JP2009259368A - 光ディスク製造方法、ディスク原盤製造方法、光ディスク - Google Patents
光ディスク製造方法、ディスク原盤製造方法、光ディスク Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】原盤形成基板上に、記録レーザ波長の17%未満の厚さの蓄熱層を形成し、さらに無機レジスト層を形成して露光前のディスク原盤を生成する。次にディスク原盤の無機レジスト層に対して、記録レーザ光照射によりピット及びスペースから成る記録信号パターンの露光を行い、露光後に現像処理を行ってピット及びスペースによるピット列形状が形成されたディスク原盤を生成する。そしてピット列形状が形成されたディスク原盤を用いて、ピット列形状が転写されたスタンパを製造する。そしてスタンパのピット列形状が転写され、かつピット列形状に対して銀もしくは銀合金による反射膜が形成された記録層を含む所定の層構造を有する光ディスクを製造する。この光ディスク(図2(b))は、長ピットの深さが侵入光波長(λ/n)の20%以下とされ、また最短ピットとの深さの差は、侵入光波長の1/30以下とされている。
【選択図】図2
Description
既に広く普及しているDVD(Digital Versatile Disc)が、1枚(1記録層)の記録容量が4.7GB(Giga Byte)であったところ、ブルーレイディスクではその記録容量が25GBと大きく増大している。
このような高密度化は、ディスク原盤のマスタリング工程において、ピットパターンを微細化することで可能になっている。
フォトンモードによる記録領域は露光スポット径に比例し、およそスポット径半値幅に等しい解像度となる。露光スポット径φはレーザー波長λ、レンズの開口数NAを用いてφ=1.22×λ/NAで表される。
以降、無機材料を用いたレジストを無機レジストと呼ぶ。
上記特許文献1には、無機レジストを用いたマスタリング工程に関する技術が開示されている。
このライトストラテジーとは1つのピットを高速のマルチパルスで記録するというものであり、それぞれのパルス幅、強度、パルス間隔の調整により、最適化を図ることができる。さらに、この無機レジストは被露光部が従来、用いられてきたアルカリ現像によって溶解するため、プロセスが複雑化することはない。
一般的に光ディスクの再生は半導体レーザ光をディスクに照射し、その戻り光を検出する方式を取っている。信号特性は記録されたデジタル信号が正確に再生することで評価される。
記録容量が25GBである再生専用型(エンボスピットが形成されるROMタイプ)のブルーレイディスクは、再生時、線速度4.92m/sで回転し、1クロック周期は15.15nsと規定されており、2T〜8T(30.30ns〜121.20ns)のピットとスペースで成り立っている(Tはチャネルクロック周期)。
再生専用型光ディスクでは、ピット及びスペースによる凹凸の間隔が小さいほど回折効果を受けるためMTFが小さくなり、その変調度は減少する。そのため2T信号の振幅は最も小さくなる。
なお、図8において「I8H」は8Tパターンのピークレベル、「I2H」は2Tパターンのピークレベル、「I2L」は2Tパターンのボトムレベル、「I8L」は8Tパターンのボトムレベルである。
実際の再生装置ではアナログ信号として検出される波形を非線形イコライザで増幅してピット長に依存する振幅差を補正し、振幅中心近傍の特定電圧レベルでスレッショルドを設け、0と1に二値化する。
ジッターは規定クロックからのズレを標準偏差σと1Tと用いて、σ/Tで表される。
このジッターの値が大きいほど再生信号は劣化していると言える。記録層が1層の再生専用型ブルーレイディスクでは、規格ではジッターは6.5%以下と規定されているが、もちろん低ければ低いほど良い。
{(I8H+I8L)−(I2H+I2L)}/{2(I8H−I8L)}
で表され、8T信号と2T信号の中心軸のズレを意味している。このアシンメトリは二値化のスレッショルドを決める上で重要になる指標である。ブルーレイディスクの規格では−10〜15%と定められているが、通常0〜10%程度が望ましい。
