JP2010077519A - Method for forming film on lens, and vapor-deposition apparatus - Google Patents

Method for forming film on lens, and vapor-deposition apparatus Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a film on a lens, which precisely controls an electron gun according to characteristics of a vapor-depositing material. <P>SOLUTION: The film-forming method is directed for forming the film on the surface of the lens which is held in a vapor-deposition chamber of a vapor-deposition apparatus by vaporizing and vapor-depositing the vapor-depositing material. In the method, a control section commands a heating section to start heating and output an initial output which has been determined beforehand according to the type of the vapor-depositing material; commands the heating section to gradually increase the output of the heating section by an open loop control; and when the conditions which have been determined beforehand have been satisfied, controls the output of the heating section by a feedback control based on a light quantity value in an optical film thickness measurement section. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、プラスチックまたはガラス素材等の表面上に薄膜を形成する方法及び装置の改良に関し、特に、光学的性質の一定した薄膜を再現性良く形成し、眼鏡レンズに反射防止膜を形成する技術に関する。   The present invention relates to an improvement in a method and apparatus for forming a thin film on the surface of a plastic or glass material, and in particular, a technique for forming a thin film with constant optical properties with good reproducibility and forming an antireflection film on a spectacle lens. About.

眼鏡用レンズの製造においては、レンズに複数の薄膜を形成し、反射防止などの光学特性の改善や撥水性などの機能を付与する多層コート技術が適用されるものがある。特に、プラスチックまたはガラス製の眼鏡レンズ等の光学部材に反射防止膜等の薄膜を形成した製品で広く利用されている。光学部材への薄膜の形成は、真空蒸着装置のチャンバー内に設置した電子銃で蒸着原料を加熱して気化(または昇華)させて光学部材に薄膜を形成する。   In the manufacture of spectacle lenses, there are those to which a multilayer coating technique is applied in which a plurality of thin films are formed on a lens, and optical characteristics such as antireflection and functions such as water repellency are imparted. In particular, it is widely used in products in which a thin film such as an antireflection film is formed on an optical member such as a plastic or glass spectacle lens. The thin film is formed on the optical member by heating and vaporizing (or sublimating) the vapor deposition raw material with an electron gun installed in a chamber of a vacuum vapor deposition apparatus.

電子銃の制御により光学的性質の一定した薄膜を再現性良く形成する技術としては、光学式膜厚計を用いた手法が知られている(例えば、特許文献1、2、3)。この蒸着装置では、薄膜が形成された被成膜体に所定の光を照射したときの透過又は反射光量が薄膜の膜厚に依存することを利用して薄膜の膜厚を測定する光学式膜厚計を用い、薄膜の形成過程において、光学式膜厚計によって時々刻々測定される透過又は反射の光量値が規準光量値に近似又は等しくなるように、飛翔させる蒸着原料の量を制御する。
特開2001−115260号公報 特開2003−202404号公報 特開2006−9117号公報
As a technique for forming a thin film having a constant optical property with good reproducibility by controlling an electron gun, a technique using an optical film thickness meter is known (for example, Patent Documents 1, 2, and 3). In this vapor deposition apparatus, an optical film that measures the thickness of a thin film using the fact that the amount of transmitted or reflected light when a predetermined film is irradiated with a predetermined light depends on the thickness of the thin film. A thickness meter is used to control the amount of vapor deposition material to fly so that the light amount value of transmission or reflection measured every moment by the optical film thickness meter is close to or equal to the reference light amount value in the thin film formation process.
JP 2001-115260 A JP 2003-202404 A JP 2006-9117 A

透明な無機物質を蒸着する場合、成膜レート(薄膜の形成速度)が速い場合には、気化または昇華した蒸着原料の酸化不足などが原因で光学部材の表面に形成した透明薄膜に吸収が生じる傾向がある。成膜レートを遅くすると、薄膜に吸収が出にくくなって光学部材の品質を確保することができるが、蒸着処理の生産性が低下したり他の要因で蒸着原料に不具合が生じる。このため、上記従来例では、光学式膜厚計で観測した薄膜の形成速度で電子銃の制御を行い蒸着時の成膜レートを制御している。上記従来例は、蒸着がある程度進行して薄膜としての光学特性が得られ始めると、非常に有効である。   When a transparent inorganic substance is vapor-deposited, if the film formation rate (thin film formation rate) is high, absorption occurs in the transparent thin film formed on the surface of the optical member due to insufficient oxidation of vaporized or sublimated vapor deposition materials. Tend. When the film formation rate is slowed, absorption of the thin film is difficult to occur and the quality of the optical member can be ensured. However, the productivity of the vapor deposition process is lowered, or a defect occurs in the vapor deposition material due to other factors. For this reason, in the above conventional example, the film formation rate at the time of vapor deposition is controlled by controlling the electron gun at the thin film formation rate observed with the optical film thickness meter. The above conventional example is very effective when vapor deposition proceeds to some extent and optical characteristics as a thin film begin to be obtained.

しかしながら、上記従来例においては、蒸着初期の段階で成膜(薄膜の形成)中の薄膜に光学特性が出現する以前の、蒸着された成分が非常に少ない場合、蒸着初期段階の蒸着レート制御(蒸着の速度制御)を正確に行うことができない恐れが生じる。これは、膜厚に伴う反射率の変化は、例えば、サインカーブに類似の挙動を示すと実質的に等しい挙動を示すからである。光学膜厚計で反射率を計測して膜厚を算出する方法では、サインカーブの極値変曲点部分における膜厚に対する反射率の変化の割合が非常に微少なため、適切な膜厚変化の予測がしにくくなるからである。一般的に多層反射防止膜の蒸着初期は、サインカーブの極値変曲点から開始される。初期段階が反射率の極値変曲点に相当すると、膜厚の積層状態が予測しづらくなり、初期状態の蒸着速度が速まってしまう。このような状態の場合、成膜された薄膜の酸化状態が悪くなる事態が生じ、成膜された膜厚に吸収が生じる恐れがある。という問題があった。   However, in the above conventional example, when the deposited components are very small before the optical properties appear in the thin film during the deposition (formation of the thin film) at the initial stage of vapor deposition, the vapor deposition rate control at the initial stage of vapor deposition ( There is a risk that the deposition speed control) cannot be performed accurately. This is because the change in reflectance with the film thickness exhibits substantially the same behavior when, for example, a behavior similar to a sine curve is exhibited. In the method of calculating the film thickness by measuring the reflectivity with an optical film thickness meter, the ratio of the change in reflectivity with respect to the film thickness at the extreme inflection point of the sine curve is very small. This is because it becomes difficult to predict. In general, the initial deposition of the multilayer antireflection film starts from an extreme inflection point of the sine curve. When the initial stage corresponds to the extreme value inflection point of the reflectance, it is difficult to predict the laminated state of the film thickness, and the deposition rate in the initial state is increased. In such a state, a situation occurs in which the oxidized state of the formed thin film is deteriorated, and there is a possibility that absorption may occur in the formed film thickness. There was a problem.

特に、成膜の制御を光学式膜厚計でモニターする場合、成膜初期の薄膜の光学特性が観測しづらく、光学式膜厚計をモニターして成膜状態を確かめる上記従来例の制御の場合には電子銃の制御が特に難しいという問題があった。   In particular, when film formation control is monitored with an optical film thickness meter, it is difficult to observe the optical characteristics of the thin film at the initial stage of film formation. In some cases, it was particularly difficult to control the electron gun.

また、蒸発源となる原料物質(蒸着原料)の状態により、必要な電子銃のエネルギーが異なることから、成膜の初期段階で所定の初期値を決定する画一的な制御を行うことが困難である。例えば、蒸着原料が粉体を錠剤状に固めた物質の場合、同じ種類の蒸着原料であっても蒸着原料の個体差によって微妙に状態が異なるため蒸着に必要な電子銃のエネルギーが変動する。また、プレート状の蒸着原料を用いたとしても、そのプレートの結晶状態、アモルファス状態により蒸着に必要な電子銃のエネルギーが異なる。さらには、蒸着装置の整備にも依存する要素があり、電子銃の実パワー値(エネルギー)と指示値との間にもずれが生じる場合がある。   Also, since the required energy of the electron gun differs depending on the state of the source material (evaporation source) that becomes the evaporation source, it is difficult to perform uniform control to determine a predetermined initial value at the initial stage of film formation. It is. For example, when the vapor deposition material is a substance obtained by solidifying powder into a tablet shape, the energy of the electron gun necessary for vapor deposition varies because the state is slightly different depending on the individual difference of the vapor deposition material, even if the same type of vapor deposition material. Even if a plate-shaped vapor deposition material is used, the energy of the electron gun required for vapor deposition differs depending on the crystal state and amorphous state of the plate. Furthermore, there are factors depending on the maintenance of the vapor deposition apparatus, and there may be a deviation between the actual power value (energy) of the electron gun and the indicated value.

従って、蒸発源となる蒸着原料の状態により、必要な電子銃のエネルギー(指示値)が異なることから、成膜初期の所定の初期値を決定する画一的な制御を行うことが困難であった。   Therefore, since the necessary energy (indicated value) of the electron gun differs depending on the state of the evaporation source serving as the evaporation source, it is difficult to perform uniform control for determining a predetermined initial value at the initial stage of film formation. It was.

そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、蒸着原料の特性に合わせて成膜の初期段階における電子銃の制御を的確に行うことを目的とし、特に、光学部材に形成する薄膜の品質を安定させると共に蒸着工程の生産性を向上させることを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and aims to accurately control the electron gun in the initial stage of film formation in accordance with the characteristics of the deposition material, and in particular, a thin film formed on an optical member. The purpose is to stabilize the quality of the film and improve the productivity of the vapor deposition process.

本発明は、蒸着装置の蒸着室内に保持されたレンズの表面に蒸着原料を気化させて蒸着させることにより膜を形成するレンズの成膜方法であって、前記蒸着装置は、前記蒸着室に配置されて前記蒸着原料を加熱する加熱部と、前記レンズに形成される膜の表面反射光の光量から膜の厚さが算出される光学式膜厚測定部と、前記加熱部の出力を制御する制御部と、備えており、前記制御部が、前記蒸着原料の種類に応じて予め設定された初期出力を前記加熱部に指令し、前記加熱部を起動するステップと、前記制御部が、予め設定した周期で光学式膜厚測定部の光量値を取得するステップと、前記制御部が、オープンループ制御によって前記加熱部の出力を徐々に増大するように指令するステップと、前記制御部が、予め設定した条件を満たしたか否かを判定し、前記条件を満たしたときには前記光量値に基づくフィードバック制御によって前記加熱部の出力を制御するステップと、を含み、前記所定の条件は、前記加熱部を起動してから経過した時間が所定の時間を経過したことを含み、前記初期出力は、前記蒸着原料が確実に気化する出力よりも小さい所定値である。   The present invention is a lens film forming method for forming a film by vaporizing a vapor deposition raw material on a surface of a lens held in a vapor deposition chamber of a vapor deposition apparatus, and depositing the vapor deposition apparatus in the vapor deposition chamber. A heating unit that heats the vapor deposition material, an optical film thickness measurement unit that calculates the film thickness from the amount of surface reflected light of the film formed on the lens, and controls the output of the heating unit A control unit, and the control unit commands the heating unit to set an initial output preset according to the type of the vapor deposition material, and starts the heating unit. The step of acquiring the light amount value of the optical film thickness measurement unit at a set period, the step of instructing the control unit to gradually increase the output of the heating unit by open loop control, and the control unit, Meet preset conditions And when the condition is satisfied, the output of the heating unit is controlled by feedback control based on the light amount value, and the predetermined condition has elapsed since the heating unit was activated. The initial output is a predetermined value that is smaller than an output that reliably vaporizes the vapor deposition material.

