JP2010062320A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10と、基板10上に配置された窒化物系化合物半導体層12と、窒化物系化合物半導体層12上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)14からなる活性領域AAと、活性領域AAを互いに素子分離する素子分離領域34と、素子分離領域34によって囲まれた活性領域AA上に配置されたゲート電極24、ソース電極20およびドレイン電極22と、素子分離領域34上に配置され、それぞれゲート電極24,ソース電極20およびドレイン電極22に接続されたゲート端子電極240,ソース端子電極200およびドレイン端子電極220と、ゲート電極24とドレイン端子電極220との間に形成した溝部28とを備える半導体装置およびその製造方法。
【選択図】図1
Description
(素子構造)
本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成は、図1に示すように表される。また、図1のII−II線に沿う模式的断面構造は、図2若しくは図3に示すように表される。図2の例は、非活性領域NAとなる素子分離領域34をイオン注入技術を用いて形成した断面構造であり、図3の例は、非活性領域NAとなる素子分離領域25をメサエッチング技術を用いて形成した断面構造である。
―構造例1―
溝部28は、例えば、図4に示すように、ゲート電極24の先端部において、活性領域AAの一部を含んで形成されている。また、溝部28は、図4に示すように、ゲート電極24とドレイン端子電極220との間の素子分離領域34の一部を含んで形成されている。また、図4に示すように、溝部28内には、ゲート電極24の先端部が延伸して配置されている。
溝部28の側壁は、例えば、図5に示すように、素子分離領域34の側壁部において、段差構造を備えている。段差数は、2段に限らず、2段以上形成されていてもよい。また、半導体側の側壁部において、段差構造を備えていてもよい。
また、溝部は、例えば、図6に示すように、複数個形成されていてもよい。図6の例では、3個の溝部28a,28b,および28cが形成されている。溝部28a,28b,および28cは、図6に示すように、ゲート電極24とドレイン端子電極220との間の素子分離領域34の一部を含んで形成されている。溝部28aと28b内には、絶縁層30が充填されている。一方、溝部28cには、ゲート電極24の先端部において、活性領域AAの一部を含んで形成されている。また、溝部28cには、ゲート電極24の先端部が延伸して配置されている。
また、図7に示すように、溝部28によって、ゲート電極24の先端部とドレイン端子電極220は離隔された構造を備えていてもよい。溝部28内には、絶縁層30が形成されている。
第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板10上に窒化物系化合物半導体層12を形成する工程と、窒化物系化合物半導体層12上に、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)14からなる活性領域AAを形成する工程と、活性領域AAを互いに素子分離する素子分離領域(34,25)を形成する工程と、素子分離領域(34,25)によって囲まれた活性領域AA上にゲート電極24、ソース電極20およびドレイン電極22を形成する工程と、それぞれゲート電極24,ソース電極20およびドレイン電極22に接続されるゲート端子電極240,ソース端子電極200およびドレイン端子電極220を素子分離領域(34,25)上に形成する工程と、ゲート電極24とドレイン端子電極220との間に溝部28を形成する工程とを有する。
(全体素子構造)
第2の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成は、図8に示すように表される。また、図8のA部分の拡大図は、図9に示すように表される。
第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板10上に窒化物系化合物半導体層12を形成する工程と、窒化物系化合物半導体層12上に、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)14からなる活性領域AAを形成する工程と、活性領域AAを互いに素子分離する素子分離領域(34,25)を形成する工程と、素子分離領域(34,25)によって囲まれた活性領域AAの第1表面上に、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極24、ソース電極20およびドレイン電極22を形成する工程と、ゲート電極24、ソース電極20およびドレイン電極22ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極240、ソース端子電極200およびドレイン端子電極220を素子分離領域(34,25)上に形成する工程と、複数のフィンガーを有するゲート電極24とドレイン端子電極220との間に溝部28を形成する工程とを有する。
第2の実施の形態の変形例に係る半導体装置の模式的平面パターン構成は、図10に示すように表される。
上記のように、本発明は第1〜第2の実施の形態およびその変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
12…窒化物系化合物半導体層(GaN層)
14…アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)
20…ソース電極
22a…ソースコンタクト
24…ゲート電極
25,34…素子分離領域
22…ドレイン電極
22a…ドレインコンタクト
28,28a,28b,28c…溝部
30…絶縁層
200…ソース端子電極
220…ドレイン端子電極
240…ゲート端子電極
260…VIAホール
AA…活性領域
NA…非活性領域
Claims (20)
- 基板と、
前記基板上に配置された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)からなる活性領域と、
前記活性領域を互いに素子分離する素子分離領域と、
前記素子分離領域によって囲まれた前記活性領域上に配置されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、
前記素子分離領域上に配置され、それぞれ前記ゲート電極,前記ソース電極および前記ドレイン電極に接続されたゲート端子電極,ソース端子電極およびドレイン端子電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン端子電極との間に形成した溝部と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記溝部は、前記ゲート電極の先端部において、前記活性領域の一部を含んで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溝部は、前記ゲート電極と前記ドレイン端子電極との間の前記素子分離領域の一部を含んで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溝部内には、前記ゲート電極の先端部が延伸して配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溝部の側壁は、段差構造を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溝部は、複数であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溝部は、前記ソース電極および前記ドレイン電極の配列方向にストライプ構造を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溝部によって、前記ゲート電極の先端部と前記ドレイン端子電極は離隔されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板は、SiC基板、GaAs基板、GaN基板、SiC基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、Si基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、SiC基板上にGaN/GaAlNからなるヘテロ接合エピタキシャル層を形成した基板、サファイア基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、サファイア基板若しくはダイヤモンド基板のいずれかを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 基板と、
前記基板上に配置された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)からなる活性領域と、
