JP2010079056A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画像信号の電位の振れ幅を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】画像表示装置であって、一端部から他端部への電流によって発光する発光素子と、第１、第２、第３電極を有し、該第１電極が他端部に対して電気的に接続され、第１電極と第２電極との間に流れる電流を、第３電極に付与される電位によって調整する駆動トランジスタと、発光素子に対して電気的に並列に接続される抵抗部材とを備える。そして、一端部と第２電極との間に一端部の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第３電極に付与される電位の変化に応じて、一端部と他端部との間の電圧が発光素子の閾値電圧を超える場合は、一端部と他端部との間に電流が流れて発光素子が発光する。また、一端部と他端部との間の電圧が発光素子の閾値電圧以下となる場合は、抵抗部材に電流が流れ、一端部と他端部との間に電流が流れず、発光素子が発光しない。
【選択図】図３

Description

本発明は、画像表示装置に関する。

従来より、電界発光を利用した有機ＥＬ(Electroluminescent)素子を用いた画像表示装置が知られている（例えば、特許文献１など）。

この特許文献１で開示された画像表示装置では、有機ＥＬ素子の発光前に、有機ＥＬ素子に対して直列に接続された駆動トランジスタにおいてソースを基準としたゲートの電位（ゲート電圧）が適宜設定されることで、ドレイン電流が制御されて、所望の発光輝度が得られる。そして、上記駆動トランジスタには、アモルファスのシリコン（以下「ｓ−Ｓｉ」と称する）を用いた薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film field-effect Transistor）が頻繁に適用される。

特開２００１−６００７６号公報

しかしながら、ａ−Ｓｉを用いたＴＦＴ（ａ−ＳｉＴＦＴ）では、ゲート電圧を０Ｖとしても、微量のドレイン電流が流れる性質を有する。このため、ドレイン電流が全く流れない状態に設定するためには、ゲート電圧を負の電圧に設定する必要がある。そして、ａ−ＳｉＴＦＴでは、図２９の曲線Ｃ_v0で示すように、ゲート電圧Ｖ_gが正の場合には、ゲート電圧Ｖ_gの変化に対して、ドレイン電流Ｉ_dの変化が比較的大きい状態（感度の良い状態）となる。一方、ゲート電圧Ｖ_gが負の場合には、ゲート電圧Ｖ_gの変化に対して、ドレイン電流Ｉ_dの変化が顕著に小さな状態（感度が悪い状態）となる。したがって、ａ−ＳｉＴＦＴにおいて微量のドレイン電流Ｉ_dが流れない状態とするためには、ゲート電圧Ｖ_gをある程度大きな負の電圧とする必要がある。

例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic light-emitting diode）によって構成される有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ：Organic Electro-Luminescence）素子と、ａ−ＳｉＴＦＴによって構成される駆動トランジスタとが直列に接続された画素回路では、駆動トランジスタのゲート電圧を０Ｖにしても微量なドレイン電流によって有機ＥＬ素子が点灯してしまう。このため、有機ＥＬ素子において低輝度の発光および無発光を実現するためには、駆動トランジスタのゲート電圧をある程度大きな負の電圧とする必要がある。したがって、各画素回路に画像信号を付与する画像信号線の電位の振れ幅を広くする必要性があり、画像信号の電位を調整するドライバなどの回路の複雑化、大型化、および高コスト化などの種々の不具合を招いていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、画像信号の電位の振れ幅を抑制することができる技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、請求項１の発明は、画像表示装置であって、一端部から他端部に向けて電流が流れることで発光する発光素子と、第１電極、第２電極、および第３電極を有し、該第１電極が前記他端部に対して電気的に接続され、前記第１電極と前記第２電極との間に流れる電流を、前記第３電極に付与される電位によって調整する駆動トランジスタと、前記発光素子に対して電気的に並列に接続される抵抗部材とを備える。そして、前記画像表示装置では、前記一端部と前記第２電極との間に前記一端部の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、前記第３電極に付与される電位の変化に応じて、前記一端部と前記他端部との間の電圧が前記発光素子の閾値電圧を超える場合は、前記一端部と前記他端部との間に電流が流れて前記発光素子が発光する。また、前記画像表示装置では、前記一端部と前記他端部との間の電圧が前記発光素子の閾値電圧以下となる場合は、前記抵抗部材に電流が流れ、前記一端部と前記他端部との間に電流が流れず、前記発光素子が発光しない。

また、請求項２の発明は、画像表示装置であって、一端部から他端部に向けて電流が流れることで発光する発光素子と、第１電極、第２電極、および第３電極を有し、該第２電極が前記一端部に対して電気的に接続され、前記第１電極と前記第２電極との間に流れる電流を、前記第３電極に付与される電位によって調整する駆動トランジスタと、前記発光素子に対して電気的に並列に接続される抵抗部材と、を備える。そして、前記画像表示装置では、前記第１電極と前記他端部との間に前記第１電極の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、前記第３電極に付与される電位の変化に応じて、前記一端部と前記他端部との間の電圧が前記発光素子の閾値電圧を超える場合は、前記一端部と前記他端部との間に電流が流れて前記発光素子が発光する。また、前記画像表示装置では、前記一端部と前記他端部との間の電圧が前記発光素子の閾値電圧以下となる場合は、前記抵抗部材に電流が流れ、前記一端部と前記他端部との間に電流が流れず、前記発光素子が発光しない。

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載の画像表示装置であって、前記抵抗部材が、第４、第５、第６電極を有し、前記第４電極と前記第５電極との間に流れる電流を、前記第６電極に付与される電位によって調整する調整トランジスタを含む。そして、この画像表示装置では、前記第４電極が、前記一端部に対して電気的に接続され、前記第５電極が、前記他端部および前記第６電極に対して電気的に接続される。

また、請求項４の発明は、請求項１または請求項２に記載の画像表示装置であって、前記抵抗部材が、第４、第５、第６電極を有し、前記第４電極と前記第５電極との間に流れる電流を、前記第６電極に付与される電位によって調整する第１調整トランジスタと、第７、第８、第９電極を有し、前記第７電極と前記第８電極との間に流れる電流を、前記第９電極に付与される電位によって調整する第２調整トランジスタとを含む。そして、この画像表示装置では、前記第４電極が、前記第８電極に対して電気的に接続され、前記第５電極が、前記他端部および前記第６電極に対して電気的に接続され、前記第７電極が、前記一端部および前記第９電極に対して電気的に接続される。

また、請求項５の発明は、請求項４に記載の画像表示装置であって、第１０、第１１、第１２電極を有し、前記第１０電極と前記第１１電極との間に流れる電流を、前記第１２電極に印加される電位によって調整する補償用トランジスタ、を更に備える。そして、この画像表示装置では、前記第１０電極が、前記第１電極に対して電気的に接続され、前記第１１電極が、前記第３電極に対して電気的に接続される。

また、請求項６の発明は、請求項１または請求項２に記載の画像表示装置であって、前記抵抗部材が、一端と他端との間に印加される電圧と、前記一端と前記他端との間を流れる電流とが、略比例関係を有する抵抗素子を含む。

＜用語に関する記載＞
本明細書において、「電気的に接続される」という文言は、一方の部材と他方の部材とが配線などを介して常に導通可能に接続されている態様、および一方の部材と他方の部材とが、導電性を有する配線などだけでなく、その他の部材によって間接的に接続されている態様の双方を含む意味で用いられる。つまり、「電気的に接続される」という文言は、他の部材の状態（例えば、トランジスタのソースとドレインとの間で電流が流れ得る導通状態）に応じて、一方の部材と他方の部材とが配線およびその他の部材によって導通可能に接続される態様をも含む意味で用いられる。

また、本明細書における「ゲート電圧」とは、ソースの電位を基準としたゲートの電位、すなわちソースとゲートとの間の電位差のことを言い、適宜「Ｖ_g」で表現する。

本発明によれば、発光素子の両端に印加される電圧が閾値電圧を超える場合には発光素子に電流が流れて該発光素子が発光するが、発光素子の両端に印加される電圧が閾値電圧以下の場合には、抵抗部材に電流が流れて、発光素子に電流が流れず、該発光素子が発光しないため、駆動トランジスタのゲート電圧を設定するための画像信号の電位の振れ幅を抑制することができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

＜第１実施形態＞
＜画像表示装置の概略＞
図１は、本発明の実施形態に係る画像表示装置１Ａの概略構成を例示する図である。

画像表示装置１Ａは、画像信号に応じた動画や静止画などといった各種画像を表示する電子機器である。この画像表示装置１Ａは、例えば、略長方形の輪郭を有する有機ＥＬディスプレイ(organic electroluminescence display)、および各種信号が入力されるドライバ手段を有する表示部２００Ａを備える。なお、有機ＥＬディスプレイは、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型の発光素子を有する。

＜表示部の概略構成＞
図２は、表示部２００Ａの概略構成を示すブロック図である。なお、図２では、方位関係を明確化するために直交するＸＹの２軸が示されている。

表示部２００Ａは、有機ＥＬディスプレイＡＡ、タイミング発生回路ＴＣ、給電制御部ＥＣ、画像信号線駆動回路（Ｘドライバ）Ｘ_d、および走査信号線駆動回路（Ｙドライバ）Ｙ_dを備えている。

有機ＥＬディスプレイＡＡには、多数の画素回路７Ａが縦方向（Ｙ方向）ならびに横方向（Ｘ方向）に沿ってマトリックス状（すなわち格子状）に配列されている。そして、Ｙ方向に平行な画素回路７Ａの列ごとに画像信号線Ｌ_isがそれぞれ設けられ、各画像信号線Ｌ_isが複数の画素回路７Ａに対して電気的に共通に接続されている。また、Ｘ方向に平行な画素回路７Ａの行ごとに、走査信号線Ｌ_ssがそれぞれ設けられ、各走査信号線Ｌ_ssが複数の画素回路７Ａに対して電気的に共通に接続されている。

タイミング発生回路ＴＣは、外部から送られてくる画像データ（例えば、ＲＧＢの画素信号）Ｄに同期させて、ＸドライバＸ_dから各画像信号線Ｌ_isに対する画素信号の供給タイミングを制御する信号をＸドライバＸ_dに対して送出する。そして、ＹドライバＹ_dから各走査信号線Ｌ_ssに対する走査信号の供給タイミングを制御する信号をＹドライバＹ_dに対して送出する。

ＸドライバＸ_dは、タイミング発生回路ＴＣからの信号に応答して、画像信号線Ｌ_isに対して画素信号を供給する。一方、ＹドライバＹ_dは、タイミング発生回路ＴＣからの信号に応答して、走査信号線Ｌ_ssに対して走査信号を供給する。このようなタイミング発生回路ＴＣの制御により、画像信号線Ｌ_isを介して各画素回路７Ａに画素信号が適宜供給される。

給電制御部ＥＣは、各画素回路７Ａに対する電力（具体的には発光などに要する電力）の供給を制御する部分であり、ハードウェアすなわち回路構成によって実現されても良いし、ソフトウェアがＣＰＵで実行されることで実現されても良い。

＜画素回路の構成＞
図３は、画像表示装置１Ａを構成する１画素分の画素回路（駆動回路）７Ａの構成例を示す図である。

画素回路７Ａは、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）１、駆動トランジスタ２、走査用トランジスタ３、コンデンサ４、および調整トランジスタ５を備えている。

有機ＥＬ素子１は、有機物などで構成され、アノード電極１ａからカソード電極１ｂに向けて発光層を流れる電流の量（電流量）によって発光輝度が変化する発光素子である。アノード電極１ａは、有機ＥＬ素子１の発光時に正の高電位（例えば、＋１０Ｖなど）が印加される給電部Ｐ_vdに対して電気的に接続されている。そして、アノード電極１ａは、接続点Ｃｐ３を介して調整トランジスタ５の第４電極５ｄｓに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、アノード電極１ａが本発明の「一端部」に相当する。また、カソード電極１ｂは、駆動トランジスタ２を介して接地されている。そして、カソード電極１ｂは、接続点Ｃｐ４，Ｃｐ５を順次に介して調整トランジスタ５の第５および第６電極５ｓｄ，５ｇに対して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、カソード電極１ｂが本発明の「他端部」に相当する。

駆動トランジスタ２は、有機ＥＬ素子１に対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子１における電流量を調整することで有機ＥＬ素子１の発光輝度を制御するトランジスタである。ここでは、駆動トランジスタ２は、キャリアが電子であるタイプ（ｎ型）のＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor）構造を採用した電界効果トランジスタ（FET:Field Effect Transistor）の一種である薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）、すなわちｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。

この駆動トランジスタ２は、第１から第３電極２ｄｓ，２ｓｄ，２ｇを有している。第１電極２ｄｓは、接続点Ｃｐ４を介して有機ＥＬ素子１のカソード電極１ｂに対して電気的に接続され、有機ＥＬ素子１が発光する際、すなわち有機ＥＬ素子１に対して順方向の電流が流れる際にドレイン電極（以下「ドレイン」と略称する）として機能する。一方、有機ＥＬ素子１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第１電極２ｄｓは逆にソース電極（以下「ソース」と略称する）として機能する。また、第１電極２ｄｓは、接続点Ｃｐ４，Ｃｐ５を順次に介して調整トランジスタ５の第５および第６電極５ｓｄ，５ｇに対して電気的に接続されている。第２電極２ｓｄは、接続点Ｃｐ２を介して接地させるための配線（接地用配線）Ｇ_dおよびコンデンサ４の他方電極４ｂに対して電気的に接続され、有機ＥＬ素子１に対して順方向の電流が流れる際にソース電極（ソース）として機能する。一方、有機ＥＬ素子１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第２電極２ｓｄは逆にドレイン電極（ドレイン）として機能する。更に、第３電極２ｇは、いわゆるゲート電極（以下「ゲート」と略称する）であり、接続点Ｃｐ１を介して走査用トランジスタ３の第８電極３ｓｄ、およびコンデンサ４の一方電極４ａに対して電気的に接続されている。

