JP2010062415A - 保護テープの剥離方法、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体基板の表面に接着剤の残渣を残存させることなく、半導体基板から保護テープを剥離することができる保護テープの剥離方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板10の表面に貼り付けられた保護テープ20を剥離する方法であって、保護テープ20の表面に異物除去テープ30を貼り付け、その後、保護テープ20の表面から異物除去テープ30を剥離する異物除去工程と、異物除去工程後に、保護テープ20の表面に剥離テープ40を貼り付け、その後、剥離テープ40と保護テープ20を一体として半導体基板10から剥離する剥離工程を有している。
【選択図】図5
【解決手段】 半導体基板10の表面に貼り付けられた保護テープ20を剥離する方法であって、保護テープ20の表面に異物除去テープ30を貼り付け、その後、保護テープ20の表面から異物除去テープ30を剥離する異物除去工程と、異物除去工程後に、保護テープ20の表面に剥離テープ40を貼り付け、その後、剥離テープ40と保護テープ20を一体として半導体基板10から剥離する剥離工程を有している。
【選択図】図5
Description
本発明は、半導体基板の表面から保護テープを剥離する方法に関する。
半導体装置の製造工程において、半導体基板の表面に保護テープを貼り付けることがある。例えば、特許文献1には、半導体基板の一方の表面(以下、第2表面という)を研磨やエッチングをする際に、半導体基板の他方の表面(以下、第1表面という)に保護テープを貼り付けることが記載されている。
第2表面を研磨等した後に、第1表面に保護テープを貼り付けたままの状態で、第2表面に拡散層や電極を形成する場合がある。拡散層や電極を形成する工程では、真空または減圧雰囲気で実施される。したがって、半導体基板と保護テープの間に空気が入りこんでいると、その空気が膨張する。この空気の膨張による剥離を防止するために、保護テープには比較的強い粘着力が必要とされる。
各工程を経た後に、保護テープは半導体基板から剥離される。保護テープを剥離する際には、保護テープの表面に剥離テープを貼り付ける。そして、剥離テープを引っ張ることで、剥離テープと保護テープを一体として半導体基板から剥離する。しかしながら、保護テープは各工程を経ているので、保護テープの表面には異物が付着している。このため、剥離テープを強い粘着力で保護テープに貼り付けることはできない。したがって、保護テープを剥離する際に、半導体基板を第2表面側から加熱する。これによって、保護テープを加熱し、保護テープの粘着力を剥離テープの粘着力未満に低下させる。保護テープを加熱しながら剥離テープを引っ張ることで、剥離テープと保護テープを一体として半導体基板から剥離することができる。
上述したように、従来の保護テープの剥離方法では、加熱によって保護テープの粘着力を低下させる。保護テープを加熱しながら剥離すると、保護テープの接着剤が凝集破壊を起こすため、保護テープ剥離後の半導体基板の第1表面に保護テープの接着剤の残渣が残存する。半導体基板の表面に残渣が残存すると、種々の問題を引き起こす。例えば、半導体基板表面に形成されている電極上に残渣が残存すると、半導体基板から製造された半導体装置をワイヤーボンディングするときに、接続強度不良を引き起こす。このため、従来の剥離方法では、保護テープを剥離した後に、半導体基板を洗浄して残渣を除去する必要があった。残渣除去工程を行うと、半導体装置の製造効率が低下するという問題、及び、使用後の洗浄液の処理が必要になるという問題等が生じる。
本発明は、上述した実情に鑑みて創作されたものであり、半導体基板の表面に接着剤の残渣を残存させることなく、半導体基板から保護テープを剥離することができる保護テープの剥離方法を提供することを目的とする。
本発明の保護テープの剥離方法では、半導体基板の表面に貼り付けられた保護テープを剥離する。この方法は、異物除去工程と、剥離工程を有している。異物除去工程では、保護テープの表面に異物除去テープを貼り付け、その後、保護テープの表面から異物除去テープを剥離する。剥離工程では、異物除去工程後に、保護テープの表面に剥離テープを貼り付け、その後、剥離テープと保護テープを一体として半導体基板から剥離する。
この剥離方法では、異物除去工程において、保護テープの表面に異物除去テープを貼り付け、その後、保護テープの表面から異物除去テープを剥離する。これによって、保護テープの表面に付着していた異物が、異物除去テープに吸着されて除去される。したがって、異物除去工程後は、保護テープの表面にはほとんど異物が存在していない状態となる。異物除去工程後の剥離工程において、保護テープの表面に剥離テープを貼り付けることで、剥離テープを強い粘着力で保護テープに貼り付けることができる。したがって、剥離工程では、保護テープを加熱することなく、剥離テープと保護テープを一体として半導体基板から剥離することができる。このため、半導体基板の表面に接着剤の残渣を残存させることなく、半導体基板から保護テープを剥離することができる。
