JP2010074159A - リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を操作する方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 404
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 161
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 146
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 65
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 60
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 34
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 32
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 31
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 196
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 33
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 27
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 19
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 17
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 4
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 241000272194 Ciconiiformes Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- -1 decalin Chemical class 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000008258 liquid foam Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008259 solid foam Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Environmental & Geological Engineering (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】投影システムと、該投影システム、液体閉じ込め構造、並びに基板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液体閉じ込め構造とを備えるリソグラフィ装置であって、湿りガスを閉じ込める湿りガス空間が、投影システム、液体閉じ込め構造、及び液浸空間内の液浸液の間に画定される、リソグラフィ装置が開示される。
【選択図】図6
Description
[0034] − 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0035] − パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
[0036] − 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0037] − パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
Claims (15)
- 投影システムと、該投影システム、液体閉じ込め構造、並びに基板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液体閉じ込め構造とを備えるリソグラフィ装置であって、
湿りガスを閉じ込める湿りガス空間が、前記投影システム、前記液体閉じ込め構造、及び前記液浸空間内の液浸液の間に画定される、リソグラフィ装置。 - 前記湿りガス空間から半径方向外側に位置するガスフロー制限部をさらに備え、該ガス制限部が、外気及び前記湿りガス空間と流体連通する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ガスフロー制限部が、前記液体閉じ込め構造と前記投影システムとの間の非接触封止であり、該非接触封止が、前記ガス制限部を通るガスフローを実質的に妨害する、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記非接触封止が、ガスフローが前記ガス制限部を通過することを防止する、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ガスフロー制限部が、前記投影システムと前記液体閉じ込め構造との間の前記空間を、湿りガスのための半径方向内側空間と、前記外気と流体連通する半径方向外側部分とに区画する、請求項2から4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ガスフロー制限部が、前記投影システムと前記液体閉じ込め構造との間の3mm未満、2mm未満、1mm又は0.5mm又は0.3mm又は0.2mm又は0.1mm未満のギャップである、請求項2から5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ガスフロー制限部が、ラビリンスシールを含む、請求項2から6のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ラビリンスシールが、前記液体閉じ込め構造と前記投影システムとの間に延在するメニスカスに隣接するデッドボリュームを画定し、該デッドボリュームが、前記メニスカスの半径方向外側と比べて遅い前記メニスカス付近のガス速度をもたらす、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体閉じ込め構造が、前記基板との非接触封止を形成してそれにより液体を前記液浸空間に閉じ込める特徴部を有する、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記湿りガス空間が、前記投影システムと前記液体閉じ込め構造との間に延在するメニスカスの半径方向外側の位置にある、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記湿りガスを閉じ込める非接触封止をさらに備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 液体閉じ込め構造により投影システム、液体閉じ込め構造、並びに基板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液浸リソグラフィ装置における投影システムの最終要素上の液滴の蒸発負荷を低減させる方法であって、
前記投影システム、前記液体閉じ込め構造、及び前記液浸空間内の液浸液の間に画定された湿りガス空間内に加湿されたガスを閉じ込めることを含む、方法。 - 投影システムと、
前記投影システム、液体閉じ込め構造、並びに基板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液体閉じ込め構造と、
液浸液を、半径方向外側の方向に、且つ前記投影システムの最終光学要素の下向きの表面と接触するように強いる構造と、
を備えるリソグラフィ装置。 - 液体閉じ込め構造により投影システム、液体閉じ込め構造、並びに基板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液浸リソグラフィ装置における投影システム上の蒸発負荷を低減させる方法であって、
液浸液を、半径方向外側の方向に、且つ前記投影システムの前記最終光学要素の下向きの表面と接触するように強いることを含む方法。 - 光学要素絶縁体が、投影システムと液体閉じ込め構造との間に配置されるリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US9774308P | 2008-09-17 | 2008-09-17 | |
US61/097,743 | 2008-09-17 | ||
US15010609P | 2009-02-05 | 2009-02-05 | |
US61/150,106 | 2009-02-05 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012088182A Division JP5433045B2 (ja) | 2008-09-17 | 2012-04-09 | リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を操作する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010074159A true JP2010074159A (ja) | 2010-04-02 |
JP4972677B2 JP4972677B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=42029409
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009208753A Active JP4972677B2 (ja) | 2008-09-17 | 2009-09-10 | リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を操作する方法 |
JP2012088182A Expired - Fee Related JP5433045B2 (ja) | 2008-09-17 | 2012-04-09 | リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を操作する方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012088182A Expired - Fee Related JP5433045B2 (ja) | 2008-09-17 | 2012-04-09 | リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を操作する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP4972677B2 (ja) |
KR (1) | KR101196358B1 (ja) |
CN (1) | CN101676804B (ja) |
TW (1) | TWI457714B (ja) |
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- 2009-09-08 TW TW098130237A patent/TWI457714B/zh active
- 2009-09-10 JP JP2009208753A patent/JP4972677B2/ja active Active
- 2009-09-15 CN CN2009101735038A patent/CN101676804B/zh active Active
- 2009-09-16 KR KR1020090087463A patent/KR101196358B1/ko active IP Right Grant
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- 2012-04-09 JP JP2012088182A patent/JP5433045B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4972677B2 (ja) | 2012-07-11 |
KR20100032338A (ko) | 2010-03-25 |
JP2012138631A (ja) | 2012-07-19 |
KR101196358B1 (ko) | 2012-11-01 |
TWI457714B (zh) | 2014-10-21 |
CN101676804B (zh) | 2012-02-01 |
JP5433045B2 (ja) | 2014-03-05 |
CN101676804A (zh) | 2010-03-24 |
TW201015237A (en) | 2010-04-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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