前記活性領域を互いに素子分離する素子分離領域と、
前記素子分離領域によって囲まれた前記活性領域上に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、
前記素子分離領域上に配置され、前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン端子電極との間に形成した溝部と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記溝部は、前記複数のフィンガーを有する前記ゲート電極の先端部において、前記活性領域の一部を含んで形成されたことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記溝部は、前記複数のフィンガーを有する前記ゲート電極と前記ドレイン端子電極との間の前記素子分離領域の一部を含んで形成されたことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記溝部内には、前記複数のフィンガーを有する前記ゲート電極の先端部が延伸して配置されることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記溝部の側壁は、段差構造を備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記溝部は、複数であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記溝部は、前記複数のフィンガー電極の配列方向に平行なストライプ構造を備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記溝部によって、前記ゲート電極の先端部と前記ドレイン端子電極は離隔されたことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記基板は、SiC基板、GaAs基板、GaN基板、SiC基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、Si基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、SiC基板上にGaN/GaAlNからなるヘテロ接合エピタキシャル層を形成した基板、サファイア基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、サファイア基板若しくはダイヤモンド基板のいずれかを備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 基板上に窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物系化合物半導体層上に、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)からなる活性領域を形成する工程と、
前記活性領域を互いに素子分離する素子分離領域を形成する工程と、
前記素子分離領域によって囲まれた前記活性領域上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
それぞれ前記ゲート電極,前記ソース電極および前記ドレイン電極に接続されるゲート端子電極,ソース端子電極およびドレイン端子電極を前記素子分離領域上に形成する工程と、
前記ゲート電極と前記ドレイン端子電極との間に溝部を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上に窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物系化合物半導体層上に、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)からなる活性領域を形成する工程と、
前記活性領域を互いに素子分離する素子分離領域を形成する工程と、
前記素子分離領域によって囲まれた前記活性領域上に、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極を前記素子分離領域上に形成する工程と、
前記複数のフィンガーを有する前記ゲート電極と前記ドレイン端子電極との間に溝部を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013018301A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP2013123023A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2013251330A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
US10797141B2 (en) | 2016-07-25 | 2020-10-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2023052520A (ja) * | 2018-10-05 | 2023-04-11 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS538572A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-26 | Sony Corp | Field effect type transistor |
JPH05315368A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Sony Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2000164605A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2005159157A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2006066887A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP2006156914A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置の製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS538572A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-26 | Sony Corp | Field effect type transistor |
JPH05315368A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Sony Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2000164605A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2005159157A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2006066887A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP2006156914A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013018301A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US9761670B2 (en) | 2011-07-29 | 2017-09-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device composed of AlGaInN layers with inactive regions |
JP2013123023A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2013251330A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
US10797141B2 (en) | 2016-07-25 | 2020-10-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2023052520A (ja) * | 2018-10-05 | 2023-04-11 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
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