この剥離方法では、異物除去工程において、保護テープの表面に異物除去テープを貼り付け、その後、保護テープの表面から異物除去テープを剥離する。これによって、保護テープの表面に付着していた異物が、異物除去テープに吸着されて除去される。したがって、異物除去工程後は、保護テープの表面にはほとんど異物が存在していない状態となる。異物除去工程後の剥離工程において、保護テープの表面に剥離テープを貼り付けることで、剥離テープを強い粘着力で保護テープに貼り付けることができる。したがって、剥離工程では、保護テープを加熱することなく、剥離テープと保護テープを一体として半導体基板から剥離することができる。このため、半導体基板の表面に接着剤の残渣を残存させることなく、半導体基板から保護テープを剥離することができる。
また、本発明は、保護テープの剥離後の残渣除去工程が不要な半導体装置の製造方法を提供する。この製造方法は、薄型化工程と、異物除去工程と、剥離工程を備えている。薄型化工程では、半導体基板の第1表面に保護テープを貼り付けた状態で、半導体基板の第2表面を研磨やエッチングして、半導体基板を薄型化する。異物除去工程では、薄型化工程後に、保護テープの表面に異物除去テープを貼り付け、その後、保護テープの表面から異物除去テープを剥離する。剥離工程では、異物除去工程後に、保護テープの表面に剥離テープを貼り付け、その後、剥離テープと保護テープを一体として半導体基板から剥離する。
この製造方法によれば、保護テープの粘着力を弱めるために保護テープを加熱する必要がないため、保護テープの剥離後に半導体基板の表面に接着剤の残渣が残存しない。保護テープの剥離後の残渣除去工程を行うことなく、半導体装置を製造することができる。
この製造方法によれば、保護テープの粘着力を弱めるために保護テープを加熱する必要がないため、保護テープの剥離後に半導体基板の表面に接着剤の残渣が残存しない。保護テープの剥離後の残渣除去工程を行うことなく、半導体装置を製造することができる。
本発明の保護テープ剥離方法を適用した半導体装置の製造方法の実施例について説明する。図1は、半導体基板10の断面図を示している。図示していないが、半導体基板10の上面(第1表面)12側には、拡散層、絶縁膜、金属配線等の半導体素子構造が既に形成されている。上面12側の半導体素子構造は従来公知の方法によって形成されているので、その形成方法については説明を省略する。半導体基板10の下面(第2表面)14側には、半導体素子構造は形成されていない。なお、図1の参照番号20は、半導体基板10の上面12に貼り付けられた保護テープを示している。
本実施例では、図1に示す半導体基板10(上面側半導体素子構造が形成されている半導体基板)に対して、研磨工程、下面側半導体素子構造形成工程、異物除去工程、及び、剥離工程を実施することによって、半導体装置を製造する。
本実施例では、図1に示す半導体基板10(上面側半導体素子構造が形成されている半導体基板)に対して、研磨工程、下面側半導体素子構造形成工程、異物除去工程、及び、剥離工程を実施することによって、半導体装置を製造する。
(研磨工程)
研磨工程では、半導体基板10の下面14を研磨する。すなわち、まず、図1に示すように、半導体基板10の上面12(半導体素子構造が形成されている上面12)の全面に、保護テープ20を貼り付ける。保護テープ20には、高剛性、高粘着力を有するテープを使用する。そして、保護テープ20を貼り付けた状態で、半導体基板10の下面14を研磨する。これによって、半導体基板10を薄型化する。例えば、厚さが約725μmの半導体基板10を、約150μmの厚さまで薄くする。図2は、研磨工程後の半導体基板10を示している。図2に示すように、研磨工程によって、半導体基板10が薄型化される。また、研磨工程を行うことによって、保護テープ20の表面に半導体基板10の研磨屑等(以下、異物90という)が付着する。
研磨工程では、半導体基板10の下面14を研磨する。すなわち、まず、図1に示すように、半導体基板10の上面12(半導体素子構造が形成されている上面12)の全面に、保護テープ20を貼り付ける。保護テープ20には、高剛性、高粘着力を有するテープを使用する。そして、保護テープ20を貼り付けた状態で、半導体基板10の下面14を研磨する。これによって、半導体基板10を薄型化する。例えば、厚さが約725μmの半導体基板10を、約150μmの厚さまで薄くする。図2は、研磨工程後の半導体基板10を示している。図2に示すように、研磨工程によって、半導体基板10が薄型化される。また、研磨工程を行うことによって、保護テープ20の表面に半導体基板10の研磨屑等(以下、異物90という)が付着する。
(下面側半導体素子構造形成工程)