また、駆動トランジスタ２では、第３電極２ｇに付与される電位、より詳細には第１電極２ｄｓまたは第２電極２ｓｄと第３電極２ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１電極２ｄｓと第２電極２ｓｄとの間（以下「第１−２電極間」とも称する）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第３電極（ゲート）２ｇに付与される電位により、駆動トランジスタ２は、第１−２電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

調整トランジスタ５は、駆動トランジスタ２と略同一の性能を有し、給電部Ｐ_vdと接地用配線Ｇ_dとの間において、有機ＥＬ素子１に対して電気的に並列に接続され、且つ駆動トランジスタ２に対して電気的に直列に接続されている。そして、この調整トランジスタ５は、第４から第６電極５ｄｓ，５ｓｄ，５ｇを有している。第４電極５ｄｓは、接続点Ｃｐ３を介して有機ＥＬ素子１のアノード電極１ａおよび給電部Ｐ_vdに対して電気的に接続されている。また、第５および第６電極５ｓｄ，５ｇは、接続点Ｃｐ５，Ｃｐ４を順次に介して有機ＥＬ素子１のカソード電極１ｂおよび駆動トランジスタ２の第１電極２ｄｓに対してそれぞれ電気的に接続されている。更に、第５電極５ｓｄは、接続点Ｃｐ５を介してゲートである第６電極５ｇに対して電気的に接続されている。

また、調整トランジスタ５では、第６電極５ｇに付与される電位、より詳細には第４電極５ｄｓまたは第５電極５ｓｄと第６電極５ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第４電極５ｄｓと第５電極５ｓｄとの間（以下「第４−５電極間」とも称する）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第６電極（ゲート）５ｇに付与される電位により、調整トランジスタ５は、第４−５電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。なお、本実施形態では、調整トランジスタ５が本発明の「抵抗部材」に相当する。

走査用トランジスタ３は、画像信号線Ｌ_isの電位を駆動トランジスタ２の第３電極（ゲート）２ｇに付与するタイミングを制御するトランジスタである。ここでは、走査用トランジスタ３も、駆動トランジスタ２と同様にｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。

この走査用トランジスタ３は、第７から第９電極３ｄｓ，３ｓｄ，３ｇを有している。そして、第７電極３ｄｓは、画像信号線Ｌ_isに対して電気的に接続されている。また、第８電極３ｓｄは、接続点Ｃｐ１を介して駆動トランジスタ２の第３電極（ゲート）２ｇおよびコンデンサ４の一方電極４ａに対して電気的に接続されている。更に、第９電極３ｇは、いわゆるゲートとして機能し、走査信号線Ｌ_ssに対して電気的に接続されている。

また、走査用トランジスタ３では、第９電極３ｇに付与される電位、より具体的には第７電極３ｄｓまたは第８電極３ｓｄと第９電極３ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第７電極３ｄｓと第８電極３ｓｄとの間（以下「第７−８電極間」とも称する）における電流量が調整される。そして、この第９電極（ゲート）３ｇに付与される電位により、走査用トランジスタ３は、第７−８電極間（ドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

コンデンサ４は、一方および他方電極４ａ，４ｂを有している。そして、一方電極４ａは、接続点Ｃｐ１を介して、駆動トランジスタ２の第３電極２ｇおよび走査用トランジスタ３の第８電極３ｓｄに対して電気的に接続されている。また、他方電極４ｂは、接続点Ｃｐ２を介して、駆動トランジスタ２の第２電極２ｓｄおよび接地用配線Ｇ_dに対して電気的に接続されている。

なお、ここでは、１つの画素回路７Ａに着目して説明したが、有機ＥＬディスプレイＡＡ全体では、画素回路７Ａが多数存在する。

＜有機ＥＬ素子の発光に関する駆動方法＞
図４は、有機ＥＬ素子１を発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。具体的には、図４では、時間順次に有機ＥＬ素子１が３回の発光する際の駆動波形を示すタイミングチャートが示されている。そして、図４では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)走査信号線Ｌ_ssに付与される電位（電位Ｖ_sl）、(ｂ)画像信号線Ｌ_isに付与される電位（電位Ｖ_is）の波形が示されている。なお、電位Ｖ_isは、各有機ＥＬ素子１の発光輝度によって決まる任意の値（以下「Ｖ_data」と称する）であるため、図４では、当該電位が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。また、ここでは、給電部Ｐ_vdには一定の正の高電位（＋１０Ｖ）が付与されているものとする。以下、図４を参照しつつ、有機ＥＬ素子１の発光動作について説明する。

時刻ｔ１において、電位Ｖ_isが基準電位の０Ｖから正の任意の電位Ｖ_dataに設定される。続いて、時刻ｔ２において、電位Ｖ_slが低電位Ｖ_gLから高電位Ｖ_gHに設定される。このとき、走査用トランジスタ３が導通状態となり、第３電極（ゲート）２ｇに電位Ｖ_dataが付与されて、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gがＶ_dataとなる。その結果、電位Ｖ_dataに応じた電流が第１−２電極間に流れるとともに、電位Ｖ_dataに応じた電流が有機ＥＬ素子１のアノード電極１ａからカソード電極１ｂに向けて流れて、有機ＥＬ素子１が電位Ｖ_dataに応じた輝度で発光する。次に、時刻ｔ３において、電位Ｖ_isが電位Ｖ_dataから基準電位の０Ｖに設定される。このとき、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gが０Ｖとなり、有機ＥＬ素子１の発光が終了する。そして、時刻ｔ４において、電位Ｖ_slが高電位Ｖ_gHから低電位Ｖ_gLに変更される。

そして、時刻ｔ５〜ｔ８および時刻ｔ９〜ｔ１２では、時刻ｔ１〜ｔ４と同様な動作がそれぞれ行われ、所定の時間間隔（例えば、１／６０秒）で有機ＥＬ素子１の発光が開始される。ここでは、時間順次に有機ＥＬ素子１が３回の発光する際の駆動について説明したが、実際には、画像の表示期間に応じて時間順次に有機ＥＬ素子１が多数回発光する。

＜調整トランジスタの特性と調整トランジスタによるメリット＞
図５は、調整トランジスタ５の特性を模式的に示す図である。図５では、横軸が電位を示し、縦軸が電流を示している。そして、調整トランジスタ５の第５電極５ｓｄの電位を基準とした第４電極５ｄｓの電位、すなわち第４電極５ｄｓと第５電極５ｓｄとの間の電位差（電圧）Ｖ₅₀と、第４電極５ｄｓから第５電極５ｓｄに向けた電流Ｉ₅₀との関係が曲線Ｃ_r5で示されている。

図５で示すように、電圧Ｖ₅₀が０Ｖ以上である場合には、第５電極（ソース）５ｓｄと第６電極（ゲート）５ｇとが電気的に接続されているため、ゲートとソースとの間の電位差（ゲート電圧）が０Ｖとなる。したがって、電圧Ｖ₅₀が０Ｖ以上である場合には、電圧Ｖ₅₀の上昇とともに、電流Ｉ₅₀が増加して、図２９でも示したようにゲート電圧が０Ｖである場合の電流Ｉ_d0で一定となる。つまり、接続点Ｃｐ４の電位よりも接続点Ｃｐ３の電位の方が高ければ、第４−５電極間に電流Ｉ_d0以下の電流が流れる。

図６は、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gと有機ＥＬ素子１を流れる電流との関係を示す図である。図６では、横軸が電圧を示し、縦軸が電流を示している。そして、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gと、有機ＥＬ素子１のアノード電極１ａからカソード電極１ｂに向けて流れる電流Ｉ_odとの関係が太い曲線Ｃ_odで示されている。なお、図６では、図２９で示したように仮に有機ＥＬ素子１に対して電気的に並列に調整トランジスタ５が接続されていない場合における駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gと有機ＥＬ素子１を流れる電流Ｉ_odとの関係が、細い曲線Ｃ₁で示されている。

曲線Ｃ₁で示すように、仮に、調整トランジスタ５が存在していなければ、ゲート電圧Ｖ_gを０Ｖとしても電流Ｉ_odが正の電流Ｉ_d0となる。このため、有機ＥＬ素子１において低輝度の発光および無発光を実現するためには、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gをある程度大きな負の電圧とする必要がある。

これに対して、本実施形態に係る画素回路７Ａでは、有機ＥＬ素子１に対して調整トランジスタ５が電気的に並列に接続されており、図５で示すように、電圧Ｖ₅₀が０Ｖ以上である場合には、電圧Ｖ₅₀の上昇とともに、電流Ｉ₅₀が増加して、電流Ｉ_d0で一定となる。このため、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gが０Ｖの場合には、駆動トランジスタ２の第１−２電極間を流れる電流Ｉ_d0が、有機ＥＬ素子１に流れることなく、調整トランジスタ５の第４−５電極間を流れる。

したがって、曲線Ｃ_odで示すように、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gが０Ｖの場合には、有機ＥＬ素子１のアノード電極１ａからカソード電極１ｂに向けて電流が流れない。そして、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gを０Ｖから徐々に上昇させると、接続点Ｃｐ３と接続点Ｃｐ４との間に印加される電圧が徐々に上昇し、電流Ｉ_odが増加する。つまり、接続点Ｃｐ３と接続点Ｃｐ４との間に印加される電圧が所定の閾値電圧以下の場合、調整トランジスタ５の第４−５電極間を電流が流れるが、有機ＥＬ素子１には電流が流れない。そして、接続点Ｃｐ３と接続点Ｃｐ４との間に印加される電圧が所定の閾値電圧を超えると、調整トランジスタ５の第４−５電極間を電流Ｉ_d0が流れるとともに、有機ＥＬ素子１にも電流が流れる。

図７は、有機ＥＬ素子１の両端間に印加される電圧Ｖ_odと、有機ＥＬ素子１を流れる電流Ｉ_odとの関係を模式的に示す図である。図７では、横軸が電圧を示し、縦軸が電流を示している。そして、接続点Ｃｐ３と接続点Ｃｐ４との間に印加される電圧、すなわち有機ＥＬ素子１の両端間に印加される電圧Ｖ_odと、有機ＥＬ素子１の両端間を流れる電流Ｉ_odとの関係が曲線Ｃ_v1で示されている。図７で示すように、電圧Ｖ_odが閾値電圧Ｖ_t1に達するまでは、電流Ｉ_odは０Ａであり、電圧Ｖ_odが閾値電圧Ｖ_t1を超えると、電圧Ｖ_odの増加とともに、電流Ｉ_odが増加していく。

より詳細には、アノード電極１ａと第２電極２ｓｄとの間に第２電極２ｓｄよりもアノード電極１ａの方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第３電極２ｇに付与される電位の変化に応じて、アノード電極１ａとカソード電極１ｂとの間の電圧が閾値電圧Ｖ_t1を超える場合は、第１−２電極間およびアノード電極１ａとカソード電極１ｂとの間に電流が流れて、有機ＥＬ素子１が発光する。また、アノード電極１ａと第２電極２ｓｄとの間に第２電極２ｓｄよりもアノード電極１ａの方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、アノード電極１ａとカソード電極１ｂとの間の電圧が閾値電圧Ｖ_t1以下となる場合は、第１−２電極間に電流が流れる一方で、アノード電極１ａとカソード電極１ｂとの間には電流が流れず、有機ＥＬ素子１が発光しない。

なお、曲線Ｃ_odで示す電流Ｉ_odは、曲線Ｃ₁で示す電流から一定の電流Ｉ_d0を引いたものとなる。

以上のように、第１実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、有機ＥＬ素子１の両電極間に印加される電圧が所定の閾値電圧を超える場合には有機ＥＬ素子１に電流が流れて該有機ＥＬ素子１が発光する。その一方で、有機ＥＬ素子１の両電極間に印加される電圧が所定の閾値電圧以下の場合には、調整トランジスタ５に電流が流れて、有機ＥＬ素子１に電流が流れず、該有機ＥＬ素子１が発光しない。このため、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gを設定するための画像信号の電位（ここではＶ_data）の振れ幅を抑制することができる。

具体的には、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gを０Ｖ以上の正の電圧の範囲で適宜調整することで、有機ＥＬ素子１の発光による全ての輝度の階調を実現することができる。換言すれば、電位Ｖ_dataの小さな変化で効率良く有機ＥＬ素子１の発光を制御することができる。したがって、画素信号の電位Ｖ_dataを調整するＸドライバＸ_dで扱う電圧の振れ幅が小さくなるとともに、ＸドライバＸ_dにおける消費電力の低減を図ることができる。このため、最新の微細プロセスを利用してＸドライバＸ_dを製作することが可能となり、ＸドライバＸ_dの回路の小型化ならびに低コスト化を図ることができる。また、ＸドライバＸ_dの出力（ここでは電位Ｖ_data）の振幅が小さくなっても出力の切り替えの間隔（すなわち出力精度）は略同一で良いため、ＸドライバＸ_dで取り扱うビット数を低減することが可能となり、ＸドライバＸ_dの回路の簡略化および小型化を図ることができる。

