JP2010072397A - Active matrix type display - Google Patents
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 abstract description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
Description
本発明は、マトリックス状に配列された複数の発光素子を備え、駆動手段によって各発光素子を発光させるアクティブマトリックス型表示装置に係るものである。そして、詳しくは、アクティブマトリックス型表示装置の歩留りの向上を図ることができるようにした技術に関するものである。 The present invention relates to an active matrix display device that includes a plurality of light emitting elements arranged in a matrix and causes each light emitting element to emit light by a driving means. More specifically, the present invention relates to a technique capable of improving the yield of an active matrix display device.
従来より、アクティブマトリックス型表示装置において、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）を使用した有機ＥＬディスプレイが知られている。この有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列するとともに、有機ＥＬ素子を駆動する駆動手段を設けたものである。そして、有機ＥＬ素子は、アノード電極とカソード電極との間に、有機物の正孔輸送層や有機物の発光層を積層した有機物層を配置した電流発光素子である。このような有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子の有機物層に電子と正孔とを注入することによって発光する。そのため、有機ＥＬ素子に流れる電流値を駆動手段によってコントロールすることにより、発色の階調を得ることができる。 Conventionally, in an active matrix display device, an organic EL display using an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as “organic EL element”) as a light emitting element is known. This organic EL display has organic EL elements arranged in a matrix and provided with a driving means for driving the organic EL elements. The organic EL device is a current light emitting device in which an organic material layer in which an organic hole transport layer or an organic light emitting layer is laminated is disposed between an anode electrode and a cathode electrode. Such an organic EL display emits light by injecting electrons and holes into the organic material layer of the organic EL element. Therefore, by controlling the value of the current flowing through the organic EL element by the driving means, it is possible to obtain color gradation.
図７は、有機ＥＬディスプレイ１１０の配線構造の参考例を示す平面図である。
図７に示すように、有機ＥＬディスプレイ１１０は、有機ＥＬ素子１２０がｍ行×ｎ列（図７では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。なお、有機ＥＬ素子１２０は、光の三原色中の青を発光するＢ画素と、赤を発光するＲ画素と、緑を発光するＧ画素とが一組として配列されている。
FIG. 7 is a plan view showing a reference example of the wiring structure of the organic EL display 110.
As shown in FIG. 7, the organic EL display 110 includes organic EL elements 120 arranged in a matrix of m rows × n columns (in FIG. 7, 2 rows × 3 columns for simplification of the drawing). is there. In the organic EL element 120, a B pixel that emits blue in the three primary colors of light, an R pixel that emits red, and a G pixel that emits green are arranged as a set.
また、有機ＥＬディスプレイ１１０には、各有機ＥＬ素子１２０を駆動するための信号線１５１が有機ＥＬ素子１２０の各列ごとに配線されている。さらにまた、各有機ＥＬ素子１２０を駆動するための走査線１５２及び電源線１５３が有機ＥＬ素子１２０の各行ごとに配線されている。さらに、各有機ＥＬ素子１２０の周囲を囲うようにして、補助配線１５４が配線されている。 Further, the organic EL display 110 is provided with a signal line 151 for driving each organic EL element 120 for each column of the organic EL elements 120. Furthermore, a scanning line 152 and a power supply line 153 for driving each organic EL element 120 are wired for each row of the organic EL elements 120. Further, an auxiliary wiring 154 is provided so as to surround each organic EL element 120.
ここで、補助配線１５４は、有機ＥＬ素子１２０の上部電極であるカソード電極の電気抵抗を調整するためのものである。具体的には、カソード電極は、有機ＥＬ素子１２０が発する光をカソード電極を通して外部に取り出せるようにするため、透明電極となっている。そして、透明電極となるような光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高い。そのため、上部のカソード電極から光を取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイ１１０では、カソード電極の低抵抗化を図るべく、補助配線１５４を配線している。なお、カソード電極と補助配線１５４とは、カソード接続部１５６を介して接続されている。 Here, the auxiliary wiring 154 is for adjusting the electric resistance of the cathode electrode which is the upper electrode of the organic EL element 120. Specifically, the cathode electrode is a transparent electrode so that light emitted from the organic EL element 120 can be extracted outside through the cathode electrode. A conductive material having a high light transmittance that becomes a transparent electrode has a high resistance value. Therefore, in the top emission type organic EL display 110 that extracts light from the upper cathode electrode, the auxiliary wiring 154 is wired in order to reduce the resistance of the cathode electrode. Note that the cathode electrode and the auxiliary wiring 154 are connected via a cathode connection portion 156.
図８は、図７に示す有機ＥＬディスプレイ１１０の信号線１５１、走査線１５２、及び電源線１５３を示す平面図である。
図８に示すように、信号線１５１、走査線１５２、及び電源線１５３は、同一層に設けられている。そして、走査線１５２と電源線１５３とは、平行する方向に配線されている。また、信号線１５１は、走査線１５２及び電源線１５３と直交する方向に配線されている。
FIG. 8 is a plan view showing signal lines 151, scanning lines 152, and power supply lines 153 of the organic EL display 110 shown in FIG.
As shown in FIG. 8, the signal line 151, the scanning line 152, and the power supply line 153 are provided in the same layer. The scanning lines 152 and the power supply lines 153 are wired in parallel directions. Further, the signal line 151 is wired in a direction orthogonal to the scanning line 152 and the power supply line 153.
ここで、信号線１５１は、走査線１５２及び電源線１５３と接触しないように、走査線１５２及び電源線１５３と交差する位置の前後で分断されている。そして、分断された信号線１５１同士は、絶縁膜（図示せず）を介して走査線１５２及び電源線１５３の下層に設けられた信号接続線１５８によって接続されている。これにより、信号線１５１及び信号接続線１５８は、走査線１５２及び電源線１５３との間でショートが発生しないようになっている。 Here, the signal line 151 is divided before and after the position intersecting the scanning line 152 and the power supply line 153 so as not to contact the scanning line 152 and the power supply line 153. The separated signal lines 151 are connected to each other by a signal connection line 158 provided below the scanning line 152 and the power supply line 153 via an insulating film (not shown). As a result, the signal line 151 and the signal connection line 158 are prevented from being short-circuited between the scanning line 152 and the power supply line 153.
しかし、有機ＥＬディスプレイ１１０（図７参照）の製造工程で異物が混入等すると、その異物によってショートが発生することがある。そのため、有機ＥＬディスプレイ１１０の歩留りが低下してしまう。例えば、エッチングミス等があれば、信号線１５１、走査線１５２、及び電源線１５３の相互間でショートが発生する。また、ダスト等の付着が原因でショートが発生することもある。そして、ショートが起こった場合には、点欠陥や、有機ＥＬ素子１２０（図７参照）の横一列又は縦一列のすべてが線欠陥となり、歩留りが悪くなる。 However, if foreign matter is mixed in the manufacturing process of the organic EL display 110 (see FIG. 7), a short circuit may occur due to the foreign matter. For this reason, the yield of the organic EL display 110 is lowered. For example, if there is an etching error or the like, a short circuit occurs between the signal line 151, the scanning line 152, and the power supply line 153. In addition, a short circuit may occur due to adhesion of dust or the like. When a short circuit occurs, all of the point defects and one horizontal row or one vertical row of the organic EL elements 120 (see FIG. 7) become line defects, resulting in poor yield.
そこで、ショートが発生した場合に、その修復作業を行うことができるようにしたマトリックス型配線基板が知られている。具体的には、ゲートライン上に交差するドレインラインを覆う層間絶縁膜に対し、両ラインの交点を挟むように予め一対の開口部を形成し、この開口部において、ドレインラインを露出させておく。そして、層間絶縁膜の欠陥により、両ラインの交点でショートが発生し、それを検査工程において検知した場合は、そのショート部分を挟む一対の開口部のそれぞれ内側（ショート側）の層間絶縁膜を破壊し、その下のドレインラインを切断する。その後、一対の開口部を介して、ショート部分を迂回するようにバイパスラインを形成し、切断したドレインラインを再び接続するようにした技術である（例えば、特許文献１参照）。
しかし、上記した特許文献１の技術は、ショートが発生する可能性のある交点の両側に予め一対の開口部を形成しておくだけであり、ショートが発生した後に、バイパスラインを形成するようにしている。そのため、新たにバイパスラインの形成工程が必要となり、ショートが発生した場合の修復作業には、手間と時間がかかるものであった。 However, the technique disclosed in Patent Document 1 only forms a pair of openings in advance on both sides of an intersection where a short circuit may occur, and forms a bypass line after the short circuit occurs. ing. Therefore, a new bypass line forming process is required, and the repair work when a short circuit occurs takes time and effort.
そこで、本願出願人は、未開示の先願技術である特願２００８−７２６８２により、上層の配線と下層の配線とが交差する位置で、一方の配線を枝分かれさせる技術を既に提案している。この技術は、例えば、図８に示すように、上層の電源線１５３と下層の信号接続線１５８とが交差する位置で、電源線１５３にスリット１５３ａを形成して電源線１５３を２つに枝分かれさせる。そして、走査線１５２と電源線１５３とがショート（ショート箇所２）した場合や、信号線１５１と電源線１５３とがショート（ショート箇所３）した場合には、スリット１５３ａの両端部で電源線１５３のショート側を切断する。これにより、ショート部分を簡単かつ迅速に修復できる。 Therefore, the applicant of the present application has already proposed a technique for branching one wiring at a position where the upper wiring and the lower wiring intersect, according to Japanese Patent Application No. 2008-72682, which is an undisclosed prior application. In this technique, for example, as shown in FIG. 8, a slit 153 a is formed in the power supply line 153 at a position where the upper power supply line 153 and the lower signal connection line 158 intersect to branch the power supply line 153 into two. Let When the scanning line 152 and the power supply line 153 are short-circuited (short-circuited portion 2), or when the signal line 151 and the power-supply line 153 are short-circuited (short-circuited portion 3), the power supply line 153 is formed at both ends of the slit 153a. Cut the short side of. Thereby, a short part can be repaired easily and quickly.
しかし、信号線１５１と走査線１５２とがショート（ショート箇所１）した場合には、そのショート部分を修復できない。具体的には、電源線１５３は、元々の幅が広い配線となっているので、スリット１５３ａを形成して枝分かれさせることができる。しかし、走査線１５２は、幅が狭い配線であるため、枝分かれさせることは困難である。また、走査線１５２を切断すると、有機ＥＬ素子１２０（図７参照）に線欠陥が発生してしまう。 However, when the signal line 151 and the scanning line 152 are short-circuited (shorted part 1), the shorted part cannot be repaired. Specifically, since the power supply line 153 is originally a wide wiring, it can be branched by forming a slit 153a. However, since the scanning line 152 is a narrow wiring, it is difficult to branch the scanning line 152. In addition, when the scanning line 152 is cut, a line defect occurs in the organic EL element 120 (see FIG. 7).
したがって、本発明が解決しようとする課題は、配線間のショートが発生した場合に、有機ＥＬ素子の駆動に不可欠で幅が狭い配線を切断することなく、ショート部分を簡単かつ迅速に修復できるようにすることである。 Accordingly, the problem to be solved by the present invention is that when a short circuit between wirings occurs, the short part can be easily and quickly repaired without cutting a narrow wiring line that is essential for driving the organic EL element. Is to do.
本発明は、以下の解決手段によって、上述の課題を解決する。
本発明の請求項１に記載の発明は、マトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、各前記発光素子を駆動するための駆動手段と、前記上部電極と接続され、前記上部電極の電気抵抗を調整するための抵抗調整配線と、前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線と平行する方向に配線された電源線と、前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線と前記電源線との間に配線された第１配線と、前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線、前記電源線、及び前記第１配線と交差する位置の前後で分断された第２配線と、絶縁膜を介して前記抵抗調整配線、前記電源線、及び前記第１配線の下層に設けられるとともに分断された前記第２配線同士を接続する接続配線とを有するアクティブマトリックス型表示装置である。なお、第１配線は、例えば、上記した走査線であり、第２配線は、例えば、上記した信号線である。
The present invention solves the above-described problems by the following means.
The invention according to claim 1 of the present invention includes a plurality of light emitting elements arranged in a matrix and having a light emitting layer between an upper electrode and a lower electrode, and a driving means for driving each of the light emitting elements, A resistance adjustment wiring connected to the upper electrode for adjusting the electric resistance of the upper electrode, and connected to the driving means, provided in the same layer as the resistance adjustment wiring and in a direction parallel to the resistance adjustment wiring. A wired power supply line, connected to the driving means, provided in the same layer as the resistance adjustment wiring, and connected between the resistance adjustment wiring and the power supply line, and connected to the driving means The resistance adjustment wiring is provided in the same layer as the resistance adjustment wiring, and the resistance adjustment wiring, the power supply line, and the second wiring divided before and after the position intersecting the first wiring, and the resistance adjustment via an insulating film Line, the power line, and an active matrix type display device having the connection wiring and for connecting the second wirings which are divided with are provided below the first line. The first wiring is, for example, the above-described scanning line, and the second wiring is, for example, the above-described signal line.
（作用）
上記の請求項１に記載の発明は、上部電極の電気抵抗を調整するための抵抗調整配線と、発光素子の駆動手段と接続され、抵抗調整配線と同一層に設けられた電源線と、駆動手段と接続され、抵抗調整配線と同一層に設けられた第１配線と、駆動手段と接続され、抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに抵抗調整配線、電源線、及び第１配線と交差する方向の第２配線とを有している。そして、第１配線は、抵抗調整配線と電源線との間に配線されている。そのため、同一層に設けられていても、駆動手段と接続された第１配線と第２配線とがショートすることはない。
(Function)
According to the first aspect of the present invention, a resistance adjustment wiring for adjusting the electrical resistance of the upper electrode, a power source line connected to the driving means of the light emitting element and provided in the same layer as the resistance adjustment wiring, The first wiring provided in the same layer as the resistance adjustment wiring and the driving means, provided in the same layer as the resistance adjustment wiring and intersecting the resistance adjustment wiring, the power supply line, and the first wiring. Second wiring in the direction. The first wiring is wired between the resistance adjustment wiring and the power supply line. Therefore, even if they are provided in the same layer, the first wiring and the second wiring connected to the driving means do not short-circuit.
また、第１配線又は第２配線と抵抗調整配線とがショートすることはあるが、抵抗調整配線は、上部電極の電気抵抗を調整するためのものである。そのため、抵抗調整配線を部分的に切断したとしても、特に支障は生じない。したがって、このようなショートの場合には、抵抗調整配線を切断することができる。 Further, although the first wiring or the second wiring may be short-circuited with the resistance adjustment wiring, the resistance adjustment wiring is for adjusting the electric resistance of the upper electrode. Therefore, even if the resistance adjustment wiring is partially cut, no particular trouble is caused. Therefore, in the case of such a short circuit, the resistance adjustment wiring can be cut.
上記の発明によれば、発光素子の駆動手段と接続された第１配線と第２配線とがショートすることはない。また、第１配線又は第２配線と抵抗調整配線とがショートすることはあるが、この場合には、抵抗調整配線を切断することができる。そのため、発光素子の駆動に不可欠な第１配線や第２配線を切断することなく、ショート部分を簡単かつ迅速に修復できる。その結果、アクティブマトリックス型表示装置における歩留りの向上を図ることができる。 According to the above invention, the first wiring and the second wiring connected to the driving unit of the light emitting element do not short-circuit. Further, although the first wiring or the second wiring may be short-circuited with the resistance adjustment wiring, in this case, the resistance adjustment wiring can be cut. Therefore, the short portion can be easily and quickly repaired without cutting the first wiring and the second wiring which are indispensable for driving the light emitting element. As a result, the yield of the active matrix display device can be improved.
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明のアクティブマトリックス型表示装置の一例である有機ＥＬディスプレイ１０の配線構造を示す平面図である。
図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０（本発明における発光素子に相当するもの）がＭ行×Ｎ列（図１では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。なお、有機ＥＬ素子２０は、光の三原色中の青を発光するＢ画素２０ａと、赤を発光するＲ画素２０ｂと、緑を発光するＧ画素２０ｃとが一組として配列されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a wiring structure of an organic EL display 10 which is an example of an active matrix display device of the present invention.
As shown in FIG. 1, the organic EL display 10 has an organic EL element 20 (corresponding to the light emitting element in the present invention) of M rows × N columns (in FIG. 1, 2 rows × 3 for simplification of the drawing). Column). The organic EL element 20 includes a B pixel 20a that emits blue in the three primary colors of light, an R pixel 20b that emits red, and a G pixel 20c that emits green.
また、有機ＥＬディスプレイ１０は、各有機ＥＬ素子２０（各Ｂ画素２０ａ、各Ｒ画素２０ｂ、各Ｇ画素２０ｃ）に共通する上部電極（図示せず）の電気抵抗を調整するための下層補助配線５５（本発明における抵抗調整配線に相当するもの）を有している。さらにまた、各有機ＥＬ素子２０を駆動するための信号線５１（本発明における第２配線に相当するもの）、走査線５２（本発明における第１配線に相当するもの）、及び電源線５３を有している。さらに、有機ＥＬ素子２０の周囲を囲うようにして、上層補助配線５４（本発明における上部電極接続配線に相当するもの）が配線されている。 Further, the organic EL display 10 includes a lower layer auxiliary wiring for adjusting the electric resistance of an upper electrode (not shown) common to each organic EL element 20 (each B pixel 20a, each R pixel 20b, each G pixel 20c). 55 (corresponding to the resistance adjustment wiring in the present invention). Furthermore, a signal line 51 for driving each organic EL element 20 (corresponding to the second wiring in the present invention), a scanning line 52 (corresponding to the first wiring in the present invention), and a power supply line 53 are provided. Have. Furthermore, an upper layer auxiliary wiring 54 (corresponding to the upper electrode connection wiring in the present invention) is wired so as to surround the periphery of the organic EL element 20.
ここで、走査線５２及び電源線５３は、下層補助配線５５と同一層に設けられるとともに、下層補助配線５５と平行する方向であって、有機ＥＬ素子２０の各行ごとに配線されている。そして、走査線５２は、下層補助配線５５と電源線５３との間に挟まれて位置している。また、電源線５３は、下層補助配線５５及び走査線５２よりも幅が広い配線となっている。 Here, the scanning line 52 and the power supply line 53 are provided in the same layer as the lower layer auxiliary wiring 55, and are wired in each row of the organic EL elements 20 in a direction parallel to the lower layer auxiliary wiring 55. The scanning line 52 is located between the lower layer auxiliary wiring 55 and the power supply line 53. The power supply line 53 is a wiring wider than the lower layer auxiliary wiring 55 and the scanning line 52.
一方、信号線５１は、下層補助配線５５と同一層に設けられているが、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と交差する方向であって、有機ＥＬ素子２０の各列ごとに配線されている。また、上層補助配線５４は、有機ＥＬ素子２０の下部電極（図示せず）と同一層（下層補助配線５５よりも上層）に設けられている。そして、有機ＥＬ素子２０の上部電極（図示せず）とカソード接続部５６で接続され、下層補助配線５５と上下接続部５７で接続されている。 On the other hand, the signal line 51 is provided in the same layer as the lower layer auxiliary wiring 55, but in a direction crossing the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53, and for each column of the organic EL elements 20. Wired to The upper auxiliary wiring 54 is provided in the same layer as the lower electrode (not shown) of the organic EL element 20 (upper layer than the lower auxiliary wiring 55). And it connects with the upper electrode (not shown) of the organic EL element 20 by the cathode connection part 56, and is connected by the lower layer auxiliary wiring 55 and the vertical connection part 57. FIG.
図２は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０の等価回路図である。
図２に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、アノード電極２１（本発明における下部電極に相当するもの）と、カソード電極２２（本発明における上部電極に相当するもの）とによって構成される有機ＥＬ素子２０を備えている。なお、有機ＥＬ素子２０は、アノード電極２１とカソード電極２２との間に有機物の発光層を有している。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the organic EL display 10 shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the organic EL display 10 includes an organic EL display composed of an anode electrode 21 (corresponding to the lower electrode in the present invention) and a cathode electrode 22 (corresponding to the upper electrode in the present invention). An element 20 is provided. The organic EL element 20 has an organic light emitting layer between the anode electrode 21 and the cathode electrode 22.
ここで、有機ＥＬディスプレイ１０は、本発明の駆動手段であるＴＦＴ回路素子３０（３０ａ，３０ｂ）やキャパシタ４０を有機ＥＬ素子２０ごとにそれぞれ設けたアクティブマトリックス型表示装置である。具体的には、有機ＥＬディスプレイ１０は、カソード電極２２がＧＮＤ（グラウンド）及び補助配線５４に接続された有機ＥＬ素子２０と、ソース電極３２ａが有機ＥＬ素子２０のアノード電極２１に接続され、ドレイン電極３３ａが正電位の電源線５３に接続されたＴＦＴ回路素子３０ａと、ソース電極３２ｂがＴＦＴ回路素子３０ａのゲート電極３１ａに、ゲート電極３１ｂが走査線５２に、ドレイン電極３３ｂが信号線５１にそれぞれ接続されたＴＦＴ回路素子３０ｂと、ＴＦＴ回路素子３０ａのソース電極３２ａとＴＦＴ回路素子３０ｂのソース電極３２ｂとの間に接続されたキャパシタ４０とを備えている。 Here, the organic EL display 10 is an active matrix display device in which the TFT circuit elements 30 (30a, 30b) and the capacitors 40, which are driving means of the present invention, are provided for each organic EL element 20. Specifically, the organic EL display 10 has an organic EL element 20 in which the cathode electrode 22 is connected to GND (ground) and the auxiliary wiring 54, a source electrode 32a is connected to the anode electrode 21 of the organic EL element 20, and a drain. The TFT circuit element 30a having the electrode 33a connected to the positive potential power line 53, the source electrode 32b to the gate electrode 31a of the TFT circuit element 30a, the gate electrode 31b to the scanning line 52, and the drain electrode 33b to the signal line 51 The TFT circuit element 30b is connected to each other, and the capacitor 40 is connected between the source electrode 32a of the TFT circuit element 30a and the source electrode 32b of the TFT circuit element 30b.
なお、図２において、上下層間（カソード接続部５６を介したカソード電極２２と上層補助配線５４との間、上下接続部５７を介した上層補助配線５４と下層補助配線５５との間、ゲート電極３１ｂと走査線５２との間）の配線は、点線で示している。また、信号線５１は、走査線５２、電源線５３、上層補助配線５４、及び下層補助配線５５と交差するが、交差する位置の前後で分断されている。そして、分断された信号線５１同士を下層の信号接続線５８で接続することにより、同一層の走査線５２、電源線５３、及び下層補助配線５５と信号線５１とがショートしないようにしている。 In FIG. 2, the upper and lower layers (between the cathode electrode 22 and the upper layer auxiliary wiring 54 via the cathode connection portion 56, between the upper layer auxiliary wiring 54 and the lower layer auxiliary wiring 55 via the upper and lower connection portion 57, the gate electrode The wiring between 31b and the scanning line 52 is indicated by a dotted line. The signal line 51 intersects with the scanning line 52, the power supply line 53, the upper layer auxiliary wiring 54, and the lower layer auxiliary wiring 55, but is divided before and after the intersecting position. Then, the divided signal lines 51 are connected to each other by a lower signal connection line 58 so that the scanning line 52, the power supply line 53, and the lower layer auxiliary wiring 55 and the signal line 51 of the same layer are not short-circuited. .
このような有機ＥＬディスプレイ１０は、ＴＦＴ回路素子３０ａが駆動トランジスタとなり、ＴＦＴ回路素子３０ｂがスイッチングトランジスタとなっている。そして、走査線５２に書込み信号を印加し、ＴＦＴ回路素子３０ｂのゲート電極３１ｂの電位を制御すると、信号線５１の信号電圧がＴＦＴ回路素子３０ａのゲート電極３１ａに印加される。この際、ゲート電極３１ａの電位は、次に走査線５２に書込み信号が印加されるまでの間、キャパシタ４０によって安定的に保持される。これにより、ＴＦＴ回路素子３０ａのゲート電極３１ａとソース電極３２ａとの間の電圧に応じた電流が有機ＥＬ素子２０に流れ、有機ＥＬ素子２０は、この電流値に応じた輝度で発光し続けることとなる。 In such an organic EL display 10, the TFT circuit element 30a is a drive transistor, and the TFT circuit element 30b is a switching transistor. When a write signal is applied to the scanning line 52 and the potential of the gate electrode 31b of the TFT circuit element 30b is controlled, the signal voltage of the signal line 51 is applied to the gate electrode 31a of the TFT circuit element 30a. At this time, the potential of the gate electrode 31 a is stably held by the capacitor 40 until the next writing signal is applied to the scanning line 52. As a result, a current corresponding to the voltage between the gate electrode 31a and the source electrode 32a of the TFT circuit element 30a flows to the organic EL element 20, and the organic EL element 20 continues to emit light with a luminance corresponding to this current value. It becomes.
このように、有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０に流れる電流値をコントロールして発光させている。また、電源線５３をパルス駆動（２回パルス）することにより、有機ＥＬ素子２０を駆動している。そして、１回目のパルスでＴＦＴ回路素子３０ａ（駆動トランジスタ）の特性バラツキである閾値電圧の補正を行い、２回目のパルスで書込み信号の印加と移動度の補正とを同時に行なっている。そのため、有機ＥＬ素子２０の経時劣化やＴＦＴ回路素子３０ａの特性のバラツキが抑制されたものとなっている。 Thus, the organic EL display 10 emits light by controlling the value of the current flowing through the organic EL element 20. Further, the organic EL element 20 is driven by driving the power supply line 53 in a pulse manner (twice times). Then, the threshold voltage, which is the characteristic variation of the TFT circuit element 30a (driving transistor), is corrected by the first pulse, and the application of the write signal and the mobility correction are simultaneously performed by the second pulse. Therefore, the deterioration with time of the organic EL element 20 and the variation in characteristics of the TFT circuit element 30a are suppressed.
図３は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０の断面図（ａ−ａ’断面、ｂ−ｂ’断面）である。
また、図４は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０の下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と信号線５１との交差部を示す平面図及び断面図である。
図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０は、図３及び図４（ｂ）に示すように、遮光メタル１１を備えるガラス基板１２の上に絶縁膜１３を積層したものである。そして、絶縁膜１３の上に下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と信号線５１とが配線されている。また、絶縁膜１３の上には、ＴＦＴ回路素子３０も形成されている。そのため、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、信号線５１、及びＴＦＴ回路素子３０は、同一層に設けられている。
FIG. 3 is a cross-sectional view (aa ′ cross section, bb ′ cross section) of the organic EL display 10 shown in FIG. 1.
4 is a plan view and a cross-sectional view showing the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the intersection of the power supply line 53 and the signal line 51 of the organic EL display 10 shown in FIG.
The organic EL display 10 shown in FIG. 1 is obtained by laminating an insulating film 13 on a glass substrate 12 having a light shielding metal 11 as shown in FIGS. 3 and 4B. A lower layer auxiliary wiring 55, a scanning line 52, a power supply line 53, and a signal line 51 are wired on the insulating film 13. A TFT circuit element 30 is also formed on the insulating film 13. Therefore, the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, the signal line 51, and the TFT circuit element 30 are provided in the same layer.
