JP2010074396A - 圧電振動デバイスの封止部材、及び封止部材の製造方法 - Google Patents
圧電振動デバイスの封止部材、及び封止部材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010074396A JP2010074396A JP2008238168A JP2008238168A JP2010074396A JP 2010074396 A JP2010074396 A JP 2010074396A JP 2008238168 A JP2008238168 A JP 2008238168A JP 2008238168 A JP2008238168 A JP 2008238168A JP 2010074396 A JP2010074396 A JP 2010074396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing member
- main surface
- manufacturing
- conductive member
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】水晶振動子1の第1封止部材3の製造方法は、ビア36を形成する形成工程と、ビア36に導通部材5を充填するための充填工程とを有する。形成工程は、一主面31からエッチング法により基材をエッチングしてビア36の一主面31側部分にあたる凹部363を形成する第1の形成工程と、第1の形成工程後に他主面38からエッチング法により基材をエッチングしてビア36の他主面38側部分を形成してビア36を形成する第2の形成工程とからなる。第1の形成工程により形成した凹部36に充填工程により導通部材5を充填し、その後に導通部材5を加熱溶融させて導通部材5を凹部363に形成し、凹部363に導通部材5を形成した後に第2の形成工程によりビア36を形成し、ビア36内の導通部材5を両主面31,38から露出させる。
【選択図】図1
Description
12 内部空間
2 水晶振動片(圧電振動片)
23 励振電極
3 第1封止部材
31 第1封止部材の一主面
32 第1封止部材の接合面
33 電極パッド(電極パターンの一部)
34 外部電極端子(電極パターンの一部)
35 第1封止部材の基材内部
36 ビア(貫通孔)
361 ビアの内側面
362 ビアの両端部
37 電極パターン(電極パターンの一部)
38 第1封止部材の他主面
4 第2封止部材
5 導通部材
51 導通部材の両端面
52 Sn
53 Au
54 Au膜
6 水晶Z板のウエハ
61,62 水晶Z板のウエハの両主面
7 接合材
81 Au保護膜層
82 ポジレジスト層
Claims (6)
- 圧電振動を行う圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスの封止部材の製造方法において、
当該封止部材の基材の両主面に形成される電極パターンを導通状態とするための貫通孔を形成する形成工程と、
前記貫通孔に導通部材を充填するための充填工程と、を有し、
前記形成工程は、前記基材の一主面からエッチング法により基材をエッチングして貫通孔の一主面側部分にあたる凹部を形成する第1の形成工程と、第1の形成工程後に前記基材の他主面からエッチング法により基材をエッチングして貫通孔の他主面側部分を形成して貫通孔を形成する第2の形成工程とからなり、
前記第1の形成工程により形成した前記凹部に前記充填工程により前記導通部材を充填し、その後、前記導通部材を加熱溶融させて前記導通部材を前記凹部に形成し、前記凹部に前記導通部材を形成した後に前記第2の形成工程により前記貫通孔の前記他主面側部分を形成して前記貫通孔を形成し、前記貫通孔内の前記導通部材を前記基材の両主面から露出させることを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材の製造方法。 - 請求項1に記載の圧電振動デバイスの封止部材の製造方法において、
前記充填工程は、前記第1の形成工程により形成した前記凹部に金属膜を形成する第1の充填工程と、前記第1の充填工程後に前記凹部に導通部材を充填する第2の充填工程と、からなることを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材の製造方法。 - 請求項1または2に記載の圧電振動デバイスの封止部材の製造方法において、
前記基材は、透過性材料であり、
前記第2の充填工程では、前記凹部に前記導通部材を配した後に、前記導通部材を前記基材の他主面からレーザによって照射して前記導通部材を加熱溶融させることを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材の製造方法。 - 圧電振動を行う圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスの封止部材において、
請求項1乃至3のうちいずれか1つに記載の圧電振動デバイスの封止部材の製造方法によって製造され、
当該封止部材の基材の両主面に形成される電極パターンを導通状態とするための貫通孔が形成され、前記貫通孔内に導通部材が充填されたことを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材。 - 請求項4に記載の圧電振動デバイスの封止部材において、
前記導通部材の少なくとも一つの端面が、当該封止部材の主面に対して凹形状となることを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材。 - 請求項4または5に記載の圧電振動デバイスの封止部材において、
前記導通部材は、少なくともAuとSnとから構成され、これらAuとSnとが均一に混在した化合物であることを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008238168A JP5369570B2 (ja) | 2008-09-17 | 2008-09-17 | 圧電振動デバイスの封止部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008238168A JP5369570B2 (ja) | 2008-09-17 | 2008-09-17 | 圧電振動デバイスの封止部材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010074396A true JP2010074396A (ja) | 2010-04-02 |
JP5369570B2 JP5369570B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=42205796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008238168A Expired - Fee Related JP5369570B2 (ja) | 2008-09-17 | 2008-09-17 | 圧電振動デバイスの封止部材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5369570B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012029166A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Seiko Instruments Inc | パッケージ、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6353949A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | Hitachi Ltd | 金属配線の形成方法 |
JPS63142835A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-15 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 集積半導体回路とその製法 |
JPH04127524A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Fujitsu Ltd | コンタクトホール金属充填方法 |
JPH04320024A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-11-10 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0613469A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06140393A (ja) * | 1992-03-24 | 1994-05-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JPH07263548A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0922941A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004200584A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Fujikura Ltd | 貫通電極の形成方法及び貫通電極付き基板 |