なお、調整トランジスタ５が駆動トランジスタ２と電気的に直列に接続されているため、画素回路７Ａの製造途中で、仮に有機ＥＬ素子１が設けられていない状態でも、調整トランジスタ５の抵抗が存在している。このため、有機ＥＬ素子１を蒸着によって形成する前に、調整トランジスタ５と駆動トランジスタ２とが直列に接続された回路に適宜電圧を印加して、該回路を流れる電流を測定することで、回路の性能のテストを行うことができる。

＜第２実施形態＞
上記第１実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、有機ＥＬ素子１と電気的に並列に調整トランジスタ５が接続された。これに対して、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、電気的に直列に接続された第１および第２調整トランジスタ１５，１６が、有機ＥＬ素子１１と電気的に並列に接続されている。なお、第２実施形態では、第１および第２調整トランジスタ１５，１６が、本発明の少なくとも１つの「抵抗部材」に相当する。

第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂは、上記第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと比較して、概略構成は同様なものであるが、画素回路７Ａが構成が異なる画素回路７Ｂに変更されたことで、表示部２００Ａが表示部２００Ｂに変更されたものとなっている。以下、第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと同様な部分については同じ符号を付して説明を省略しつつ、第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと異なる部分について、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂについて説明する。

＜画素回路の構成＞
図８は、本発明の第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂを構成する１画素分の画素回路（駆動回路）７Ｂの構成例を示す図である。

画素回路７Ｂは、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）１１、駆動トランジスタ１２、第１調整トランジスタ１５、第２調整トランジスタ１６、閾値（Ｖ_th）補償用トランジスタ１３、およびコンデンサ１４を備える。

有機ＥＬ素子１１は、上記第１実施形態に係る有機ＥＬ素子１と同様な構成を有し、発光層を流れる電流量によって発光輝度が変化する発光素子である。この有機ＥＬ素子１１は、アノード電極１１ａとカソード電極１１ｂとを有している。なお、本実施形態では、アノード電極１１ａが本発明の「一端部」に相当し、カソード電極１１ｂが本発明の「他端部」に相当する。

アノード電極１１ａは、給電線のうちで有機ＥＬ素子１１の発光時に高電位側となる電源線としてのＶ_DD線Ｌ_vdに対して電気的に接続されている。そして、アノード電極１１ａは、接続点Ｃｎ１，Ｃｎ６を順次に介して第２調整トランジスタ１６の第７，９電極１６ｄｓ，１６ｇに対してそれぞれ電気的に接続されている。

カソード電極１１ｂは、給電線のうちで有機ＥＬ素子１１の発光時に低電位側となる電源線としてのＶ_SS線Ｌ_vsに対して、接続点Ｃｎ２，Ｃｎ４および駆動トランジスタ１２を順次に介して電気的に接続される。そして、カソード電極１１ｂは、接続点Ｃｎ２，Ｃｎ４，Ｃｎ５を順次に介して調整トランジスタ５の第５および第６電極１５ｓｄ，１５ｇに対して電気的に接続されている。さらに、カソード電極１１ｂは、接続点Ｃｎ２を介してＶ_th補償用トランジスタ１３の第１０電極１３ｄｓに対して電気的に接続されている。

駆動トランジスタ１２は、有機ＥＬ素子１１に対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子１１における電流量を調整することで有機ＥＬ素子１１の発光輝度を制御するトランジスタである。ここでは、駆動トランジスタ１２は、ｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。この駆動トランジスタ１２は、第１から第３電極１２ｄｓ，１２ｓｄ，１２ｇを有している。

第１電極１２ｄｓは、接続点Ｃｎ４，Ｃｎ２を順次に介して有機ＥＬ素子１１のカソード電極１１ｂに対して電気的に接続されている。そして、第１電極１２ｄｓは、有機ＥＬ素子１１が発光する際、すなわち有機ＥＬ素子１１に対して順方向の電流が流れる際にドレインとして機能する。一方、有機ＥＬ素子１１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第１電極１２ｄｓは逆にソースとして機能する。また、第１電極１２ｄｓは、接続点Ｃｎ４，Ｃｎ５を順次に介して調整トランジスタ１５の第５および第６電極１５ｓｄ，１５ｇに対して電気的に接続されている。さらに、第１電極１２ｄｓは、接続点Ｃｎ４，Ｃｎ２を順次に介してＶ_th補償用トランジスタ１３の第１０電極１３ｄｓに対して電気的に接続されている。

第２電極１２ｓｄは、Ｖ_SS線Ｌ_vsに対して電気的に接続されている。そして、第２電極１２ｓｄは、有機ＥＬ素子１１に対して順方向の電流が流れる際にソースとして機能する。一方、有機ＥＬ素子１１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第２電極１２ｓｄは逆にドレインとして機能する。更に、第３電極１２ｇは、いわゆるゲートであり、接続点Ｃｎ３を介してＶ_th補償用トランジスタ１３の第１１電極１３ｓｄ、およびコンデンサ１４の一方電極１４ａに対してそれぞれ電気的に接続されている。

また、駆動トランジスタ１２では、第３電極１２ｇに付与される電位、より詳細には第１電極１２ｄｓまたは第２電極１２ｓｄと第３電極１２ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１電極１２ｄｓと第２電極１２ｓｄとの間（以下「第１−２電極間」とも称する）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第３電極（ゲート）１２ｇに印加される電位により、駆動トランジスタ１２は、第１−２電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

第１および第２調整トランジスタ１５，１６は、それぞれ駆動トランジスタ１２と同様に、ｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されており、略同一の性能を有し、電気的に直列に接続されている。また、第１および第２調整トランジスタ１５，１６が直列に接続されて構成される部分が、Ｖ_DD線Ｌ_vdとＶ_SS線Ｌ_vsとの間において、有機ＥＬ素子１１に対して電気的に並列に接続され、且つ駆動トランジスタ１２に対して電気的に直列に接続されている。

具体的には、第１調整トランジスタ１５は、第４から第６電極１５ｄｓ，１５ｓｄ，１５ｇを有している。第４電極１５ｄｓは、第２調整トランジスタ１６の第８電極１６ｓｄに対して電気的に接続されている。第５および第６電極１５ｓｄ，１５ｇは、接続点Ｃｎ５，Ｃｎ４，Ｃｎ２を順次に介して有機ＥＬ素子１１のカソード電極１１ｂおよびＶ_th補償用トランジスタ１３の第１０電極１３ｄｓに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、第５および第６電極１５ｓｄ，１５ｇは、接続点Ｃｎ５，Ｃｎ４を順次に介して駆動トランジスタ１２の第１電極１２ｄｓに対してそれぞれ電気的に接続されている。さらに、第５電極１５ｓｄは、接続点Ｃｎ５を介してゲートである第６電極１５ｇに対して電気的に接続されている。

また、第１調整トランジスタ１５では、第６電極１５ｇに付与される電位、より詳細には第４電極１５ｄｓまたは第５電極１５ｓｄと第６電極１５ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第４電極１５ｄｓと第５電極１５ｓｄとの間（第４−５電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第６電極（ゲート）１５ｇに印加される電位により、第１調整トランジスタ１５は、第４−５電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

第２調整トランジスタ１６は、第７から第９電極１６ｄｓ，１６ｓｄ，１６ｇを有している。第７および第９電極１６ｄｓ，１６ｇは、接続点Ｃｎ６，Ｃｎ１を順次に介してＶ_DD線Ｌ_vdおよびアノード電極１１ａに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、第７電極１６ｄｓは、接続点Ｃｎ６を介して第９電極１６ｇに対して電気的に接続されている。第８電極１６ｓｄは、第１調整トランジスタ１５の第４電極１５ｄｓに対して電気的に接続されている。

また、第２調整トランジスタ１６では、第９電極１６ｇに付与される電位、より詳細には第７電極１６ｄｓまたは第８電極１６ｓｄと第９電極１６ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第７電極１６ｄｓと第８電極１６ｓｄとの間（第７−８電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第９電極（ゲート）１６ｇに付与される電位により、第２調整トランジスタ１６は、第７−８電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

Ｖ_th補償用トランジスタ１３は、駆動トランジスタ１２が通電状態となる場合の、第２電極１２ｓｄに対する第３電極１２ｇの電位の下限値（所定の閾値電圧Ｖ_th）を検出するとともに、駆動トランジスタ１２のゲート電圧を、閾値電圧Ｖ_th（以下「閾値Ｖ_th」と略称する）に調整するトランジスタである。つまり、「閾値Ｖ_th」は、駆動トランジスタ１２がオフ状態（いわゆるドレイン電流が流れない状態）からオン状態（ドレイン電流が流れる状態）に移り変わるときの、境界となるゲート電圧のことを言う。なお、ここでは、Ｖ_th補償用トランジスタ１３も、駆動トランジスタ１２と同様にｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。

このＶ_th補償用トランジスタ１３は、第１０から第１２電極１３ｄｓ，１３ｓｄ，１３ｇを有している。第１０電極１３ｄｓは、接続点Ｃｎ２を介して有機ＥＬ素子１１のカソード電極１１ｂに対して電気的に接続されている。また、第１０電極１３ｄｓは、接続点Ｃｎ２，Ｃｎ４を順次に介して駆動トランジスタ１２の第１電極１２ｄｓに対して電気的に接続されている。さらに、第１０電極１３ｄｓは、接続点Ｃｎ２，Ｃｎ４，Ｃｎ５を順次に介して第１調整トランジスタ１５の第５電極１５ｓｄと第６電極１５ｇに対してそれぞれ電気的に接続されている。第１１電極１３ｓｄは、接続点Ｃｎ３を介して駆動トランジスタ１２の第３電極１２ｇおよびコンデンサ１４の一方電極１４ａに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、第１２電極１３ｇは、走査信号線Ｌ_ssに対して電気的に接続されている。

また、Ｖ_th補償用トランジスタ１３では、第１２電極１３ｇに付与される電位、より詳細には第１０電極１３ｄｓまたは第１１電極１３ｓｄと第１２電極１３ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１０電極１３ｄｓと第１１電極１３ｓｄとの間（第１０−１１電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第１２電極（ゲート）１３ｇに付与される電位により、Ｖ_th補償用トランジスタ１３は、第１０−１１電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

ここで、有機ＥＬ素子１１は、電流値によって発光輝度が制御されるため、発光時における駆動トランジスタ１２のゲート電圧のゆらぎに対して、発光輝度が敏感に変動する。特に、駆動トランジスタ１２がアモルファスシリコンを用いて構成された場合には、駆動トランジスタ１２ごとに閾値Ｖ_thが異なる傾向にある。よって、画素毎に異なる閾値Ｖ_thを補償する機能（Ｖ_th補償機能）を持たせなければ、所望の発光輝度と実際の発光輝度との間に若干の乖離が生じ、結果として画素間で発光輝度のムラが生じてしまう。

そこで、Ｖ_th補償用トランジスタ１３は、発光前において画素ごとに駆動トランジスタ１２のゲート電圧を閾値Ｖ_thに合わせることで、駆動トランジスタ１２における閾値Ｖ_thのばらつきを補償するＶ_th補償機能を実現する。

コンデンサ１４は、一方電極１４ａおよび他方電極１４ｂを備えて構成されている。そして、一方電極１４ａは、接続点Ｃｎ３を介して、駆動トランジスタ１２の第３電極１２ｇおよびＶ_th補償用トランジスタ１３の第１１電極１３ｓｄに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、他方電極１４ｂは、画像信号線Ｌ_isに対して電気的に接続されている。なお、ここでは、コンデンサ１４の保持容量を所定値Ｃ_sとする。

ところで、有機ＥＬ素子１１は、発光時と逆の電圧が印加されるとコンデンサとして機能し、この容量（ＥＬ素子容量）を所定値Ｃ_oとする。また、駆動トランジスタ１２は、第２電極１２ｓｄと第３電極１２ｇとの間（第２−３電極間）の寄生容量Ｃ_gsTdと、第１電極１２ｄｓと第３電極１２ｇとの間（第１−３電極間）の寄生容量Ｃ_gdTdとを有する。更に、Ｖ_th補償用トランジスタ１３は、第１１電極１３ｓｄと第１２電極１３ｇとの間（第１１−１２電極間）の寄生容量Ｃ_gsTthと、第１０電極１３ｄｓと第１２電極１３ｇとの間（第１０−１２電極間）の寄生容量Ｃ_gdTthとを有する。なお、寄生容量Ｃ_gsTd，Ｃ_gdTd，Ｃ_gsTth，Ｃ_gdTthは、それぞれ駆動トランジスタ１２、およびＶ_th補償用トランジスタ１３の構成によって決定される所定値の容量である。

図９は、図８で示した画素回路７Ｂの回路構成に対して、寄生容量Ｃ_gsTth，Ｃ_gdTth，Ｃ_gsTd，Ｃ_gdTdとＥＬ素子容量Ｃ_oとに係る回路構成（図中破線で記載）を加えた模式図である。

