続している金属層８ｃと接続されている。
また、図８に示すように、ワイヤ３０７ｆの一方端は、パッケージ４の導電性を有する支持基体４ａの表面に接続されており、ワイヤ３０７ｆの他方端は、ｎ側電極３７に接続されている。これによって、赤色半導体レーザ素子３０のｎ側電極３７は、融着層９ｃ、金属層８ｃおよびワイヤ３０７ｆを介して、パッケージ４およびリード端子２０６ｇと電気的に接続されている。この結果、パッケージ４は接地されていることによって、静電気などにより発生するサージ電流を、赤色半導体レーザ素子３０側に流すのを抑制しつつ半導体レーザ装置３００の外部に逃がすことができるので、赤色半導体レーザ素子３０が劣化するのをより抑制することが可能である。なお、ｎ側電極３７は、本発明の「一方電極」の一例である。
また、第２実施形態の第１変形例では、上記第２実施形態と同様に、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と、緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６とは、絶縁性を有する副基板１によって、支持基体４ａと電気的に切り離されている。これにより、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と、緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６と、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６とは、それぞれ、電気的に切り離されている。また、青色半導体レーザ素子１０のｎ側電極１７と、緑色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２７と、赤色半導体レーザ素子３０のｎ側電極３７とは、それぞれ、電気的に接続されていない。この結果、図９に示すように、青色半導体レーザ素子１０と、緑色半導体レーザ素子２０と、赤色半導体レーザ素子３０とは、それぞれ、電気的に切り離されている。なお、第２実施形態の第１変形例のその他の構造は、上記第２実施形態と同様である。
次に、図８および図１０を参照して、半導体レーザ装置３００を備える光装置３４０について説明する。
本発明の第２実施形態の第１変形例による光装置３４０には、図１０に示すように、半導体レーザ装置３００と、パルス電圧および定常的な電圧を供給することが可能な駆動集積回路（ＩＣ）３４１と、直流電源３４２および３４３が設けられている。なお、駆動ＩＣ３４１は、本発明の「第１電源」の一例である。また、直流電源３４２および３４３は、それぞれ、本発明の「第２電源」および「第３電源」の一例である。
また、半導体レーザ装置３００の青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６（図８参照）は、ワイヤ２０７ａを介して、リード端子２０６ａと電気的に接続されており、ｎ側電極１７（図８参照）は、ワイヤ２０７ｂを介して、リード端子２０６ｂと電気的に接続されている。また、半導体レーザ装置３００の緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６（図８参照）は、ワイヤ２０７ｄを介して、リード端子２０６ｄと電気的に接続されており、ｎ側電極２７（図８参照）は、ワイヤ２０７ｃを介して、リード端子２０６ｃと電気的に接続されている。すなわち、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０は、導電性のパッケージ４とは直接接続されていない。
また、半導体レーザ装置３００の赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６（図８参照）は、ワイヤ３０７ｅを介して、リード端子２０６ｅと電気的に接続されており、ｎ側電極３７（図８参照）は、ワイヤ３０７ｆを介して、パッケージ４およびリード端子２０６ｇと電気的に接続されている。なお、青色半導体レーザ素子１０と、緑色半導体レーザ素子２０と、赤色半導体レーザ素子３０とは、それぞれ、電気的に切り離されている。
また、第２実施形態の第１変形例では、駆動ＩＣ３４１は、それぞれ独立して約２Ｖ〜約３Ｖの電圧を半導体レーザ装置３００のリード端子に供給することが可能なチャンネル（電力供給端子）３４１ａ、３４１ｂおよび３４１ｃを有する。このチャンネル３４１ａの一方端子は、リード端子２０６ａと電気的に接続されている。また、チャンネル３４１ｂの一方端子は、リード端子２０６ｄと電気的に接続されている。また、チャンネル３４１ｃの一方端子は、リード端子２０６ｅと電気的に接続されている。また、チャンネル３４１ａ、３４１ｂおよび３４１ｃの他方端子は、それぞれ、接地されている。
これにより、半導体レーザ装置３００の赤色半導体レーザ素子３０には、駆動ＩＣ３４１によりリード端子２０６ｅに正の電位（約２Ｖ〜約３Ｖ）が印加されることによって、リード端子２０６ｅと接地されているリード端子２０６ｇとに電位差（約２Ｖ〜約３Ｖ）が生じる。これにより、赤色半導体レーザ素子３０に電流が流れることによって赤色半導体レーザ素子３０が駆動されるように構成されている。
また、直流電源３４２の負電極３４２ａ側は、リード端子２０６ｂと接続されており、正電極３４２ｂ側は、接地されているパッケージ４およびリード端子２０６ｇと電気的に接続されている。また、直流電源３４２は、リード端子２０６ｂに約−３Ｖの電位を印加するように構成されている。これにより、半導体レーザ装置３００の青色半導体レーザ素子１０には、駆動ＩＣ３４１によりリード端子２０６ａに正の電位（約２Ｖ〜約３Ｖ）が印加されるとともに、直流電源３４２によりリード端子２０６ｂに負の電位（約−３Ｖ）が印加されることによって、リード端子２０６ａとリード端子２０６ｂとに電位差（約５Ｖ〜約６Ｖ）が生じる。これにより、青色半導体レーザ素子１０に電流が流れることによって青色半導体レーザ素子１０が駆動されるように構成されている。