本明細書において、「蒸着原料が確実に気化する出力」とは、蒸着室内の圧力において蒸着材料の気化点(沸点及び昇華点)を超える温度に至らしめる出力をいう。また、「蒸着材料が確実に気化するよりも小さい所定値」とは、蒸着材料の気化点(沸点及び昇華点)と等しいか僅かに低い温度に至らしめる出力をいう。このような出力で蒸着を進行させると、蒸着原料が蒸気圧で僅かずつ飛翔して基板に付着し、被膜形成がゆっくりとした速度で進行する。   In the present specification, the “output that the vapor deposition raw material is surely vaporized” refers to an output that reaches a temperature exceeding the vaporization point (boiling point and sublimation point) of the vapor deposition material at the pressure in the vapor deposition chamber. The “predetermined value smaller than the vapor deposition material is surely vaporized” means an output that reaches a temperature equal to or slightly lower than the vaporization point (boiling point and sublimation point) of the vapor deposition material. When the vapor deposition proceeds at such an output, the vapor deposition material flies little by little with the vapor pressure and adheres to the substrate, and the film formation proceeds at a slow speed.

また、本発明は、前記制御部が、予め設定した条件を満たしたか否かを判定し、前記条件を満たしたときには前記光量値に基づくフィードバック制御によって前記加熱部の出力を制御するときに、加熱部を起動してから所定の時間が経過したときに、光量値がその閾値以下の場合には、オープンループ制御による出力とフィードバック制御による出力の和算した値が加熱部に指令されることを特徴とする。   Further, the present invention determines whether or not the control unit satisfies a preset condition, and when the condition is satisfied, heating is performed when the output of the heating unit is controlled by feedback control based on the light amount value. When a predetermined amount of time has elapsed since the start of the unit, if the light amount value is less than or equal to the threshold value, the heating unit is instructed to add the output of the open loop control and the output of the feedback control. Features.

なお、フィードバック制御の出力は、出力を上げる正の出力に限定されず、出力を下げる負の出力もあり得る。フィードバック制御の出力が正の出力の場合、オープンループ制御による出力との和算出力はオープンループ制御の出力よりも大きくなる。逆にフィードバック制御の出力が負の出力の場合、オープンループ制御による出力との和算出力はオープンループ制御の出力よりも低くなる。つまり、光量値の情報から割り出されたオープンループ制御による出力が小さすぎる場合にはフィードバック制御の正の出力により補填され、オープンループ制御による出力が大きすぎる場合には、フィードバック制御の負の出力により減らすことができる。その結果、適正な蒸着速度で被膜形成を実行することができる。   Note that the output of the feedback control is not limited to a positive output that increases the output, and may be a negative output that decreases the output. When the output of the feedback control is a positive output, the power for calculating the sum with the output by the open loop control is larger than the output of the open loop control. Conversely, when the output of feedback control is a negative output, the sum calculation power with the output by open loop control is lower than the output of open loop control. In other words, if the output by the open loop control calculated from the light quantity information is too small, it is compensated by the positive output of the feedback control, and if the output by the open loop control is too large, the negative output of the feedback control Can be reduced. As a result, film formation can be performed at an appropriate deposition rate.

本発明によれば、蒸着処理の初期段階では、蒸着原料が確実に気化する出力よりも小さく僅かに気化する程度の初期出力から蒸着原料の加熱が開始され、加熱部を起動してから所定の時間が経過するまでは加熱部の出力を徐々に増大させてからフィードバック制御へ移行する。これにより蒸着原料の特性に合わせて徐々に気化または昇華を開始してからフィードバック制御へ移行するので、成膜の初期段階における電子銃の制御を的確に行うことが可能となり、薄膜の品質を安定させると共に蒸着処理の時間が長期になるのを防いで生産性を向上させることができる。   According to the present invention, in the initial stage of the vapor deposition process, heating of the vapor deposition raw material is started from an initial output that is slightly smaller than the output at which the vapor deposition raw material is surely vaporized, and after starting the heating unit, a predetermined amount is obtained. Until the time elapses, the output of the heating unit is gradually increased and then the control shifts to feedback control. As a result, vaporization or sublimation starts gradually according to the characteristics of the deposition material, and then the control shifts to feedback control. This makes it possible to accurately control the electron gun at the initial stage of film formation, and stabilize the quality of the thin film. In addition, it is possible to improve the productivity by preventing the deposition process from taking a long time.

以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1は、眼鏡用プラスチックレンズに反射防止膜や撥水コート等の薄膜を形成する真空蒸着装置に、本発明を適用した一例を示す。この真空蒸着装置は、成型された眼鏡用レンズ(以下、単にレンズとする)を、真空蒸着室内で蒸着原料(成膜材料)を蒸着させて反射防止膜等を形成するものである。   FIG. 1 shows an example in which the present invention is applied to a vacuum deposition apparatus for forming a thin film such as an antireflection film or a water repellent coating on a plastic lens for spectacles. This vacuum deposition apparatus forms an antireflection film or the like by depositing a molded eyeglass lens (hereinafter simply referred to as a lens) with a deposition material (film forming material) in a vacuum deposition chamber.

図1において、成膜室となる真空チャンバー1内には、上部に複数のレンズ2aを保持するとともに、所定の位置に薄膜の形成状況を検出するためのモニターガラス2bを保持するコートドーム2が設置される。真空チャンバー1の下部には、蒸発原料(成膜材料)4a、4bを収装するルツボ4と、ルツボ4の蒸着原料4a、4bに電子ビームを当てて気化(または昇華)させる電子銃3と、蒸着原料4a、4bに対して蒸発物を選択的に遮断するシャッター5と、蒸着した薄膜の強度や膜質(緻密性など)を改善するため、供給されたイオン化ガス(不活性ガス、酸素など)からイオンビームを発生させてイオンビーム照射を行うイオン銃14と、蒸着した薄膜の強度や膜質を改善するため、イオン銃14から真空チャンバー1内にイオン化ガスを充填するガス発生装置15等が設けられている。なお、シャッター5には図示しないアクチュエータが設けられ、後述の制御装置12によって制御される。また、蒸着原料4a、4bは異なる種類の物質で、例えば、蒸着原料4aが低屈折率物質で、蒸着原料4bが高屈折率物質である。また、イオン銃14にも内部を保護するためのシャッター141が図示しないアクチュエータによって開閉可能となっている。   In FIG. 1, in a vacuum chamber 1 serving as a film forming chamber, a coat dome 2 that holds a plurality of lenses 2a at the top and a monitor glass 2b for detecting a thin film formation state at a predetermined position is provided. Installed. Below the vacuum chamber 1, a crucible 4 that houses evaporation raw materials (film forming materials) 4 a and 4 b, and an electron gun 3 that evaporates (or sublimates) by applying an electron beam to the vapor deposition raw materials 4 a and 4 b of the crucible 4. , A shutter 5 that selectively blocks evaporated materials from the deposition raw materials 4a and 4b, and a supplied ionized gas (inert gas, oxygen, etc.) to improve the strength and film quality (denseness, etc.) of the deposited thin film ) For generating an ion beam to irradiate the ion beam and a gas generator 15 for filling the vacuum chamber 1 with ionized gas in order to improve the strength and film quality of the deposited thin film. Is provided. The shutter 5 is provided with an actuator (not shown) and is controlled by a control device 12 described later. Further, the vapor deposition raw materials 4a and 4b are different kinds of materials, for example, the vapor deposition raw material 4a is a low refractive index material and the vapor deposition raw material 4b is a high refractive index material. Further, a shutter 141 for protecting the inside of the ion gun 14 can be opened and closed by an actuator (not shown).

上部のコートドーム2の近傍には、コートドーム2に保持された被成膜体としてのレンズ2aの温度を計測するための基板温度計6が設けられている。この基板温度計6は、レンズ近傍の温度を測定し、レンズ温度を間接的に計測するものである。さらに、真空チャンバー1内の真空度(気圧)を計測するための真空計7及び真空チャンバー1内を減圧して排気するための排気ユニット8が設けられている。また、コートドーム2に保持されたレンズ2aを加熱するためのヒータ9が設けられている。なお、ヒータ9はハロゲンヒータなどで構成される。   In the vicinity of the upper coat dome 2, a substrate thermometer 6 for measuring the temperature of the lens 2 a as the film formation target held by the coat dome 2 is provided. The substrate thermometer 6 measures the temperature near the lens and indirectly measures the lens temperature. Furthermore, a vacuum gauge 7 for measuring the degree of vacuum (atmospheric pressure) in the vacuum chamber 1 and an exhaust unit 8 for evacuating the vacuum chamber 1 by reducing the pressure are provided. Further, a heater 9 for heating the lens 2 a held on the coat dome 2 is provided. The heater 9 is composed of a halogen heater or the like.

さらに、真空チャンバー1の外部上方には、コートドーム2の所定の位置に設定されたモニターガラス2bの反射率を測定する光学式膜厚計10が設けられている。光学式膜厚計10は膜厚モニター11を介して制御装置12に接続され、光学式膜厚計10からは光量データ(光量値)として、後述するように、照射光の光量に対する反射光の光量の比が出力される。そして膜厚は、反射光の光量から算出される。なお、光学式膜厚計10及び膜厚モニター11の構成は、上記従来例の特開2001−115260号公報や特開2003−202404号公報、特開2006−9117号公報の構成と同様である。   Further, an optical film thickness meter 10 for measuring the reflectance of the monitor glass 2 b set at a predetermined position of the coat dome 2 is provided above the vacuum chamber 1. The optical film thickness meter 10 is connected to the control device 12 via the film thickness monitor 11, and the optical film thickness meter 10 receives reflected light with respect to the amount of irradiation light as light amount data (light amount value) as will be described later. The light intensity ratio is output. The film thickness is calculated from the amount of reflected light. The configurations of the optical film thickness meter 10 and the film thickness monitor 11 are the same as the configurations of the above-mentioned conventional examples of Japanese Patent Laid-Open Nos. 2001-115260, 2003-202404, and 2006-9117. .

制御装置12は、CPUやメモリ及びディスク装置を含む演算部120と、蒸着処理の際に電子銃3への供給電力をフィードバック制御するための基準光量値データ格納部13と、蒸着処理の初期段階で電子銃3への供給電力をオープンループで制御するための電子銃3への指令値を格納したオープンループ制御マップ130とを備える。さらに、制御装置12にはキーボードやマウスなどで構成された入力部12aが接続されて、オペレータからの指令や入力を受け付ける。また、制御装置12は、上述の電子銃3、シャッター5、排気ユニット8、ヒータ9、イオン銃14、ガス発生装置15等の制御対象と、基板温度計6、真空計7、光学式膜厚計10(膜厚モニター11)等のセンサが接続されており、各センサからの入力等に基づいて上記制御対象を制御する。なお、演算部120には、蒸着処理を行うプログラムがロードされて、CPUにより実行される。また、基準光量値データ格納部13やオープンループ制御マップ130は、演算部120のメモリやディスク装置に読み込んでおいてもよい。   The control device 12 includes a calculation unit 120 including a CPU, a memory, and a disk device, a reference light amount value data storage unit 13 for feedback control of power supplied to the electron gun 3 during the vapor deposition process, and an initial stage of the vapor deposition process. And an open loop control map 130 that stores a command value to the electron gun 3 for controlling the power supplied to the electron gun 3 in an open loop. Further, the control unit 12 is connected to an input unit 12a configured by a keyboard, a mouse, and the like, and receives commands and inputs from the operator. The control device 12 includes control targets such as the above-described electron gun 3, shutter 5, exhaust unit 8, heater 9, ion gun 14, and gas generator 15, substrate thermometer 6, vacuum gauge 7, optical film thickness. Sensors such as a total of 10 (film thickness monitor 11) are connected, and the control target is controlled based on input from each sensor. The arithmetic unit 120 is loaded with a program for performing a vapor deposition process and is executed by the CPU. Further, the reference light quantity value data storage unit 13 and the open loop control map 130 may be read into the memory of the calculation unit 120 or the disk device.