図９で示すように、画素回路７Ｂでは、有機ＥＬ素子１１の両電極間にはＥＬ素子容量Ｃ_oを有するコンデンサ（素子コンデンサ）Ｃ_olが存在し、駆動トランジスタ１２の第２−３電極間には寄生容量Ｃ_gsTdを有するコンデンサ１２ｇｓが存在する。そして、駆動トランジスタ１２の第１−３電極間には寄生容量Ｃ_gdTdを有するコンデンサ１２ｇｄが存在する。さらに、Ｖ_th補償用トランジスタ１３の第１１−１２電極間には寄生容量Ｃ_gsTthを有するコンデンサ３ｇｓが存在する。また、Ｖ_th補償用トランジスタ１３の第１０−１２電極間には寄生容量Ｃ_gdTthを有するコンデンサ１３ｇｄが存在している。

なお、ここでは、１つの画素回路７Ｂに着目して説明したが、有機ＥＬディスプレイＡＡ全体では、画素回路７Ｂが多数存在する。このため、走査信号線Ｌ_ssも多数存在する。そこで、以下では、多数の走査信号線Ｌ_ssを、適宜「第Ｎ走査信号線（Ｎは自然数）Ｌ_ss」と称する。

＜調整トランジスタの特性と調整トランジスタによるメリット＞
図１０は、第１および第２調整トランジスタ１５，１６の特性を模式的に示す図である。図１０では、横軸が電圧を示し、縦軸が電流を示している。具体的には、横軸が、第１および第２調整トランジスタ１５，１６が電気的に直列に接続されている部分の両端に印加される電圧、具体的には、接続点Ｃｎ５の電位を基準した接続点Ｃｎ６の電位、すなわち接続点Ｃｎ５と接続点Ｃｎ６との間の電圧Ｖ₅₆を示している。また、縦軸が、第１および第２調整トランジスタ１５，１６が電気的に直列に接続されている部分を接続点Ｃｎ６から接続点Ｃｎ５に向けて流れる電流Ｉ₅₆を示している。そして、図１０では、仮に、接続点Ｃｎ５と接続点Ｃｎ６との間に第２調整トランジスタ１６が設けられることなく、第１調整トランジスタ１５のみが設けられている場合における電圧Ｖ₅₆と電流Ｉ₅₆との関係を示す曲線Ｃ_v15が破線で示されている。さらに、図１０では、仮に、接続点Ｃｎ５と接続点Ｃｎ６との間に第１調整トランジスタ１５が設けられることなく、第２調整トランジスタ１６のみが設けられている場合における電圧Ｖ₅₆と電流Ｉ₅₆との関係を示す曲線Ｃ_v16が一点鎖線で示されている。

図１０の曲線Ｃ_v15で示すように、仮に、第２調整トランジスタ１６が設けられていなければ、電圧Ｖ₅₆が０Ｖ以上である場合には、図５でも示したように、電圧Ｖ₅₆の上昇とともに、電流Ｉ₅₆が増加して、図２９でも示したゲート電圧が０Ｖである場合の電流Ｉ_d0で電流Ｉ₅₆が一定となる。しかしながら、電圧Ｖ₅₆が０Ｖ未満で減少されていくと、電流Ｉ₅₆は負の値を示し、第５電極１５ｓｄから第４電極１５ｄｓに向けた電流が急激に増加する。したがって、仮に、第２調整トランジスタ１６が設けられていなければ、有機ＥＬ素子１１に対して電流が流れる順方向とは逆方向に電圧が印加されると、第１調整トランジスタ１５を介して接続点Ｃｎ５から接続点Ｃｎ６に向けて比較的大きな電流が流れる。このため、有機ＥＬ素子１１をコンデンサとして利用して、有機ＥＬ素子１１の両電極間に電荷を蓄積することができない。

一方、図１０の曲線Ｃ_v16で示すように、仮に、第１調整トランジスタ１５が設けられていなければ、電圧Ｖ₅₆が０Ｖ以下である場合には、電圧Ｖ₅₆の低下とともに、電流Ｉ₅₆が減少して、図２９でも示したようにゲート電圧が０Ｖである場合の電流−Ｉ_d0で電流Ｉ₅₆は一定となる。しかしながら、電圧Ｖ₅₆が０Ｖ以上で増加されていくと、電流Ｉ₅₆は正の値を示し、第７電極１６ｄｓから第８電極１６ｓｄに向けた電流が急激に増加する。つまり、電圧Ｖ₅₆が負の値である場合には、第２調整トランジスタ１６には、電流Ｉ_d0よりも大きな電流が流れず、電圧Ｖ₅₆が正の値である場合には、電圧Ｖ₅₆の印加に応じた電流Ｉ₅₆が第７電極１６ｄｓから第８電極１６ｓｄに向けて流れる。

図１１は、接続点Ｃｎ５と接続点Ｃｎ６との間における電圧Ｖ₅₆と電流Ｉ₅₆との関係、すなわち第１および第２調整トランジスタ１５，１６に係る電圧と電流との関係を模式的に示す図である。図１１では、接続点Ｃｎ５と接続点Ｃｎ６との間における電圧Ｖ₅₆と電流Ｉ₅₆との関係が太い実線の曲線Ｃ_v56で描かれている。また、図１０で示した曲線Ｃ_v15，Ｃ_v16が細線でそれぞれ描かれている。

本実施形態では、接続点Ｃｎ５と接続点Ｃｎ６との間に第１および第２調整トランジスタ１５，１６が電気的に直列に接続されている。このため、図１１の曲線Ｃ_v56で示すように、電圧Ｖ₅₆が０Ｖ以上の場合には、電圧Ｖ₅₆の上昇とともに、電流Ｉ₅₆は、増加して、電流Ｉ_d0で一定となる。一方、電圧Ｖ₅₆が０Ｖ以下である場合には、電圧Ｖ５０の低下とともに、電流Ｉ₅₆は、減少して電流−Ｉ_d0で一定となる。

このため、接続点Ｃｎ１と接続点Ｃｎ４との間に、接続点Ｃｎ１の方が電位が高くなるような電圧が印加され、駆動トランジスタ１２のゲート電圧Ｖ_gが０Ｖの場合には、駆動トランジスタ１２の第１−２電極間を流れる電流Ｉ_d0が、有機ＥＬ素子１１に流れることなく、第１調整トランジスタ１５の第４−５電極間、および第２調整トランジスタ１６の第７−８電極間を流れる。

より詳細には、第１実施形態と同様に、アノード電極１１ａと第２電極１２ｓｄとの間に第２電極１２ｓｄよりもアノード電極１１ａの方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第３電極１２ｇに付与される電位の変化に応じて、アノード電極１１ａとカソード電極１１ｂとの間の電圧が閾値電圧Ｖ_t1を超える場合は、第１−２電極間およびアノード電極１１ａとカソード電極１１ｂとの間に電流が流れて、有機ＥＬ素子１１が発光する。また、アノード電極１１ａと第２電極１２ｓｄとの間に第２電極１２ｓｄよりもアノード電極１１ａの方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、アノード電極１１ａとカソード電極１１ｂとの間の電圧が閾値電圧Ｖ_t1以下となる場合は、第１−２電極間に電流が流れる一方で、アノード電極１１ａとカソード電極１１ｂとの間には電流が流れず、有機ＥＬ素子１１が発光しない。

また、接続点Ｃｎ１と接続点Ｃｎ４との間に、接続点Ｃｎ４の方が電位が高くなるような電圧が印加され、駆動トランジスタ１２のゲート電圧Ｖ_gが上昇されても、第１および第２調整トランジスタ１５，１６には低い一定の電流Ｉ_d0しか流れない。

したがって、有機ＥＬ素子１１をコンデンサとして利用して、有機ＥＬ素子１１の両電極間に電荷を蓄積することができる。以下、有機ＥＬ素子１１をコンデンサとして利用しつつ、有機ＥＬ素子１１の発光輝度を制御する駆動方法について説明する。

＜有機ＥＬ素子の発光に関する駆動方法＞
図１２は、有機ＥＬ素子１１を発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図１２では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ) Ｖ_DD線Ｌ_vdに付与される電位（電位Ｖ_dd）、(ｂ) Ｖ_SS線Ｌ_vsに付与される電位（電位Ｖ_SS）、(ｃ)第１走査信号線Ｌ_ssに付与される信号の電位（電位Ｖ_ls1）、(ｄ)第２走査信号線Ｌ_ssに付与される信号の電位（電位Ｖ_ls2）、(ｅ)画像信号線Ｌ_isに付与される信号の電位（電位Ｖ_lis）、の波形が示されている。

また、図１２では、有機ＥＬ素子１１を１回発光させるための駆動波形が示されており、１回の発光に係る期間は、時間順次に、Ｃ_s初期化期間Ｐ１（時刻ｔ１１〜ｔ１２）、準備期間Ｐ２（時刻ｔ１２〜ｔ１３）、Ｖ_th補償期間Ｐ３（時刻ｔ１３〜ｔ１４）、書込期間Ｐ４（時刻ｔ１４〜ｔ１５）、素子初期化期間Ｐ５（時刻ｔ１５〜ｔ１６）、および発光期間Ｐ６（時刻ｔ１６〜）を備えて構成される。なお、書込期間Ｐ４における電位Ｖ_lisは、各有機ＥＬ素子１１の発光輝度によって決まる任意の値であるため、図１２では、当該電位が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。

図１３から図１７は、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂを駆動させる際に、各期間において発生する画素回路７Ｂの電流の流れを黒塗りの矢印で例示する図である。図１３から図１７では、画素回路７Ｂのうち、電流の流れに寄与する回路は太線で示され、電流の流れにほとんど寄与しない回路は細線で示されている。

以下、図１２および図１３から図１７を適宜参照しつつ、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂの駆動方法について説明する。

○Ｃ_s初期化期間Ｐ１：
図１３では、Ｃ_s初期化期間Ｐ１（以下適宜「期間Ｐ１」と略する）での画素回路７Ｂにおける電流の流れが例示されている。

期間Ｐ１では、Ｖ_DD線Ｌ_vdおよびＶ_SS線Ｌ_vsにそれぞれ所定の正の高電位Ｖ_DD（例えば１５Ｖ）が印加される。また、全走査信号線Ｌ_ssに所定の正の高電位Ｖ_gH（例えば１５Ｖ）が印加される。さらに、画像信号線Ｌ_isに所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が印加される。

このとき、走査信号線Ｌ_ssにおける高電位Ｖ_gHの印加により、第１２電極（ゲート）１３ｇに高電位Ｖ_gHに応じた正電位が印加され、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が導通状態となる。一方、Ｖ_DD線Ｌ_vdとＶ_SS線Ｌ_vsとが略同電位であるため、駆動トランジスタ１２が非導通状態となる。したがって、期間Ｐ１では、図１３で示すように、Ｖ_DD線Ｌ_vdからＶ_th補償用トランジスタ１３の第１０および第１１電極１３ｄｓ，１３ｓｄを介してコンデンサ１４に向けて電流が流れ、コンデンサ１４に所定量の電荷（例えば、１５Ｖに応じた電荷量）が蓄積される。

なお、期間Ｐ１における時間経過とともにコンデンサ１４に蓄積される電荷量が高まり、第３電極（ゲート）１２ｇに所定値を超える正電位が付与され、駆動トランジスタ１２が導通状態となることもあり得る。しかし、Ｖ_DD線Ｌ_vdおよびＶ_SS線Ｌ_vsがともに同電位Ｖ_DDに設定されているため、駆動トランジスタ１２の第１−２電極間では電流が流れない。

○準備期間Ｐ２：
図１４では、準備期間Ｐ２（以下適宜「期間Ｐ２」と略する）での画素回路７Ｂにおける電流の流れが例示されている。

期間Ｐ２では、Ｖ_DD線Ｌ_vdに負の所定電位−Ｖ_p（例えば−７Ｖ）が付与される。また、Ｖ_SS線Ｌ_vsに所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が付与される。また、全走査信号線Ｌ_ssに所定の低電位Ｖ_gL（例えば−１０Ｖ）が付与される。さらに、画像信号線Ｌ_isに所定の高電位Ｖ_dH（例えば１０Ｖ）が印加される。

このとき、走査信号線Ｌ_ssにおける低電位Ｖ_gLの付与により、第１２電極（ゲート）１３ｇにはほとんど正の電位が付与されないため、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が非導通状態となる。一方、画像信号線Ｌ_isにおける高電位Ｖ_dHの付与により、第３電極（ゲート）１２ｇに高電位Ｖ_dHに応じた正電位（例えば１５＋１０＝２５Ｖ）が付与され、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。

そして、Ｖ_DD線Ｌ_vdよりもＶ_SS線Ｌ_vsの方が電位がＶ_p高いため、図１４で示すように、Ｖ_SS線Ｌ_vsから駆動トランジスタ１２の第２および第１電極１２ｓｄ，１２ｄｓを順次に介して、有機ＥＬ素子１１に向けて電流が流れる。このとき、第１および第２調整トランジスタ１５，１６において白抜き矢印で示すように、接続点Ｃｎ５から接続点Ｃｎ６に向けて若干の電流Ｉ_d0が流れる。但し、この電流Ｉ_d0は非常に小さな電流であるため、有機ＥＬ素子１１すなわち素子コンデンサＣ_olにＶ_DD線Ｌ_vdとＶ_SS線Ｌ_vsとの間の電位差に応じた所定量の電荷（例えば７Ｖに応じた電荷）が蓄積される。

