JP2010062374A - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の荷電粒子ビーム発生装置は、フィラメント電力によりカソード11を加熱することにより放出される電子を、バイアス電圧により集束し、加速電圧により加速することにより所定のエミッション電流の荷電粒子ビーム20を照射する荷電粒子銃10と、電流密度を測定するための検出器22と、フィラメント電力およびエミッション電流を制御するための制御部18と、バイアス飽和点における電流密度とエミッション電流との関係とフィラメント電力とエミッション電流との関係を記憶し、設定電流密度よりエミッション電流値とフィラメント電力値を算出するための記憶演算部19を備える。
【選択図】図1
Description
11…カソード
12…フィラメント
13…フィラメント供給電源
14…ウェネルト
15…バイアス電源
16…アノード
17…加速電源
18…制御部
19…記憶演算部
20…電子ビーム
21…電子ビーム制御系
22…検出器
23…判断部
Claims (5)
- フィラメント電力によりカソードを加熱することにより放出される電子を、バイアス電圧により集束し、加速電圧により加速することにより所定のエミッション電流の荷電粒子ビームを照射する荷電粒子銃と、
前記荷電粒子ビームの光軸に設置され、前記荷電粒子ビームの電流密度を測定するための検出器と、
前記検出器と接続され、前記フィラメント電力および前記エミッション電流を制御するための制御部と、
前記制御部と接続され、前記バイアス電圧が前記フィラメント電力に対して飽和するバイアス飽和点における前記電流密度と前記エミッション電流との関係と、前記フィラメント電力と前記エミッション電流との関係を記憶し、設定電流密度より描画のためのエミッション電流値とフィラメント電力値を算出するための記憶演算部と、
パターンが描画される試料を載置するステージと、
前記試料上の所定の位置に、所定のパターンを形成するために前記荷電粒子ビームを制御する荷電粒子ビーム制御系を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記設定電流密度と、前記検出器により検出される電流密度を比較する判断部を備え、前記判断部は、前記検出器および前記制御部と接続されることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- フィラメント電力によりカソードを加熱することにより放出される電子を、バイアス電圧により集束させ、加速電圧により加速させ、所定のエミッション電流で荷電粒子ビームを試料上に照射することにより描画を行う荷電粒子ビーム描画方法であって、
予め、前記バイアス電圧、前記フィラメント電力、および前記エミッション電流との関係より、前記バイアス電圧が前記フィラメント電力に対して飽和するバイアス飽和点における、前記荷電粒子ビームの電流密度と前記エミッション電流との関係と、前記フィラメント電力と前記エミッション電流との関係を求め、
前記電流密度と前記エミッション電流との前記関係より、設定電流密度に対応する第1のエミッション電流値を求め、
前記フィラメント電力と前記エミッション電流との前記関係より、前記第1のエミッション電流値に対応する第1のフィラメント電力値を求めることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記第1のエミッション電流値および前記第1のフィラメント電力値としたときの電流密度を測定し、
測定された前記電流密度が、前記設定電流密度に達していない場合、前記エミッション電流を第2のエミッション電流値となるように調整し、
前記フィラメント電力と前記エミッション電流との前記関係より、前記第2のエミッション電流値に対応する第2のフィラメント電力値を求めることを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 照射された前記荷電粒子ビームに対するレンズの励磁量を制御することにより、前記電流密度を微調整することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014165075A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Nuflare Technology Inc | カソードの動作温度調整方法、及び描画装置 |
CN104134604A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-11-05 | 北京大学 | 一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法 |
US11562878B2 (en) | 2020-11-19 | 2023-01-24 | Nuflare Technology, Inc. | Method for controlling operation of electron emission source, electron beam writing method, and electron beam writing apparatus |
DE102022211238A1 (de) | 2021-11-16 | 2023-05-17 | Nuflare Technology, Inc. | Verfahren zum Abschätzen von Kathoden-Lebensdauer von Elektronenkanone und Elektronenstrahl-Schreibeinrichtung |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05166481A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Jeol Ltd | 電子銃 |
JPH05283032A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Jeol Ltd | 電子線発生装置 |
JPH08111195A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-04-30 | Fujitsu Ltd | 電子銃のバイアス設定方法及びその装置 |
JP2000021341A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Jeol Ltd | 電子線装置 |
JP2000252186A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Toshiba Corp | 反射型荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2006221983A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子発生装置と荷電粒子発生装置用エミッタ温度決定方法 |
-
2008
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05166481A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Jeol Ltd | 電子銃 |
JPH05283032A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Jeol Ltd | 電子線発生装置 |
JPH08111195A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-04-30 | Fujitsu Ltd | 電子銃のバイアス設定方法及びその装置 |
JP2000021341A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Jeol Ltd | 電子線装置 |
JP2000252186A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Toshiba Corp | 反射型荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2006221983A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子発生装置と荷電粒子発生装置用エミッタ温度決定方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014165075A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Nuflare Technology Inc | カソードの動作温度調整方法、及び描画装置 |
US9082586B2 (en) | 2013-02-26 | 2015-07-14 | Nuflare Technology, Inc. | Cathode operating temperature adjusting method, and writing apparatus |
TWI503857B (zh) * | 2013-02-26 | 2015-10-11 | Nuflare Technology Inc | The action temperature adjustment method of the cathode and the electron beam drawing device |
CN104134604A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-11-05 | 北京大学 | 一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法 |
CN104134604B (zh) * | 2014-04-18 | 2016-10-05 | 北京大学 | 一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法 |
US11562878B2 (en) | 2020-11-19 | 2023-01-24 | Nuflare Technology, Inc. | Method for controlling operation of electron emission source, electron beam writing method, and electron beam writing apparatus |
DE102022211238A1 (de) | 2021-11-16 | 2023-05-17 | Nuflare Technology, Inc. | Verfahren zum Abschätzen von Kathoden-Lebensdauer von Elektronenkanone und Elektronenstrahl-Schreibeinrichtung |
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