JP2010086636A - 原盤製造方法、光ディスク製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原盤のリソグラフィ工程において、予め無機レジスト層の表面上へ保護薄膜を形成し、露光後に保護薄膜を剥離した上で現像を行う。無機レジスト層が保護薄膜に覆われた状態で露光を行うことで、無機レジスト上へ直接レーザを照射した際にレジスト材料の揮発でソリッドイマージョンレンズ表面が汚れてしまい、原盤−レンズ間のギャップ制御が不安定になる問題を回避する。さらに保護薄膜によって、露光部分の無機レジストの***を抑制することで、無機レジスト記録後の数10nmの***現象によって原盤とソリッドイマージョンレンズ間のギャップが塞がって衝突が起こる危険性を回避する。
【選択図】図4
Description
マスタリングにおける波長λのレーザ光を、開口数(NA)の対物レンズで集光した時の露光スポット径φは、φ=1.22×(λ/NA)となる。対物レンズのNAは、CD(Compact Disc)開発当初から理論限界値1にほぼ近い0.90〜0.95のものが使用されていたので、記録レーザ光源の短波長化が露光スポット径縮小にほぼ全て貢献してきたと言える。
CDのマスタリングには波長442nmのHe−Cdレーザ、或いは波長413nmのKr+レーザが使用されていたが、UV(Ultraviolet)波長351nmのAr+レーザの投入によってDVDの生産が可能になった。さらには波長257〜266nmのDUV(Deep Ultraviolet)レーザが実用化されて記録可能型のブルーレイディスク(BD−RE)が実現した。
上記特許文献1には無機材料を感光材料とする技術が開示されている。このようにレジスト機能を有する無機材料を、以降、「無機レジスト」と呼ぶ。
有機レジストプロセスは光モード(Photon mode)で記録がなされるため、最小露光パターン幅は露光スポット径に比例し、おおよそスポット径半値幅に等しい値である。
これに対して無機レジストプロセスは熱モード(Heat mode)の記録であり、記録膜構造の設計によって反応温度の閾値を十分高く設定すると、露光スポット中心近傍の高温部のみが記録に寄与するので、実効的な記録スポット径を著しく縮小することが出来る。
寧ろ、半導体レーザはGHzオーダーの高速変調が可能であり、相変化ディスクや光磁気ディスクへの信号記録に用いられるライトストラテジーの導入によってピット形状を細かく制御出来るので、より良好な信号特性を得るのに適している。ライトストラテジーとは、一つのピットを高速のマルチパルスで記録する方法である。この場合、それぞれのパルスのパルス幅、パルス強度、パルス間隔等の調整により、パターン形状を最適化することが出来る。
図8(a)に示すが如く、無機レジスト原盤100の基本的な構成は、例えばSiウエハー、或いは石英といった支持体(原盤基板100a)上に、蓄熱量制御層100b、無機レジスト層100cの順でスパッタ成膜された層構造である。
このような無機レジスト原盤100に対し、図8(b)に示すように、記録信号に応じて変調されたビーム(記録光)がNA=0.9前後の対物レンズによって原盤表面上に集光され、熱記録が行われる。無機レジスト原盤100は露光装置のターンテーブル上に設置され、記録線速度に応じた速度で回転し、半径方向に一定の送りピッチ(トラックピッチ)で対物レンズと相対移動を行う。
露光が終了した無機レジスト原盤は、図8(c)のように、テトラメチルアンモニウムハイライド(TMAH)といった一般的な有機アルカリ現像液により現像され、その結果、無機レジスト層100cには露光パターンに応じた凹凸が形成される。つまり露光部分が凹状となり、これが原盤におけるピット形状或いはグルーブ形状となる。
