JP2010060580A - 光導波路素子モジュール - Google Patents
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Abstract
光導波路素子の変調電極が有するインピーダンスと、光導波路素子の外部から変調信号を入力する伝送線路のインピーダンスとが異なる場合でも、変調信号の反射を抑制し、かつ、変調信号の減衰を抑制可能な光導波路素子モジュールを提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成される基板1と、該基板に形成された光導波路2と、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極3とを有する光導波路素子と、該変調電極に変調信号を入力する外部信号線が接続されるコネクタ8と、該コネクタと該変調電極とを接続すると共に、中継基板7上に形成された中継線路とを有する光導波路素子モジュールにおいて、該中継線路のインピーダンスが段階的又は連続的に変化し、該光導波路素子モジュール内での該変調信号の反射を抑制することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
これらの光導波路素子では、光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極が設けられ、該変調電極には外部信号線が接続されるコネクタにより変調信号が入力されている。このため、外部信号線から変調電極に効率良く変調信号が入力されるためには、外部信号線と変調電極との間でインピーダンス整合を図り、伝送線路における変調信号の反射を防止することが必要である。
しかしながら、光導波路素子、特に変調電極3のインピーダンスと光導波路素子モジュールの外部の信号線路のインピーダンスが異なる場合には、上述したように変調信号の反射が発生し、変調信号が効率的に変調電極に印加され難くなる。
本発明における「光導波路素子モジュール」とは、光導波路素子に中継線路が接続されているものを意味し、図1に示すように、一つの筐体9内に収容されているものに限られない。また、「中継線路」とは、変調信号を伝搬するだけの単純な信号線路に限らず、フィルタ回路などの変調信号を調整する回路を有する線路も含む。
本発明は、電気光学効果を有する材料で構成される基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子と、該変調電極に変調信号を入力する外部信号線が接続されるコネクタと、該コネクタと該変調電極とを接続すると共に、中継基板上に形成された中継線路とを有する光導波路素子モジュールにおいて、該中継線路のインピーダンスが段階的又は連続的に変化し、該光導波路素子モジュール内での該変調信号の反射を抑制することを特徴とする。
本発明の光導波路素子モジュールは、中継基板7に形成された中継線路のインピーダンスを調整したこと以外は、図1に示すような従来のものと基本的な構造に差異はない。このため、従来の製造工程を大きく変えずに、変調信号の反射や減衰を抑制し、変調電極に効率良く変調信号を印加することが可能となる。
基板1は、電気光学効果を有する基板であり、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、PLZT(ジルコン酸チタン酸鉛ランタン)、及び石英系の材料から構成され、具体的には、これら単結晶材料の、Xカット板、Yカット板、及びZカット板から構成され、特に、光導波路デバイスとして構成されやすく、かつ異方性が大きいという理由から、ニオブ酸リチウム(LN)を用いることが好ましい。
変調電極は、Ti・Auの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより、基板1の表面又は裏面などに形成することが可能である。また、変調電極は、変調信号(AC信号又はDC信号)を伝搬する信号電極3と該信号電極の周囲に配置される接地電極から構成される。
2 光導波路
3 信号電極
4 入力用光ファイバ
5 出力用光ファイバ
6 駆動用ドライバ
7 中継基板
8 コネクタ
9 筐体
11,13 抵抗器
12 コンデンサ
11 電気抵抗(膜体抵抗)
21 信号電極
22 接地電極
23 ベース板
Claims (7)
- 電気光学効果を有する材料で構成される基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子と、
該変調電極に変調信号を入力する外部信号線が接続されるコネクタと、
該コネクタと該変調電極とを接続すると共に、中継基板上に形成された中継線路とを有する光導波路素子モジュールにおいて、
該中継線路のインピーダンスが段階的又は連続的に変化し、該光導波路素子モジュール内での該変調信号の反射を抑制することを特徴とする光導波路素子モジュール。 - 請求項1に記載の光導波路素子モジュールにおいて、該中継線路は信号電極を接地電極で挟むコプレーナ型線路であること特徴とする光導波路素子モジュール。
- 請求項1又は2に記載の光導波路素子モジュールにおいて、該中継線路の長さは、変調信号であるマイクロ波波長の4分の1の整数倍とならない長さであることを特徴とする光導波路素子モジュール。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の光導波路素子モジュールにおいて、該中継線路の長さは、変調信号であるマイクロ波波長の2分の1未満であることを特徴とする光導波路素子モジュール。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の光導波路素子モジュールにおいて、該中継線路のインピーダンスは段階的に変化し、各段階を構成するブロックでの中継線路の長さは変調信号であるマイクロ波波長の4分の1未満であることを特徴とする光導波路素子モジュール。
- 請求項2乃至5のいずれかに記載の光導波路素子モジュールにおいて、該中継線路は、該信号電極と該接地電極とのギャップが、コネクタ側から光導波路素子側に向かって狭くなるように調整されていることを特徴とする光導波路素子モジュール。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の光導波路素子モジュールにおいて、該中継線路の周囲に配置される一部の材料の誘電率が、コネクタ側から光導波路素子側に向かって大きくなるように調整されていることを特徴とする光導波路素子モジュール。
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