また、直流電源３４３の負電極３４３ａ側は、リード端子２０６ｃと接続されており、正電極３４３ｂ側は、接地されているパッケージ４およびリード端子２０６ｇと電気的に接続されている。また、直流電源３４３は、リード端子２０６ｃに約−２．５Ｖの電位を印加するように構成されている。これにより、半導体レーザ装置３００の緑色半導体レーザ素子２０には、駆動ＩＣ３４１によりリード端子２０６ｄに正の電位（約２Ｖ〜約３Ｖ）が印加されるとともに、直流電源３４２によりリード端子２０６ｃに負の電位（約−２．５Ｖ）が印加されることによって、リード端子２０６ｄとリード端子２０６ｃとに電位差（約４．５Ｖ〜約５．５Ｖ）が生じる。これにより、緑色半導体レーザ素子２０に電流が流れることによって緑色半導体レーザ素子２０が駆動されるように構成されている。
次に、図１０〜図１２を参照して、半導体レーザ装置３００を含む光装置３４０を備え、レーザ素子が時系列的に点灯されるプロジェクタ装置３５０について説明する。
本発明の第２実施形態の第１変形例によるプロジェクタ装置３５０には、図１１に示すように、半導体レーザ装置３００を含む光装置３４０と、複数の光学部品からなる光学系３５１と、光装置３４０および光学系３５１を制御する制御部３５２とが設けられている。これにより、半導体レーザ装置３００からの光が、光学系３５１により変調された後、スクリーン３５３などに投影されるように構成されている。なお、光学系３５１は、本発明の「変調手段」の一例である。
また、図１１に示すように、光学系３５１において、半導体レーザ装置３００から出射された光は、それぞれ、レンズ３５１ａにより平行光に変換された後、ライトパイプ３５１ｂに入射される。
ライトパイプ３５１ｂは内面が鏡面となっており、光は、ライトパイプ３５１ｂの内面で反射を繰り返しながらライトパイプ３５１ｂ内を進行する。この際、ライトパイプ３５１ｂ内での多重反射作用によって、ライトパイプ３５１ｂから出射される各色の光の強度分布が均一化される。また、ライトパイプ３５１ｂから出射された光は、リレー光学系３５１ｃを介してデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）素子３５１ｄに入射される。
ＤＭＤ素子３５１ｄは、マトリクス状に配置された微小なミラー群からなる。また、ＤＭＤ素子３５１ｄは、各画素位置の光の反射方向を、投写レンズ３５１ｅに向かう第１の方向Ａと投写レンズ３５１ｅから逸れる第２の方向Ｂとに切り替えることにより各画素の階調を表現（変調）する機能を有している。各画素位置に入射される光のうち第１の方向Ａに反射された光（ＯＮ光）は、投写レンズ３５１ｅに入射されて被投写面（スクリーン３５３）に投写される。また、ＤＭＤ素子３５１ｄによって第２の方向Ｂに反射された光（ＯＦＦ光）は、投写レンズ３５１ｅには入射されずに光吸収体３５１ｆによって吸収される。
また、プロジェクタ装置３５０では、制御部３５２によって光装置３４０の駆動ＩＣ３４１（図１０参照）がパルス電圧を半導体レーザ装置３００に供給するように制御されることによって、半導体レーザ装置３００の青色半導体レーザ素子１０（図１０参照）、緑色半導体レーザ素子２０（図１０参照）および赤色半導体レーザ素子３０（図１０参照）は、それぞれ、時系列的に分割されて１素子ずつ周期的に駆動されるように構成されている。また、制御部３５２によって、光学系３５１のＤＭＤ素子３５１ｄは、青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０の駆動とそれぞれ同期しながら、各画素の階調に合わせて光を変調するように構成されている。
具体的には、図１２に示すように、青色半導体レーザ素子１０（図１０参照）の駆動に関するＢ信号、緑色半導体レーザ素子２０（図１０参照）の駆動に関するＧ信号および赤色半導体レーザ素子３０（図１０参照）の駆動に関するＲ信号が、それぞれ互いに重ならないように発信されるように構成され、図１１に示す制御部３５２によって、駆動ＩＣ３４１に出力される。このＢ信号、Ｇ信号およびＲ信号に同期して、制御部３５２からＢ画像信号、Ｇ画像信号、Ｒ画像信号がそれぞれＤＭＤ素子３５１ｄに出力される。なお、この間、光装置３４０の直流電源３４２および３４３（図１０参照）は、それぞれ、駆動ＩＣ３４１と逆極性の電圧を定常的に供給している。
これにより、Ｂ信号に基づいて、青色半導体レーザ素子１０の青色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｂ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子３５１ｄにより青色光が変調される。また、Ｂ信号の次に出力されるＧ信号に基づいて、緑色半導体レーザ素子２０の緑色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｇ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子３５１ｄにより緑色光が変調される。さらに、Ｇ信号の次に出力されるＲ信号に基づいて、赤色半導体レーザ素子３０の赤色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｒ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子３５１ｄにより赤色光が変調される。その後、Ｒ信号の次に出力されるＢ信号に基づいて、青色半導体レーザ素子１０の青色光が発光されるとともに、このタイミングで、再度、Ｂ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子３５１ｄにより青色光が変調される。上記の動作が繰り返されることによって、Ｂ信号、Ｇ信号およびＲ信号に基づいたレーザ光照射による画像が、被投写面（スクリーン３５３）に投写されるように構成されている。