すなわち、制御装置12は、真空計7の情報に基づいて排気ユニット8を制御し、真空チャンバー1内を所定の真空度(気圧)に維持する。また、制御装置12は、基板温度計6の情報に基づいてヒータ9を制御して被成膜体であるレンズ2aを所定の温度にする。そして、制御装置12は、上記光学式膜厚計10で測定される上記モニターガラス2bに形成された薄膜の時々刻々の光学膜厚に依存する時々刻々の光量値が、基準光量値データ格納部13に格納されている値と等しくなるように、電子銃3に印加する電力(電流及び/又は電圧)を制御する。また、形成する薄膜の種類や気化(または昇華)させる蒸着原料4a、4bの種類に応じて、イオン銃14へのイオン化ガスの供給とイオンビームの照射を行う。なお、ガス発生装置15は蒸着原料の種類に応じたガスを供給するもので、例えば、酸素や窒素などを供給する。   That is, the control device 12 controls the exhaust unit 8 based on the information of the vacuum gauge 7 and maintains the inside of the vacuum chamber 1 at a predetermined degree of vacuum (atmospheric pressure). Further, the control device 12 controls the heater 9 based on the information of the substrate thermometer 6 to bring the lens 2a that is the film formation body to a predetermined temperature. Then, the control device 12 has a reference light quantity value data storage unit that changes the light quantity value every time depending on the optical film thickness of the thin film formed on the monitor glass 2 b measured by the optical film thickness meter 10. The power (current and / or voltage) applied to the electron gun 3 is controlled so as to be equal to the value stored in 13. Further, depending on the type of thin film to be formed and the type of vapor deposition materials 4a and 4b to be vaporized (or sublimated), the ion gun 14 is supplied with ionized gas and irradiated with an ion beam. The gas generator 15 supplies a gas corresponding to the type of vapor deposition material, and supplies, for example, oxygen or nitrogen.

ここで、コートドーム2は、レンズ2aに反射防止膜等が蒸着されるように、レンズ2aを保持する保持手段である。そして、複数のレンズ2aが同時に蒸着できるよう、円形をしており、全てのレンズが同一品質の反射防止膜になるようにコートドーム2は所定の曲率を有している。   Here, the coat dome 2 is a holding means for holding the lens 2a so that an antireflection film or the like is deposited on the lens 2a. And it is circular so that the several lens 2a can be vapor-deposited simultaneously, and the coat dome 2 has a predetermined curvature so that all the lenses may become the antireflection film of the same quality.

電子銃3は、ルツボ4に収納された蒸着原料4a、4bを蒸着原料4a、4bの溶融温度まで加熱することにより、蒸発させて、レンズ2a及びモニターガラス2bに蒸着原料を蒸着・堆積させて薄膜を形成する。   The electron gun 3 evaporates the vapor deposition raw materials 4a and 4b accommodated in the crucible 4 by heating them to the melting temperature of the vapor deposition raw materials 4a and 4b, and vapor deposits and deposits the vapor deposition raw materials on the lens 2a and the monitor glass 2b. A thin film is formed.

ルツボ4は、蒸着原料4a、4bを保持するために用いられる公知の容器である。電子銃3による蒸着原料の加熱により、蒸着原料が突沸しないように、ルツボ4は冷却されるか、材質として、熱伝導率が高い物質が好ましい。   The crucible 4 is a known container used to hold the vapor deposition materials 4a and 4b. The crucible 4 is cooled or a material having a high thermal conductivity is preferable so that the vapor deposition material is not bumped by the heating of the vapor deposition material by the electron gun 3.

シャッター5は、図示しないアクチュエータによって駆動され、蒸着を開始するとき開き、または終了するときに閉じるように制御されるもので、薄膜の制御を行いやすくするものである。ヒータ9は、レンズ2aに蒸着される薄膜の密着性などの物性を出すため、レンズ2aを適切な温度に加熱する加熱手段である。   The shutter 5 is driven by an actuator (not shown) and is controlled to open when deposition is started or closed when deposition is completed, and facilitates control of the thin film. The heater 9 is a heating unit that heats the lens 2a to an appropriate temperature in order to obtain physical properties such as adhesion of a thin film deposited on the lens 2a.

光学式膜厚計10は、表面に透明薄膜を形成した透明基体(モニターガラス2b)に光を照射すると、薄膜表面からの反射光と透明基体表面からの反射光とが両者の位相差によって干渉をおこす現象を利用したものである。すなわち、上記位相差が薄膜の屈折率及び光学膜厚によって変化し、干渉の状態が変化して反射光の光量が薄膜の屈折率及び光学膜厚に依存して変化する。なお、反射光が変化すれば必然的に透過光も変化するので、透過光の光量を計測することによっても同様のことができるが、以下では反射光を用いた場合を説明する。   When the optical film thickness meter 10 irradiates light onto a transparent substrate (monitor glass 2b) having a transparent thin film formed on the surface, the reflected light from the thin film surface and the reflected light from the transparent substrate surface interfere with each other due to the phase difference between them. It uses the phenomenon that causes That is, the phase difference changes depending on the refractive index and optical thickness of the thin film, the state of interference changes, and the amount of reflected light changes depending on the refractive index and optical thickness of the thin film. If the reflected light changes, the transmitted light also inevitably changes. Therefore, the same can be done by measuring the amount of the transmitted light, but the case where the reflected light is used will be described below.

光学式膜厚計10は、上記コートドーム2の中心部に保持されたモニターガラス2bに所定の波長の光を照射し、その反射光を測定する。モニターガラス2bに形成される薄膜は、各レンズ2aに形成される薄膜に依存しているとみることができるので、各レンズ2aに形成される薄膜を推測できる情報を得ることができる。   The optical film thickness meter 10 irradiates the monitor glass 2b held at the center of the coat dome 2 with light of a predetermined wavelength and measures the reflected light. Since it can be considered that the thin film formed on the monitor glass 2b depends on the thin film formed on each lens 2a, information capable of estimating the thin film formed on each lens 2a can be obtained.

<制御の概要>
本発明の真空蒸着装置では、図4で示すように、蒸着処理の開始から所定の条件が成立するまでの期間(蒸着処理の初期段階)では、オープンループ制御(初期レート制御)により電子銃3の出力を制御し、所定の条件が成立するとフィードバック制御(PID制御)により電子銃3の出力を制御して、蒸着原料の特性に合わせた蒸着速度を実現するものである。さらに、蒸着処理の初期段階で所定の条件のうちの一部である時間に関する条件が成立すると、オープンループ制御とフィードバック制御を合わせた複合制御を行って、蒸着原料の気化(または昇華)を促進する。なお、フィードバック制御(レート制御)については、上記従来例の特開2001−115260号公報または特開2003−202404号公報や特開2006−9117号公報と同一であるので、フィードバック制御に関する詳細についての説明は省略する。
<Outline of control>
In the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention, as shown in FIG. 4, during the period from the start of the vapor deposition process until a predetermined condition is satisfied (initial stage of the vapor deposition process), the electron gun 3 is subjected to open loop control (initial rate control). When the predetermined condition is satisfied, the output of the electron gun 3 is controlled by feedback control (PID control) to realize the vapor deposition rate in accordance with the characteristics of the vapor deposition material. Furthermore, when conditions related to time, which is a part of the predetermined conditions, are satisfied at the initial stage of the vapor deposition process, the vaporization (or sublimation) of the vapor deposition material is promoted by performing combined control that combines open loop control and feedback control. To do. The feedback control (rate control) is the same as that of the above-mentioned conventional example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-115260, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-202404, or Japanese Patent Laid-Open No. 2006-9117. Description is omitted.

さらに、本願発明では、蒸着処理の初期でオープンループ制御を開始する電子銃3の出力(以下、初期パワーP0とする)を、蒸着原料4a(または4b)が気化(または昇華)を開始する出力(以下、気化パワーとする)よりも小さい値で、かつ0より大に設定しておき、オープンループ制御期間中では電子銃3に指令する出力を初期パワーP0から徐々に増大させて、成膜レート(レンズ2aに形成する薄膜の形成速度)が過大になって吸収が発生するのを防ぎ、かつ、蒸着処理の全体の時間が無駄に増大するのを防止する。特に、成膜レートが速くなるとレンズ2aの薄膜に吸収の出やすいITO(インジウム−錫複合酸化物)などの昇華性の蒸着原料に適用することで、品質の確保と生産性の向上を図ることができる。以下、蒸着処理の詳細について説明する。   Further, in the present invention, the output of the electron gun 3 that starts open loop control at the initial stage of the vapor deposition process (hereinafter referred to as initial power P0) is the output that the vapor deposition material 4a (or 4b) starts to vaporize (or sublimate). It is set to a value smaller than (hereinafter referred to as vaporization power) and larger than 0, and during the open loop control period, the output commanded to the electron gun 3 is gradually increased from the initial power P0 to form a film. The rate (the formation speed of the thin film formed on the lens 2a) is prevented from becoming excessive and absorption is prevented, and the entire time of the vapor deposition process is prevented from increasing wastefully. In particular, by applying to a sublimation deposition material such as ITO (Indium-Tin Composite Oxide) which is easily absorbed by the thin film of the lens 2a when the film forming rate is increased, ensuring quality and improving productivity. Can do. Details of the vapor deposition process will be described below.

<初期パワーP0の設定>
蒸着処理を開始する際に電子銃3へ指令する初期パワーP0は、蒸着原料4a(または4b)の種類毎に予め設定された値をオープンループ制御マップ130に格納しておき、蒸着処理を行う際にオペレータが入力装置12aにより選択する。
<Setting of initial power P0>
The initial power P0 commanded to the electron gun 3 when starting the vapor deposition process is stored in the open-loop control map 130 in advance for each type of vapor deposition raw material 4a (or 4b), and the vapor deposition process is performed. At this time, the operator selects the input device 12a.

図2は、オープンループ制御マップ130の一例を示す説明図である。オープンループ制御マップ130は蒸着原料毎に1つのエントリを備え、各エントリは次のように構成される。   FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of the open loop control map 130. The open loop control map 130 has one entry for each deposition material, and each entry is configured as follows.

蒸着原料の種類を特定する名称または識別子を格納する蒸着原料1301と、蒸着原料が気化(または昇華)を開始する電子銃3の出力(この例では電流値)を格納する気化パワー1302と、オープンループ制御の開始時(蒸着処理の開始時)に電子銃3に指令する出力(この例では電流値)を格納する初期パワーP0(1303)と、所定時間毎に電子銃3への出力を増大させるための増分値(この例では電流値)を格納する調整値ΔP(1304)と、オープンループ制御を終了してフィードバック制御へ移行する光学式膜厚計10の光量値(%)を格納するフィードバック制御開始値L1(1305)と、蒸着処理の開始時刻からフィードバック制御を開始するまでの時間(初期アイドルタイムTi)を格納する初期アイドルタイムTi(1306)と、から一つのエントリが構成される。そして、オープンループ制御マップ130には、複数の蒸着原料4a、4bのエントリを格納することができる。   A vapor deposition raw material 1301 for storing a name or identifier for specifying the type of the vapor deposition raw material, a vaporization power 1302 for storing an output (current value in this example) of the electron gun 3 at which the vapor deposition raw material starts vaporization (or sublimation), and an open Initial power P0 (1303) for storing an output (current value in this example) commanded to the electron gun 3 at the start of loop control (at the start of vapor deposition), and an output to the electron gun 3 increased every predetermined time And an adjustment value ΔP (1304) for storing an increment value (current value in this example) and a light amount value (%) of the optical film thickness meter 10 that ends open loop control and shifts to feedback control are stored. The initial idle time for storing the feedback control start value L1 (1305) and the time from the start time of the vapor deposition process to the start of the feedback control (initial idle time Ti) i and (1306), one of the entry consists of. The open loop control map 130 can store entries for a plurality of vapor deposition materials 4a and 4b.

気化パワー、初期パワーP0、調整値ΔP、フィードバック制御開始値L1、初期アイドルタイムTiは、それぞれ実験や試験などにより予め設定されたものである。例えば、蒸着原料1301が「A」の物質では、初期パワーP0は気化パワーXの80%に設定されており、オープンループ制御の開始直後では蒸着原料が明確に気化(または昇華、以下同様)しない値に設定されている。この値は、前記課題でも述べたように、蒸着原料が粉体を錠剤状に固めた物質の場合、同じ種類の蒸着原料であっても蒸着原料の個体差によって微妙に状態が異なるため蒸着に必要な電子銃3の出力が変動する。また、プレート状の蒸着原料を用いたとしても、そのプレートの結晶状態、アモルファス状態により同一種類の蒸着原料であっても蒸着に必要な電子銃3の出力が異なる。   The vaporization power, the initial power P0, the adjustment value ΔP, the feedback control start value L1, and the initial idle time Ti are preset by experiments and tests, respectively. For example, when the deposition material 1301 is “A”, the initial power P0 is set to 80% of the vaporization power X, and the deposition material is not clearly vaporized (or sublimated, and so on) immediately after the start of the open loop control. Is set to a value. As described in the previous section, this value is different from the vapor deposition raw material in the form of tablets in the form of tablets. The required output of the electron gun 3 varies. Even if a plate-shaped vapor deposition material is used, the output of the electron gun 3 required for vapor deposition varies depending on the crystal state and amorphous state of the plate even if the same type of vapor deposition material.

このため、同一の蒸着原料4aであっても、オープンループ制御の開始時に気化パワー1302で電子銃3を駆動すると気化を開始しない蒸着原料4aと、急速に気化を開始する蒸着原料4aが存在する。オープンループ制御の開始直後に急速に気化する場合では、前記課題で述べたとおり、レンズ2aに蒸着した蒸着原料4aによって形成される薄膜に酸化不足による吸収が生じる恐れがある。   For this reason, even with the same vapor deposition material 4a, there are a vapor deposition material 4a that does not start vaporization when the electron gun 3 is driven with the vaporization power 1302 at the start of open loop control, and a vapor deposition material 4a that starts vaporization rapidly. . In the case of rapid vaporization immediately after the start of the open loop control, as described in the above problem, there is a possibility that absorption due to insufficient oxidation may occur in the thin film formed by the vapor deposition raw material 4a deposited on the lens 2a.

そこで、初期パワーP0は、蒸着原料4aが確実に気化するよりも明らかに低い出力を設定し、オープンループ制御期間中は徐々に出力を増大して、モニターガラス2bに蒸着した薄膜の膜厚を確実に光学式膜厚計10で測定可能な状態(フィードバック制御開始値L1)まで移行させる。これにより、気化開始の出力に個体差のある蒸着原料であっても、成膜した薄膜に吸収などの不具合を生じることなく、かつ、蒸着処理全体の加工時間が無駄に増大するのを防ぐのである。   Therefore, the initial power P0 is set to a clearly lower output than the vapor deposition raw material 4a is surely vaporized, and the output is gradually increased during the open loop control period, so that the film thickness of the thin film deposited on the monitor glass 2b is increased. The state is surely shifted to a state where the optical film thickness meter 10 can measure (feedback control start value L1). As a result, even if the vapor deposition raw material has individual differences in the vaporization start output, it does not cause problems such as absorption in the formed thin film, and prevents the processing time of the entire vapor deposition process from increasing unnecessarily. is there.

初期パワーP0は、気化パワーよりも小さく、かつ0より大であり、例えば、気化パワーの50%以上の値に設定することが好ましい。   The initial power P0 is smaller than the vaporization power and larger than 0, and is preferably set to a value of 50% or more of the vaporization power, for example.

なお、調整値ΔPやフィードバック制御開始値L1等も、上述したように蒸着原料4aの気化の特性に応じて、急激な気化が発生しない値に設定すればよい。また、初期アイドルタイムTiも、蒸着原料4aの気化の特性に応じて、後述する所定の周期毎にオープンループ制御で調整値ΔPずつ電子銃3への指令値を増大させる期間が過大にならないように設定すればよい。すなわち、オープンループ制御期間中では、徐々に電子銃3の出力の指令値を増大させるので、初期アイドルタイムTiを長く設定しすぎたり、フィードバック制御開始値L1を高く設定しすぎると、蒸着原料4aの急激な気化を抑制できるが蒸着処理に要する時間も増大してしまう。このため、実験などに光学式膜厚計10で成膜の進行を測定可能なフィードバック制御開始値L1または初期アイドルタイムTiの最小値をオープンループ制御マップ130に設定するのが望ましい。   Note that the adjustment value ΔP, the feedback control start value L1, and the like may be set to values that do not cause rapid vaporization according to the vaporization characteristics of the vapor deposition raw material 4a as described above. In addition, the initial idle time Ti is also set so that the period during which the command value to the electron gun 3 is increased by the adjustment value ΔP by open loop control for each predetermined cycle, which will be described later, according to the vaporization characteristics of the vapor deposition material 4a. Should be set. That is, during the open loop control period, the command value of the output of the electron gun 3 is gradually increased. Therefore, if the initial idle time Ti is set too long or the feedback control start value L1 is set too high, the vapor deposition material 4a However, the time required for the vapor deposition process also increases. For this reason, it is desirable to set the feedback control start value L1 or the minimum value of the initial idle time Ti that can measure the progress of film formation with the optical film thickness meter 10 in the open loop control map 130 for experiments or the like.

<蒸着処理の詳細>
次に、制御装置12が行う蒸着処理の制御の一例について説明する。図3は、制御装置12が蒸着処理で行う電子銃3の制御の一例を示すフローチャートで、入力装置12aから開始の指令を受け付けたときに実行される処理である。
<Details of deposition process>
Next, an example of the control of the vapor deposition process performed by the control device 12 will be described. FIG. 3 is a flowchart showing an example of the control of the electron gun 3 performed by the controller 12 in the vapor deposition process, and is a process executed when a start command is received from the input device 12a.

ステップS1では、制御装置12が制御に用いる各種パラメータを初期化し、入力装置12aから蒸着原料4a(または4b、以下同様)の名称または識別子を受け付ける。また、制御装置12は、制御周期を決定する変数Ktに、オープンループ制御を実行する周期として予め定めた時間T1を設定する。なお、時間T1は、例えば、10msecなどに設定されている。   In step S1, various parameters used for control by the control device 12 are initialized, and the name or identifier of the vapor deposition material 4a (or 4b, the same applies hereinafter) is received from the input device 12a. Further, the control device 12 sets a predetermined time T1 as a cycle for executing the open loop control in the variable Kt for determining the control cycle. The time T1 is set to 10 msec, for example.

また、初期化するパラメータとしては、蒸着処理の開始からフィードバック制御へ移行するオープンループ制御の終了までの時間を測定するイニシャルタイマTm1を0にリセットし、光学式膜厚計10の測定周期を測定するチェックタイマTcを0にリセットし、オープンループ制御期間中の電子銃3の出力の更新周期を判定するためのチェックカウンタCcを0にリセットし、フィードバック制御の開始を示すFBフラグを0にリセットする。   Also, as a parameter to be initialized, the initial timer Tm1 that measures the time from the start of the vapor deposition process to the end of the open loop control that shifts to the feedback control is reset to 0, and the measurement cycle of the optical film thickness meter 10 is measured. The check timer Tc is reset to 0, the check counter Cc for determining the output update period of the electron gun 3 during the open loop control period is reset to 0, and the FB flag indicating the start of feedback control is reset to 0 To do.

次に、ステップS2では、上記ステップS1で受け付けた蒸着原料4aの名称または識別子からオープンループ制御マップ130を検索し、該当するエントリから初期パワーP0、調整値ΔP、フィードバック制御開始値L1、初期アイドルタイムTiを取得する。   Next, in step S2, the open loop control map 130 is searched from the name or identifier of the vapor deposition raw material 4a received in step S1, and the initial power P0, adjustment value ΔP, feedback control start value L1, initial idle is searched from the corresponding entry. Time Ti is acquired.

ステップS3では、上記取得した初期パワーP0を、オープンループ制御期間中に電子銃3に指令する電子銃パワーOPに設定して、電子銃3による蒸着原料4aの加熱を開始する。   In step S3, the acquired initial power P0 is set to the electron gun power OP commanded to the electron gun 3 during the open loop control period, and heating of the deposition material 4a by the electron gun 3 is started.

次に、ステップS4では、イニシャルタイマTm1の値が初期アイドルタイムTiを経過したか否かを判定し、経過していればステップS5でフィードバック制御を開始するためのFBフラグを1にセットする。一方、イニシャルタイマTm1の値が初期アイドルタイムTiを経過していなければ、ステップS6でイニシャルタイマTm1の値を更新(時間のカウント)する。   Next, in step S4, it is determined whether or not the value of the initial timer Tm1 has passed the initial idle time Ti. If it has elapsed, the FB flag for starting feedback control is set to 1 in step S5. On the other hand, if the value of the initial timer Tm1 has not passed the initial idle time Ti, the value of the initial timer Tm1 is updated (time counting) in step S6.

次に、ステップS7では、チェックタイマTcの値が光学式膜厚計10の出力を取得する周期であるKt=T1に達したか否かを判定する。チェックタイマTcの値が変数Ktに達していればステップS9に進んで光学式膜厚計10の出力(光量値)をレンズ2aに形成される薄膜の膜厚相当値として読み込む。一方、チェックタイマTcの値が変数Ktに達していなければ、ステップS8に進んでチェックタイマTcの値を更新した後にステップS4に戻って上記のループを繰り返す。   Next, in step S7, it is determined whether or not the value of the check timer Tc has reached Kt = T1, which is a cycle for acquiring the output of the optical film thickness meter 10. If the value of the check timer Tc has reached the variable Kt, the process proceeds to step S9, and the output (light quantity value) of the optical film thickness meter 10 is read as the film thickness equivalent value of the thin film formed on the lens 2a. On the other hand, if the value of the check timer Tc has not reached the variable Kt, the process proceeds to step S8 to update the value of the check timer Tc, and then returns to step S4 to repeat the above loop.

ステップS10では、上記読み込んだ光学式膜厚計10の光量値がフィードバック制御開始値L1を超えたか否かを判定する。光学式膜厚計10の光量値がフィードバック制御開始値L1を超えていればオープンループ制御を終了してフィードバック制御へ移行するためステップS20に進む。一方、光学式膜厚計10の光量値がフィードバック制御開始値L1以下であればオープンループ制御を継続するため、ステップS11に進む。なお、この作業は、マルチスレッド処理を適用した方式で実行することもできる。   In step S10, it is determined whether or not the read light quantity value of the optical film thickness meter 10 exceeds the feedback control start value L1. If the light quantity value of the optical film thickness meter 10 exceeds the feedback control start value L1, the process proceeds to step S20 in order to end the open loop control and shift to feedback control. On the other hand, if the light quantity value of the optical film thickness meter 10 is equal to or less than the feedback control start value L1, the open loop control is continued, and the process proceeds to step S11. This work can also be executed by a method to which multithread processing is applied.

ステップS11では、光学式膜厚計10の出力を読み込むチェックタイマTcをリセットし、オープンループ制御期間中の電子銃3の出力の更新周期を判定するためのチェックカウンタCcの値に1を加算する。   In step S11, the check timer Tc for reading the output of the optical film thickness meter 10 is reset, and 1 is added to the value of the check counter Cc for determining the output update period of the electron gun 3 during the open loop control period. .

ステップS12では、チェックカウンタCcの値が所定値に達したか否かを判定し、チェックカウンタCcの値が所定値に達していれば、オープンループ制御期間中の電子銃パワーOPの出力を更新する周期に達したと判定してステップS13に進む。一方、チェックカウンタCcの値が所定値に達していなければ、ステップS4に戻って上記処理を繰り返す。   In step S12, it is determined whether or not the value of the check counter Cc has reached a predetermined value. If the value of the check counter Cc has reached a predetermined value, the output of the electron gun power OP during the open loop control period is updated. It determines with having reached the period to perform, and progresses to step S13. On the other hand, if the value of the check counter Cc has not reached the predetermined value, the process returns to step S4 and the above processing is repeated.

ここで、所定値は例えば500等に設定され、この例では、チェックタイマTcの値がKt=T1=10msecであるので、500×10msec=5秒ごとに、電子銃パワーOPの値が更新される。   Here, the predetermined value is set to 500, for example, and in this example, since the value of the check timer Tc is Kt = T1 = 10 msec, the value of the electron gun power OP is updated every 500 × 10 msec = 5 seconds. The

ステップS13では、オープンループ制御期間中に電子銃3に指令する電子銃パワーOPの値に、蒸着原料4aに応じたオープンループ制御マップ130の調整値ΔPを加算知って更新し、電子銃3の出力を増大させる新たな電子銃パワーOPとしておく。   In step S13, the adjustment value ΔP of the open loop control map 130 corresponding to the deposition material 4a is added to and updated by the value of the electron gun power OP commanded to the electron gun 3 during the open loop control period. A new electron gun power OP that increases the output is set.