ニアフィールド光学系の光ディスクへの応用については、現在2.0に近いNAのSILによる記録再生が発表されている(非特許文献1参照)。これによると、従来のファーフィールド光学系におけるNA最大値(0.95)に対して、スポット径を1/2まで縮小する事が出来ている。
高速変調によるライトストラテジー生成が可能な半導体レーザ光源の最短波長は、今のところせいぜい370nmなので、ROMディスクのマスタリングを考慮するならば、青色半導体レーザを使用したままニアフィールド露光で高NA化する方法が有力となる。
ただし、記録光はレジスト感度や目標パターン寸法によって強度設定が変わり、またグルーブやピットといった描画パターン形状に依存してパルス幅も変化するので、マスタリングの度に発光強度が変動してしまい、前記干渉光強度から原盤−SIL間距離を判断する用途としては使いづらい。そこで、常時一定の強度で発光するフォーカス専用のレーザを別途設けることが行われる。
このような方法を用いて安定してニアフィールド状態を維持することが出来れば、他については通常の露光工程と変わるところはない。
無機レジストプロセスに関しては、記録波長405nm、NA=0.95のファーフィールド記録光学系にて、直径12cmサイズのディスクに100GBのROMパターンのマスタリングがすでに成功している(非特許文献2参照)。
従って無機レジストプロセスにニアフィールド露光を導入し、例えば同波長でNA=1.9の場合には、400GBのROMパターンが記録(露光)可能と見積もられる。
そのような超高密度領域においては電子線描画技術が競合するが、露光装置の簡易性や、すでに再生専用型ブルーレイディスク(BD−ROM)の生産の実績がある無機レジストプロセスの信頼性、実用性がアドバンテージとなる。
また光ディスク以外の微細パターン加工用途としても、L/S 40nm以下の線幅が可能であり、非常に有望である。
さらに、この問題を解決してパターン記録が可能になったとしても、新たに以下の不都合が生じるものと予想される。
無機レジストの場合、パターン記録時に露光された部分が20〜30nm***する。ニアフィールド状態ではSILと原盤表面の間隔を20nm程度に接近しているが、パターンの***によってそのギャップが埋まり、衝突の危険性が高い。
また上記保護薄膜における高屈折率材料は酸化チタンとする。
また上記無機レジスト原盤成膜工程において、上記保護薄膜を形成する材料は、スピンコートにより上記無機レジスト層の表面に塗布したうえで、硬化して形成する。
また上記剥離工程において、上記保護薄膜は、上記現像工程で用いる現像液への浸漬により剥離する。
即ち、原盤のリソグラフィ工程において、予め無機レジスト層の表面上へ保護薄膜を形成し、露光後に保護薄膜を剥離した上で現像を行う。
無機レジスト層が保護薄膜に覆われた状態で露光を行うことで、無機レジスト上へ直接レーザを照射した際にレジスト材料の揮発でソリッドイマージョンレンズ表面が汚れてしまい、原盤−レンズ間のギャップ制御が不安定になる問題を回避する。
さらに、保護薄膜によって、露光部分の無機レジストの***を抑制することで、無機レジスト記録後の数10nmの***現象によって原盤とソリッドイマージョンレンズ間のギャップが塞がり、衝突が起こる危険性を回避する。
その結果、無機レジストとニアフィールド記録の組み合わせが実現され、従来以上の高密度記録が可能となる。
従って、有機レジストプロセスに対して圧倒的に分解能の高い無機レジストプロセスと、対物レンズNAの増加に伴い記録スポット径が縮小されるニアフィールド記録技術との組み合わせを実現することができ、飛躍的な高密度記録(露光)を実現できる。
[1.ニアフィールド露光装置]
[2.ディスク製造工程]
[3.無機レジスト原盤へのニアフィールド露光]
[4.実験例]
[5.まとめ]
本実施の形態では、感光材料として無機レジストを用いた原盤(無機レジスト原盤)に対して、ニアフィールド露光装置を用いて露光を行う。
ここではまず、ニアフィールド露光装置について図1,図2,図3で説明する。