○Ｖ_th補償期間Ｐ３：
図１５では、Ｖ_th補償期間Ｐ３（以下適宜「期間Ｐ３」と略する）での画素回路７Ｂにおける電流の流れが例示されている。

期間Ｐ３では、Ｖ_DD線Ｌ_vdおよびＶ_SS線Ｌ_vsにそれぞれ所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が付与される。また、全走査信号線Ｌ_ssに高電位Ｖ_gHが付与される。さらに、画像信号線Ｌ_isに高電位Ｖ_dH（例えば１０Ｖ）が付与される。

このとき、走査信号線Ｌ_ssにおける高電位Ｖ_gHの付与により、第１２電極（ゲート）１３ｇに高電位Ｖ_gHに応じた正電位が付与され、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が導通状態となる。また、期間Ｐ３の初期では、コンデンサ１４に蓄積された電荷と画像信号線Ｌ_isに付与された電位Ｖ_dHにより、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。

したがって、期間Ｐ３の初期では、図１５で示すように、コンデンサ１４に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ１４からＶ_th補償用トランジスタ１３の第１１および第１０電極１３ｓｄ，１３ｄｓ、更には駆動トランジスタ１２の第１および第２電極１２ｄｓ，１２ｓｄを順次に介してＶ_SS線Ｌ_vsに向けて流れる。また、素子コンデンサＣ_olに蓄積された電荷に伴う電流が、駆動トランジスタ１２の第１および第２電極１２ｄｓ，１２ｓｄを順次に介してＶ_SS線Ｌ_vsに向けて流れる。

ところが、コンデンサ１４に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ１４からＶ_SS線Ｌ_vsに向けて流れていくにつれて、コンデンサ１４に蓄積された電荷が減少する。そして、駆動トランジスタ１２の第２電極１２ｓｄに対する第３電極１２ｇの電位（ゲート電圧）Ｖ_gが実質的に閾値Ｖ_thまで減少すると、駆動トランジスタ１２が非導通状態となる。このとき、コンデンサ１４には、閾値Ｖ_thに応じた電荷が蓄積された状態となる。このように、期間Ｐ３では、閾値Ｖ_thに応じた電荷がコンデンサ１４に蓄積されて、画素ごとに異なる閾値Ｖ_thのばらつきが補償される。

○書込期間Ｐ４：
図１６では、書込期間Ｐ４（以下適宜「期間Ｐ４」と略する）での画素回路７Ｂにおける電流の流れが例示されている。

期間Ｐ４では、Ｖ_DD線Ｌ_vdおよびＶ_SS線Ｌ_vsにそれぞれ基準電位０Ｖが印加されるとともに、画素信号に応じた電荷の蓄積を行う処理（データ書込処理）の実施対象画素において、走査信号線Ｌ_ssに高電位Ｖ_gHが付与され、画像信号線Ｌ_isに電位（Ｖ_dH−Ｖ_data）が付与される。なお、電位Ｖ_dataは、画素信号の電位であり、画像を構成する画素の輝度の階調に対応する値に応じた電位である。

このとき、走査信号線Ｌ_ssにおける高電位Ｖ_gHの付与により、第１２電極（ゲート）１３ｇに高電位Ｖ_gHに応じた正電位が付与され、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が導通状態となる。一方、画像信号線Ｌ_isに対して、期間Ｐ３における電位Ｖ_dH以下の電位（Ｖ_dH−Ｖ_data）が付与され、駆動トランジスタ１２のゲート電圧Ｖ_gが閾値Ｖ_th以下となるため、駆動トランジスタ１２が非導通状態となる。

したがって、期間Ｐ４では、図１６で示すように、有機ＥＬ素子１１（すなわち素子コンデンサＣ_ol）からＶ_th補償用トランジスタ１３の第１０および第１１電極１３ｄｓ，１３ｓｄを順次に介してコンデンサ１４に向けて電流が流れる。その結果、コンデンサ１４に既に蓄積された閾値Ｖ_thに応じた電荷の上に電位Ｖ_dataに応じた電荷が加算されて蓄積される。すなわち、期間Ｐ４においては、コンデンサ１４に有機ＥＬ素子１１の発光輝度に応じた電荷が蓄積される。換言すれば、期間Ｐ４では、画素回路７Ｂにおいて画素信号に応じた電荷がコンデンサ１４に蓄積される。

なお、コンデンサ１４の一方電極１４ａの電位（すなわち駆動トランジスタ１２のゲート電位）の変化量は、画像信号線Ｌ_isの電位の変化量と、コンデンサ１４の保持容量Ｃ_sと素子コンデンサＣ_olのＥＬ素子容量Ｃ_oとの比（容量比）との積に依拠する。すなわち、本実施形態においては、画像信号線Ｌ_isの電位がＶ_dHからＶ_dataに変化する場合、駆動トランジスタ１２のゲート電位が、（Ｖ_data−Ｖ_dH）×Ｃ_s／（Ｃ_s＋Ｃ_o）変化する。例えば、Ｖ_dH＝１０Ｖ，Ｖ_data＝５Ｖ、Ｃ_s：Ｃ_o＝１：２である場合には、画像信号線Ｌ_isの電位が−５Ｖ変化し、駆動トランジスタ１２のゲート電位Ｖ_gは、有機ＥＬ素子１１からコンデンサ１４に対する電荷の移動により、（５−１０）×１／（１＋２）＝−５／３Ｖ変化する。このようにコンデンサ１４に蓄積される電荷の移動により、画像信号線Ｌ_isの電位の変化が駆動トランジスタ１２のゲート電位に反映される。

○素子初期化期間Ｐ５：
素子初期化期間Ｐ５（以下適宜「期間Ｐ５」と略する）においては、Ｖ_DD線Ｌ_vdおよびＶ_SS線Ｌ_vsにそれぞれ所定の負電位−Ｖ_pが付与される。また、全走査信号線Ｌ_ssに低電位Ｖ_gLが付与される。さらに、画像信号線Ｌ_isに高電位Ｖ_dHが付与される。このとき、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が非導通状態となり、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。そして、Ｖ_DD線Ｌ_vdとＶ_SS線Ｌ_vsとの間に電位差がなく、Ｖ_SS線Ｌ_vsが負電位−Ｖ_pに設定されているため、有機ＥＬ素子１１（すなわち素子コンデンサＣ_ol）に蓄積された電荷が、Ｖ_SS線Ｌ_vsに抜けて、有機ＥＬ素子１１に蓄積された電荷が一掃される。

○発光期間Ｐ６：
図１７では、発光期間Ｐ６（以下適宜「期間Ｐ６」と略する）での画素回路７Ｂにおける電流の流れが例示されている。

期間Ｐ６では、Ｖ_DD線Ｌ_vdに正の高電位Ｖ_DDが付与される。また、Ｖ_SS線Ｌ_vsに基準電位０Ｖが付与される。また、走査信号線Ｌ_ssに低電位Ｖ_gLが付与される。さらに、画像信号線Ｌ_isに高電位Ｖ_dHが付与される。

このとき、走査信号線Ｌ_ssにおける低電位Ｖ_gLの付与により、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が非導通状態となる。一方、画像信号線Ｌ_isに対して高電位Ｖ_dHが付与されるため、期間Ｐ４においてコンデンサ１４に蓄積された電荷量（電位Ｖ_dataに応じた電荷量）に応じた電位分、ゲート電圧Ｖ_gが閾値Ｖ_thよりも高くなり、駆動トランジスタ２が導通状態となる。

例えば、Ｖ_data＝５Ｖ、Ｃ_s：Ｃ_o＝１：２である場合には、期間Ｐ４においてコンデンサ１４に蓄積される電荷が、閾値Ｖ_thよりも５／３Ｖ低い電位（［Ｖ_th−５／３］Ｖ）に対応する。そして、期間Ｐ６では、期間Ｐ４よりもＶ_data（＝５Ｖ）分高い電位が画像信号線Ｌ_isに対して付与され、第３電極（ゲート）１２ｇに対して、閾値Ｖ_thよりも１０／３Ｖ高い電位（［Ｖ_th＋１０／３］Ｖ＝［Ｖ_th−（５／３）＋５］Ｖ）が付与される。

そして、Ｖ_DD線Ｌ_vdがＶ_SS線Ｌ_vsよりも電位Ｖ_DD分、高電位であり、駆動トランジスタ１２が電位Ｖ_dataに応じて第１−２電極間で電流が流れる導通状態となる。このため、図１７で示すように、有機ＥＬ素子１１に対して電位Ｖ_dataに応じた電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子１１が電位Ｖ_dataに応じた輝度で発光する。つまり、期間Ｐ６では、各画素から画素信号に応じた輝度の光が出射される。

以上のように、第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、有機ＥＬ素子１１と電気的に並列に第１および第２調整トランジスタ１５，１６が設けられている。このため、駆動トランジスタ１２のゲート電圧Ｖ_gが０Ｖの場合には、第１および第２調整トランジスタ１５，１６に電流が流れて、有機ＥＬ素子１１には電流が流れない。したがって、上記第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと同様な効果が得られる。さらに、有機ＥＬ素子１１に電流が流れる場合とは逆方向に電圧を印加して、有機ＥＬ素子１１をコンデンサとして利用することもできる。

また、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が設けられて、有機ＥＬ素子１１がコンデンサとして利用されつつ、Ｖ_th補償機能が実現される。このため、駆動トランジスタ１２の特性のばらつきを補償しつつ、有機ＥＬ素子１１を所望の輝度で発光させることができる。

＜その他＞
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

＜変形例１＞
上記第１実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、有機ＥＬ素子１と電気的に並列に調整トランジスタ５が接続されたが、これに限られない。例えば、調整トランジスタ５の代わりに、有機ＥＬ素子１と電気的に並列に電流を調整するための抵抗（以下「電流調整抵抗」と称する）６などの抵抗部材を接続しても良い。

図１８は、本発明の変形例１に係る画像表示装置１Ｃを構成する１画素分の画素回路７Ｃの構成例を示す図である。変形例１に係る画像表示装置１Ｃは、上記第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと比較して、概略構成は同様なものであるが、画素回路７Ａが構成が異なる画素回路７Ｃに変更されたことで、表示部２００Ａが表示部２００Ｃに変更されたものとなっている。具体的には、図１８で示すように、図３で示した第１実施形態に係る画素回路７Ａの調整トランジスタ５の代わりに、電流調整抵抗６が設けられている。より詳細には、接続点Ｃｐ３と接続点Ｃｐ４との間において、電流調整抵抗６が有機ＥＬ素子１と並列に接続されている。なお、図１８では、第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと同様な部分については同じ符号が付されており、これらの部分については重複した説明を省略する。

図１９は、電流調整抵抗６の特性を例示する図である。図１９では、横軸が電圧を示し、縦軸が電流を示している。そして、電流調整抵抗６の両端に印加される電圧Ｖ_rと、電流調整抵抗６を流れる電流Ｉ_rとの関係が直線Ｃ_R5で示されている。図１９で示すように、電流調整抵抗６では、一端と他端との間に印加される電圧と、該一端と該他端との間を流れる電流とが、略比例関係を示す。

図２０は、有機ＥＬ素子１の両電極間に印加される電圧Ｖ_odと、有機ＥＬ素子１を流れる電流Ｉ_odとの関係を示す図である。図２０では、図６と同様に、横軸が電圧を示し、縦軸が電流を示している。そして、電圧Ｖ_odと電流Ｉ_odとの関係が太い曲線Ｃ_odで示されている。なお、図２０では、仮に有機ＥＬ素子１に対して電気的に並列に調整トランジスタ５が接続されていない場合における電圧Ｖ_odと電流Ｉ_odとの関係が、細い曲線Ｃ_olで示されている。また、図２０では、電圧Ｖ_od（すなわち電圧Ｖ_r）と電流調整抵抗６を流れる電流Ｉ_rとの関係が破線Ｃ_R5で示されている。

図２０で示すように、電流調整抵抗６の両端間に印加される電圧Ｖ_rの上昇に比例して電流Ｉ_rが増加する。このため、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gが０Ｖの場合には、駆動トランジスタ２の第１−２電極間を流れる電流Ｉ_d0が、有機ＥＬ素子１に流れることなく、電流調整抵抗６を流れる。そして、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gを増加させると、電圧Ｖ_od（すなわち電圧Ｖ_r）が徐々に上昇していく。そして、ゲート電圧Ｖ_gが所定の電圧を超えると、電圧Ｖ_odが閾値電圧Ｖ_t1を超えて、駆動トランジスタ２の第１−２電極間を流れる電流の全てが電流調整抵抗６を流れず、残余の電流が有機ＥＬ素子１を流れる。具体的には、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gを所定の電圧から徐々に上昇させると、電流Ｉ_odが増加する。

つまり、接続点Ｃｐ３と接続点Ｃｐ４との間に印加される電圧Ｖ_odが所定の閾値電圧Ｖ_t1未満では、電流調整抵抗６に電流が流れるが、有機ＥＬ素子１には電流が流れない。そして、接続点Ｃｐ３と接続点Ｃｐ４との間に印加される電圧Ｖ_odが所定の閾値電圧Ｖ_t1を超えると、電流調整抵抗６に電流Ｉ_rが流れるとともに、有機ＥＬ素子１にも電流が流れる。ここでも、第１実施形態と同様に、有機ＥＬ素子１の両電極間の電圧Ｖ_odが閾値電圧Ｖ_t1に達するまでは、有機ＥＬ素子１を流れる電流Ｉ_odは０Ａであり、電圧Ｖ_odが閾値電圧Ｖ_t1を超えると、電圧Ｖ_odの増加とともに、電流Ｉ_odが増加していく。