ここで、図４に示すように、信号線５１は、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と交差する部分の前後で分断されている。そして、この交差部では、ガラス基板１２上に信号接続線５８が配線されている。また、上層の信号線５１と下層の信号接続線５８とが信号接続部５９で接続されている。そのため、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と信号線５１とが接触することはなく、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と信号接続線５８とは、絶縁膜１３によって絶縁される。なお、電源線５３は、下層補助配線５５及び走査線５２よりも幅広く配線されるとともに信号接続線５８の上層で配線方向にスリット５３ａ（図４（ａ）参照）を有している。 Here, as shown in FIG. 4, the signal line 51 is divided before and after a portion intersecting with the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53. And in this intersection, the signal connection line 58 is wired on the glass substrate 12. Further, the upper signal line 51 and the lower signal connection line 58 are connected by a signal connection part 59. Therefore, the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53 and the signal line 51 do not come into contact with each other, and the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, and the signal connection line 58 are insulated from each other. 13 is insulated. The power supply line 53 is wider than the lower layer auxiliary wiring 55 and the scanning line 52 and has a slit 53a (see FIG. 4A) in the wiring direction above the signal connection line 58.
また、絶縁膜１３の上には、平坦化膜１４が積層されている。この平坦化膜１４は、信号線５１、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及びＴＦＴ回路素子３０を相互に絶縁するだけでなく、これらの上面を凹凸のない平坦面とするものである。そして、平坦化膜１４の上に、有機ＥＬ素子２０（アノード電極２１）が配列されるとともに、上層補助配線５４が配線されている。 A planarizing film 14 is laminated on the insulating film 13. The planarizing film 14 not only insulates the signal line 51, the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, and the TFT circuit element 30 from each other, but also makes the upper surface of these flat surfaces without unevenness. It is. The organic EL elements 20 (anode electrodes 21) are arranged on the planarizing film 14, and an upper layer auxiliary wiring 54 is wired.
有機ＥＬ素子２０は、アノード電極２１とカソード電極２２との間に有機物層２３（本発明における発光層に相当するもの）を配置したものである。そして、アノード電極２１がＴＦＴ回路素子３０と接続されている。また、アノード電極２１の周囲は、開口規定膜１５によって覆われており、有機物層２３の部分だけが開口している。なお、有機物層２３は、注入された電子と正孔との再結合によって発光する有機物からなるものである。 The organic EL element 20 has an organic layer 23 (corresponding to a light emitting layer in the present invention) disposed between an anode electrode 21 and a cathode electrode 22. The anode electrode 21 is connected to the TFT circuit element 30. Further, the periphery of the anode electrode 21 is covered with the opening regulating film 15, and only the organic layer 23 is opened. The organic material layer 23 is made of an organic material that emits light by recombination of injected electrons and holes.
したがって、有機物層２３が発する光は、開口規定膜１５の開口から取り出される。具体的には、アノード電極２１に反射率が高い金属等が用いられる一方で、カソード電極２２は、光透過率の高い導電性材料からなる透明電極となっている。そのため、有機物層２３が発する光は、ガラス基板１２と反対側のカソード電極２２側から取り出されることとなる。そして、このようなトップエミッション方式とすることにより、有機ＥＬ素子２０の開口率を効率的に確保している。 Therefore, the light emitted from the organic layer 23 is extracted from the opening of the opening regulating film 15. Specifically, a metal having a high reflectance is used for the anode electrode 21, while the cathode electrode 22 is a transparent electrode made of a conductive material having a high light transmittance. Therefore, the light emitted from the organic layer 23 is extracted from the cathode electrode 22 side opposite to the glass substrate 12. And by using such a top emission system, the aperture ratio of the organic EL element 20 is efficiently ensured.
ここで、カソード電極２２を構成する光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高いものである。そのため、カソード電極２２の電気抵抗を調整し、カソード電極２２の低抵抗化を図るため、下層補助配線５５が設けられている。また、カソード電極２２と下層補助配線５５とを接続するため、アノード電極２１と同一層に上層補助配線５４が設けられ、アノード電極２１の周囲に配線されている。そして、カソード接続部５６（図３参照）を介してカソード電極２２と上層補助配線５４とが接続され、上下接続部５７（図３（ｂ）参照）を介して上層補助配線５４と下層補助配線５５とが接続されている。なお、上層補助配線５４及び下層補助配線５５は、カソード電極２２と同電位で、ＧＮＤ（図２参照）に接地されている。 Here, the conductive material having a high light transmittance constituting the cathode electrode 22 has a high resistance value. Therefore, in order to adjust the electrical resistance of the cathode electrode 22 and reduce the resistance of the cathode electrode 22, a lower layer auxiliary wiring 55 is provided. Further, in order to connect the cathode electrode 22 and the lower layer auxiliary wiring 55, an upper layer auxiliary wiring 54 is provided in the same layer as the anode electrode 21, and is wired around the anode electrode 21. Then, the cathode electrode 22 and the upper layer auxiliary wiring 54 are connected through the cathode connection portion 56 (see FIG. 3), and the upper layer auxiliary wiring 54 and the lower layer auxiliary wiring are connected through the upper and lower connection portion 57 (see FIG. 3B). 55 is connected. The upper auxiliary wiring 54 and the lower auxiliary wiring 55 are grounded to GND (see FIG. 2) at the same potential as the cathode electrode 22.
図３及び図４に示すような断面（図３のａ−ａ’断面、ｂ−ｂ’断面、及び図４のｃ−ｃ’断面）の有機ＥＬディスプレイ１０（図１参照）を製造するには、最初に、遮光メタル１１を備えるガラス基板１２上に信号接続線５８を形成する。すなわち、Ｍｏ（モリブデン）等の高抵抗の導電性材料によってガラス基板１２上に金属層をパターニングし、信号接続線５８とする。そして、ガラス基板１２及び信号接続線５８の上を覆うようにして絶縁膜１３を形成する。なお、この絶縁膜１３は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）又はＳｉＯ２ （二酸化ケイ素）をＣＶＤ法（化学蒸着法）によって成膜して形成する。 To manufacture the organic EL display 10 (see FIG. 1) having cross sections as shown in FIGS. 3 and 4 (cross sections aa ′, bb ′ and cc ′ in FIG. 4). First, the signal connection line 58 is formed on the glass substrate 12 including the light shielding metal 11. That is, the metal layer is patterned on the glass substrate 12 with a high resistance conductive material such as Mo (molybdenum) to form the signal connection line 58. Then, the insulating film 13 is formed so as to cover the glass substrate 12 and the signal connection line 58. The insulating film 13 is formed, for example, by depositing Si 3 N 4 (silicon nitride) or SiO 2 (silicon dioxide) by a CVD method (chemical vapor deposition method).