下面側半導体素子構造形成工程では、研磨工程後の半導体基板10の下面14側に半導体素子構造を形成する。すなわち、最初に、半導体基板10に下面14から不純物注入を行う。その後に、半導体基板10を熱処理する。なお、この熱処理は、レーザアニール等によって半導体基板10の下面14のみを局所的に加熱するので、保護テープ20はそれほど温度上昇しない。不純物注入と熱処理の実施によって、図3に示すように、下面14近傍に不純物拡散層16を形成する。不純物拡散層16を形成したら、蒸着等によって、下面14の表面に金属電極18を形成する。なお、不純物拡散層16、及び、金属電極18は、従来公知の方法によって形成するので、その形成方法の詳細については説明を省略する。
不純物拡散層16の形成時、及び、金属電極18の形成時には、半導体基板10は略真空雰囲気に曝される。したがって、保護テープ20と半導体基板10の上面12との間に閉じ込められている微量な空気が膨張する。しかしながら、保護テープ20は高い粘着力を備えているので、保護テープ20は剥離しない。
下面側半導体素子構造形成工程では、研磨工程後の半導体基板10の下面14側に半導体素子構造を形成する。すなわち、最初に、半導体基板10に下面14から不純物注入を行う。その後に、半導体基板10を熱処理する。なお、この熱処理は、レーザアニール等によって半導体基板10の下面14のみを局所的に加熱するので、保護テープ20はそれほど温度上昇しない。不純物注入と熱処理の実施によって、図3に示すように、下面14近傍に不純物拡散層16を形成する。不純物拡散層16を形成したら、蒸着等によって、下面14の表面に金属電極18を形成する。なお、不純物拡散層16、及び、金属電極18は、従来公知の方法によって形成するので、その形成方法の詳細については説明を省略する。
不純物拡散層16の形成時、及び、金属電極18の形成時には、半導体基板10は略真空雰囲気に曝される。したがって、保護テープ20と半導体基板10の上面12との間に閉じ込められている微量な空気が膨張する。しかしながら、保護テープ20は高い粘着力を備えているので、保護テープ20は剥離しない。
(異物除去工程)
異物除去工程では、下面側半導体素子構造形成工程後に、保護テープ20の表面に付着している異物90を除去する。すなわち、最初に、図4に示すように、保護テープ20の表面に異物除去テープ30を貼り付ける。異物除去テープ30は、保護テープ20の表面の略半分を覆うように貼り付ける。なお、異物除去テープ30には、後述する剥離テープ40と同種のテープを使用する。次に、図5に示すように、異物除去テープ30を、半導体基板10の中央側から剥離する。異物除去テープ30と保護テープ20の間には、異物90が介在しているので、異物除去テープ30の保護テープ20に対する粘着力は弱い。すなわち、保護テープ20の半導体基板10に対する粘着力より、異物除去テープ30の保護テープ20に対する粘着力は弱い。したがって、異物除去テープ30は保護テープ20から剥離する。このとき、保護テープ20の表面は粘着性を有していないので、保護テープ20の表面に存在していた異物90が異物除去テープ30に吸着される。これによって、保護テープ20の表面から異物90が除去される。以上のようにして保護テープ20の表面のうちの約半分の領域から異物90を除去したら、残りの半分の領域についても同様にして異物90を除去する。
異物除去工程では、下面側半導体素子構造形成工程後に、保護テープ20の表面に付着している異物90を除去する。すなわち、最初に、図4に示すように、保護テープ20の表面に異物除去テープ30を貼り付ける。異物除去テープ30は、保護テープ20の表面の略半分を覆うように貼り付ける。なお、異物除去テープ30には、後述する剥離テープ40と同種のテープを使用する。次に、図5に示すように、異物除去テープ30を、半導体基板10の中央側から剥離する。異物除去テープ30と保護テープ20の間には、異物90が介在しているので、異物除去テープ30の保護テープ20に対する粘着力は弱い。すなわち、保護テープ20の半導体基板10に対する粘着力より、異物除去テープ30の保護テープ20に対する粘着力は弱い。したがって、異物除去テープ30は保護テープ20から剥離する。このとき、保護テープ20の表面は粘着性を有していないので、保護テープ20の表面に存在していた異物90が異物除去テープ30に吸着される。これによって、保護テープ20の表面から異物90が除去される。以上のようにして保護テープ20の表面のうちの約半分の領域から異物90を除去したら、残りの半分の領域についても同様にして異物90を除去する。
(剥離工程)
剥離工程では、異物除去工程後に、図6に示すように、保護テープ20の表面の全域に剥離テープ40を貼り付ける。上述したように、剥離テープ40には、異物除去テープ30と同種のテープを使用する。異物除去工程で保護テープ20の表面から異物90が除去されているので、剥離テープ40を保護テープ20に強い粘着力で貼り付けることができる。より詳細には、剥離テープ40の保護テープ20に対する粘着力は、保護テープ20の半導体基板10に対する粘着力より強くなる。剥離テープ40を貼り付けたら、図7に示すように、半導体基板10の周辺部側から剥離テープ40を引っ張る。上述したように、保護テープ20に対する剥離テープ40の粘着力は強いので、剥離テープ40は保護テープ20から剥離しない。したがって、剥離テープ40と保護テープ20が一体として半導体基板10から剥離する。