より詳細には、第１実施形態と同様に、アノード電極１ａと第２電極２ｓｄとの間に第２電極２ｓｄよりもアノード電極１ａの方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第３電極２ｇに付与される電位の変化に応じて、アノード電極１ａとカソード電極１ｂとの間の電圧が閾値電圧Ｖ_t1を超える場合は、第１−２電極間およびアノード電極１ａとカソード電極１ｂとの間に電流が流れて、有機ＥＬ素子１が発光する。また、アノード電極１ａと第２電極２ｓｄとの間に第２電極２ｓｄよりもアノード電極１ａの方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、アノード電極１ａとカソード電極１ｂとの間の電圧が閾値電圧Ｖ_t1以下となる場合は、第１−２電極間に電流が流れる一方で、アノード電極１ａとカソード電極１ｂとの間には電流が流れず、有機ＥＬ素子１が発光しない。

以上のように、変形例１に係る画像表示装置１Ｃでは、有機ＥＬ素子１の両電極間に印加される電圧Ｖ_odが所定の閾値電圧Ｖ_t1を超える場合には有機ＥＬ素子１に電流が流れて該有機ＥＬ素子１が発光する。その一方で、有機ＥＬ素子１の両電極間に印加される電圧Ｖ_odが所定の閾値電圧Ｖ_t1以下の場合には、電流調整抵抗６に電流が流れて、有機ＥＬ素子１に電流が流れず、該有機ＥＬ素子１が発光しない。このため、電流調整抵抗６といった簡単な構成で、駆動トランジスタ２のゲート電圧Ｖ_gを設定するための画像信号の電位（ここではＶ_data）の振れ幅を抑制することができる。

したがって、本発明の「抵抗部材」は、有機ＥＬ素子の両電極間に印加される電圧が所定の閾値電圧を超える場合には、抵抗部材及び有機ＥＬ素子の両方に電流が流れる。そして、有機ＥＬ素子に流れる電流に起因して該有機ＥＬ素子を発光させる。さらに、抵抗部材は、有機ＥＬ素子の両電極間に印加される電圧が所定の閾値電圧以下の場合には、該抵抗部材にのみ電流が流れて、有機ＥＬ素子に電流が流れず、該有機ＥＬ素子を発光させないようなものである。

なお、本変形例１では、電流調整抵抗６が１つであったが、２以上の電流調整抵抗６を設けても良い。すなわち、有機ＥＬ素子１に対して電気的に並列に接続され、且つ駆動トランジスタ２に対して電気的に直列に接続される少なくとも１つの電流調整抵抗６などといった抵抗部材が設けられれば良い。

＜変形例２＞
上記第２実施形態では、２つのトランジスタ１２，１３が含まれる画素回路に２つの調整トランジスタ１５，１６を適用した画素回路７Ｂを例示して説明したが、これに限られず、異なる構成の画素回路に２つの調整トランジスタを適用しても良い。以下、具体例を示して説明する。

図２１は、本発明の変形例２に係る画像表示装置１Ｄを構成する１画素分の画素回路７Ｄの構成例を示す図である。変形例２に係る画像表示装置１Ｄは、上記第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂと比較して、概略構成は同様なものであるが、画素回路７Ｂが構成が異なる画素回路７Ｄに変更されたことで、表示部２００Ｂが表示部２００Ｄに変更されたものとなっている。具体的には、図２１に示す画素回路７Ｄは、有機ＥＬ素子２１、駆動トランジスタ２２、Ｖ_th補償用トランジスタ２３、第１コンデンサ２４、第２コンデンサ２８、第１調整トランジスタ２５、第２調整トランジスタ２６、および走査用トランジスタ２７を備える。

有機ＥＬ素子２１は、アノード電極２１ａとカソード電極２１ｂとの間に有機ＥＬ素子２１の閾値電圧を超える電位差が生じることによりアノード電極２１ａとカソード電極２１ｂとの間に電流が流れて、発光する特性を有する。アノード電極２１ａは、有機ＥＬ素子２１の発光時に正の高電位（例えば、＋１０Ｖなど）が付与されるＶ_DD線Ｌ_vdに対して電気的に接続されている。

アノード電極２１ａは、接続点Ｃｔ１，Ｃｔ６を順次に介して第２調整トランジスタ２６の第７および第９電極２６ｄｓ，２６ｇに対して電気的に接続されている。なお、本変形例２では、アノード電極２１ａが本発明の「一端部」に相当する。

カソード電極２１ｂは、駆動トランジスタ２２を介して接地される。また、カソード電極２１ｂは、接続点Ｃｔ２を介してＶ_th補償用トランジスタ２３の第１０電極２３ｄｓに対して電気的に接続されている。更に、カソード電極２１ｂは、接続点Ｃｔ２，Ｃｔ５を順次に介して第１調整トランジスタ２５の第５および第６電極２５ｓｄ，２５ｇに対して電気的に接続されている。なお、本変形例２では、カソード電極２１ｂが本発明の「他端部」に相当する。また、有機ＥＬ素子２１は、発光時と逆の電圧が印加されるとコンデンサとして機能し、この容量（ＥＬ素子容量）Ｃ_ol2を所定値Ｃ₂とする。

駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１に対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子２１における電流量を調整することで有機ＥＬ素子２１の発光輝度を制御するトランジスタである。ここでは、駆動トランジスタ２２は、ｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。この駆動トランジスタ２２は、第１から第３電極２２ｄｓ，２２ｓｄ，２２ｇを有している。

第１電極２２ｄｓは、接続点Ｃｔ２を介して有機ＥＬ素子２１のカソード電極２１ｂおよびＶ_th補償用トランジスタ２３の第１０電極２３ｄｓに対して電気的に接続されている。また、第１電極２２ｄｓは、接続点Ｃｔ２，Ｃｔ５を順次に介して第１調整トランジスタ２５の第５および第６電極２５ｓｄ，２５ｇに対して電気的に接続されている。更に、第１電極２ｄｓは、有機ＥＬ素子２１が発光する際、すなわち有機ＥＬ素子２１に対して順方向の電流が流れる際にドレインとして機能する。一方、有機ＥＬ素子２１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第１電極２２ｄｓは逆にソースとして機能する。

第２電極２２ｓｄは、接続点Ｃｔ７を介して接地させるための配線（接地用配線）Ｇ_dおよび第２コンデンサ２８の他方電極２８ｂに対して電気的に接続され、有機ＥＬ素子２１に対して順方向の電流が流れる際にソースとして機能する。一方、有機ＥＬ素子２１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第２電極２２ｓｄは逆にドレインとして機能する。更に、第３電極２２ｇは、ゲートであり、接続点Ｃｔ３を介してＶ_th補償用トランジスタ２３の第１１電極２３ｓｄ、および第１コンデンサ２４の一方電極２４ａに対して電気的に接続されている。

また、駆動トランジスタ２２では、第３電極２２ｇに付与される電位、より詳細には第１電極２２ｄｓまたは第２電極２２ｓｄと第３電極２２ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１電極２２ｄｓと第２電極２２ｓｄとの間（第１−２電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第３電極（ゲート）２２ｇに付与される電位により、駆動トランジスタ２２は、第１−２電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

第１および第２調整トランジスタ２５，２６は、それぞれ駆動トランジスタ２２と同様に、ｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されており、略同一の性能を有し、電気的に直列に接続されている。また、第１および第２調整トランジスタ２５，２６が直列に接続されて構成される部分が、Ｖ_DD線Ｌ_vdと接地用配線Ｇ_dとの間において、有機ＥＬ素子２１に対して電気的に並列に接続され、且つ駆動トランジスタ２２に対して電気的に直列に接続されている。

具体的には、第１調整トランジスタ２５は、第４から第６電極２５ｄｓ，２５ｓｄ，２５ｇを有している。第４電極２５ｄｓは、第２調整トランジスタ２６の第８電極２６ｓｄに対して電気的に接続されている。第５および第６電極２５ｓｄ，２５ｇは、接続点Ｃｔ５，Ｃｔ２を順次に介して有機ＥＬ素子２１のカソード電極２１ｂ、駆動トランジスタ２２の第１電極２２ｄｓ、およびＶ_th補償用トランジスタ２３の第１０電極２３ｄｓに対して電気的にそれぞれ接続されている。さらに、第５電極２５ｓｄは、接続点Ｃｔ５を介してゲートである第６電極２５ｇに対して電気的に接続されている。

また、第１調整トランジスタ２５では、第６電極２５ｇに付与される電位、より詳細には第４電極２５ｄｓまたは第５電極２５ｓｄと第６電極２５ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第４電極２５ｄｓと第５電極２５ｓｄとの間（第４−５電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第６電極（ゲート）２５ｇに付与される電位により、第１調整トランジスタ２５は、第４−５電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

第２調整トランジスタ２６は、第７から第９電極２６ｄｓ，２６ｓｄ，２６ｇを有している。第７および第９電極２６ｄｓ，２６ｇは、接続点Ｃｔ６，Ｃｔ１を順次に介してＶ_DD線Ｌ_vdおよびアノード電極２１ａに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、第７電極２６ｄｓは、接続点Ｃｔ６を介して第９電極２６ｇに対して電気的に接続されている。第８電極２６ｓｄは、第１調整トランジスタ２５の第４電極２５ｄｓに対して電気的に接続されている。

また、第２調整トランジスタ２６では、第９電極２６ｇに付与される電位、より詳細には第７電極２６ｄｓまたは第８電極２６ｓｄと第９電極２６ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第７電極２６ｄｓと第８電極２６ｓｄとの間（第７−８電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第９電極（ゲート）２６ｇに付与される電位により、第２調整トランジスタ２６は、第７−８電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

Ｖ_th補償用トランジスタ２３は、駆動トランジスタ２２が通電状態となる場合の、駆動トランジスタ２２の第２電極２２ｓｄに対する第３電極２２ｇの電位の下限値（所定の閾値電圧Ｖ_th）を検出するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート電圧を、閾値電圧Ｖ_th（閾値Ｖ_th）に調整するトランジスタである。詳細には、Ｖ_th補償用トランジスタ２３は、発光前において画素ごとに駆動トランジスタ２２のゲート電圧を閾値Ｖ_thに合わせることで、駆動トランジスタ２２における閾値Ｖ_thのばらつきを補償するＶ_th補償機能を実現する。なお、ここでは、Ｖ_th補償用トランジスタ２３も、駆動トランジスタ２２と同様にｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。

このＶ_th補償用トランジスタ２３は、第１０から第１２電極２３ｄｓ，２３ｓｄ，２３ｇを有している。第１０電極２３ｄｓは、接続点Ｃｔ２を介して有機ＥＬ素子２１のカソード電極２１ｂ、および駆動トランジスタ２２の第１電極２２ｄｓに対してそれぞれ電気的に接続されている。さらに、第１０電極２３ｄｓは、接続点Ｃｔ２，Ｃｔ５を順次に介して第１調整トランジスタ２５の第５および第６電極２５ｓｄ，２５ｇに対してそれぞれ電気的に接続されている。第１１電極２３ｓｄは、接続点Ｃｔ３を介して駆動トランジスタ２２の第３電極２２ｇおよび第１コンデンサ２４の一方電極２４ａに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、第１２電極２３ｇは、補償制御線Ｌ_thに対して電気的に接続されている。

また、Ｖ_th補償用トランジスタ２３では、第１２電極２３ｇに付与される電位、より詳細には第１０電極２３ｄｓまたは第１１電極２３ｓｄと第１２電極２３ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１０電極２３ｄｓと第１１電極２３ｓｄとの間（第１０−１１電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第１２電極（ゲート）２３ｇに付与される電位により、Ｖ_th補償用トランジスタ２３は、第１０−１１電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

第１コンデンサ２４は、一方電極２４ａおよび他方電極２４ｂを備えて構成されている。そして、一方電極２４ａは、接続点Ｃｔ３を介して、駆動トランジスタ２２の第３電極２２ｇおよびＶ_th補償用トランジスタ２３の第１１電極２３ｓｄに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、他方電極２４ｂは、接続点Ｃｔ４を介して第２コンデンサ２８の一方電極２８ａおよび走査用トランジスタ２７の第１３電極２７ｄｓに対してそれぞれ電気的に接続されている。なお、ここでは、第１コンデンサ２４の保持容量を所定値Ｃ_s1とする。

第２コンデンサ２８は、一方電極２８ａおよび他方電極２８ｂを備えて構成されている。そして、一方電極２８ａは、接続点Ｃｔ４を介して、第１コンデンサ２４の他方電極２４ｂおよび走査用トランジスタ２７の第１３電極２７ｄｓに対して電気的に接続されている。また、他方電極２８ｂは、接続点Ｃｔ７を介して駆動トランジスタ２２の第２電極２２ｓｄおよび接地用配線Ｇ_dに対して電気的に接続されている。なお、ここでは、第２コンデンサ２８の保持容量を所定値Ｃ_s2とする。

走査用トランジスタ２７は、第１３から第１５電極２７ｄｓ，２７ｓｄ，２７ｇを有している。第１３電極２７ｄｓは、接続点Ｃｔ４を介して第１コンデンサ２４の他方電極２４ｂおよび第２コンデンサ２８の一方電極２８ａに対して電気的に接続されている。また、第１４電極２７ｓｄは、画像信号線Ｌ_isに対して電気的に接続されている。さらに、第１５電極２７ｇは、走査信号線Ｌ_ssに対して電気的に接続されている。