次に、図１０および図１３を参照して、半導体レーザ装置３００を含む光装置３４０を備え、レーザ素子が略同時に点灯されるプロジェクタ装置３６０について説明する。
本発明の第２実施形態の第１変形例によるプロジェクタ装置３６０には、図１３に示すように、半導体レーザ装置３００を含む光装置３６０と、複数の光学部品からなる光学系３６１と、光装置３４０および光学系３６１を制御する制御部３６２とが設けられている。これにより、半導体レーザ装置３００からの光が、光学系３６１により変調された後、スクリーン３６３などに投影されるように構成されている。なお、光学系３６１は、本発明の「変調手段」の一例である。
また、光学系３６１において、半導体レーザ装置３００から出射された光は、それぞれ、光整形部３６１ａにより整形された後、スキャンミラー３６１ｂに入射される。スキャンミラー３６１ｂは、２次元の画像を被投写面（スクリーン３６３）に投射するために、制御部３６２によって傾きが制御されるように構成されている。これにより、スキャンミラー３６１ｂにおいて所定の時間に所定の傾きで光を反射させることによって、時分割で光が被投写面に投射されるように光を変調しながら２次元的に走査するように構成されている。そして、スキャンミラー３６１ｂによって反射された光は、投写レンズ３６１ｃを介して、スクリーン３６３に投写される。
また、プロジェクタ装置３６０では、制御部３６２によって光装置３４０の駆動ＩＣ３４１（図１０参照）が定常的な電圧を半導体レーザ装置３００に供給するように制御されることによって、半導体レーザ装置３００の青色半導体レーザ素子１０（図１０参照）、緑色半導体レーザ素子２０（図１０参照）および赤色半導体レーザ素子３０（図１０参照）は、それぞれ、実質的に同時に発振されるように構成されている。また、制御部３６２によって半導体レーザ装置３００の青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０の各々の光の強度を制御することによって、スクリーン３６３に投写される画素の色相や輝度などが制御されるように構成されている。
また、制御部３６２によって、光学系３６１のスキャンミラー３６１ｂは、半導体レーザ装置３００の駆動とそれぞれ同期して、光を変調しながら２次元的に走査するように構成されている。これにより、制御部３６２によって所望の画像がスクリーン３６３に投写されるように構成されている。
第２実施形態の第１変形例では、上記のように、赤色半導体レーザ素子３０のｎ側電極３７を導電性を有するパッケージ４と電気的に接続することによって、静電気などにより発生するサージ電流が導電性を有するパッケージ４において一時的に蓄積されることにより、サージ電流が赤色半導体レーザ素子３０に急激に流れ込むのを抑制することができる。これにより、赤色半導体レーザ素子３０が劣化するのを抑制することができる。
また、第２実施形態の第１変形例では、パッケージ４を接地し、ｐ側電極３６が電気的に接続されたリード端子２０６ｅに正の電位を印加することによって、赤色半導体レーザ素子３０を駆動させることができる。これにより、一般的なパルス電源回路を用いて、半導体レーザ装置３００を時系列的に高速で駆動させることができる。
また、第２実施形態の第１変形例では、光装置３４０において、赤色半導体レーザ素子３０に、駆動ＩＣ３４１によりリード端子２０６ｅに正の電位を印加することによって、赤色半導体レーザ素子３０を駆動するとともに、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０に、駆動ＩＣ３４１によりリード端子２０６ａおよび２０６ｄに正の電位を印加するとともに、直流電源３４２および３４３によりリード端子２０６ｂおよび２０６ｃに負の電位を印加することにより、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０を駆動することによって、発振波長が長く、駆動電圧が小さい赤色半導体レーザ素子３０において用いる駆動ＩＣ３４１と、駆動ＩＣ３４１と逆極性の電位を与える直流電源３４２および３４３とを用いて、駆動電圧が大きい青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０を駆動させることができる。
また、第２実施形態の第１変形例では、プロジェクタ装置３５０において、光装置３４０の駆動ＩＣ３４１がパルス電圧を半導体レーザ装置３００に供給するように制御することにより、半導体レーザ装置３００の青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０を、それぞれ、時系列的に分割されて１素子ずつ周期的に駆動することによって、時系列的に分割されて１素子ずつ周期的に駆動される場合、青色半導体レーザ素子１０または緑色半導体レーザ素子２０において発生したサージ電流が抵抗の小さい部分を介して外部へ放出され易い。このような場合においても、赤色半導体レーザ素子３０を青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０から電気的に切り離すことによって、動作状態の赤色半導体レーザ素子３０がサージ電流により劣化するのを有効に抑制することができる。