次に、絶縁膜１３をパターニングして、信号接続線５８の両端部の上面を露出させる。そして、信号接続線５８の露出した上面に信号線接続部５９を形成する。その後、絶縁膜１３の上に、配線パターンとして金属層を形成し、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及び信号線５１とする。なお、絶縁膜１３上には、ＴＦＴ回路素子３０も形成する。また、電源線５３は、信号接続線５８の上層で配線方向にスリット５３ａが形成されるようにする。さらにまた、信号線５１は、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と交差する部分の前後で分断されるようにし（図４（ｂ）参照）、分断された端部が信号線接続部５９と接続されるようにする。 Next, the insulating film 13 is patterned to expose the upper surfaces of both ends of the signal connection line 58. Then, the signal line connection portion 59 is formed on the exposed upper surface of the signal connection line 58. Thereafter, a metal layer is formed as a wiring pattern on the insulating film 13 to form a lower layer auxiliary wiring 55, a scanning line 52, a power supply line 53, and a signal line 51. A TFT circuit element 30 is also formed on the insulating film 13. Further, the power supply line 53 is formed so that a slit 53 a is formed in the wiring direction above the signal connection line 58. Furthermore, the signal line 51 is divided before and after the portion intersecting with the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53 (see FIG. 4B), and the divided end is the signal line. The connection unit 59 is connected.
このようにして下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、信号線５１、及びＴＦＴ回路素子３０を形成すると、絶縁膜１３の表面が凹凸になる。そこで、絶縁膜１３の上に、無機系薄膜（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で平坦化膜１４を形成する。これにより、絶縁膜１３だけでなく、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、信号線５１、及びＴＦＴ回路素子３０の上に平坦化膜１４が積層され、平坦化膜１４の表面では、凹凸のない平坦面となる。 When the lower auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, the signal line 51, and the TFT circuit element 30 are formed in this way, the surface of the insulating film 13 becomes uneven. Therefore, the planarizing film 14 is formed on the insulating film 13 with an inorganic thin film (SOG: Spin on Glass). Thereby, the planarizing film 14 is laminated not only on the insulating film 13 but also on the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, the signal line 51, and the TFT circuit element 30, and on the surface of the planarizing film 14. It becomes a flat surface without unevenness.
続いて、平坦化膜１４の上に、Ａｌ（アルミニウム）等の低抵抗の金属材料によって上層補助配線５４をパターニングする。具体的には、各有機ＥＬ素子２０（図１参照）の周囲を囲うようにして金属層をプリントした後、エッチングすることにより、図１に示すような縦横にレイアウトされた上層補助配線５４とする。なお、この際、平坦化膜１４をパターニングして、下層補助配線５５の上面を部分的に露出させておく。そのため、上層補助配線５４の形成と同時に、下層補助配線５５の露出した上面に上下接続部５７が形成される。 Subsequently, the upper auxiliary wiring 54 is patterned on the planarizing film 14 with a low-resistance metal material such as Al (aluminum). Specifically, after printing a metal layer so as to surround each organic EL element 20 (see FIG. 1), etching is performed, and thereby the upper layer auxiliary wiring 54 laid out vertically and horizontally as shown in FIG. To do. At this time, the planarizing film 14 is patterned to partially expose the upper surface of the lower layer auxiliary wiring 55. Therefore, the upper and lower connection portions 57 are formed on the exposed upper surface of the lower layer auxiliary wiring 55 simultaneously with the formation of the upper layer auxiliary wiring 54.
また、平坦化膜１４及び上層補助配線５４の上には、開口規定膜１５を積層する。さらにまた、開口規定膜１５の上には、光透過率の高い導電性材料によってカソード電極２２及びカソード接続部５６を形成する。そして、カソード接続部５６を介してカソード電極２２と上層補助配線５４とを接続する。したがって、カソード電極２２は、カソード接続部５６、上層補助配線５４、及び上下接続部５７により、下層補助配線５５と接続されることとなる。 An opening defining film 15 is laminated on the planarizing film 14 and the upper auxiliary wiring 54. Furthermore, the cathode electrode 22 and the cathode connection portion 56 are formed on the opening defining film 15 with a conductive material having a high light transmittance. Then, the cathode electrode 22 and the upper layer auxiliary wiring 54 are connected via the cathode connection portion 56. Therefore, the cathode electrode 22 is connected to the lower layer auxiliary wiring 55 by the cathode connection part 56, the upper layer auxiliary wiring 54, and the upper and lower connection part 57.
図５は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０の下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及び信号線５１を示す平面図である。
図５に示すように、カソード電極２２（図４参照）の低抵抗化を図るための下層補助配線５５は、有機ＥＬ素子２０（図４参照）を駆動するための走査線５２、電源線５３、及び信号線５１と同一層に設けられている。
FIG. 5 is a plan view showing the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, and the signal line 51 of the organic EL display 10 shown in FIG.
As shown in FIG. 5, the lower layer auxiliary wiring 55 for reducing the resistance of the cathode electrode 22 (see FIG. 4) includes a scanning line 52 and a power line 53 for driving the organic EL element 20 (see FIG. 4). And in the same layer as the signal line 51.
ここで、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３は、互いに平行する方向に配線されている。そして、走査線５２は、下層補助配線５５と電源線５３との間に配線されている。また、電源線５３は、下層補助配線５５及び走査線５２よりも幅広く配線されている。 Here, the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53 are wired in directions parallel to each other. The scanning line 52 is wired between the lower layer auxiliary wiring 55 and the power supply line 53. The power supply line 53 is wired wider than the lower layer auxiliary wiring 55 and the scanning line 52.
一方、信号線５１は、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と直交する方向に配線されている。そして、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と交差する位置の前後で分断されるとともに分断された信号線５１同士が信号接続線５８で接続されている。なお、電源線５３は、信号接続線５８の上層で配線方向にスリット５３ａを有している。 On the other hand, the signal line 51 is wired in a direction orthogonal to the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53. The signal lines 51 that are divided before and after the position intersecting with the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53 are connected by a signal connection line 58. The power supply line 53 has a slit 53a in the wiring direction above the signal connection line 58.
このように、信号線５１は、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と同一層に設けられているので、これらと交差する位置の前後で分断されている。しかし、交差部分では、製造工程でのエッチングミスやダスト等の付着が原因でショートが発生しやすい状況にある。特に、有機ＥＬディスプレイ１０（図１参照）が大型化すると、交差部分が増え、ショートの発生頻度が増加して歩留まりが低下する。そのため、有機ＥＬディスプレイ１０の生産工程において、ショートを検出するための光学式検査を行う検査工程を設け、検出されたショート部分を表面からのレーザ照射によって修正するレーザリペア工程を設けている。 Thus, since the signal line 51 is provided in the same layer as the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the power supply line 53, the signal line 51 is divided before and after the position intersecting with these. However, at the intersection, a short circuit is likely to occur due to an etching error in the manufacturing process or adhesion of dust or the like. In particular, when the organic EL display 10 (see FIG. 1) is enlarged, the number of intersections increases, the frequency of occurrence of shorts increases, and the yield decreases. Therefore, in the production process of the organic EL display 10, an inspection process for performing an optical inspection for detecting a short circuit is provided, and a laser repair process for correcting the detected short part by laser irradiation from the surface is provided.