また、走査用トランジスタ２７では、第１５電極２７ｇに付与される電位、より詳細には第１３電極２７ｄｓまたは第１４電極２７ｓｄと第１５電極２７ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１３電極２７ｄｓと第１４電極２７ｓｄとの間（第１３−１４電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第１５電極（ゲート）２７ｇに付与される電位により、走査用トランジスタ２７は、第１３−１４電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

なお、Ｖ_DD線Ｌ_vdは、駆動トランジスタ２２に所定電圧を供給する。補償制御線Ｌ_thは、Ｖ_th補償用トランジスタ２３を導通状態と非導通状態との間で切り替えるための信号を供給する。走査信号線Ｌ_ssは、走査用トランジスタ２７を導通状態と非導通状態との間で切り替えるための信号を供給する。画像信号線Ｌ_isは、画素信号の電圧を第１コンデンサ２４に供給する。また、図２１では、有機ＥＬ素子２１に所定の電圧を供給するための構成として、高電位のＶ_DD線Ｌ_vdと低電位の接地用配線Ｇ_dとの間に有機ＥＬ素子２１を配するようにしているが、低電位側をＶ_DD線Ｌ_vdに、高電位側を接地用配線Ｇ_dとして固定電位にしたり、あるいは両者を駆動したりしてもよい。

次に、変形例２に係る画像表示装置１Ｄの画素回路７Ｄの駆動について説明する。

図２２は、有機ＥＬ素子２１を発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図２２では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ) Ｖ_DD線Ｌ_vdに付与される電位（電位Ｖ_dd）、(ｂ)補償制御線Ｌ_thに付与される電位（電位Ｖ_tt）、(ｃ)走査信号線Ｌ_ssに付与される信号の電位（電位Ｖ_sl）、(ｄ)画像信号線Ｌ_isに付与される信号の電位（電位Ｖ_lis）、の波形が示されている。

また、図２２では、有機ＥＬ素子２１を１回発光させるための駆動波形が示されており、１回の発光に係る期間は、時間順次に、準備期間Ｐｔ１（時刻ｔ２１〜ｔ２２）、Ｖ_th補償期間Ｐｔ２（時刻ｔ２２〜ｔ２３）、初期化期間Ｐｔ３（時刻ｔ２３〜ｔ２４）、書込期間Ｐｔ４（時刻ｔ２４〜ｔ２５）、および発光期間Ｐｔ５（時刻ｔ２５〜）を備えて構成される。なお、書込期間Ｐｔ４における電位Ｖ_lisは、各有機ＥＬ素子２１の発光輝度によって決まる任意の値であるため、図２２では、当該電位が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。

図２３から図２７は、変形例２に係る画像表示装置１Ｄを駆動させる際に、各期間において発生する画素回路７Ｄの電流の流れを黒塗りの矢印で例示する図である。図２３から図２７では、画素回路７Ｄのうち、電流の流れに寄与する回路は太線で示され、電流の流れにほとんど寄与しない回路は細線で示されている。

以下、図２２および図２３から図２７を適宜参照しつつ、変形例２に係る画像表示装置１Ｄの駆動方法について説明する。

○準備期間Ｐｔ１：
準備期間Ｐｔ１では、Ｖ_DD線Ｌ_vdの電位Ｖ_ddが低電位（−Ｖ_p）、補償制御線Ｌ_thの電位Ｖ_ttが低電位（Ｖ_gL）、走査信号線Ｌ_ssの電位Ｖ_slが高電位（Ｖ_gH）、画像信号線Ｌ_isの電位Ｖ_lisが高電位（例えば、１０Ｖあるいは１５Ｖといった画素信号の最大電位Ｖ_dH）に設定される。このとき、走査用トランジスタ２７が導通状態、Ｖ_th補償用トランジスタ２３が非導通状態、駆動トランジスタ２２が導通状態となる。なお、ここでは、第１および第２調整トランジスタ２５，２６において白抜き矢印で示すように、接続点Ｃｔ５から接続点Ｃｔ６に向けて若干の電流Ｉ_d0が流れる。但し、この電流Ｉ_d0は非常に小さな電流である。したがって、図２３で示すように、接地用配線Ｇ_dから、駆動トランジスタ２２を介して、有機ＥＬ素子容量Ｃ_ol2へと電流が流れ、有機ＥＬ素子２１のＥＬ素子容量Ｃ_ol2に電荷が蓄積される。

○Ｖ_th補償期間Ｐｔ２：
Ｖ_th補償期間Ｐｔ２では、補償制御線Ｌ_thの電位Ｖ_ttが高電位（Ｖ_gH）とされ、電位Ｖ_ttが高電位となるタイミングに若干遅れてＶ_DD線Ｌ_vdが基準電位（ここでは０Ｖ）に設定される。その一方で、走査信号線Ｌ_ssの電位Ｖ_slが高電位（Ｖ_gH）で維持される。なお、画像信号線Ｌ_isの電位Ｖ_lisは、このＶ_th補償期間Ｐｔ２に移行する直前に基準電位（ここでは０Ｖ）とされ、電位Ｖ_lisは基準電位で維持される。このとき、Ｖ_th補償用トランジスタ２３が導通状態となり、駆動トランジスタ２２のゲートとドレインとが接続される。その結果、図２４で示すように、駆動トランジスタ２２のソースに対するゲートの電位が閾値電圧Ｖ_thに達するまでＥＬ素子容量Ｃ_ol2および第１コンデンサ２４に蓄積された電荷が放電され、駆動トランジスタ２２を介して接地用配線Ｇ_dという経路で電流が流れる。そして、駆動トランジスタ２２のゲートとソースと間の電位差が駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thに達すると、駆動トランジスタ２２が非導通状態となる。なお、この時点で、第１コンデンサ２４の両極端には閾値電圧Ｖ_thの電圧が生じている。

○初期化期間Ｐｔ３：
初期化期間Ｐｔ３では、Ｖ_DD線Ｌ_vdの電位Ｖ_ddが基準電位（ここでは０Ｖ）、走査信号線Ｌ_ssの電位Ｖ_slが高電位（Ｖ_gH）に維持される。その一方で、補償制御線Ｌ_thの電位Ｖ_ttが低電位（Ｖ_gL）に設定される。また、画像信号線Ｌ_isの電位Ｖ_lisが、例えば画素信号の最大電位（Ｖ_dH）に設定される。このとき、駆動トランジスタ２２が再度導通状態となる。その結果、図２５で示すように、有機ＥＬ素子２１から駆動トランジスタ２２を介して接地用配線Ｇ_dという経路で電流が流れ、ＥＬ素子容量Ｃ_ol2に残存する電荷が放電される。この動作により、有機ＥＬ素子２１自身における残存電荷による発光への影響が回避される。

また、この初期化期間Ｐｔ３では、図２２で示すように、初期化期間Ｐｔ３の途中で、画像信号線Ｌ_isの電位Ｖ_lisが最大電位（Ｖ_dH）から基準電位（ここでは０Ｖ）に設定される。そして、画像信号線Ｌ_isが基準電位（ここでは０Ｖ）に設定された後、所定時間経過後に、走査信号線Ｌ_ssが高電位（Ｖ_gH）から低電位（Ｖ_gL）に設定される。

○書込期間Ｐｔ４：
書込期間Ｐｔ４では、Ｖ_DD線Ｌ_vdの電位Ｖ_ddが基準電位（ここでは０Ｖ）、補償制御線Ｌ_thの電位Ｖ_ttが低電位（Ｖ_gL）に維持される。その一方で、画像信号線Ｌ_isに画素信号が供給されて、電位Ｖ_lisが画素信号の電位（画素信号に応じた所定のレベルの電位）Ｖ_dataに設定される。そして、電位Ｖ_lisが電位Ｖ_dataに維持された状態で、走査信号線Ｌ_ssに走査信号が供給されて、電位Ｖ_slが高電位Ｖ_gHに設定される。このとき、走査用トランジスタ２７が導通状態となり、図２６で示すように、画像信号線Ｌ_isから走査用トランジスタ２７を介して第２コンデンサ２８に電流が流れ、第２コンデンサ２８には画素信号に応じた電圧が保持される。なお、本変形例２では、全画素回路について一括に画素信号の書き込みが行われず、各走査信号線Ｌ_ssに共通して接続される複数の画素回路（画素回路群）ごとに順次画素信号の書き込みが行われる。

○発光期間Ｐｔ５：
発光期間Ｐｔ５では、Ｖ_DD線Ｌ_vdの電位Ｖ_ddが高電位Ｖ_DD、画像信号線Ｌ_isの電位Ｖ_lisが基準電位（ここでは０Ｖ）に設定される。その一方で、補償制御線Ｌ_thの電位Ｖ_ttが低電位（Ｖ_gL）、走査信号線Ｌ_ssの電位Ｖ_slが低電位（Ｖ_gL）に維持される。このとき、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thを保持する第１コンデンサ２４と画素信号に応じた電圧を保持する第２コンデンサ２８とが直列に接続され、両者の電圧の和が駆動トランジスタ２２のゲートとソースとの間に印加される。その結果、図２７で示したように、駆動トランジスタ２２が導通状態となり、Ｖ_DD線Ｌ_vdから有機ＥＬ素子２１と駆動トランジスタ２２とを順次に介して接地用配線Ｇ_dに向けて電流が流れ、有機ＥＬ素子２１が発光する。

そして、変形例２に係る画像表示装置１Ｄでは、上記第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂと同様に、有機ＥＬ素子２１と電気的に並列に第１および第２調整トランジスタ２５，２６が設けられている。このため、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gが０Ｖの場合には、第１および第２調整トランジスタ２５，２６に電流が流れて、有機ＥＬ素子２１には電流が流れない。したがって、変形例２に係る画像表示装置１Ｄでは、上記第２実施形態に係る画像表示装置１Ｂと同様な効果が得られる。さらに、有機ＥＬ素子２１に電流が流れる場合とは逆方向に電圧を印加して、有機ＥＬ素子２１をコンデンサとして利用することもできる。また、Ｖ_th補償用トランジスタ２３が設けられて、有機ＥＬ素子２１がコンデンサとして利用されつつ、Ｖ_th補償機能が実現される。このため、駆動トランジスタ２２の特性のばらつきを補償しつつ、有機ＥＬ素子２１を所望の輝度で発光させることができる。

＜変形例３＞
上記第１実施形態では、発光時に高電位側となる給電部Ｐ_vd側から接地用配線Ｇ_dに向けて、有機ＥＬ素子１と駆動トランジスタ２とがこの順番で電気的に直列に接続されたが、これに限られない。例えば、発光時に高電位側となる給電部Ｐ_vd側から接地用配線Ｇ_dに向けて、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子とがこの順番で電気的に直列に接続されても良い。以下、このような構成の具体例について説明する。

図２８は、本発明の変形例３に係る画像表示装置１Ｅを構成する１画素分の画素回路７Ｅの構成例を示す図である。変形例３に係る画像表示装置１Ｅは、上記第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと比較して、概略構成は同様なものであるが、画素回路７Ａが構成が異なる画素回路７Ｅに変更されたことで、表示部２００Ａが表示部２００Ｅに変更されたものとなっている。具体的には、図２８に示す画素回路７Ｅは、有機ＥＬ素子３１、駆動トランジスタ３２、走査用トランジスタ３３、コンデンサ３４、および調整トランジスタ３５を備える。

有機ＥＬ素子３１は、有機ＥＬ素子１と同様な構成を有し、アノード電極３１ａからカソード電極３１ｂに向けて発光層を流れる電流の量（電流量）によって発光輝度が変化する発光素子である。アノード電極３１ａは、接続点Ｃｐ３３，Ｃｐ３２を順次に介して、駆動トランジスタ３２の第３電極３２ｓｄおよびコンデンサ３４の他方電極３４ｂに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、アノード電極３１ａは、接続点Ｃｐ３３を介して、調整トランジスタ３５の第４電極３５ｄｓに対して電気的に接続されている。カソード電極３１ｂは、接続点Ｃｐ３４を介して接地用配線Ｇ_dに対して電気的に接続されている。また、カソード電極３１ｂは、接続点Ｃｐ３４，Ｃｐ３５を順次に介して調整トランジスタ３５の第５および第６電極３５ｓｄ，３５ｇに対してそれぞれ電気的に接続されている。なお、本変形例３では、アノード電極３１ａが本発明の「一端部」に相当し、カソード電極３１ｂが本発明の「他端部」に相当する。

駆動トランジスタ３２は、有機ＥＬ素子３１に対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子３１における電流量を調整することで有機ＥＬ素子３１の発光輝度を制御するトランジスタである。ここでは、駆動トランジスタ３２は、ｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。この駆動トランジスタ３２は、第１から第３電極３２ｄｓ，３２ｓｄ，３２ｇを有している。

第１電極３２ｄｓは、有機ＥＬ素子３１の発光時に正の高電位（例えば、＋１０Ｖなど）が印加される給電部Ｐ_vdに対して電気的に接続されている。そして、第１電極３２ｄｓは、有機ＥＬ素子３１が発光する際、すなわち有機ＥＬ素子３１に対して順方向の電流が流れる際にドレインとして機能する。一方、有機ＥＬ素子３１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第１電極３２ｄｓは逆にソースとして機能する。