ステップS14では、電子銃パワーOPを更新する周期を判定するチェックカウンタCcをリセットする。   In step S14, the check counter Cc for determining the cycle for updating the electron gun power OP is reset.

ステップS15では、FBフラグが1であるか否かを判定し、FBフラグが1であればオープンループ制御とフィードバック制御を併用する複合制御期間であるのでステップS18に進む。一方、FBフラグが0であればオープンループ制御期間中であるので、ステップS16に進んで、電子銃3に指令する電子銃パワーPにオープンループ制御期間中の電子銃パワーOPを設定し、ステップS17にて調整値ΔPだけ増大した電子銃パワーPを電子銃3に指令する。   In step S15, it is determined whether or not the FB flag is 1. If the FB flag is 1, it is a complex control period in which the open loop control and the feedback control are used together, and the process proceeds to step S18. On the other hand, if the FB flag is 0, it is during the open loop control period, so the process proceeds to step S16, and the electron gun power OP during the open loop control period is set to the electron gun power P commanded to the electron gun 3. In step S17, the electron gun power P increased by the adjustment value ΔP is commanded to the electron gun 3.

一方、複合制御期間のステップS18では、光学式膜厚計10の光量値に基づくフィードバック制御によって電子銃パワーFBPを求める。このフィードバック制御による電子銃パワーFBPは、上記従来例に開示された手法により求めればよい。   On the other hand, in step S18 of the composite control period, the electron gun power FBP is obtained by feedback control based on the light amount value of the optical film thickness meter 10. The electron gun power FBP by this feedback control may be obtained by the method disclosed in the conventional example.

次に、ステップS19では、上記で求めたオープンループ制御期間中の電子銃パワーOPと、フィードバック制御による電子銃パワーFBPの和算した値を複合制御期間の電子銃パワーPとする。ステップ19において、電子銃パワーOPが高すぎる場合には、電子銃パワーFBPにより負の出力が加わり、電子銃パワーPは電子銃パワーOPよりも低くなる。また、電子銃パワーOPが低すぎる場合には、電子銃パワーFBPにより性の出力が加わり、電子銃パワーPは電子銃パワーOPよりも高くなる。そして、その和算した電子銃パワーPをステップS17で出力し、電子銃3を駆動する。   Next, in step S19, the sum of the electron gun power OP during the open loop control period obtained above and the electron gun power FBP by feedback control is set as the electron gun power P during the composite control period. In step 19, if the electron gun power OP is too high, a negative output is applied by the electron gun power FBP, and the electron gun power P becomes lower than the electron gun power OP. When the electron gun power OP is too low, a sex output is added by the electron gun power FBP, and the electron gun power P becomes higher than the electron gun power OP. Then, the summed electron gun power P is output in step S17, and the electron gun 3 is driven.

フィードバック制御期間のステップS20以降では、まず、ステップS20で制御周期をフィードバック制御に適した所定値T2に変更するため、変数Ktに所定値T2をセットする。所定値T2は、例えば、4秒などに設定される。次回の制御周期以降は、チェックタイマTcの値が所定値T2となる度にフィードバック制御が繰り返される。   After step S20 of the feedback control period, first, in order to change the control cycle to a predetermined value T2 suitable for feedback control in step S20, the predetermined value T2 is set to the variable Kt. The predetermined value T2 is set to 4 seconds, for example. After the next control cycle, the feedback control is repeated each time the value of the check timer Tc reaches the predetermined value T2.

ステップS21では、上記従来例の特開2001−115260号公報または特開2006−9117号公報に開示された手法によって光学式膜厚計10の出力(実光量)に基づくフィードバック制御を実施し、ステップS21ではフィードバック制御による電子銃3の指令値FBPを電子銃パワーPに設定する。上記手法によるフィードバック制御では、シャッター5を開放してからの時刻ti-1(実時刻)における光量をLi−1(実測値=実光量)とし、このLi−1に等しい規準光量値Ls(=Li−1)を、基準光量値データ格納部13の基準光量値データから検索する。同一の値がない場合には、近似値を算出する。そして、この光量値Lsに対応する時刻ts(基準時刻)を基準光量値データから算出する。次に、実時刻ti−1から制御間隔Δt(秒)後の時刻tiに対応する光量値(実測値=実光量)をLiとする。また、基準データから、規準時刻ts’(=ts+Δt)に対応する規準光量Ls’を得る。さらに、実光量の変化量と基準光量の変化量の比から光量値Qiを求め、この光量値Qiに対して、PID制御(比例、積分、微分制御)を行い、フィードバック制御の電子銃パワー値FBPを決定する。   In step S21, feedback control based on the output (actual light amount) of the optical film thickness meter 10 is performed by the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-115260 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-9117 of the above-described conventional example. In S21, the command value FBP of the electron gun 3 by feedback control is set to the electron gun power P. In the feedback control by the above method, the light amount at time ti-1 (actual time) after the shutter 5 is opened is Li-1 (actual value = actual light amount), and the reference light amount value Ls (= Li-1) is searched from the reference light quantity value data in the reference light quantity value data storage unit 13. If there is no identical value, an approximate value is calculated. Then, a time ts (reference time) corresponding to the light quantity value Ls is calculated from the reference light quantity value data. Next, the light amount value (actual value = actual light amount) corresponding to the time ti after the control interval Δt (seconds) from the actual time ti−1 is set to Li. Further, a reference light amount Ls ′ corresponding to the reference time ts ′ (= ts + Δt) is obtained from the reference data. Further, a light amount value Qi is obtained from the ratio of the change amount of the actual light amount and the change amount of the reference light amount, PID control (proportional, integral, derivative control) is performed on the light amount value Qi, and the electron gun power value for feedback control Determine the FBP.

そして、ステップS23でチェックタイマTcの値をリセットしてからステップS17にて電子銃パワーPを電子銃3に指令し、フィードバック制御による電子銃3の制御を行う。   Then, after resetting the value of the check timer Tc in step S23, the electron gun power P is commanded to the electron gun 3 in step S17, and the electron gun 3 is controlled by feedback control.

ステップS24では、蒸着処理の終了条件を満足したか否かを判定する。この判定は、例えば、蒸着処理の開始からの経過時間が所定の時間(例えば12分)を経過したときや光量値が所定の値になったときを終了条件を満足したものとする。   In step S <b> 24, it is determined whether or not the vapor deposition process termination condition is satisfied. In this determination, for example, the end condition is satisfied when the elapsed time from the start of the vapor deposition process has passed a predetermined time (for example, 12 minutes) or when the light amount value has reached a predetermined value.

上記制御により、蒸着処理の光量値(膜厚相当値)と電子銃パワーP(指令値)の関係は、図4に示すようになる。図4は、光量値がフィードバック制御開始値L1を超えたことによりオープンループ制御からフィードバック制御へ移行する場合の光量値(膜厚相当値)と電子銃パワーPと時刻の関係を示すグラフである。   With the above control, the relationship between the light amount value (film thickness equivalent value) of the vapor deposition process and the electron gun power P (command value) is as shown in FIG. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the light amount value (film thickness equivalent value), the electron gun power P, and the time when shifting from the open loop control to the feedback control due to the light amount value exceeding the feedback control start value L1. .

時刻Taでは、オープンループ制御の電子銃パワーOPに初期パワーP0を指令して電子銃3を起動し、シャッター5を開放することで蒸着処理を開始する。オープンループ制御では、周期Kt=T1により10msec毎に光学式膜厚計10の光量値を読み込み、チェックカウンタCcの値が所定値=500に達すると、オープンループ制御の電子銃パワーOPに調整値ΔPが加算され、5秒ごとに電子銃3の指令値は所定の増分値である調整値ΔPずつ増大される。そして、5秒周期の電子銃パワーの増大は、光量値がフィードバック制御開始値L1を超えるか、イニシャルタイマTm1の値が初期アイドルタイムに達するまで行われる。図示の例では、時刻Tbで光量値がフィードバック制御開始値L1を超えてオープンループ制御を終了し、フィードバック制御へ移行する場合を示している。   At time Ta, the initial power P0 is commanded to the open-loop control electron gun power OP, the electron gun 3 is activated, and the shutter 5 is opened to start the evaporation process. In the open loop control, the light quantity value of the optical film thickness meter 10 is read every 10 msec with the period Kt = T1, and when the value of the check counter Cc reaches a predetermined value = 500, the adjustment value is set to the electron gun power OP of the open loop control. ΔP is added, and the command value of the electron gun 3 is increased by an adjustment value ΔP which is a predetermined increment value every 5 seconds. The increase of the electron gun power in a cycle of 5 seconds is performed until the light quantity value exceeds the feedback control start value L1 or the value of the initial timer Tm1 reaches the initial idle time. In the illustrated example, the case where the light amount value exceeds the feedback control start value L1 at time Tb, the open loop control is ended, and the control shifts to feedback control is shown.

フィードバック制御の期間では、周期Kt=T2により4秒の周期で光学式膜厚計10の光量値に基づくフィードバック制御の電子銃パワーFBPが演算されて電子銃3に指令する。   In the period of feedback control, the electron gun power FBP of feedback control based on the light amount value of the optical film thickness meter 10 is calculated at a cycle of 4 seconds with the cycle Kt = T2, and commanded to the electron gun 3.

蒸着処理の開始時には、電子銃3に指令する初期パワーP0が、蒸着原料4aが確実に気化を開始する電力よりも明らかに低く設定されているため、蒸着処理の開始直後では蒸着原料4aが急激に多量の気化を開始することはない。つまり、同一種の蒸着原料4aであっても、個体差により気化を開始する電子銃パワーPに誤差があり、気化しやすい固体であっても、予め設定した低い初期パワーP0で加熱を開始することで、急激な気化を防いでレンズ2aに形成される透明の薄膜に吸収が生じるのを防ぐことができる。例えば、図2で示した蒸着原料「A」の場合、標準的な気化パワーXの80%を初期パワーP0とすることで、個体差による急激な気化を防いでいる。気化しやすい固体の場合は、気化しにくい固体に比して成膜レートが大きいため、初期アイドルタイムTiに到達する以前に光量値がフィードバック制御開始値L1を超えてフィードバック制御(レート制御)へ移行することができる。例えば、予め設定した初期パワーP0において加熱しても、前記個体差による誤差で気化の速度が速くなる事が考えられるが、フィードバック制御による電子銃パワーFBPを負の出力にすることでその事態を回避することができる。これにより、薄膜の形成速度に応じた電子銃3の出力を制御することができる。   At the start of the vapor deposition process, the initial power P0 commanded to the electron gun 3 is set to be clearly lower than the power at which the vapor deposition raw material 4a surely starts to vaporize. A large amount of vaporization will not start. That is, even with the same kind of vapor deposition raw material 4a, there is an error in the electron gun power P for starting vaporization due to individual differences, and heating is started at a preset low initial power P0 even for solids that are easily vaporized. In this way, it is possible to prevent absorption from occurring in the transparent thin film formed on the lens 2a by preventing rapid vaporization. For example, in the case of the vapor deposition material “A” shown in FIG. 2, 80% of the standard vaporization power X is set to the initial power P0, thereby preventing rapid vaporization due to individual differences. In the case of a solid that is easily vaporized, the film formation rate is higher than that of a solid that is difficult to vaporize. Therefore, the light amount value exceeds the feedback control start value L1 before the initial idle time Ti is reached, and the feedback control is performed. Can be migrated. For example, even if heating is performed at a preset initial power P0, it is conceivable that the vaporization speed increases due to the error due to the individual difference, but this situation can be avoided by setting the electron gun power FBP by feedback control to a negative output. It can be avoided. Thereby, the output of the electron gun 3 according to the formation speed of the thin film can be controlled.