また、第２実施形態の第１変形例では、プロジェクタ装置３６０において、光装置３４０の駆動ＩＣ３４１が定常的な電圧を半導体レーザ装置３００に供給するように制御することにより、半導体レーザ装置３００の青色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０を、それぞれ、実質的に同時に発振することによって、各々のレーザ素子が実質的に同時に発振される場合、青色半導体レーザ素子１０または緑色半導体レーザ素子２０において発生したサージ電流が抵抗の小さい部分を介して外部へ放出され易い。このような場合においても、赤色半導体レーザ素子３０を青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０から電気的に切り離すことによって、動作状態の赤色半導体レーザ素子３０がサージ電流により劣化するのを有効に抑制することができる。
また、第２実施形態の第１変形例では、プロジェクタ装置３５０に、半導体レーザ装置３００を含む光装置３４０と光学系３５１とを設けるとともに、プロジェクタ装置３６０に、半導体レーザ装置３００を含む光装置３６０と光学系３６１とを設けることによって、発振波長の長い赤色半導体レーザ素子３０が劣化するのを抑制することができる半導体レーザ装置３００を用いて、光学系３５１および３６１により光を変調させて所望の画像を表示させることができる。なお、第２実施形態の第１変形例のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
（第２実施形態の第２変形例）
次に、図４、図１４および図１５を参照して第２実施形態の第２変形例について説明する。この第２実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置４００では、上記第２実施形態と異なり、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０を、それぞれ、絶縁性を有する副基板４０１の表面上に設置するとともに、赤色半導体レーザ素子３０を、副基板４０１とは異なる導電性を有する副基板４７０の表面上に設置する場合について説明する。
本発明の第２実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置４００では、図１４および図１５に示すように、青色半導体レーザ素子１０は、絶縁性を有する副基板４０１の表面上のＹ１方向側に、融着層９ａ（図１５参照）および金属層８ａを介して固定されている。また、緑色半導体レーザ素子２０は、絶縁性を有する副基板４０１の表面上のＹ２方向側に、融着層９ｂ（図１５参照）および金属層８ｂを介して固定されている。
また、第２実施形態の第２変形例では、図１５に示すように、赤色半導体レーザ素子３０は、融着層９ｃを介して、導電性を有する副基板４７０の表面上に接着されている。この副基板４７０は、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０が表面上に所定の間隔を隔てて接着されている副基板４０１とは分離されている。また、副基板４０１と副基板４７０とは、それぞれ、導電性の融着層３を介して、導電性を有する支持基体４ａに接着されている。これによって、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６は、融着層９ｃ、副基板４７０および融着層３を介して、パッケージ４（支持基体４ａおよびステム（支持体）４ｂ）および端子２０６ｇと電気的に接続されている。また、第２実施形態の第２変形例において、上記第２実施形態の金属層８ｃ（図４参照）およびワイヤ２０７ｆ（図４参照）は設けられていない。なお、第２実施形態の第２変形例のその他の構造は、上記第２実施形態と同様である。
第２実施形態の第２変形例では、上記のように、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６を、融着層９ｃ、副基板４７０および融着層３を介して、パッケージ４および端子２０６ｇと電気的に接続することによって、上記第２実施形態におけるワイヤ２０７ｆが不要になるので、ワイヤの数を減少させることができる。また、ワイヤの本数が少なくて済むので、ワイヤ配線を簡略化することができる。また、サージ電流が導電性のパッケージ４において一時的に蓄積されることによって、サージ電流が赤色半導体レーザ素子３０に急激に流れ込むのを抑制することができる。これにより、赤色半導体レーザ素子３０が劣化するのを抑制することができる。
また、第２実施形態の第２変形例では、赤色半導体レーザ素子３０が表面上に接着される副基板４７０を、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０が表面上に所定の間隔を隔てて接着される副基板４０１とは分離することによって、より一層容易に、赤色半導体レーザ素子３０を、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０と電気的に切り離すことができるので、発振波長の長い赤色半導体レーザ素子３０が劣化するのをさらに抑制することができる。なお、第２実施形態の第２変形例のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
（第３実施形態）