このニアフィールド露光装置50は、所定の駆動機構により無機レジスト原盤1を回転駆動した状態で、記録用レーザビームL1を無機レジスト原盤1に照射して照射位置を順次無機レジスト原盤1の外周側に変位させる。これにより無機レジスト原盤1にスパイラル状に、ピット列(又はグルーブ)としてのトラックを形成する。
信号発生器56は、ピット列に対応する変調信号S1をレーザドライバ54に出力する。レーザドライバ54は、変調信号S1に基づいてレーザ光源(半導体レーザ)53を駆動する。これにより、レーザ光源53から変調信号S1に基づいてオン/オフ変調された記録用レーザビームL1が出力される。
偏光ビームスプリッタ59は、このビームエキスパンダ58からの記録用レーザビームL1を反射すると共に、無機レジスト原盤1側からの記録用レーザビームL1の戻り光L1Rを透過し、これにより記録用レーザビームL1と戻り光L1Rとを分離する。
またダイクロイックミラー61は、この記録用レーザビームL1と波長が異なるフォーカス用レーザビームL2を無機レジスト原盤1に向けて透過すると共に、この無機レジスト原盤1側より到来するフォーカス用レーザビームL2による干渉光L2Rを透過して出射する。
これにより対物レンズ62は、先玉レンズ62BがSIL(Solid Immersion Lens)を構成し、全体として開口数が1以上に設定されて、近接場効果により記録用レーザビームL1を無機レジスト原盤1に照射するようになされている。
なおこの先玉レンズ62Bは、無機レジスト原盤1側の面の中央が円形形状に突出するように形成され、これにより無機レジスト原盤1への衝突を防止するようになされている。
また、無機レジスト原盤1、対物レンズ62の出射面より戻り光L1Rが得られ、この戻り光L1Rが記録用レーザビームL1の光路を逆に辿り、偏光ビームスプリッタ59を透過して記録用レーザビームL1から分離されることになる。
このような作用をなすマスク64は、図2(a)に示すように、透明平行平板の中央に、戻り光L1Rのビーム径に比して小径の遮光領域を作成して構成される。すなわち戻り光L1Rにおいて、対物レンズ62の出射面に臨界角以下の入射角により入射した成分は、この対物レンズ62の出射面と無機レジスト原盤1とで反射され、これらの反射光が干渉することになる。これによりニアフィールド露光装置50では、このような干渉する反射光の成分についてはマスク64で除去して戻り光L1Rを処理するようになされている。
これによりニアフィールド露光装置50は、対物レンズ62の出射面で全反射する記録用レーザビームL1の光量を検出できるようになされている。
このようにして検出される光量検出結果S1は、図2(b)に示すように、対物レンズ62が無機レジスト原盤1より一定距離以上離間している場合には、一定の信号レベルに保持される。これに対し、対物レンズ62が無機レジスト原盤1に一定距離以上近づくと、対物レンズ62の先端と無機レジスト原盤1との間の間隔に対応するように信号レベルが変化することになる。
レンズ69A及び69Bは、ビームエキスパンダ69を構成し、このフォーカス用レーザビームL2のビーム径を縮小して小さなビーム径により出射する。
偏光ビームスプリッタ70は、ビームエキスパンダ69の出射光を透過すると共に、この透過光の光路を逆に辿って入射するフォーカス用レーザビームL2による干渉光L2Rを反射し、これによりフォーカス用レーザビームL2と干渉光L2Rとを分離する。
またダイクロイックミラー61より偏光ビームスプリッタ70に入射する干渉光L2Rに同様に位相差を与えることにより、円偏光により入射する干渉光L2Rをフォーカス用レーザビームL2と偏光面が直交する直線偏光により偏光ビームスプリッタ20に出射する。
これによりこのフォーカス用レーザビームL1は、対物レンズ62の出射面と、無機レジスト原盤1の表面とでそれぞれ反射される。そして近接場記録に供する程度に対物レンズ62と無機レジスト原盤1とが近接して配置されることにより、これら反射光が干渉することになる。これらの反射光による干渉光L2Rがフォーカス用レーザビームL2の光路を逆に辿って偏光ビームスプリッタ70に入射し、この偏光ビームスプリッタ70で反射されてフォーカス用レーザビームL2から分離される。
これらにより、この光量検出結果S2においては、図2(b)に示すように、対物レンズ62の先端と無機レジスト原盤1との間の間隔がフォーカス用レーザビームL2の波長λの2分の1だけ変化する周期により正弦波状に信号レベルが変化することになる。
すなわち制御回路80は、オペレータにより露光の開始が指示されると、無機レジスト原盤1上におけるピット列の記録とは無関係の、例えば無機レジスト原盤1の内周側領域に対物レンズ62を移動する。
さらに制御回路80は、信号発生器56を駆動して記録用レーザビームL1をこの領域に連続的に照射する。この状態で制御回路80は、アクチュエータ81を駆動して対物レンズ62を無機レジスト原盤1に徐々に接近させ、全反射に係る光量検出結果S1を監視する。
すなわち制御回路80は、このフォーカス制御において、制御目標に対応する基準電圧REFと干渉光の光量検出結果S2との誤差信号が0レベルになるようにアクチュエータ81を駆動する。
制御回路80は、このようにして干渉光L2Rの光量検出結果S2を基準にしたフォーカス制御を開始すると、信号発生器56の動作を制御して連続した記録用レーザビームL1の照射を停止した後、対物レンズ62を露光開始位置に移動させる。さらに制御回路80は、信号発生器56により記録用レーザビームL1の変調を開始させ、この露光開始位置より順次無機レジスト原盤1の露光を開始させることになる。
そのため上記の構成により、無機レジスト原盤1からの反射光と、対物レンズ62(SIL)出射面からの反射光との干渉光強度を検出し、原盤−SIL間の距離によって干渉光強度が変化する現象を利用して、フォーカスサーボ信号(ギャップサーボ信号)としている。
続いて本実施の形態としてのディスク製造工程の全体を図3で説明する。
図3(a)は無機レジスト原盤1を示している。
この無機レジスト原盤1の構造については図4で後述する。
無機レジスト原盤1に対して、上記のニアフィールド露光装置50により、信号パターンとしてのピット列に対応した選択的な露光を施し感光させる(図3(b))。
そしてレジスト層を現像(エッチング)することによって所定の凹凸パターン(ピット列)が形成された状態の無機レジスト原盤1が生成される(図3(c))。
以上が原盤製造工程となる。
まず、スタンパ10を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂であるポリカーボネートからなる樹脂製ディスク基板20を成形する(図3(f))。スタンパ10を剥離することで、ディスク基板20が得られる(図3(g))。
樹脂製のディスク基板20に対しては、その凹凸面にAg合金などの反射膜を形成し、記録層L0とする(図3(h))。
さらに、記録層L0上に光透過層(カバー層)21を形成する(図3(i))。
これにより光ディスクが完成される。即ちピット列が形成された再生専用ディスクが製造される。
なお、光透過層21の表面にハードコート層を形成する場合もある。
以上の光ディスク製造工程において、本実施の形態では、無機レジスト原盤1の層構造及び無機レジスト原盤1の現像までの工程に特徴を有する。
以下では、この点について説明する。
また、無機レジストの場合、パターン記録時に露光された部分が20〜30nm***する。ニアフィールド状態ではSILと原盤表面の間隔を20nm程度に接近しているため、パターンの***によってそのギャップが埋まり、衝突の危険性が高い。
即ち、記録膜ガス封止効果、及び記録膜***抑制効果を有する保護薄膜を無機レジスト膜表面上に形成し、記録完了後に前記薄膜を機械的な剥離手法、或いは溶剤を用いる化学的手法等、何らかの方法で除去し、その後現像処理を行うようにするものである。