そしてスタンパを用いて、光ディスクの大量生産を行う。
図9に光ディスクの層構造を模式的に示すが、大量生産工程では、例えばスタンパを金型内に配置して行う射出成形により、ピットパターンとしての凹凸のピット列形状201が転写されたポリカーボネート等によるディスク基板(プラスチック転写基盤)200を成形する。そしてピットパターン201上に反射膜202を成膜し、記録層とする。さらに記録層上(レーザ光の入射面側)にカバー層203を形成して光ディスクを製造する。
現在、反射膜には反射率の制御が比較的容易で、青波長での吸収が低いため2層ディスクに対応出来るAg合金が用いられており、戻り光量や腐食対策の観点から膜厚35nm以上を必要とする。しかし、この反射膜成膜にも揺らぎが存在し、再生信号特性は大きく影響されてしまう。
実際の製造では、反射膜厚が数nmのオーダーで変化し、製造される光ディスクにおける反射膜の反射率は45〜55%の範囲で揺らいでしまうという現状がある。
図10(a)(b)(c)は、それぞれ反射率を横軸とし、反射率が異なる多数の光ディスクにおいて、ジッター、アシンメトリ、変調度を測定した結果である。
これらの結果からわかるように、反射率45%においては、ジッター5.3%、アシンメトリ9.7%と規格に則した値を得られている。ところが、反射率が60%まで増加するとジッタ値が2%以上劣化しており、またアシンメトリも12%まで上昇する等、反射膜厚変動がおきる製造においては生産性が悪化してしまうことがわかる。
これは変調度の変動から、8Tピットなどの長いピットが膜厚増加に伴い、何らかの影響を受けているためと考えられる。
そこで本発明は、このような反射膜厚変動に対する信号特性の劣化を防止することを目的とする。
また、上記第5ステップでは、上記層構造として、少なくとも、上記反射膜が形成された上記記録層に対して、再生レーザ光の入射面側にカバー層を形成する。そして上記スタンパを用いて転写された上記ピット列形状のピットは、最短ピットの深さをds、所定長以上の長ピットの深さをdl、上記カバー層の屈折率をn、再生レーザ光の波長をλとしたときに、dl≦0.20(λ/n)及びdl−ds≦1/30(λ/n)を満たす形状とされる。
また本発明の光ディスクは、ピット及びスペースによるピット列形状が形成されているとともに、銀もしくは銀合金による反射膜が形成された記録層と、上記反射膜が形成された上記記録層に対して、再生レーザ光の入射面側に形成されたカバー層とを有する。そして上記ピット列形状におけるピットは、
dl≦0.20(λ/n)及びdl−ds≦1/30(λ/n)を満たす形状とされている。
また上記ピット列形状は、無機レジスト層に対して記録レーザ光照射によりピット及びスペースから成る記録信号パターンの露光を行い、さらに現像処理を行ってピット及びスペースによるピット列形状が形成されたディスク原盤を用いて、上記ピット列形状が転写されたスタンパを形成し、該スタンパを用いて転写されたものである。
また本発明が想定する高密度記録光ディスクは、反射膜側から再生信号を読み取るディスクであり、再生光学系としてNAが高い(例えば0.7以上)の対物レンズを用いている。また光ディスクの反射膜としてはAg或いはAgを主体とした合金を使用する。
ここで、無機レジストを用いてディスク原盤を製造し、そのディスク原盤に形成されたピット列形状が、最終的に大量生産される光ディスク(再生専用型)の記録層に転写されるわけであるが、そのピット列形状としてピット長によって、深さの差が存在する。ブルーレイディスクの場合、2T〜8Tのピットが形成されるが、最短ピットである2Tが最も浅く、長ピットとして4T〜8Tがほぼ同じで最も深くなる傾向にある。
反射率変動に影響されにくい信号特性が得られるため、再生専用型ブルーレイディスク等の高密度光ディスクの生産性が向上される。
また反射膜厚ごとにピット形状を検討する必要がなくなる。これは多層ディスクに必要になる高反射率の第1記録層として用いる場合も、1層構造の再生専用型ブルーレイディスクと全く同じカッティング条件で用いることができることを意味している。
また本発明は、反射率依存性が大きく、信号特性が劣化してしまうマスタリングプロセスにおいて、蓄熱層や若干の記録パワー調節で容易に制御可能であるため、製造工程への導入が簡単であるという利点もある。
[1.ディスク製造工程]
[2.無機レジストを用いたマスタリング]
[3.製造される光ディスク]
[4.検証]
まず図1の模式図を参照して、光ディスクの製造工程を述べる。
図1(a)はディスク原盤を構成する原盤形成基板100を示している。原盤形成基板100としては、例えばシリコンウェハ、石英等が用いられる。
この原盤形成基板100上に、スパッタリング法により図1(b)のように、蓄熱層101、無機レジスト層102を成膜する
そして無機レジスト層102を現像(エッチング)することによって、図1(d)のように所定の凹凸形状のピットパターン(ピット及びスペースによるピット列形状)が形成されたディスク原盤103が生成される
そのスタンパ104を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂であるポリカーボネートからなる樹脂製ディスク基板105を成形する(図1(g))。
その後、スタンパ104を剥離し(図1(h))、図1(i)のように、その樹脂製ディスク基板105の凹凸面、即ちスタンパ104から転写されたピット列形状の面にAg又はAg合金による反射膜106を成膜する。凹凸のピット列形状及び反射膜106により記録層が形成される。
そして図1(j)のように、記録層のレーザ入射面側にカバー層109を生成することで再生専用型の光ディスク(例えばブルーレイディスク)が製造される。
なお、カバー層109の表面にさらにハードコート層を形成したり、ディスク基板側105の表面(レーベル印刷面側)に防湿膜を形成する場合もある。
上記図1(a)(b)(c)(d)は、ディスク原盤を製造するまでの工程となるが、ここで無機レジストを用いたマスタリングについて述べておく。
先にも述べたように、無機レジストは、露光スポット中心近傍の高温部のみが記録に寄与するヒートモードによって感光する。これによって加工パターンを微細化することができる。また、このヒートモードプロセスではDUV波長のレーザを用いる必要がなく、青色半導体レーザで十分な解像度を得ることができる。さらに無機レジストは被露光部が従来用いられてきたアルカリ現像によって溶解するため、プロセスが複雑化することはない。これらのことから、ブルーレイディスク等の高密度光ディスクの製造に適しているといえる。
蓄熱層101は例えばアモルファスシリコンが用いられる。この蓄熱層101は露光によって与えられた熱エネルギーの拡散を防ぎ、効率よく無機レジスト層102を加熱する作用を持っている。ただし、蓄熱層101が厚すぎると加熱過剰となり解像度が劣化する。通常は、この蓄熱層101の成膜厚さとしては70〜100nm程度にする。但し、本例の場合は、後述するが、蓄熱層101の厚さは、レーザ波長の17%未満の厚みとする。
無機レジスト層102にはタングステンやモリブデンなどの遷移金属の不完全酸化物が用いられる。これは、青〜紫外線波長に感度を持ち、アルカリ現像液に対して、露光部が大きな溶解性を持つことから選択された。無機レジスト層102は一般的には、所望のピット深さよりやや厚めに成膜する。
ディスク原盤103は、露光装置のターンテーブル上に設置され、記録線速度に応じた速度で回転し、半径方向に一定の送りピッチ(トラックピッチ)で対物レンズと相対移動を行う。
露光が終了した原盤は一般的な有機アルカリ現像液により現像され、図1(d)のようにディスク原盤103にピット列形状としての凹凸が形成される。無機レジスト層102としてタングステン酸化物を用いた場合には露光部がアルカリ可溶になる(ポジタイプ)。
これは無機レジスト層102の現像がディスク原盤界面(正確には蓄熱層101との界面)まで進行しないためである。
無機レジスト層102に対してレーザ露光によって与えられた熱は、レジスト表面から底部へ進行する際に一部は膜中で吸収され、また一部は原盤形成基板100側へ逃げてしまうので、最深部では十分な加熱が行われず現像が進行し難くなる。
その結果、現像がレジスト膜中で停止して(一般的にハーフトーンと呼ばれる)、図2に示すように、ピット底部は弧を描くことになる。
これによって、次工程であるリソグラフィを行う際、投入熱量が大きい4T〜8Tピットはレーザ波長の20%以上の深さまで感光する。それに対して、投入熱量の少ない2Tピットは蓄熱層101の効果が得られず、感光深さが最深ピットに比較してある程度浅くなる。
これによってディスク原盤103に形成されるピット列形状は、そのピット長に応じて深さが異なるものとなる。当然、ディスク原盤103、スタンパ104から転写形成される光ディスクの記録層としてのピット列形状も、そのピット長に応じて異なる深さとなる。
ブルーレイディスクの場合、2T〜8Tのピットが形成されるが、最短ピットである2Tが最も浅く、長ピットとして4T〜8Tがほぼ同じで最も深くなる傾向にある。
ところで、図1の製造工程で述べたように、スタンパ104を用いて形成されるディスク基板105では、その転写されたピット列形状の面に銀もしくは銀を主体とした合金による反射膜106が成膜される。
ところが、この反射膜106の膜厚の誤差により、反射率が45〜60%程度の範囲でバラツキが生じ、図10でも述べたが、反射率の変動によって信号特性が不安定となる。特に反射率が50%以上となった光ディスクでは、ジッター特性やアシンメトリ特性の悪化が顕著となる。
そこで本実施の形態として製造される光ディスクについては、以下に説明するピット形状とすること、及びその製造方法を提案するものである。
具体的には、反射膜106の膜厚誤差により、反射率が45〜60%でバラついたとしても、ジッタ上昇1.5%以下、アシンメトリ上昇2%以下の実現を目標とする。
図2(a)は製造された従来の光ディスクの記録層の半径方向の断面図であり、最短ピットである2Tピットと長ピット(4T以上のピット)のピット形状を表している。
この図2(a)の例の場合、2Tピットの深さは48nm、長ピットの深さは59nmとなっている。
2Tピットの深さは、侵入してくるレーザ光の波長の19%程度であるのに対して、長ピットの深さはレーザ光の波長の23%程度と、そこには大きな違いあることが確認できる。なおブルーレイディスクの場合、レーザ光の波長は405nm、カバー層109の屈折率は1.54である。
なお、マスタリング段階では、いわゆるPTM方式でレーザ露光が行われるが、露光レーザのライトストラテジーとしては、例えば2Tピットについてはファーストパルスのみの単一記録パルス、3Tピットについてはファーストパルスとラストパルスによる複合的な記録パルス、4Tピット以上については、ファーストパルス、マルチパルス、ラストパルスによる複合的な記録パルスである。4T〜8Tは、マルチパルスの数が異なるものとなる。2Tピットの場合に投入熱量が少ないのは、ライトストラテジーが単一記録パルスであることによる。
ここに反射膜厚依存性の原因がある。ディスク原盤103のピット列形状が転写された光ディスクにおいては、厚い反射膜106が成膜され、ピット底面での反射率が大きくなるにつれて、ピット内部に侵入する光の電界などの光学的な振る舞いが変化していく。特にピットが深いほど侵入した光の電界の振る舞いは複雑化する。
このとき、図2(a)のようにピットの深さが、そのピット長により大きく異なる光ディスクでは、ピット長によってお互いに電界の振る舞いが異なるため、反射率ごとにその相対的な電界の振る舞いが変化していく。その結果、戻り光量の違いが生じ、再生信号が反射率増加とともに劣化してしまう。
さらに、全ピットの深さの差が侵入してくる波長の1/30以内にする。
つまり、8Tピットの再生信号のボトムレベルを上げ、変調度を減少させる。現在の再生専用型ブルーレイディスクは、変調度40%以上が規格となっており、50nm深さにしても変調度60%程度は確保できるため、問題ない。
長ピットの深さを浅くすることで電界の複雑化を和らげ、また最短ピットから長ピットの間で差を少なくすることで電界の振る舞いの相対的な違いがなくなり、厚い反射膜において生じる光学的な変動に対する影響を弱めることができる。