剥離工程では、異物除去工程後に、図6に示すように、保護テープ20の表面の全域に剥離テープ40を貼り付ける。上述したように、剥離テープ40には、異物除去テープ30と同種のテープを使用する。異物除去工程で保護テープ20の表面から異物90が除去されているので、剥離テープ40を保護テープ20に強い粘着力で貼り付けることができる。より詳細には、剥離テープ40の保護テープ20に対する粘着力は、保護テープ20の半導体基板10に対する粘着力より強くなる。剥離テープ40を貼り付けたら、図7に示すように、半導体基板10の周辺部側から剥離テープ40を引っ張る。上述したように、保護テープ20に対する剥離テープ40の粘着力は強いので、剥離テープ40は保護テープ20から剥離しない。したがって、剥離テープ40と保護テープ20が一体として半導体基板10から剥離する。
保護テープ20を剥離したら、半導体基板10にダイシングテープを貼り付ける。そして、半導体基板10をダイシングして、半導体基板10を所定のチップサイズの半導体装置に分割する。これによって、半導体装置が完成する。
以上に説明したように、本実施例の半導体装置の製造方法では、異物除去テープ30によって保護テープ20の表面の異物90を吸着除去した後に、保護テープ20の表面に剥離テープ40を貼り付ける。そして、剥離テープ40を引っ張ることで、剥離テープ40と保護テープ20を一体として半導体基板10から剥離する。保護テープ20を剥離する際に、保護テープ20を加熱しないので、半導体基板10の上面12に保護テープ20の接着剤の残渣が残存することがない。このため、剥離工程後に半導体基板10を洗浄する必要がない。したがって、高い製造効率で半導体装置を製造することが可能であり、半導体装置の製造コストを低減させることができる。また、剥離工程後の洗浄工程が不要となるので、洗浄工程に使用する洗浄液の廃液の処理も不要となる。これによっても、半導体装置の製造コストが低減させることができる。
また、本実施例の半導体装置の製造方法では、異物除去テープ30と剥離テープ40に同種のテープを使用する。このため、異物除去テープ30と剥離テープ40を別個に部材管理する必要がない。すなわち、従来技術においても使用する剥離テープ40を異物除去テープ30としても使用するので、製造工程において使用する部材の種類が増加しない。このため、部材管理に要する負担が増加することがない。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
10:半導体基板
12:上面
14:下面
16:不純物拡散層
18:金属電極
20:保護テープ
30:異物除去テープ
40:剥離テープ
90:異物
12:上面
14:下面
16:不純物拡散層
18:金属電極
20:保護テープ
30:異物除去テープ
40:剥離テープ
90:異物
Claims (2)
- 半導体基板の表面に貼り付けられた保護テープを剥離する方法であって、
保護テープの表面に異物除去テープを貼り付け、その後、保護テープの表面から異物除去テープを剥離する異物除去工程と、
異物除去工程後に、保護テープの表面に剥離テープを貼り付け、その後、剥離テープと保護テープを一体として半導体基板から剥離する剥離工程、
を有していることを特徴とする保護テープの剥離方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の第1表面に保護テープが貼り付けられた状態で、半導体基板を薄型化する薄型化工程と、
薄型化工程後に、保護テープの表面に異物除去テープを貼り付け、その後、保護テープの表面から異物除去テープを剥離する異物除去工程と、
異物除去工程後に、保護テープの表面に剥離テープを貼り付け、その後、剥離テープと保護テープを一体として半導体基板から剥離する剥離工程、
を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008227969A JP2010062415A (ja) | 2008-09-05 | 2008-09-05 | 保護テープの剥離方法、及び、半導体装置の製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10128162B2 (en) | 2016-11-01 | 2018-11-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device |
-
2008
- 2008-09-05 JP JP2008227969A patent/JP2010062415A/ja active Pending
Cited By (1)
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