逆に、気化しにくい固体の場合では、初期パワーP0が蒸着原料4aが通常気化を開始する電力よりも明らかに低く設定されているため、蒸着処理の開始から時間が経過して調整値ΔPによる電子銃3の出力増大を繰り返さなければ気化を開始しない。このため、光量値がフィードバック制御開始値L1に達するのを待っていると、蒸着処理の終了までの時間が過大となってしまい、蒸着処理の生産性が低下する。   On the other hand, in the case of a solid that is difficult to vaporize, the initial power P0 is set to be clearly lower than the electric power at which the vapor deposition raw material 4a normally starts vaporization. Vaporization is not started unless the output of the electron gun 3 is repeatedly increased. For this reason, when waiting for the light quantity value to reach the feedback control start value L1, the time until the end of the vapor deposition process becomes excessive, and the productivity of the vapor deposition process decreases.

そこで、オープンループ制御のみの期間を初期アイドルタイムTiが経過する時間までに制限し、調整値ΔPによる電子銃3の出力増大を繰り返しても成膜の進行が遅い場合には、フィードバック制御を開始して、調整値ΔPを超える電子銃3の出力の補正によって蒸着原料4aの気化を促進することができる。   Therefore, the period of only the open loop control is limited to the time when the initial idle time Ti elapses, and the feedback control is started when the film formation is slow even if the output of the electron gun 3 is repeatedly increased by the adjustment value ΔP. Thus, the vaporization of the vapor deposition material 4a can be promoted by correcting the output of the electron gun 3 exceeding the adjustment value ΔP.

ここで、初期アイドルタイムTiを経過したことによりフィードバック制御を開始する際に、光量値がFB開始値Liを超えるまではオープンループ制御を継続し、オープンループ制御とフィードバック制御を併用する複合制御期間とする。   Here, when the feedback control is started after the initial idle time Ti has elapsed, the open loop control is continued until the light quantity value exceeds the FB start value Li, and the combined control period in which the open loop control and the feedback control are used together. And

この複合制御期間は、図5の時刻Tb〜Tcで示すように、蒸着原料4aの気化が進まずに初期アイドルタイムTiが経過する時刻Tbにおいて、光学式膜厚計10の光量値がフィードバック制御開始値L1に達していなければオープンループ制御に加えてフィードバック制御も開始する。複合制御期間では、ステップS19で示したように、オープンループ制御による電子銃パワーOPと、フィードバック制御による電子銃パワーFBPのうち和算した出力を電子銃3に指令する値として制御する。気化しにくい固体の場合には電子銃パワーOPの出力が不足しがちになり、電子銃パワーOP増分値(調整値△P)では不足することが考えられる。このような場合、所定の制御周期(例えば、5秒)毎に少なくともオープンループ制御による電子銃パワーOPの増分値(調整値ΔP)に加えてフィードバック制御の電子銃パワーFBPが正の出力で加えられ、オープンループ制御による電子銃パワーOPの増分値以上の出力が電子銃パワーPに加えられることになる。この結果、電子銃3に指令される出力は、図5の時刻Tb〜Tcの期間で示すように、オープンループ制御期間の増分値よりも大きい値になるので、気化しにくい固体の気化を促進することが可能となる。   In this combined control period, as shown by times Tb to Tc in FIG. 5, the light amount value of the optical film thickness meter 10 is feedback controlled at time Tb when the initial idle time Ti elapses without vaporization of the vapor deposition material 4a. If the start value L1 has not been reached, feedback control is started in addition to open loop control. In the composite control period, as shown in step S19, the summed output of the electron gun power OP by the open loop control and the electron gun power FBP by the feedback control is controlled as a value for commanding the electron gun 3. In the case of a solid that is difficult to vaporize, the output of the electron gun power OP tends to be insufficient, and the electron gun power OP increment value (adjustment value ΔP) may be insufficient. In such a case, at least in an increment value (adjustment value ΔP) of the electron gun power OP by open loop control at every predetermined control cycle (for example, 5 seconds), the electron gun power FBP of feedback control is added with a positive output. As a result, an output equal to or larger than the increment value of the electron gun power OP by the open loop control is added to the electron gun power P. As a result, the output commanded to the electron gun 3 becomes larger than the increment value of the open loop control period as shown in the period of time Tb to Tc in FIG. It becomes possible to do.

上記オープンループ制御と複合制御及びフィードバック制御による蒸着処理全体の状況を図6に示す。図6は、蒸着処理期間の電子銃パワーP(図中EB出力)とレンズ2aに形成された薄膜の膜厚相当値(光量値)と時間の関係を示す。   FIG. 6 shows the overall situation of the vapor deposition process by the open loop control, composite control and feedback control. FIG. 6 shows the relationship between the electron gun power P (EB output in the figure) during the vapor deposition process, the film thickness equivalent value (light quantity value) of the thin film formed on the lens 2a, and time.

時刻taにおいて初期パワーP0で電子銃3を起動して、オープンループ制御(初期レート制御)により蒸着処理を開始する。オープンループ制御では光学式膜厚計10の光量値を監視しながら所定の周期(例えば、5秒)毎に調整値ΔPずつ電子銃パワーPを増大していく。オープンループ制御の期間では、電子銃パワーPはほぼ単調増加となって蒸着原料4aを徐々に加熱する。オープンループ制御期間全体としては、単位時間当たりαずつ電子銃パワーPが増大される。図示の例の蒸着原料4aでは、オープンループ制御期間では蒸着原料4aの気化は微量であり、光学式膜厚計10の光量値はわずかに増大する程度となっている。このため、光量値がフィードバック制御開始値L1に達する以前に初期アイドルタイムTiが経過した時刻Tbからはオープンループ制御に加えてフィードバック制御が開始される。そして、時刻Tcでは、光学式膜厚計10の光量値がフィードバック制御開始値L1を超えたことからオープンループ制御を終了して、フィードバック制御へ移行する。時刻Tcでは、蒸着原料4aの厚みが増加しており、膜厚に対する反射光の光量変化の割合が大きくなり、光学式膜厚計10でモニターガラス2bの光量値の変化を確実に捉えることが可能になる。フィードバック制御期間では、上述した従来例と同様に光学式膜厚計10の光量値に基づいて電子銃パワーPのフィードバック制御が行われる。   At time ta, the electron gun 3 is activated with the initial power P0, and the vapor deposition process is started by open loop control (initial rate control). In the open loop control, the electron gun power P is increased by an adjustment value ΔP every predetermined period (for example, 5 seconds) while monitoring the light amount value of the optical film thickness meter 10. In the open loop control period, the electron gun power P increases substantially monotonically and gradually heats the vapor deposition material 4a. In the entire open loop control period, the electron gun power P is increased by α per unit time. In the illustrated vapor deposition raw material 4a, vaporization of the vapor deposition raw material 4a is very small during the open loop control period, and the light amount value of the optical film thickness meter 10 is slightly increased. For this reason, feedback control is started in addition to open loop control from time Tb when the initial idle time Ti has elapsed before the light quantity value reaches the feedback control start value L1. At time Tc, since the light quantity value of the optical film thickness meter 10 exceeds the feedback control start value L1, the open loop control is terminated and the process proceeds to feedback control. At the time Tc, the thickness of the vapor deposition material 4a is increased, the ratio of the change in the amount of reflected light with respect to the film thickness is increased, and the optical film thickness meter 10 can reliably capture the change in the light amount value of the monitor glass 2b. It becomes possible. In the feedback control period, feedback control of the electron gun power P is performed based on the light amount value of the optical film thickness meter 10 as in the above-described conventional example.

以上のように、蒸着処理の初期段階では、明らかに蒸着原料4aが気化しない初期パワーP0で電子銃3を起動してから、オープンループ制御によって電子銃パワーPを徐々に増大させることで、蒸着原料4aの気化が過大になるのを防ぎながら、蒸着処理時間が長期化するのを防ぐことができる。   As described above, in the initial stage of the vapor deposition process, after starting the electron gun 3 with the initial power P0 at which the vapor deposition raw material 4a is not clearly vaporized, the electron gun power P is gradually increased by open loop control. While preventing the vaporization of the raw material 4a from being excessive, it is possible to prevent the vapor deposition processing time from being prolonged.

本発明は、蒸着原料4aの個体差を吸収するだけではなく、真空チャンバー1の保守による蒸着処理の特性の変化も吸収できる。   The present invention can absorb not only the individual differences of the vapor deposition raw material 4 a but also the change in the characteristics of the vapor deposition process due to the maintenance of the vacuum chamber 1.

例えば、電子銃3のメンテナンスを行うと、電子銃パワーPに対する実際の電子銃3の出力が変動し、予測していた気化パワーよりも低い値で蒸着原料4aの気化が開始する場合もある。逆に、メンテナンス後の電子銃3に予測していた気化パワーを与えても蒸着原料4aの気化が開始されない場合もある。   For example, when the maintenance of the electron gun 3 is performed, the actual output of the electron gun 3 with respect to the electron gun power P may fluctuate, and vaporization of the deposition material 4a may start at a value lower than the predicted vaporization power. On the contrary, even if the predicted vaporization power is given to the electron gun 3 after maintenance, vaporization of the vapor deposition raw material 4a may not be started.

このように、メンテナンスによって電子銃3における電子ビームの飛翔状態や効率と出力の関係が変動した場合でも、本発明を適用することで、初期パワーP0で蒸着原料4aの気化が開始されても、光学式膜厚計10の光量値がフィードバック制御開始値Liに達した時点でフィードバック制御へ移行し、成膜レートを抑制してレンズ2aに形成された薄膜に吸収が発生するのを防止できる。あるいは、電子銃3への指令値に対して実際の出力が低下した場合では、初期アイドルタイムTiが経過すると、複合制御期間で電子銃3への指令値を増大させて光学式膜厚計10の光量値をフィードバック制御開始値Liまで上昇させることができ、蒸着処理時間が過大になるのを防止できる。   Thus, even when the flight state of the electron beam in the electron gun 3 and the relationship between the efficiency and the output fluctuate due to the maintenance, by applying the present invention, even when the vaporization of the vapor deposition material 4a is started at the initial power P0, When the light quantity value of the optical film thickness meter 10 reaches the feedback control start value Li, the control shifts to feedback control, and it is possible to suppress the film formation rate and prevent the thin film formed on the lens 2a from absorbing. Alternatively, when the actual output decreases with respect to the command value to the electron gun 3, when the initial idle time Ti elapses, the command value to the electron gun 3 is increased during the composite control period to increase the optical film thickness meter 10. Can be increased to the feedback control start value Li, and the vapor deposition processing time can be prevented from becoming excessive.

なお、電子銃3のメンテナンスを行った後には、オープンループ制御マップ130の気化パワー及び初期パワーP0を事前動作確認などにより補正することが望ましい。   In addition, after performing maintenance of the electron gun 3, it is desirable to correct the vaporization power and the initial power P0 of the open loop control map 130 by confirming the preliminary operation.

<蒸着原料>
レンズ2aに蒸着材料を蒸着して反射防止膜等を形成する場合、成膜レート(薄膜の形成速度)が速い場合には、気化または昇華した蒸着原料の酸化不足などが原因でレンズ2aの表面に形成した薄膜に吸収が生じる傾向がある。このような傾向を備える蒸着原料4aに対して、上述した本発明を適用することで、吸収の発生を防止しながら、蒸着処理時間が長期になるのを防いで生産性を向上させることができる。
<Vapor deposition raw material>
When the deposition material is deposited on the lens 2a to form an antireflection film or the like, if the deposition rate (thin film formation rate) is high, the surface of the lens 2a is caused by insufficient oxidation of the vaporized or sublimated deposition material. Absorption tends to occur in the thin film formed. By applying the above-described present invention to the vapor deposition raw material 4a having such a tendency, it is possible to improve the productivity by preventing the vapor deposition processing time from being prolonged while preventing the occurrence of absorption. .