前述のように、無機レジスト層102の底部は表面付近と比較して熱量が不足するので、蓄熱層101の存在は特にレジスト底部の感度に大きな影響を与え、その膜厚によってピット深さを制御する事が可能である。
そこで、蓄熱層101をレーザー波長の17%未満に設定すると、蓄熱効果を低下させることで長ピットの深溝化を抑制することができる。
図2(b)は本実施の形態の光ディスクの記録層の断面を示しているが、この場合、2Tピットの深さは43nm、長ピットの深さは44nmとした。つまり、長ピットの深さが、2Tピットの深さにかなり近づけられている。このように長ピットの深溝化を抑制し、2Tピットに深さを近づけることは、ディスク原盤103における蓄熱層の厚さの設定によって実現できる。
このような光ディスクは、反射膜106の膜厚変動(反射率変動)に対して、信号特性の劣化の少ないディスクとすることができる。
ライトストラテジーはマルチパルス記録であり、パルス幅、強度、パルス間隔を調整することでピット深さを制御することができる。
しかし、2T〜8Tの各々で設定されているライトストラテジーを所望のピット深さになるようにパルス幅、強度、パルス間隔の独立したパラメータを各Tごとに調節し、信号特性を改善させるには大変な労力を必要とする。
それに対して、蓄熱層101の成膜時に蓄熱層厚さを調節するという手法は、より簡便な深さ制御手法と言える。
以上のように信号特性の劣化の少ないディスクを実現できることの検証例を示す。
発明者は図3,図4にサンプル1〜サンプル6として示すピット形状の光ディスクを作成し、その信号特性の反射率依存性を測定した。なお、図3,図4はAFM(原子間力顕微鏡)画像として観察されたピット形状に基づいて作図したものである。
各サンプルは次のとおりである。なお、最短ピット(2Tピット)の深さをds、長ピット(4T〜8T)の深さをdl、カバー層109の屈折率をn、再生レーザ光の波長をλとする。
ディスク原盤の蓄熱層:70nm(レーザ波長の17.3%)
2Tピットの深さ:48nm
長ピットの深さ:59nm
これは、dl>0.20(λ/n)、dl−ds>1/30(λ/n)である。
ディスク原盤の蓄熱層:40nm(レーザ波長の9.9%)
2Tピットの深さ:43nm
長ピットの深さ:44nm
これは、dl<0.20(λ/n)、dl−ds<1/30(λ/n)である。
ディスク原盤の蓄熱層:60nm(レーザ波長の14.8%)
2Tピットの深さ:44nm
長ピットの深さ:52nm
これは、dl=0.20(λ/n)、dl−ds=1/30(λ/n)である。
ディスク原盤の蓄熱層:40nm(レーザ波長の9.9%)
2Tピットの深さ:43nm
長ピットの深さ:49nm
これは、dl<0.20(λ/n)、dl−ds<1/30(λ/n)である。
ディスク原盤の蓄熱層:40nm(レーザ波長の9.9%)
2Tピットの深さ:47nm
長ピットの深さ:49nm
これは、dl<0.20(λ/n)、dl−ds<1/30(λ/n)である。
ディスク原盤の蓄熱層:70nm(レーザ波長の17.3%)
2Tピットの深さ:50nm
長ピットの深さ:61nm
これは、dl>0.20(λ/n)、dl−ds>1/30(λ/n)である。
図5、図6,図7は、これらのサンプル1〜サンプル6について再生信号特性を示している。各図は横軸を反射膜106の反射率としている。そして図5は反射率に対するジッター特性、図6は反射率にたいするアシンメトリ特性、図7は反射率に対する変調度の特性を示している。各図における[1]〜[6]の特性カーブは、上記サンプルの番号に対応している。
即ち、4T〜8Tピットの深さdlを、カバー層屈折率nとして、
dl≦0.20(λ/n)
もしくは変調度が63%以下であり、
かつ、最短ピット(2T)の深さdsに対して、
dl−ds≦1/30(λ/n)
特に、製造上での変動が発生する反射率45〜55%の範囲に対しては非常に良い安定性を確保している。