例えば、走査線５２と電源線５３のスリット５３ａの上の部分とがショート（ショート箇所３）していた場合には、ショート部分の両側で電源線５３（スリット５３ａの上の部分）を切断すれば良い。これにより、スリット５３ａの上の部分では、電源線５３が機能しなくなるが、ショート部分を回避したスリット５３ａの下の部分がバイパスラインとなるので、ショートが修復されたこととなる。 For example, when the scanning line 52 and the portion above the slit 53a of the power supply line 53 are short-circuited (short-circuited portion 3), the power supply line 53 (the portion above the slit 53a) is cut off on both sides of the short-circuited portion. It ’s fine. As a result, the power line 53 does not function in the portion above the slit 53a, but the portion under the slit 53a that avoids the short portion becomes a bypass line, so that the short is repaired.
また、電源線５３のスリット５３ａの下の部分と信号線５１の端部とがショート（ショート箇所４）していた場合でも、ショート部分の両側で電源線５３（スリット５３ａの下の部分）を切断すれば良い。これにより、スリット５３ａの下の部分では、電源線５３が機能しなくなるが、ショート部分を回避したスリット５３ａの上の部分がバイパスラインとなるので、ショートが修復されたこととなる。 Further, even when the portion below the slit 53a of the power supply line 53 and the end of the signal line 51 are short-circuited (short-circuited portion 4), the power supply line 53 (the portion below the slit 53a) is connected to both sides of the short-circuited portion. Just cut it. As a result, the power line 53 does not function in the portion below the slit 53a, but the portion above the slit 53a that avoids the short portion becomes a bypass line, so the short has been repaired.
さらにまた、下層補助配線５５と走査線５２とがショート（ショート箇所１）している場合や、信号線５１の端部と下層補助配線５５とがショート（ショート箇所２）している場合もある。これらの場合、下層補助配線５５、走査線５２、及び信号線５１には、幅が広い電源線５３のようにスリット５３ａを形成できないので、電源線５３と同様のレーザリペア工程を適用することは困難である。しかも、有機ＥＬ素子２０（図４参照）を駆動するための走査線５２又は信号線５１を切断すると、有機ＥＬ素子２０に線欠陥が発生してしまう。しかし、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０（図１参照）は、下層補助配線５５を切断することにより、このようなショート（ショート箇所１及びショート箇所２）を修復できる。 Furthermore, there is a case where the lower layer auxiliary wiring 55 and the scanning line 52 are short-circuited (short portion 1), or an end of the signal line 51 and the lower layer auxiliary wiring 55 are short-circuited (short portion 2). . In these cases, the slits 53a cannot be formed in the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, and the signal line 51 unlike the wide power line 53, and therefore, the laser repair process similar to that for the power line 53 can be applied. Have difficulty. In addition, when the scanning line 52 or the signal line 51 for driving the organic EL element 20 (see FIG. 4) is cut, a line defect occurs in the organic EL element 20. However, the organic EL display 10 (see FIG. 1) of the present embodiment can repair such a short (the short portion 1 and the short portion 2) by cutting the lower layer auxiliary wiring 55.
図６は、図５に示す下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及び信号線５１におけるショート箇所１及びショート箇所２の修復状況を示す平面図である。
図６（ａ）に示すように、ショート箇所１では、同一層で平行する方向に配線された下層補助配線５５と走査線５２とがショートしている。このようなショート箇所１を修復するには、ショート部分の両側で下層補助配線５５を切断すれば良い。これにより、有機ＥＬ素子２０（図４参照）を駆動するための走査線５２を切断することなく、ショートを修復できる。
FIG. 6 is a plan view showing a repair situation of the shorted portion 1 and the shorted portion 2 in the lower layer auxiliary wiring 55, the scanning line 52, the power supply line 53, and the signal line 51 shown in FIG.
As shown in FIG. 6A, in the shorted portion 1, the lower layer auxiliary wiring 55 and the scanning line 52 that are wired in the same layer in the parallel direction are short-circuited. In order to repair such a short portion 1, the lower layer auxiliary wiring 55 may be cut on both sides of the short portion. Thereby, a short circuit can be repaired without cutting the scanning line 52 for driving the organic EL element 20 (see FIG. 4).
一方、下層補助配線５５は、ショート部分の両側で分断されることになるが、図１に示すように、複数の上下接続部５７及びカソード接続部５６を介して上層補助配線５４と接続されている。そして、上層補助配線５４は、各有機ＥＬ素子２０の周囲を囲うように縦横に配線されている。そのため、下層補助配線５５を切断しても、配線抵抗に大きな変化は生じない。したがって、カソード電極２２（図４参照）の電気抵抗を調整し、カソード電極２２の低抵抗化を図る下層補助配線５５の機能が損なわれることはない。 On the other hand, the lower layer auxiliary wiring 55 is divided on both sides of the short portion, but is connected to the upper layer auxiliary wiring 54 via a plurality of upper and lower connection portions 57 and a cathode connection portion 56 as shown in FIG. Yes. The upper auxiliary wiring 54 is wired vertically and horizontally so as to surround each organic EL element 20. Therefore, even if the lower layer auxiliary wiring 55 is cut, the wiring resistance does not change greatly. Therefore, the function of the lower layer auxiliary wiring 55 for adjusting the electrical resistance of the cathode electrode 22 (see FIG. 4) and reducing the resistance of the cathode electrode 22 is not impaired.
また、図６（ｂ）に示すように、ショート箇所２では、同一層で直交する方向に配線された信号線５１の端部と下層補助配線５５とがショートしている。このようなショート箇所２を修復するにも、ショート部分の両側で下層補助配線５５を切断すれば良い。これにより、有機ＥＬ素子２０（図４参照）を駆動するための信号線５１を切断することなく、ショートを修復できる。そして、下層補助配線５５を切断しても、上記の通り、下層補助配線５５の機能が損なわれることはない。 Further, as shown in FIG. 6B, in the shorted portion 2, the end portion of the signal line 51 wired in the direction orthogonal to the same layer and the lower layer auxiliary wiring 55 are short-circuited. In order to repair such a short portion 2, the lower layer auxiliary wiring 55 may be cut on both sides of the short portion. Thereby, it is possible to repair the short circuit without cutting the signal line 51 for driving the organic EL element 20 (see FIG. 4). Even if the lower layer auxiliary wiring 55 is cut, the function of the lower layer auxiliary wiring 55 is not impaired as described above.