第２電極３２ｓｄは、接続点Ｃｐ３２，Ｃｐ３３を順次に介して、アノード電極３１ａおよび調整トランジスタ３５の第４電極３５ｄｓに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、第２電極３２ｓｄは、接続点Ｃｐ３２を介してコンデンサ３４の他方電極３４ｂに対して電気的に接続されている。そして、第２電極３２ｓｄは、有機ＥＬ素子３１が発光する際、すなわち有機ＥＬ素子３１に対して順方向の電流が流れる際にソースとして機能する。一方、有機ＥＬ素子３１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第２電極３２ｓｄは逆にドレインとして機能する。

第３電極３２ｇは、いわゆるゲートであり、接続点Ｃｐ３１を介して走査用トランジスタ３３の第７電極３３ｓｄ、およびコンデンサ３４の一方電極３４ａに対して電気的に接続されている。

また、駆動トランジスタ３２では、第３電極３２ｇに付与される電位、より詳細には第１電極３２ｄｓまたは第２電極３２ｓｄと第３電極３２ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１電極３２ｄｓと第２電極３２ｓｄとの間（第１−２電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第３電極（ゲート）３２ｇに付与される電位により、駆動トランジスタ３２は、第１−２電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

調整トランジスタ３５は、駆動トランジスタ３２と略同一の性能を有し、給電部Ｐ_vdと接地用配線Ｇ_dとの間において、有機ＥＬ素子３１に対して電気的に並列に接続され、且つ駆動トランジスタ３２に対して電気的に直列に接続されている。そして、この調整トランジスタ３５は、第４から第６電極３５ｄｓ，３５ｓｄ，３５ｇを有している。第４電極３５ｄｓは、接続点Ｃｐ３３を介して有機ＥＬ素子３１のアノード電極３１ａに対して電気的に接続されている。また、第４電極３５ｄｓは、接続点Ｃｐ３３，Ｃｐ３２を順次に介して、第３電極３２ｓｄおよび他方電極３４ｂに対してそれぞれ電気的に接続されている。第５電極３５ｓｄは、接続点Ｃｐ３５，Ｃｐ３４を順次に介してカソード電極３１ｂおよび接地用配線Ｇ_dに対して電気的に接続されている。更に、第５電極３５ｓｄは、接続点Ｃｐ３５を介していわゆるゲートである第６電極３５ｇに対して電気的に接続されている。

また、調整トランジスタ３５では、第６電極３５ｇに付与される電位、より詳細には第４電極３５ｄｓまたは第５電極３５ｓｄと第６電極３５ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第４電極３５ｄｓと第５電極３５ｓｄとの間（第４−５電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第６電極（ゲート）３５ｇに付与される電位により、調整トランジスタ３５は、第４−５電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。なお、本変形例３では、調整トランジスタ３５が本発明の「抵抗部材」に相当する。

走査用トランジスタ３３は、画像信号線Ｌ_isの電位を駆動トランジスタ３２の第３電極（ゲート）３２ｇに付与するタイミングを制御するトランジスタである。ここでは、走査用トランジスタ３３も、駆動トランジスタ３２と同様にｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。

この走査用トランジスタ３３は、第７から第９電極３３ｄｓ，３３ｓｄ，３３ｇを有している。そして、第７電極３３ｄｓは、画像信号線Ｌ_isに対して電気的に接続されている。また、第８電極３３ｓｄは、接続点Ｃｐ３１を介して駆動トランジスタ３２の第３電極（ゲート）３２ｇおよびコンデンサ３４の一方電極３４ａに対して電気的に接続されている。更に、第９電極３３ｇは、いわゆるゲートとして機能し、走査信号線Ｌ_ssに対して電気的に接続されている。

また、走査用トランジスタ３３では、第９電極３３ｇに付与される電位、より具体的には第７電極３３ｄｓまたは第８電極３３ｓｄと第９電極３３ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第７電極３３ｄｓと第８電極３３ｓｄとの間（第７−８電極間）における電流量が調整される。そして、この第９電極（ゲート）３３ｇに付与される電位により、走査用トランジスタ３３は、第７−８電極間（ドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

コンデンサ３４は、一方および他方電極３４ａ，３４ｂを有している。そして、一方電極３４ａは、接続点Ｃｐ３１を介して、駆動トランジスタ３２の第３電極３２ｇおよび走査用トランジスタ３３の第８電極３３ｓｄに対して電気的に接続されている。また、他方電極３４ｂは、接続点Ｃｐ３２を介して、駆動トランジスタ３２の第２電極３２ｓｄに対して電気的に接続されている。また、他方電極３４ｂは、接続点Ｃｐ３２，Ｃｐ３３を順次に介してアノード電極３１ａおよび第４電極３５ｄｓに対してそれぞれ電気的に接続されている。

なお、ここでは、１つの画素回路７Ｅに着目して説明したが、有機ＥＬディスプレイＡＡ全体では、画素回路７Ｅが多数存在する。また、有機ＥＬ素子３１を発光させる際の信号波形（駆動波形）は、第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと同様なものとなる。

そして、この変形例３に係る画素回路７Ｅでは、第１電極３２ｄｓとカソード電極３１ｂとの間にカソード電極３１ｂよりも第１電極３２ｄｓの方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第３電極３２ｇに付与される電位の変化に応じて、アノード電極３１ａとカソード電極３１ｂとの間の電圧が閾値電圧Ｖ_t1を超える場合は、第１−２電極間およびアノード電極３１ａとカソード電極３１ｂとの間に電流が流れて、有機ＥＬ素子３１が発光する。また、アノード電極３１ａとカソード電極３１ｂとの間の電圧が閾値電圧Ｖ_t1以下となる場合は、第１−２電極間に電流が流れる一方で、アノード電極３１ａとカソード電極３１ｂとの間には電流が流れず、有機ＥＬ素子３１が発光しない。

以上のように、変形例３に係る画像表示装置１Ｅでは、第１実施形態に係る画像表示装置１Ａと同様に、有機ＥＬ素子３１の両電極間に印加される電圧が所定の閾値電圧Ｖ_t1を超える場合には有機ＥＬ素子３１に電流が流れて該有機ＥＬ素子３１が発光する。その一方で、有機ＥＬ素子３１の両電極間に印加される電圧が所定の閾値電圧Ｖ_t1以下の場合には、調整トランジスタ３５に電流が流れて、有機ＥＬ素子３１に電流が流れず、該有機ＥＬ素子３１が発光しない。このため、駆動トランジスタ３２のゲート電圧Ｖ_gを設定するための画像信号の電位（ここではＶ_data）の振れ幅を抑制することができる。

＜その他の変形例＞
◎例えば、上記実施形態では、発光素子として有機ＥＬ素子１，１１，２１，３１が用いられた構成を示して説明したが、これに限られない。発光素子は、例えば、無機材料で構成された発光ダイオード（ＬＥＤ）など、その他の発光素子であっても構わない。

◎また、第１実施形態および変形例３では、有機ＥＬ素子１，３１に対して１つの調整トランジスタ５，３５が電気的に並列に設けられたが、これに限られない。例えば、有機ＥＬ素子１，３１に対して、発光時にソースとなる電極とゲートとが電気的に接続された２以上の調整トランジスタが電気的に並列に設けられても良い。

◎また、第２実施形態および変形例２では、第１および第２調整トランジスタ１５，１６，２５，２６が電気的に直列に接続された部分が、有機ＥＬ素子１１，２１に対して電気的に並列に設けられたが、これに限られない。発光時にソースとなる電極とゲートとが電気的に接続された１以上の第１調整トランジスタと、発光時にドレインとなる電極とゲートとが電気的に接続された１以上の第２調整トランジスタとが電気的に直列に接続されている部分が、有機ＥＬ素子１１，２１に対して電気的に並列に設けられれば良い。

◎なお、上記第１および第２実施形態、ならびに変形例１〜３で記載した構成については、矛盾しない範囲で適宜組み合わせても良い。

本発明の実施形態に係る画像表示装置の概略構成を例示する図である。 本発明の実施形態に係る表示部の概略構成を示すブロック図である。 本発明の第１実施形態に係る１画素分の画素回路の構成例を示す図である。 第１実施形態に係る表示部の駆動波形を示すタイミングチャートである。 調整トランジスタの特性を模式的に示す図である。 駆動トランジスタのゲート電圧と有機ＥＬ素子の電流との関係を示す図である。 有機ＥＬ素子の両端間に印加される電圧と、有機ＥＬ素子を流れる電流との関係を模式的に示す図である。 本発明の第２実施形態に係る１画素分の画素回路の構成例を示す図である。 画素回路で発生する寄生容量を模式的に示す図である。 第１および第２調整トランジスタの特性を模式的に示す図である。 第１および第２調整トランジスタに係る電圧と電流との関係を模式的に示す図である。 第２実施形態に係る表示部の駆動波形を示すタイミングチャートである。 Ｃ_s初期化期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 準備期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 Ｖ_th補償期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 書込期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 発光期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 本発明の変形例１に係る１画素分の画素回路の構成例を示す図である。 電流調整抵抗の特性を示す図である。 有機ＥＬ素子の両端間に印加される電圧と、有機ＥＬ素子を流れる電流との関係を模式的に示す図である。 本発明の変形例２に係る１画素分の画素回路の構成例を示す図である。 変形例２に係る表示部の駆動波形を示すタイミングチャートである。 準備期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 Ｖ_th補償期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 初期化期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 書込期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 発光期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 本発明の変形例３に係る１画素分の画素回路の構成例を示す図である。 ａ−ＳｉＴＦＴの特性を模式的に示す図である。

符号の説明

１，１１，２１，３１ 有機ＥＬ素子
１ａ，１１ａ，２１ａ，３１ａ アノード電極
１ｂ，１１ｂ，２１ｂ，３１ｂ カソード電極
１Ａ〜１Ｅ 画像表示装置
２，１２，２２，３２ 駆動トランジスタ
５，３５ 調整トランジスタ
６ 電流調整抵抗
１５，２５ 第１調整トランジスタ
１６，２６ 第２調整トランジスタ

Claims (6)

1. 一端部から他端部に向けて電流が流れることで発光する発光素子と、
   第１電極、第２電極、および第３電極を有し、該第１電極が前記他端部に対して電気的に接続され、前記第１電極と前記第２電極との間に流れる電流を、前記第３電極に付与される電位によって調整する駆動トランジスタと、
   前記発光素子に対して電気的に並列に接続される抵抗部材と、
   を備え、
   前記一端部と前記第２電極との間に前記一端部の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、前記第３電極に付与される電位の変化に応じて、前記一端部と前記他端部との間の電圧が前記発光素子の閾値電圧を超える場合は、前記一端部と前記他端部との間に電流が流れて前記発光素子が発光し、前記一端部と前記他端部との間の電圧が前記発光素子の閾値電圧以下となる場合は、前記抵抗部材に電流が流れ、前記一端部と前記他端部との間に電流が流れず、前記発光素子が発光しないことを特徴とする画像表示装置。
2. 一端部から他端部に向けて電流が流れることで発光する発光素子と、
   第１電極、第２電極、および第３電極を有し、該第２電極が前記一端部に対して電気的に接続され、前記第１電極と前記第２電極との間に流れる電流を、前記第３電極に付与される電位によって調整する駆動トランジスタと、
   前記発光素子に対して電気的に並列に接続される抵抗部材と、
   を備え、
   前記第１電極と前記他端部との間に前記第１電極の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、前記第３電極に付与される電位の変化に応じて、前記一端部と前記他端部との間の電圧が前記発光素子の閾値電圧を超える場合は、前記一端部と前記他端部との間に電流が流れて前記発光素子が発光し、前記一端部と前記他端部との間の電圧が前記発光素子の閾値電圧以下となる場合は、前記抵抗部材に電流が流れ、前記一端部と前記他端部との間に電流が流れず、前記発光素子が発光しないことを特徴とする画像表示装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の画像表示装置であって、
   前記抵抗部材が、第４、第５、第６電極を有し、前記第４電極と前記第５電極との間に流れる電流を、前記第６電極に付与される電位によって調整する調整トランジスタを含み、
   前記第４電極が、前記一端部に対して電気的に接続され、
   前記第５電極が、前記他端部および前記第６電極に対して電気的に接続されることを特徴とする画像表示装置。
4. 請求項１または請求項２に記載の画像表示装置であって、
   前記抵抗部材が、第４、第５、第６電極を有し、前記第４電極と前記第５電極との間に流れる電流を、前記第６電極に付与される電位によって調整する第１調整トランジスタと、第７、第８、第９電極を有し、前記第７電極と前記第８電極との間に流れる電流を、前記第９電極に付与される電位によって調整する第２調整トランジスタとを含み、
   前記第４電極が、前記第８電極に対して電気的に接続され、
   前記第５電極が、前記他端部および前記第６電極に対して電気的に接続され、
   前記第７電極が、前記一端部および前記第９電極に対して電気的に接続されることを特徴とする画像表示装置。
5. 請求項４に記載の画像表示装置であって、
   第１０、第１１、第１２電極を有し、前記第１０電極と前記第１１電極との間に流れる電流を、前記第１２電極に印加される電位によって調整する補償用トランジスタ、
   を更に備え、
   前記第１０電極が、前記第１電極に対して電気的に接続され、
   前記第１１電極が、前記第３電極に対して電気的に接続されることを特徴とする画像表示装置。
6. 請求項１または請求項２に記載の画像表示装置であって、
   前記抵抗部材が、一端と他端との間に印加される電圧と、前記一端と前記他端との間を流れる電流とが、略比例関係を有する抵抗素子を含むことを特徴とする画像表示装置。

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