ただし、長ピットを浅くし、2Tピット程度の深さになることでアシンメトリの絶対値が大きくなることは避けられない。実際にサンプル5は11%程度となっている。
そこで信号の安定性とアシンメトリの絶対値をある程度確保するためには、2Tピットと長ピットの深さの差が侵入してくる波長に対して1/30程度にすることが推奨される。
まず、反射率変動に影響されにくい信号特性が得られるため、再生専用型ブルーレイディスク製造の生産性が向上される。
また、反射膜厚ごとにピット形状を検討する必要がなくなる。これは上記図1(a)〜(i)のようにして製造されるディスク基板105における記録層を、多層ディスクに必要になる高反射率の第1記録層として用いる場合も、1層の再生専用型ブルーレイディスクと全く同じカッティング条件で用いることができることを意味している。
また、蓄熱層101の厚みによりピットの深さを制御する本例の方式は、マスタリングプロセスにおいて容易に導入することができる。
なお、ブルーレイディスクの例で説明したが、本発明は他の光ディスク、特にブルーレイディスクと同等もしくはそれ以上の記録密度を持つ光ディスクでの適用に好適である。
Claims (5)
- 原盤形成基板上に、記録レーザ波長の17%未満の厚さの蓄熱層を形成し、さらに無機レジスト層を形成して露光前のディスク原盤を生成する第1ステップと、
該ディスク原盤の無機レジスト層に対して、記録レーザ光照射によりピット及びスペースから成る記録信号パターンの露光を行う第2ステップと、
上記露光後に現像処理を行ってピット及びスペースによるピット列形状が形成されたディスク原盤を生成する第3ステップと、
上記ピット列形状が形成されたディスク原盤を用いて、上記ピット列形状が転写されたスタンパを製造する第4ステップと、
上記スタンパのピット列形状が転写され、かつ上記ピット列形状に対して銀もしくは銀合金による反射膜が形成された記録層を含む所定の層構造を有する光ディスクを製造する第5ステップと、
を備えた光ディスク製造方法。 - 上記第5ステップでは、
上記層構造として、少なくとも、上記反射膜が形成された上記記録層に対して、再生レーザ光の入射面側にカバー層を形成するとともに、
上記スタンパを用いて転写された上記ピット列形状のピットは、
最短ピットの深さをds、
所定長以上の長ピットの深さをdl、
上記カバー層の屈折率をn、
再生レーザ光の波長をλ、
としたときに、
dl≦0.20(λ/n)
及び、
dl−ds≦1/30(λ/n)
を満たす形状とされる請求項1に記載の光ディスク製造方法。 - 原盤形成基板上に、記録レーザ波長の17%未満の厚さの蓄熱層を形成し、さらに無機レジスト層を形成して露光前のディスク原盤を生成する第1ステップと、
該ディスク原盤の無機レジスト層に対して、記録レーザ光照射によりピット及びスペースから成る記録信号パターンの露光を行う第2ステップと、
上記露光後に現像処理を行ってピット及びスペースによるピット列形状が形成されたディスク原盤を生成する第3ステップと、
を備えたディスク原盤製造方法。 - ピット及びスペースによるピット列形状が形成されているとともに、銀もしくは銀合金による反射膜が形成された記録層と、
上記反射膜が形成された上記記録層に対して、再生レーザ光の入射面側に形成されたカバー層とを有するとともに、
上記ピット列形状におけるピットは、
最短ピットの深さをds、
所定長以上の長ピットの深さをdl、
上記カバー層の屈折率をn、
再生レーザ光の波長をλ、
としたときに、
dl≦0.20(λ/n)
及び、
dl−ds≦1/30(λ/n)
を満たす形状とされている光ディスク。 - 上記ピット列形状は、
無機レジスト層に対して記録レーザ光照射によりピット及びスペースから成る記録信号パターンの露光を行い、さらに現像処理を行ってピット及びスペースによるピット列形状が形成されたディスク原盤を用いて、上記ピット列形状が転写されたスタンパを形成し、該スタンパを用いて転写されたものである請求項4に記載の光ディスク。
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