次に、図４および図１６〜図１８を参照して第３実施形態について説明する。この第３実施形態による半導体レーザ装置５００では、上記第２実施形態と異なり、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６とが、互いに電気的に接続されている場合について説明する。
本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置５００では、図１６に示すように、接地されているパッケージ４のステム（支持体）４ｂには、Ｙ１方向側から順にリード端子５０６ａ、５０６ｂ、５０６ｃおよび５０６ｅが取り付けられている。また、リード端子５０６ａ、５０６ｂ、５０６ｃおよび５０６ｅには、それぞれ、導電性のワイヤ５０７ａ、５０７ｂ、５０７ｃおよび５０７ｅの一方端が接続されている。つまり、第３実施形態において、上記第２実施形態のリード端子２０６ｄ（図４参照）およびワイヤ２０７ｄ（図４参照）は取り付けられていない。
また、第３実施形態では、図１６および図１７に示すように、副基板１の表面上のＹ１方向側には、金属層５０８ｄが形成されている。この金属層５０８ｄは、副基板１の表面上のＹ１方向側の端部から、副基板１のＹ方向における中央よりも若干Ｙ２方向側まで延びるように形成されている。また、金属層５０８ｄのＹ２方向側は、赤色半導体レーザ素子３０と電気的に接続されている金属層８ｃと接触しないように構成されている。
また、図１７に示すように、金属層５０８ｄの表面上のＹ１方向側には、青色半導体レーザ素子１０を副基板１の表面上に接着する融着層９ａが形成されているとともに、金属層５０８ｄの表面上のＹ２方向側には、緑色半導体レーザ素子２０を副基板１の表面上に接着する融着層９ｂが形成されている。これにより、金属層５０８ｄは、融着層９ａを介して、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と電気的に接続されているとともに、融着層９ｂを介して、緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６と電気的に接続されている。この結果、青色半導体レーザ素子１０と緑色半導体レーザ素子２０とを同一極性（ｐ側）の電源を用いて駆動させることが可能である。また、金属層５０８ｄには、ワイヤ５０７ａの他方端が接続されている。なお、ｐ側電極１６および２６は、それぞれ、本発明の「一方電極」の一例である。
ここで、第３実施形態では、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６および緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６と、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６とは、電気的に接続されていない。また、上記第２実施形態と同様に、青色半導体レーザ素子１０のｎ側電極１７と、緑色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２７と、赤色半導体レーザ素子３０のｎ側電極３７とは、それぞれ、電気的に接続されていない。この結果、図１８に示すように、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０と、赤色半導体レーザ素子３０とは、それぞれ、電気的に切り離されているとともに、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６とは、それぞれ金属層５０８ｄと電気的に接続することにより、互いに電気的に接続されている。なお、第３実施形態のその他の構造は、上記第２実施形態と同様である。
第３実施形態では、上記のように、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６とを、互いに電気的に接続することによって、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６とに対して、共通の端子（５０６ａ）およびワイヤ（５０７ａ）を使用することができるので、端子およびワイヤの数を減少させることができる。また、ワイヤの本数が少なくて済むので、ワイヤ配線を簡略化することができる。また、青色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と緑色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６とに同一極性（ｐ側）の電源を接続させて、青色半導体レーザ素子１０および緑色半導体レーザ素子２０を駆動させることができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
（第４実施形態）
次に、図４および図１９〜図２１を参照して第４実施形態について説明する。この第４実施形態による半導体レーザ装置６００では、上記第２実施形態と異なり、青色半導体レーザ素子６１０と緑色半導体レーザ素子６２０とが共通のｎ型ＧａＮ基板６８１の表面上に形成されているとともに、青色半導体レーザ素子６１０のｎ側電極（ｎ側電極６８２）と緑色半導体レーザ素子６２０のｎ側電極（ｎ側電極６８２）とが共通である場合について説明する。なお、青色半導体レーザ素子６１０および緑色半導体レーザ素子６２０は、それぞれ、本発明の「第１半導体レーザ素子」および「第２半導体レーザ素子」の一例である。