上述したように、成膜レートが速いためにレンズ2aに形成した薄膜に吸収が生じ易い蒸着原料としては、次のような昇華性の蒸着原料があげられる。
・ケイ素酸化物、珪素酸化物と金属及び/または金属化合物との混合物や化学結合物が挙げられる。これらの中でSiO2等の珪素酸化物は結晶性でも非晶性でも構わない。
・金属化合物としては金属酸化物や金属フッ化物、及び、金属窒化物が挙げられる。
・金属酸化物として、マグネシウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、ジルコニア酸化物、ナトリウム酸化物、カリウム酸化物、錫酸化物及び錫と他元素との共酸化物、インジウム酸化物及びインジウムと他の元素との共酸化物、酸化マグネシウム−二酸化珪素共酸化物、酸化アルミニウム−二酸化珪素共酸化物(ムライト)等が挙げられる。
・金属フッ化物としては、アルカリ土類金属のフッ化物、例えばフッ化マグネシウムやフッ化カルシウム、フッ化バリウムや、アルカリ金属のフッ化物、例えばフッ化ナトリウムやフッ化カリウム等が挙げられる。
・金属窒化物としては、アルミニウム窒化物、チタン窒化物、ケイ素窒化物、クロム窒化物などが挙げられる。
As described above, the following sublimation vapor deposition raw materials are examples of the vapor deposition raw materials that are likely to be absorbed in the thin film formed on the lens 2a due to the high film formation rate.
-A silicon oxide, the mixture of a silicon oxide, a metal, and / or a metal compound, and a chemical bond are mentioned. Among these, silicon oxides such as SiO 2 may be crystalline or amorphous.
-As a metal compound, a metal oxide, a metal fluoride, and a metal nitride are mentioned.
-As metal oxides, magnesium oxide, calcium oxide, barium oxide, aluminum oxide, titanium oxide, zirconia oxide, sodium oxide, potassium oxide, tin oxide and co-oxidation of tin with other elements And oxides of indium oxide and indium and other elements, magnesium oxide-silicon dioxide cooxide, aluminum oxide-silicon dioxide cooxide (mullite), and the like.
Examples of the metal fluoride include alkaline earth metal fluorides such as magnesium fluoride, calcium fluoride, and barium fluoride, and alkali metal fluorides such as sodium fluoride and potassium fluoride.
-As a metal nitride, aluminum nitride, titanium nitride, silicon nitride, chromium nitride, etc. are mentioned.

上述した化合物の中で、光学特性を付与する蒸着膜に適用される昇華性の蒸着原料には、ケイ素酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタン酸化物、チタン窒化物、インジウム酸化物、錫酸化物等が挙げられる。   Among the above-mentioned compounds, the sublimation vapor deposition raw material applied to the vapor deposition film imparting optical properties includes silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, titanium nitride, indium oxide, A tin oxide etc. are mentioned.

上記昇華性原料の中でも、蒸着チャンバー1内の真空度(気圧)や温度、蒸発源(蒸着原料4a、4b)の温度条件等により、一度溶融させてから蒸発(気化)させることができる蒸着原料もある。例えば、ケイ素酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコニア酸化物は、条件設定により蒸発源において一度溶融させた後、蒸着させることもできる。   Among the above sublimable materials, a deposition material that can be melted once and evaporated (vaporized) depending on the degree of vacuum (atmospheric pressure) and temperature in the deposition chamber 1 and the temperature conditions of the evaporation sources (deposition materials 4a and 4b). There is also. For example, silicon oxide, aluminum oxide, and zirconia oxide can be vapor-deposited after being once melted in an evaporation source depending on setting conditions.

その一方で、複数の蒸着原料4a、4bを交互に蒸着する多層構造の薄膜を生産する場合には、全ての材料を溶融、蒸発の条件で蒸着するのが困難である。例えば、酸化ケイ素が溶融して条件を設定した場合、チタン窒化物や本実施形態のインジウム−錫複合酸化物(ITO)を酸化ケイ素と似た条件で溶融、蒸発の条件に設定することは困難である。   On the other hand, when producing a thin film having a multilayer structure in which a plurality of deposition raw materials 4a and 4b are alternately deposited, it is difficult to deposit all materials under melting and evaporation conditions. For example, when silicon oxide is melted and the conditions are set, it is difficult to set titanium nitride or the indium-tin composite oxide (ITO) of the present embodiment as melting and evaporating conditions similar to silicon oxide. It is.

昇華性の蒸着原料は、昇華(蒸着)のスピードが原料の状態にも大きく影響する。昇華性の蒸着原料は、飛翔するポイントを広くするため表面積が確保できる粉体(粉体を固めた錠剤も含む)で取り扱われることが多い。その一方で、粉末を構成する粒子の径、形状、等により、その表面積が均質に保たれにくい。その結果、上述したように、蒸着時の成膜速度が毎度変るという事象が起きる。   In the sublimation deposition material, the speed of sublimation (deposition) greatly affects the state of the material. Sublimation vapor deposition raw materials are often handled as powders (including tablets in which powders are hardened) that can secure a surface area in order to widen the flying points. On the other hand, it is difficult to keep the surface area uniform due to the diameter, shape, etc. of the particles constituting the powder. As a result, as described above, an event occurs in which the film formation rate during vapor deposition changes every time.

本発明では、粉体からの昇華現象を利用した(同一条件で蒸着しても成膜速度を一定にしにくい)ものであっても、成膜の速度を所望の条件に制御することができる。   In the present invention, the film forming speed can be controlled to a desired condition even if it uses the sublimation phenomenon from the powder (it is difficult to keep the film forming speed constant even if vapor deposition is performed under the same conditions).

さらに、光学式膜厚計10の光量値の変化と、蒸着原料4aの関係については、光学式膜厚計10が測定するモニターガラス2bのインデックス(屈折率)よりも形成された薄膜のインデックスの方が高い蒸着原料に対して本発明を適用するのが好適である。   Further, regarding the relationship between the change in the light quantity value of the optical film thickness meter 10 and the vapor deposition raw material 4a, the index of the thin film formed is larger than the index (refractive index) of the monitor glass 2b measured by the optical film thickness meter 10. It is preferable to apply the present invention to a higher deposition raw material.

つまり、モニターガラス2bのインデックスよりも高いインデックスを持つ薄膜を形成する蒸着原料では、蒸着開始から成膜の進行(膜厚の増大)に伴って、光量値も上昇する。このとき、モニターガラス2bに形成された薄膜に吸収が発生すると、光学式膜厚計10が観測する光量値は低下する。光学式膜厚計10の光量値は、膜厚の増大による光量値の増大に、吸収の発生による光量値の減少を加えたものを出力する。   That is, in the vapor deposition material for forming a thin film having an index higher than that of the monitor glass 2b, the light amount value increases with the progress of film formation (increase in film thickness) from the start of vapor deposition. At this time, if absorption occurs in the thin film formed on the monitor glass 2b, the light quantity value observed by the optical film thickness meter 10 decreases. The light quantity value of the optical film thickness meter 10 is a value obtained by adding the decrease in the light quantity value due to the occurrence of absorption to the increase in the light quantity value due to the increase in the film thickness.

このため、モニターガラス2bよりもインデックスの高い薄膜を形成する際には、光学式膜厚計10の光量値の増分が少ない、または光量値が増大しない場合、蒸着原料4aの気化が開始していないのか、吸収が発生しているため光量値の増加が少ないのかを容易に判定することはできない。   For this reason, when forming a thin film having a higher index than that of the monitor glass 2b, vaporization of the vapor deposition raw material 4a is started if the increment of the light quantity value of the optical film thickness meter 10 is small or the light quantity value does not increase. It can not be easily determined whether there is little increase in the light amount value due to absorption.

したがって、モニターガラス2bよりもインデックスの高い薄膜を形成する蒸着原料4aで蒸着処理を行う際には、本発明を適用することで、明らかに気化しない初期パワーP0からオープンループ制御によって電子銃パワーPを徐々に増大させて、光量値がフィードバック制御開始値L1を超えるか、初期アイドルタイムTiを経過するかの何れかによりフィードバック制御を開始することで、形成した薄膜に吸収が発生するのを防いで、的確に蒸着処理を行うことができるのである。   Therefore, when performing the vapor deposition process with the vapor deposition raw material 4a that forms a thin film having a higher index than the monitor glass 2b, by applying the present invention, the electron gun power P can be controlled by the open loop control from the initial power P0 that is not clearly vaporized. Is gradually increased, and the feedback control is started when the light quantity value exceeds the feedback control start value L1 or the initial idle time Ti elapses, thereby preventing absorption in the formed thin film. Thus, the vapor deposition process can be performed accurately.

一方、モニターガラス2bよりもインデックスの低い薄膜を形成する蒸着原料を用いた蒸着処理では、蒸着開始から成膜の進行(膜厚の増大)に伴って、光量値は減少し、モニターガラス2bに形成された薄膜に吸収が発生すると、光学式膜厚計10が観測する光量値は減少するので、減少量が過大であれば吸収が発生していることを検知できるので、上記従来例に示したフィードバック制御で処理を行うことができる。   On the other hand, in the vapor deposition process using the vapor deposition raw material that forms a thin film having a lower index than that of the monitor glass 2b, the light amount value decreases with the progress of film formation (increase in film thickness) from the start of vapor deposition. When absorption occurs in the formed thin film, the amount of light observed by the optical film thickness meter 10 decreases. Therefore, if the amount of decrease is excessive, it can be detected that absorption has occurred. The processing can be performed by the feedback control.

なお、上記ではステップS24の蒸着処理の終了条件の判定を、例えば、蒸着処理の開始からの経過時間が所定の時間(例えば12分)とした例を示したが、図2に示したオープンループ制御マップ130に蒸着原料毎に蒸着処理を終了するまでの時間を設定してもよい。   In the above description, the determination of the end condition of the vapor deposition process in step S24 is, for example, an example in which the elapsed time from the start of the vapor deposition process is a predetermined time (for example, 12 minutes), but the open loop shown in FIG. You may set time until a vapor deposition process is complete | finished for every vapor deposition raw material to the control map 130. FIG.

また、上記実施形態では、ひとつの真空チャンバー1で蒸着処理を行う例を示したが、連続型真空蒸着装置に本発明を適用してもよい。   Moreover, although the example which performs a vapor deposition process in one vacuum chamber 1 was shown in the said embodiment, you may apply this invention to a continuous-type vacuum vapor deposition apparatus.

以上のように、本発明によれば、蒸着原料の特性に合わせて成膜の初期段階における電子銃の制御を的確に行うこと可能になるので、品質と生産性に優れた眼鏡用等のレンズの製造システムに適用することができる。   As described above, according to the present invention, since it becomes possible to accurately control the electron gun in the initial stage of film formation in accordance with the characteristics of the vapor deposition material, lenses for spectacles and the like having excellent quality and productivity. It can be applied to the manufacturing system.

本発明の一実施形態を示し、型真空蒸着装置の概略図。1 shows an embodiment of the present invention and is a schematic view of a mold vacuum deposition apparatus. オープンループ制御マップの一例を示す説明図。Explanatory drawing which shows an example of an open loop control map. 蒸着処理における制御の流れを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow of control in a vapor deposition process. 光量値がフィードバック制御開始値L1を超えたことによりオープンループ制御からフィードバック制御へ移行する場合の光量値(膜厚相当値)と電子銃パワーPと時刻の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the light quantity value (film thickness equivalent value), electron gun power P, and time in the case of shifting from open loop control to feedback control due to the light quantity value exceeding the feedback control start value L1. 初期アイドルタイムTiを超えたことによりオープンループ制御から複合制御を経てフィードバック制御へ移行する場合の光量値(膜厚相当値)と電子銃パワーPと時刻の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the light quantity value (film thickness equivalent value), electron gun power P, and time in the case of shifting from the open loop control to the feedback control through the composite control due to exceeding the initial idle time Ti. 同じく、初期アイドルタイムTiを超えたことによりオープンループ制御からフィードバック制御へ移行する場合の光量値(膜厚相当値)と電子銃パワーPと時刻の関係を示すグラフである。Similarly, it is a graph showing the relationship between the light amount value (film thickness equivalent value), the electron gun power P, and the time when shifting from the open loop control to the feedback control due to exceeding the initial idle time Ti.

符号の説明Explanation of symbols

1 真空チャンバー
2a レンズ
2b モニターガラス
3 電子銃
4a、4b 蒸着原料
12 制御装置
14 イオン銃
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2a Lens 2b Monitor glass 3 Electron gun 4a, 4b Deposition raw material 12 Controller 14 Ion gun

Claims (12)

蒸着装置の蒸着室内に保持されたレンズの表面に蒸着原料を気化させて蒸着させることにより膜を形成するレンズの成膜方法であって、
前記蒸着装置は、
前記蒸着室に配置されて前記蒸着原料を加熱する加熱部と、
前記レンズに形成される膜の反射光の光量値から膜厚を予測することができる光学式膜厚測定部と、
前記加熱部の出力を制御する制御部と、を備えており、
前記制御部が、前記蒸着原料の種類に応じて予め設定された初期出力を前記加熱部に指令し、前記加熱部を起動するステップと、
前記制御部が、予め設定した周期で前記光学式膜厚測定部の光量値を取得するステップと、
前記制御部が、オープンループ制御によって前記加熱部の出力を徐々に増大するように指令するステップと、
前記制御部が、予め設定した条件を満たしたか否かを判定し、前記条件を満たしたときには前記光量値に基づくフィードバック制御によって前記加熱部の出力を制御するステップと、を含み、
前記所定の条件は、前記加熱部を起動してから経過した時間が所定の時間を経過したことを含み、
前記初期出力は、前記蒸着原料が確実に気化する出力よりも小さい所定値であることを特徴とするレンズの成膜方法。
A method of forming a lens, wherein a film is formed by vaporizing and evaporating a deposition material on the surface of a lens held in a deposition chamber of a deposition apparatus,
The vapor deposition apparatus includes:
A heating unit disposed in the vapor deposition chamber for heating the vapor deposition material;
An optical film thickness measurement unit capable of predicting the film thickness from the amount of reflected light of the film formed on the lens;
A control unit for controlling the output of the heating unit,
The control unit commands the heating unit a preset initial output according to the type of the vapor deposition material, and starts the heating unit;
The control unit acquires a light amount value of the optical film thickness measurement unit at a preset period;
Commanding the control unit to gradually increase the output of the heating unit by open loop control;
Determining whether or not the control unit satisfies a preset condition, and controlling the output of the heating unit by feedback control based on the light amount value when the condition is satisfied,
The predetermined condition includes that a predetermined time has elapsed since starting the heating unit,
The method for forming a lens according to claim 1, wherein the initial output is a predetermined value smaller than an output for reliably vaporizing the vapor deposition material.
前記制御部が、オープンループ制御によって前記加熱部の出力を徐々に増大するように指令するステップは、
前記周期となる度に、前記蒸着原料毎に予め設定された増分値を前記初期出力に加算した値を加熱部への指令値とすることを特徴とする請求項1に記載のレンズの成膜方法。
The step of instructing the control unit to gradually increase the output of the heating unit by open loop control,
2. The lens film formation according to claim 1, wherein a value obtained by adding an increment value set in advance for each vapor deposition material to the initial output is used as a command value to the heating unit every time the period is reached. Method.
前記制御部が、予め設定した条件を満たしたか否かを判定し、前記条件を満たしたときには前記光量値に基づくフィードバック制御によって前記加熱部の出力を制御するステップは、
前記加熱部を起動してから経過した時間が所定の時間を経過したときには前記フィードバック制御を開始し、
前記取得した光量値が、予め設定した閾値を超えたときには、オープンループ制御を終了して前記フィードバック制御へ移行することを特徴とする請求項1に記載のレンズの成膜方法。
The step of determining whether or not the control unit satisfies a preset condition and controlling the output of the heating unit by feedback control based on the light amount value when the condition is satisfied,
When the time elapsed since starting the heating unit has passed a predetermined time, the feedback control is started,
2. The lens film forming method according to claim 1, wherein when the acquired light amount value exceeds a preset threshold value, the open loop control is terminated and the process proceeds to the feedback control.
前記制御部が、予め設定した条件を満たしたか否かを判定し、前記条件を満たしたときには前記光量値に基づくフィードバック制御によって前記加熱部の出力を制御するステップは、
前記加熱部を起動してから所定の時間を経過したときに、前記光量値が前記閾値以下のときには、前記オープンループ制御による出力と前記フィードバック制御による出力の和算した値を前記加熱部に指令することを特徴とする請求項3に記載のレンズの成膜方法。
The step of determining whether or not the control unit satisfies a preset condition and controlling the output of the heating unit by feedback control based on the light amount value when the condition is satisfied,
When a predetermined time has elapsed after starting the heating unit, if the light amount value is less than or equal to the threshold value, a value obtained by adding the output by the open loop control and the output by the feedback control is commanded to the heating unit. The method for forming a lens according to claim 3.
前記光学式膜厚測定部は、
前記加熱部による加熱によって気化または昇華した蒸着原料が付着するモニターガラスを有して、当該モニターガラスに形成される膜の膜厚を測定し、
前記蒸着原料は、
前記加熱部による加熱によって気化または昇華して前記モニターガラスに形成する膜の屈折率が、前記モニターガラスの屈折率よりも大であることを特徴とする請求項1に記載のレンズの成膜方法。
The optical film thickness measuring unit is
Having a monitor glass to which the vapor deposition material evaporated or sublimated by heating by the heating unit adheres, and measuring the film thickness of the film formed on the monitor glass,
The deposition material is
The method of forming a lens according to claim 1, wherein a refractive index of a film formed on the monitor glass by vaporization or sublimation by heating by the heating unit is larger than a refractive index of the monitor glass. .
前記蒸着原料は、インジウム−錫複合酸化物を含むことを特徴とする請求項5に記載のレンズの成膜方法。   The lens deposition method according to claim 5, wherein the vapor deposition material includes an indium-tin composite oxide. 蒸着室内に保持されたレンズの表面に蒸着原料を気化または昇華させて蒸着させることにより膜を生成する蒸着装置であって、
前記蒸着原料を加熱する加熱部と、
前記レンズに形成される膜の反射光の光量値から膜厚を予測することができる光学式膜厚測定部と、
前記加熱部の出力を制御する制御部と、備え、
前記制御部は、
予め設定した周期で光学式膜厚測定部の光量値を取得する膜厚相当値測定部と、
オープンループ制御によって前記加熱部の出力を徐々に増大するように指令するオープンループ制御部と、
前記光量値に基づいてフィードバック制御により前記加熱部の出力を設定するフィードバック制御部と、
予め設定した条件を満たしたか否かを判定し、前記条件を満たしたときには前記フィードバック制御によって前記加熱部の出力を制御し、前記条件を満たしていないときには前記オープンループ制御を継続する切り替え制御部と、を備え、
前記所定の条件は、前記加熱部を起動してから経過した時間が所定の時間を経過したことを含み、
前記初期出力は、前記蒸着原料が確実に気化する出力よりも小さい所定値であることを特徴とする蒸着装置。
A vapor deposition apparatus for generating a film by vaporizing or sublimating a vapor deposition raw material on the surface of a lens held in a vapor deposition chamber,
A heating unit for heating the vapor deposition material;
An optical film thickness measurement unit capable of predicting the film thickness from the amount of reflected light of the film formed on the lens;
A control unit for controlling the output of the heating unit,
The controller is
A film thickness equivalent value measuring unit that acquires a light amount value of the optical film thickness measuring unit at a preset period;
An open loop control unit that commands to gradually increase the output of the heating unit by open loop control;
A feedback control unit for setting the output of the heating unit by feedback control based on the light amount value;
It is determined whether or not a preset condition is satisfied, and when the condition is satisfied, the output of the heating unit is controlled by the feedback control, and when the condition is not satisfied, a switching control unit that continues the open loop control; With
The predetermined condition includes that a predetermined time has elapsed since starting the heating unit,
The initial output is a predetermined value smaller than an output that the vapor deposition material is surely vaporized.
前記オープンループ制御部は、
前記周期となる度に、前記蒸着原料毎に予め設定された増分値を前記初期出力に加算した値を加熱部への指令値とすることを特徴とする請求項7に記載の蒸着装置。
The open loop control unit
The vapor deposition apparatus according to claim 7, wherein a value obtained by adding an increment value set in advance for each vapor deposition raw material to the initial output is used as a command value to the heating unit every time the period is reached.
前記切り替え制御部は、
前記加熱部を起動してから経過した時間が所定の時間を経過したときには前記フィードバック制御を開始し、
前記取得した光量値が、予め設定した閾値を超えたときには、オープンループ制御を終了して前記フィードバック制御へ移行することを特徴とする請求項7に記載の蒸着装置。
The switching control unit
When the time elapsed since starting the heating unit has passed a predetermined time, the feedback control is started,
8. The vapor deposition apparatus according to claim 7, wherein when the acquired light amount value exceeds a preset threshold value, open loop control is terminated and the control shifts to the feedback control.
前記切り替え制御部は、
前記加熱部を起動してから所定の時間を経過したときに、前記光量値が前記閾値以下のときには、前記オープンループ制御による出力と前記フィードバック制御による出力の和算値を前記加熱部に指令することを特徴とする請求項9に記載の蒸着装置。
The switching control unit
When the predetermined amount of time has elapsed after starting the heating unit, if the light quantity value is less than or equal to the threshold value, a command is given to the heating unit for the sum of the output from the open loop control and the output from the feedback control. The vapor deposition apparatus according to claim 9.
前記光学式膜厚測定部は、
前記加熱部による加熱によって気化または昇華した蒸着原料が付着するモニターガラスを有して、当該モニターガラスに形成される膜の膜厚を測定し、
前記蒸着原料は、
前記加熱部による加熱によって気化または昇華して前記モニターガラスに形成する膜の屈折率が、前記モニターガラスの屈折率よりも大であることを特徴とする請求項7に記載の蒸着装置。
The optical film thickness measuring unit is
Having a monitor glass to which the vapor deposition material evaporated or sublimated by heating by the heating unit adheres, and measuring the film thickness of the film formed on the monitor glass,
The deposition material is
The vapor deposition apparatus according to claim 7, wherein a refractive index of a film formed on the monitor glass by vaporization or sublimation by heating by the heating unit is larger than a refractive index of the monitor glass.
前記蒸着原料は、インジウム−錫複合酸化物を含むことを特徴とする請求項11に記載の蒸着装置。   The vapor deposition apparatus according to claim 11, wherein the vapor deposition material includes an indium-tin composite oxide.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021031739A (en) * 2019-08-27 2021-03-01 株式会社アルバック Film deposition apparatus and film deposition method
JP2022545500A (en) * 2019-08-30 2022-10-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド E-beam PVD endpoint detection and closed-loop process control system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63176459A (en) * 1987-01-14 1988-07-20 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Method for controlling vapor deposition speed for vacuum deposition device
JPH04221071A (en) * 1990-12-20 1992-08-11 Tokin Corp Vapor deposition apparatus
JP2001115260A (en) * 1999-10-14 2001-04-24 Hoya Corp Thin film deposition method and system
JP2003520296A (en) * 1999-12-30 2003-07-02 ジェンヴァック エアロスペース コーポレーション Electron beam evaporation method of transparent indium tin oxide

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63176459A (en) * 1987-01-14 1988-07-20 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Method for controlling vapor deposition speed for vacuum deposition device
JPH04221071A (en) * 1990-12-20 1992-08-11 Tokin Corp Vapor deposition apparatus
JP2001115260A (en) * 1999-10-14 2001-04-24 Hoya Corp Thin film deposition method and system
JP2003520296A (en) * 1999-12-30 2003-07-02 ジェンヴァック エアロスペース コーポレーション Electron beam evaporation method of transparent indium tin oxide

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021031739A (en) * 2019-08-27 2021-03-01 株式会社アルバック Film deposition apparatus and film deposition method
JP7319140B2 (en) 2019-08-27 2023-08-01 株式会社アルバック Film forming apparatus and film forming method
JP2022545500A (en) * 2019-08-30 2022-10-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド E-beam PVD endpoint detection and closed-loop process control system

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