無機レジスト原盤1は、Siウエハー或いは石英等による原盤基板(支持体)1a上に、蓄熱量制御層1bと、無機レジスト層1cがスパッタ成膜され、さらに無機レジスト層1cの表面に保護薄膜としての表面コート層1dが形成される。
無機レジスト層1cとしての無機レジスト材料としては、遷移金属の不完全酸化物が用いられ、具体的な遷移金属としては、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru、Ag等が挙げられる。
この表面コート材料は、スピンコートによって0.5μm〜数μm程度の膜厚で均一に塗布可能であり、硬度が低いために無機レジストが記録後に数十nm程度***しても、それを吸収して表面***を防ぐことができる。またSILのNA(>1)に対して、高屈折率材料の屈折率nが[n≧NA]であれば、SILのNAを損ねずにニアフィールド記録再生が可能となる。
図4(b)に露光の様子を示している。
この場合、表面コート層1dにより、無機レジスト層1cからの揮発ガスの封止効果が得られる。従って、揮発ガスでSIL表面が汚されることはなく、安定したフォーカス動作が実現される。
また無機レジスト層1cは、その露光部分が数10nmほど***する。これは、露光された領域では無機レジストがアモルファス状態から結晶状態へ相変化を起こして、体積膨張が生じることによる。
ところが、本例の場合、表面コート層1dによって***が抑えられ、対物レンズ62に相対する面に殆ど影響を与えない。
表面コート層1dの剥離が終了した無機レジスト原盤について、図4(d)のように、テトラメチルアンモニウムハイライド(TMAH)といった一般的な有機アルカリ現像液により現像を行う。その結果、無機レジスト層1cには露光パターン(ピット列)に応じた凹凸が形成される。つまり露光部分が凹状となり、これが原盤におけるピット形状或いはグルーブ形状となる。
上記の手法により、実際に無機レジスト原盤1へのニアフィールド記録を行い、ソリッドイマージョンレンズ(SIL)のNAをほぼ反映した高密度記録に成功した。
そのプロセスについて、これより実験例を具体的に説明する。
通常の無機レジスト原盤は平坦なシリコン或いは石英ウエハーを用いるが、今回の実験ではディスク用のニアフィールド記録再生機を使用する都合上、トラッキング用のプリグルーブが形成されたプラスチック基板上に無機レジスト層の成膜を行った。
プリグルーブのトラックピッチは190nm、深さは約20nmである。
層構造は、プラスチック基板上に、a−Si(アモルファスシリコン)の蓄熱量制御層1bを80nm厚で形成し、酸化タングステン系無機レジスト層1cを40nm厚で形成した。
プロセス1で作製した成膜済み基板の無機レジスト表面上に、表面コート層1dを1μm厚で形成した。
この表面コート層1dは、具体的には屈折率n=2.5のTiO2微粒子含有のアクリル系ハードコート剤(JSR(株)製、商品名「デソライトZ7252D」)を、メチルイソブチルケトンとイソプロピルアルコールで希釈したものである。
希釈した状態で基板上にスピンコートを行った後に、紫外線で硬化させるプロセスによって表面コート層1dが定着する。
波長λ=405nmの半導体レーザ光源、及びNA=1.7のSILから構成される記録光学系によって、無機レジスト基板上に光ディスクのピットパターンの露光を行った。 記録信号はBD−ROM(再生専用型ブルーレイディスク)に用いられるRLL(1−7)pp信号である。(CLk=66MHz)
今回露光を行った記録線密度(BD−ROM;25GB比)、最短ピット長、及び記録線速度は以下の4種類である。
(2)サンプル2;線密度=BD−ROM×2.50、最短ピット長2T=60nm、記録線速度v=1.98m/s
(3)サンプル3;線密度=BD−ROM×2.73、最短ピット長2T=55nm、記録線速度v=1.804m/s
(4)サンプル4;線密度=BD−ROM×3.00、最短ピット長2T=50nm、記録線速度v=1.65m/s
表面コート層1dの存在によって、記録再生中にフォーカスが不安定になる事なく、また記録後のレジストの***によってSILとの接触が発生することなく、安定した露光が実現された。
露光終了後、現像を行うためには、プロセス2で形成した表面コート層1dを除去する必要がある。
本表面コート材料の場合、無機レジスト表面との密着力が弱いため、ディスク外周をカッターで傷つけてきっかけを作ると、その部分から容易に手作業で剥離する事が出来た。 またアルカリ現像液への浸漬によっても、コート膜が膨潤作用を起こして、数分間内に全てディスク基板から分離する事を確認した。
後者の手法は、現像と同一工程で済むため、より実用的と言える。
通常の無機レジスト現像工程と同様に、市販の有機アルカリ現像液TMAH−2.38%溶液(東京応化工業(株)製;商品名「NMD−3」)への12分間の浸漬で、前記露光済み基板を現像した。
以上の工程を経て形成されたサンプル1〜4のAFM観察像を、図5(a)(b)(c)(d)に示す。
図6(c)のサンプル3(線密度=BD−ROM×2.73)までは、ピットは明確に分離形成されている。
図6(d)のサンプル4(線密度=BD−ROM×3.00)では、2T長の最短ランド部にて前後のピットが若干つながっており、記録パワーの調整によって完全分離できる見込みはあるものの、線速度方向の記録分解能が限界に近づいている事が分かる。
図6(a)(b)(c)(d)は、同様のRLL(1−7)pp信号のピット列を記録した、以下のサンプル5〜8についてのAFM像である。
これらはプリグルーブのない通常のシリコンウエハー原盤上に記録されたものであるが、レジスト構成は前記サンプル1〜4と同一であり、記録光学系の比較が可能である。なおトラックピッチは0.32μmである。
(2)サンプル6;線密度=BD−ROM×1.67、最短ピット長2T=90nm、記録線速度v=2.95m/s
(3)サンプル7;線密度=BD−ROM×1.76、最短ピット長2T=85nm、記録線速度v=2.79m/s
(4)サンプル8;線密度=BD−ROM×1.88、最短ピット長2T=80nm、記録線速度v=2.62m/s
つまり今回の実験では、ニアフィールド記録の効果がNA換算による期待値どおりに現れており、本実施の形態のプロセス手法が有効である事を示唆している。
また光ディスク原盤製造に限らず、例えばX−Y描画ステージを導入して、一般的な微細加工装置へと応用する事も考えられる。
ただし高屈折率材料が混合される光透過性材料側は、今回の材料に対して大きく変更する必要は無い。
他の高屈折率材料を用いる場合でも、アルコールで希釈してスピンコート塗布出来る形態が適用される。よって、表面コートの形成、及び剥離については、上述した手法で一般性があるものと思われる。
光透過性材料としての性能は、高屈折率材料微粒子の含有量が少なく、粒子径が小さくなるほど向上する。高屈折率材料と光透過材料との屈折率差により光の散乱を生ずるからである。
表面コート層1dの平均屈折率ncは、
nc=√{(X・(n1)2+(1−X)・(n2)2} ・・・(式1)
となる。
但し、n1は高屈折率材料の屈折率、Xは高屈折率材料の体積充填率、n2は光透過性材料の屈折率である。
屈折率が高く、粒子を細かく出来る材料(粒子径;5nm程度)として、Zr、Nb、Ti、Sn、Ta、Ce、Znの群から選択される1種または2種以上を含有してなる金属酸化物が好ましい。特にはTiO2が適していると考えられる。
無機酸化物微粒子としては、一般に、可視光線の波長帯域において吸収のない酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化スズ、酸化タンタル等の酸化物微粒子が用いられるが、特に酸化チタン微粒子は、屈折率が最も高くかつ化学的に安定であるために好ましい高屈折率材料とされているためである。
対物レンズのNAから、平均屈折率ncの最小値が決定される。(すなわちNA=ncの場合)
上記式1を変形すると、
n12={(NA2)−(1−X)・(n22)}/X ・・・(式2)
例えばX=0.3、n1=2.5、n2=1.55としたら、これらから、nc=1.89と計算され、NA(=1.7)より大ということになる。
またnc=1.7にしようとしたら、n1=2.00となる。
以上のように本実施の形態では、無機レジスト原盤1上にピット或いはグルーブといった微細パターンをリソグラフィする際、無機レジスト原盤1の表面にスピンコート法によって高屈折率材料微粒子を含有する表面コート層1d(保護薄膜)を形成する。
そしてソリッドイマージョンレンズを用いて無機レジスト原盤1上にパターンをニアフィールド露光し、次に表面コート層1dを除去し、最後に現像を行うというプロセスである。
即ち、集光スポットの熱によるレジスト表面からのガス揮発が、わずか数十nmの距離で近接するソリッドイマージョンレンズの表面を容易に汚してしまい、ギャップサーボ信号を乱す点があった。これが表面コート層1dのガス封止効果により解消される。
また露光後の無機レジストの***高さが、レジスト−ソリッドイマージョンレンズ間の数十nmのギャップ長とほぼ同等であり、レンズと原盤の接触事故を起こす点が問題とされたが、表面コート層1dによる***抑制作用により、これが解消され、安定した露光動作が可能となった。
また、高記録密度光ディスク原盤のピット或いはグルーブ列や、その他同等の寸法を必要とする一般的な微細加工用途のパターン形成に関しても、本発明は適用できる。
Claims (5)
- 原盤形成基板上に無機レジスト層を形成し、さらに上記無機レジスト層の表面に、光透過性材料中に屈折率nが露光光学系のNAに対してn≧NAである高屈折率材料が混合された保護薄膜を形成する無機レジスト原盤成膜工程と、
上記無機レジスト原盤成膜工程で形成された無機レジスト原盤に対して、上記保護薄膜上から、露光光学系によりNA>1のニアフィールド露光を行う露光工程と、
上記露光工程を経た無機レジスト原盤において上記保護薄膜を剥離する剥離工程と、
上記保護薄膜を剥離した無機レジスト原盤の現像を行い、露光部と非露光部による凹凸パターンを形成する現像工程と、
を有する原盤製造方法。 - 上記保護薄膜における高屈折率材料は酸化チタンである請求項1に記載の原盤製造方法。
- 上記無機レジスト原盤成膜工程において、上記保護薄膜を形成する材料は、スピンコートにより上記無機レジスト層の表面に塗布したうえで、硬化して形成する請求項1に記載の原盤製造方法。
- 上記剥離工程において、上記保護薄膜は、上記現像工程で用いる現像液への浸漬により剥離する請求項1に記載の原盤製造方法。
- 原盤形成基板上に無機レジスト層を形成し、さらに上記無機レジスト層の表面に、光透過性材料中に屈折率nが露光光学系のNAに対してn≧NAである高屈折率材料が混合された保護薄膜を形成する無機レジスト原盤成膜工程と、
上記無機レジスト原盤成膜工程で形成された無機レジスト原盤に対して、上記保護薄膜上から、露光光学系によりNA>1のニアフィールド露光を行う露光工程と、
上記露光工程を経た無機レジスト原盤において上記保護薄膜を剥離する剥離工程と、
上記保護薄膜を剥離した無機レジスト原盤の現像を行い、露光部と非露光部による凹凸パターンを形成する現像工程と、
上記現像工程を経た無機レジスト原盤からスタンパを作製するスタンパ作製工程と、
上記スタンパを用いてディスク基板を成形し、該ディスク基板上に所定の層構造を形成することで光ディスクを製造するディスク製造工程と、
を有する光ディスク製造方法。
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