本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置６００では、図１９に示すように、接地されているパッケージ４の導電性を有するステム（支持体）４ｂには、Ｙ１方向側から順にリード端子６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｄおよび６０６ｅが取り付けられている。また、リード端子６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｄおよび６０６ｅには、それぞれ、導電性のワイヤ６０７ａ、６０７ｂ、６０７ｄおよび６０７ｅの一方端が接続されている。つまり、第４実施形態において、上記第２実施形態のリード端子２０６ｃ（図４参照）およびワイヤ２０７ｃ（図４参照）は取り付けられていない。
また、第４実施形態では、図２０に示すように、青色半導体レーザ素子６１０と緑色半導体レーザ素子６２０とは、それぞれ、ｃ面（（０００１）面）を表面とする場合と異なり、ピエゾ電場の影響を抑制することが可能な無極性面であるｍ面（（１−１００）面）を表面とする共通のｎ型ＧａＮ基板６８１の表面上に形成されている。これにより、青色半導体レーザ素子６１０と緑色半導体レーザ素子６２０とによって、青・緑モノリシック半導体レーザ素子部６８０が構成されている。
具体的には、青色半導体レーザ素子６１０は、ｍ面（（１−１００）面）を表面とするｎ型ＧａＮ基板６８１の表面上に、ｎ型クラッド層６１２、活性層６１３およびリッジ部６１４ａを有するｐ型クラッド層６１４が積層された構造を有している。また、緑色半導体レーザ素子６２０は、ｎ型ＧａＮ基板６８１の表面上に、ｎ型クラッド層６２２、活性層６２３およびリッジ部６２４ａを有するｐ型クラッド層６２４が積層された構造を有している。
また、ｐ型クラッド層６１４および６２４の平坦部とリッジ部６１４ａおよび６２４ａの側面とを覆うようにＳｉＯ２からなる電流ブロック層６１５および６２５がそれぞれ形成されている。また、リッジ部６１４ａおよび６２４ａと電流ブロック層６１５および６２５との表面上には、それぞれ、ｐ側電極６１６および６２６が形成されている。なお、リッジ部６１４ａおよび６２４ａを構成するｐ型クラッド層６１４および６２４の上部に、それぞれ、ｐ側電極６１６および６２６とのコンタクト特性を向上させるためのｐ側コンタクト層を設けてもよい。
また、ｎ型ＧａＮ基板６８１の表面上には、ｎ側電極６８２が形成されている。これにより、青色半導体レーザ素子６１０のｎ側電極と、緑色半導体レーザ素子６２０のｎ側電極とが共通のｎ側電極６８２となるように構成されている。すなわち、青色半導体レーザ素子６１０のｎ側電極（ｎ側電極６８２）と、緑色半導体レーザ素子６２０のｎ側電極（ｎ側電極６８２）とは、電気的に接続されている。この結果、青色半導体レーザ素子６１０と緑色半導体レーザ素子６２０とを同一極性（ｎ側）の電源を用いて駆動させることが可能である。また、ｎ側電極６８２には、ワイヤ６０７ｂの他方端が接続されている。
ここで、第４実施形態では、上記第２実施形態と同様に、青色半導体レーザ素子６１０のｐ側電極６１６と、緑色半導体レーザ素子６２０のｐ側電極６２６と、赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６とは、それぞれ、電気的に切り離されている。また、青色半導体レーザ素子６１０および緑色半導体レーザ素子６２０の共通のｎ側電極６８２と、赤色半導体レーザ素子３０のｎ側電極３７とは、電気的に切り離されている。この結果、図２１に示すように、青色半導体レーザ素子６１０および緑色半導体レーザ素子６２０と、赤色半導体レーザ素子３０とは、それぞれ、電気的に切り離されているとともに、青色半導体レーザ素子６１０と緑色半導体レーザ素子６２０とは、ｎ側電極６８２において、互いに電気的に接続されている。なお、第４実施形態のその他の構造は、上記第２実施形態と同様である。
第４実施形態では、上記のように、青色半導体レーザ素子６１０のｎ側電極（ｎ側電極６８２）と緑色半導体レーザ素子６２０のｎ側電極（ｎ側電極６８２）とを、電気的に接続することによって、青色半導体レーザ素子６１０および緑色半導体レーザ素子６２０のｎ側電極６８２とに対して、共通の端子（６０６ｂ）およびワイヤ（６０７ｂ）を使用することができるので、端子およびワイヤの数を減少させることができる。また、ワイヤの本数が少なくて済むので、ワイヤ配線を簡略化することができる。
また、第４実施形態では、青・緑モノリシック半導体レーザ素子部６８０を構成することによって、青色半導体レーザ素子６１０と緑色半導体レーザ素子６２０とを別々に副基板１の表面上に固定する必要がないので、青色半導体レーザ素子６１０の発光点と、緑色半導体レーザ素子６２０の発光点との間隔をより正確に位置決めすることができる。なお、第４実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記第１〜第４実施形態では、半導体レーザ装置が、青色半導体レーザ素子と、緑色半導体レーザ素子と、赤色半導体レーザ素子との３つの半導体レーザ素子を備えた例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、半導体レーザ装置を、４つ以上の半導体レーザ素子を備えるように構成してもよい。また、半導体レーザ装置を、青色半導体レーザ素子に代えて、青紫色半導体レーザ素子を備えるように構成してもよいし、赤色半導体レーザ素子に代えて、赤外半導体レーザ素子を備えるように構成してもよい。
また、上記第３および第４実施形態では、赤色半導体レーザ素子のｐ側電極をパッケージと電気的に接続した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第３および第４実施形態の構造において、赤色半導体レーザ素子のｎ側電極をパッケージと電気的に接続せずに、第１実施形態のように、赤色半導体レーザ素子とパッケージとを電気的に切り離してもよい。
また、上記第１〜第４実施形態では、パッケージを接地した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、パッケージを接地しないように構成してもよい。
また、上記第１〜第４実施形態では、青色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子を副基板に設置することによって半導体レーザ装置を形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、青色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子または赤色半導体レーザ素子のいずれかを成長させた基板（成長用基板）上に、他の半導体レーザ素子を設置することによって半導体レーザ装置を形成してもよい。
また、上記第１〜第４実施形態では、半導体レーザ装置を、ディスプレイ用の光源として使用することが可能なように構成した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、半導体レーザ装置を、光ピックアップ装置の光源として使用してもよい。
また、上記第１実施形態では、導電性を有する支持基体およびステム（支持体）によってパッケージを構成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、支持基体およびステム（支持体）を、セラミックスなどの熱伝導性の良好な絶縁体からなるように構成してもよい。
また、上記第１〜第４実施形態では、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮなどの窒化物系半導体層により形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＢＮ、ＴｌＮおよびこれらの混晶からなるウルツ鉱構造の窒化物系半導体層により形成してもよい。
また、上記第１〜第４実施形態では、青色半導体レーザ素子を、副基板のＹ１方向側に設置し、赤色半導体レーザ素子を、副基板のＹ２方向側に設置するとともに、緑色半導体レーザ素子を、青色半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子の間で、副基板の中央近傍に設置した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、青色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子の配置は特に限定されない。たとえば、青色半導体レーザ素子または赤色半導体レーザ素子を、副基板の中央近傍に設置するように構成してもよい。
また、上記第２実施形態の第２変形例では、赤色半導体レーザ素子を導電性を有する副基板の表面上に設置した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、赤色半導体レーザ素子を絶縁性を有する副基板の表面上に設置するとともに、ワイヤによって、赤色半導体レーザ素子のｐ側電極と導電性のパッケージとを接続してもよい。
また、上記第１〜第４実施形態では、赤色半導体レーザ素子をパッケージの端部近傍に接着した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、赤色半導体レーザ素子をパッケージの中央近傍に接着してもよい。
また、上記第２実施形態の第１変形例では、スキャンミラーを有する光学系を備えるプロジェクタ装置において、レーザ素子が略同時に点灯されるように構成した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、スキャンミラーを有する光学系を備えるプロジェクタ装置において、レーザ素子が時系列的に周期的に点灯されるように構成してもよい。
また、上記第２実施形態の第１変形例では、プロジェクタ装置がＤＭＤ素子を有する光学系を備える場合を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、プロジェクタ装置は２次元的な変調手段を備えるものであればよく、たとえば、プロジェクタ装置が液晶パネルを有する光学系を備えるように構成してもよい。
４ パッケージ
１０、６１０ 青色半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）
２０、６２０ 緑色半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子）
３０ 赤色半導体レーザ素子（第３半導体レーザ素子）
３４０ 光装置
３４１ 駆動ＩＣ（第１電源）
３４２ 直流電源（第２電源）
３４３ 直流電源（第３電源）
３４１ａ、３４１ｂ、３４１ｃ チャンネル（電力供給端子）
３５０、３６０ プロジェクタ装置
３５１、３６１ 光学系（変調手段）

Claims (9)

  1. 第１半導体レーザ素子と、
    第２半導体レーザ素子と、
    前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子よりも発振波長の長い第３半導体レーザ素子とを備え、
    前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子が単一のパッケージ内に配置され、かつ、前記第３半導体レーザ素子は、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子と電気的に接続されていない、半導体レーザ装置。
  2. 前記第１半導体レーザ素子は、青色半導体レーザ素子であり、前記第２半導体レーザ素子は、緑色半導体レーザ素子であり、前記第３半導体レーザ素子は、赤色半導体レーザ素子である、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  3. 前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子のうちの少なくとも１つと前記第３半導体レーザ素子とは、略同時に発振するか、または時系列的に周期的に発振するように構成されている、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
  4. 前記パッケージは、導電性であり、
    前記第３半導体レーザ素子は、少なくとも一方電極を含み、
    前記第３半導体レーザ素子の一方電極は、前記パッケージと電気的に接続されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
  5. 前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子は、それぞれ、少なくとも一方電極を含み、
    前記第１半導体レーザ素子の一方電極と前記第２半導体レーザ素子の一方電極とは、互いに電気的に接続されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
  6. 単一の導電性のパッケージ内に収められた半導体レーザ装置と、
    複数の電力供給端子を有する第１電源と、
    第２電源と、
    第３電源とを備え、
    前記半導体レーザ装置は、
    一方電極および他方電極を含む第１半導体レーザ素子と、
    一方電極および他方電極を含む第２半導体レーザ素子と、
    少なくとも一方電極を含み、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子よりも発振波長の長い第３半導体レーザ素子とを含み、
    前記第３半導体レーザ素子の一方電極は、前記パッケージと電気的に直接接続されるとともに、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子の一方電極および他方電極は前記パッケージと電気的に直接接続されず、
    前記第１電源により、前記第３半導体レーザ素子が駆動され、
    前記第１電源により、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子の一方電極に正の電位または負の電位のいずれか一方の電位が与えられるとともに、前記第２電源および前記第３電源により、それぞれ、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子の他方電極に正の電位または負の電位のいずれか他方の電位が与えられることによって、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子が駆動されるように構成されている、光装置。
  7. 前記第１半導体レーザ素子は、青色半導体レーザ素子であり、前記第２半導体レーザ素子は、緑色半導体レーザ素子であり、前記第３半導体レーザ素子は、赤色半導体レーザ素子である、請求項６に記載の光装置。
  8. 第１半導体レーザ素子と、第２半導体レーザ素子と、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子よりも発振波長の長い第３半導体レーザ素子とを含み、前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子が単一のパッケージ内に配置され、かつ、前記第３半導体レーザ素子は、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子と電気的に接続されていない半導体レーザ装置と、
    前記半導体レーザ装置からの光の変調を行う変調手段とを備える、表示装置。
  9. 複数の電力供給端子を有する第１電源と、
    第２電源と、
    第３電源とをさらに備え、
    前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子は、それぞれ、一方電極および他方電極を含み、前記第３半導体レーザ素子は、少なくとも一方電極を含み、
    前記パッケージは、導電性であり、
    前記第３半導体レーザ素子の一方電極は、前記パッケージと電気的に直接接続されるとともに、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子の一方電極および他方電極は前記パッケージと電気的に直接接続されず、
    前記第１電源により、前記第３半導体レーザ素子が駆動され、
    前記第１電源により、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子の一方電極に正の電位または負の電位のいずれか一方の電位が与えられるとともに、前記第２電源および前記第３電源により、それぞれ、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子の他方電極に正の電位または負の電位のいずれか他方の電位が与えられることによって、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子が駆動されるように構成されている、請求項８に記載の表示装置。
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