このように、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、カソード電極２２の低抵抗化を図るための下層補助配線５５を走査線５２、電源線５３、及び信号線５１と同一層に形成している。そして、信号線５１との配線交差部に近い側に下層補助配線５５を配線し、下層補助配線５５と電源線５３との間に走査線５２を挟み込んでいる。そのため、走査線５２や信号線５１と下層補助配線５５とがショートすることはあるが、そのショートは、下層補助配線５５を切断することによって修復できる。したがって、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、配線幅が狭く、有機ＥＬ素子２０を駆動するための走査線５２や信号線５１を切断しなくても、ショート部分を簡単かつ迅速に修復できる。その結果、アクティブマトリックス型表示装置における歩留りの向上を図ることができる。 Thus, in the organic EL display 10 of this embodiment, the lower layer auxiliary wiring 55 for reducing the resistance of the cathode electrode 22 is formed in the same layer as the scanning line 52, the power supply line 53, and the signal line 51. . Then, the lower layer auxiliary wiring 55 is wired on the side near the wiring intersection with the signal line 51, and the scanning line 52 is sandwiched between the lower layer auxiliary wiring 55 and the power supply line 53. Therefore, the scanning line 52 or the signal line 51 and the lower layer auxiliary wiring 55 may be short-circuited, but the short circuit can be repaired by cutting the lower layer auxiliary wiring 55. Therefore, the organic EL display 10 of this embodiment has a narrow wiring width and can easily and quickly repair the short-circuit portion without cutting the scanning line 52 and the signal line 51 for driving the organic EL element 20. As a result, the yield of the active matrix display device can be improved.
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、例えば、以下のような種々の変形が可能である。
（１）本実施形態では、有機ＥＬ素子２０が発した光をガラス基板１２と反対側から取り出すようにしたトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイ１０としている。しかし、有機ＥＬ素子２０が発した光をガラス基板１２と同じ側から取り出すようにしたボトムゲート方式にも適用できる。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to embodiment mentioned above, For example, the following various deformation | transformation are possible.
(1) In the present embodiment, the top emission type organic EL display 10 is configured such that light emitted from the organic EL element 20 is extracted from the side opposite to the glass substrate 12. However, the present invention can also be applied to a bottom gate method in which light emitted from the organic EL element 20 is extracted from the same side as the glass substrate 12.
（２）本実施形態では、発光素子に有機ＥＬ素子２０（有機エレクトロルミネッセンス素子）を用いている。しかし、無機エレクトロルミネッセンス素子や発光ダイオード等、上部電極と下部電極との間に発光層を形成することができる発光素子であればよく、有機エレクトロルミネッセンス素子に限られない。 (2) In this embodiment, the organic EL element 20 (organic electroluminescence element) is used as the light emitting element. However, any light-emitting element that can form a light-emitting layer between the upper electrode and the lower electrode, such as an inorganic electroluminescent element or a light-emitting diode, may be used, and the present invention is not limited to an organic electroluminescent element.
１０ 有機ＥＬディスプレイ（アクティブマトリックス型表示装置）
２０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２１ アノード電極（下部電極）
２２ カソード電極（上部電極）
２３ 有機物層（発光層）
３０，３０ａ，３０ｂ ＴＦＴ回路素子（駆動手段）
５１ 信号線（第２配線）
５２ 走査線（第１配線）
５３ 電源線
５３ａ スリット
５４ 上層補助配線（上部電極接続配線）
５５ 下層補助配線（抵抗調整配線）
５８ 信号接続線（接続配線）
10 Organic EL display (active matrix display)
20 Organic EL device (light emitting device)
21 Anode electrode (lower electrode)
22 Cathode electrode (upper electrode)
23 Organic layer (light emitting layer)
30, 30a, 30b TFT circuit element (driving means)
51 Signal line (second wiring)
52 Scanning line (first wiring)
53 Power line 53a Slit 54 Upper layer auxiliary wiring (upper electrode connection wiring)
55 Lower layer auxiliary wiring (resistance adjustment wiring)
58 Signal connection line (connection wiring)
Claims (5)
各前記発光素子を駆動するための駆動手段と、
前記上部電極と接続され、前記上部電極の電気抵抗を調整するための抵抗調整配線と、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線と平行する方向に配線された電源線と、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線と前記電源線との間に配線された第１配線と、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線、前記電源線、及び前記第１配線と交差する位置の前後で分断された第２配線と、
絶縁膜を介して前記抵抗調整配線、前記電源線、及び前記第１配線の下層に設けられるとともに分断された前記第２配線同士を接続する接続配線と
を有するアクティブマトリックス型表示装置。 A plurality of light emitting elements arranged in a matrix and having a light emitting layer between an upper electrode and a lower electrode;
Driving means for driving each of the light emitting elements;
A resistance adjustment wiring connected to the upper electrode for adjusting the electric resistance of the upper electrode;
A power line connected to the driving means, provided in the same layer as the resistance adjustment wiring and wired in a direction parallel to the resistance adjustment wiring;
A first wiring connected to the driving means, provided in the same layer as the resistance adjustment wiring, and wired between the resistance adjustment wiring and the power supply line;
A second wiring connected to the driving means, provided in the same layer as the resistance adjustment wiring, and divided before and after a position intersecting the resistance adjustment wiring, the power supply line, and the first wiring;
An active matrix type display device comprising: a resistance adjustment wiring, the power supply line, and a connection wiring that is provided below the first wiring and connects the separated second wirings via an insulating film.
前記上部電極及び前記抵抗調整配線と接続され、前記下部電極と同一層に設けられるとともに各前記発光素子の周囲を囲うように配線された上部電極接続配線を有する
アクティブマトリックス型表示装置。 The active matrix display device according to claim 1,
An active matrix display device having upper electrode connection wiring connected to the upper electrode and the resistance adjustment wiring, provided in the same layer as the lower electrode, and wired to surround each of the light emitting elements.
前記電源線は、前記抵抗調整配線及び前記第１配線よりも幅広く配線されるとともに前記接続線の上層で配線方向にスリットを有する
アクティブマトリックス型表示装置。 The active matrix display device according to claim 1,
The power supply line is an active matrix display device in which the power supply line is wired wider than the resistance adjustment wiring and the first wiring and has a slit in the wiring direction above the connection line.
前記第１配線は、マトリックス状に配列された各前記発光素子の各行ごとに配線された走査線であり、
前記第２配線は、マトリックス状に配列された各前記発光素子の各列ごとに配線された信号線である
アクティブマトリックス型表示装置。 The active matrix display device according to claim 1,
The first wiring is a scanning line wired for each row of the light emitting elements arranged in a matrix,
The active matrix display device, wherein the second wiring is a signal line wired for each column of the light emitting elements arranged in a matrix.
前記発光素子は、有機物層を配置した有機エレクトロルミネッセンス素子である
アクティブマトリックス型表示装置。 The active matrix display device according to claim 1,
The light emitting element is an organic electroluminescence element in which an organic material layer is disposed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
ID=42204221
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2008240446A Pending JP2010072397A (en) | 2008-09-19 | 2008-09-19 | Active matrix type display |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2010072397A (en) |
Cited By (3)
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