JP2006108244A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006165112A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Sharp Corp | 貫通電極形成方法およびそれを用いる半導体装置の製造方法、ならびに該方法によって得られる半導体装置 |
JP2006295246A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品とその製造方法 |
JP2007267101A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイスとその製造方法 |
JP2007305715A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Fujikura Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2009194789A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
-
2008
- 2008-09-17 JP JP2008238168A patent/JP5369570B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6353949A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | Hitachi Ltd | 金属配線の形成方法 |
JPS63142835A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-15 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 集積半導体回路とその製法 |
JPH04127524A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Fujitsu Ltd | コンタクトホール金属充填方法 |
JPH04320024A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-11-10 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH06140393A (ja) * | 1992-03-24 | 1994-05-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JPH0613469A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH07263548A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0922941A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004200584A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Fujikura Ltd | 貫通電極の形成方法及び貫通電極付き基板 |
JP2006108244A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006165112A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Sharp Corp | 貫通電極形成方法およびそれを用いる半導体装置の製造方法、ならびに該方法によって得られる半導体装置 |
JP2006295246A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品とその製造方法 |
JP2007267101A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイスとその製造方法 |
JP2007305715A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Fujikura Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2009194789A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012029166A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Seiko Instruments Inc | パッケージ、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5369570B2 (ja) | 2013-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5447379B2 (ja) | 圧電振動デバイスの封止部材、及びその製造方法 | |
JP5370371B2 (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法 | |
JP2009065520A (ja) | 圧電デバイスおよびその製造方法 | |
WO2010001885A1 (ja) | 圧電振動デバイス、圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP2011188308A (ja) | 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法 | |
TW201330186A (zh) | 電子零件封裝、電子零件封裝用密封構件及該電子零件封裝用密封構件的製造方法 | |
JP2009022003A (ja) | 水晶振動子の製造方法 | |
JP5282392B2 (ja) | 直接接合用ウェハ | |
JP5278044B2 (ja) | パッケージ部材および該パッケージ部材の製造方法および該パッケージ部材を用いた圧電振動デバイス | |
JP5251224B2 (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法および圧電振動デバイス | |
JP5263475B2 (ja) | 圧電デバイスおよびその製造方法 | |
JP2011142522A (ja) | パッケージの製造方法、圧電振動子および発振器 | |
JP6516399B2 (ja) | 電子デバイス | |
JP5369570B2 (ja) | 圧電振動デバイスの封止部材の製造方法 | |
JP5239784B2 (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP5573991B2 (ja) | 接合用ウェハ | |
JP2009118223A (ja) | 圧電デバイス | |
JP2012028454A (ja) | 部分めっき方法、金属製蓋部材、および電子部品。 | |
JP2009124587A (ja) | 圧電振動片、圧電振動デバイス、および圧電振動片の製造方法 | |
JP5188836B2 (ja) | 水晶振動子の製造方法 | |
JP4398233B2 (ja) | 圧電発振器の製造方法 | |
JP2013098701A (ja) | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP2012028453A (ja) | 金属製ハーメチック蓋の製造方法 | |
JP2009118143A (ja) | 水晶デバイスとその製造方法 | |
JP2011114836A (ja) | 圧電振動デバイス、および圧電振動デバイスの封止部材の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110404 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110404 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121009 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130820 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130902 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5369570 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |