JP2010056576A

JP2010056576A - 配線基板及びその製造方法

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Publication number: JP2010056576A
Application number: JP2009277684A
Authority: JP
Inventors: Daizo Baba; 大三馬場
Original assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2009-12-07
Filing date: 2009-12-07
Publication date: 2010-03-11
Anticipated expiration: 2024-04-23
Also published as: JP5010669B2

Abstract

【課題】一つの基板に信号系配線とパワー系配線とを併設すると共に細線化、小型化が可能な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】転写用基材１の一面にパターン状の金属膜２を形成した後、この金属膜２表面の所定位置に金属個片３を接合する。次いで前記転写用基材１の前記金属膜２及び金属個片３を設けた面に仮保持層１３を前記金属膜２及び金属個片３が埋設されるように積層して形成する。次いで転写用基材１を剥離し、前記仮保持層１３の金属膜２が露出する面に絶縁層４を積層して形成した後、仮保持層１３を除去することにより、絶縁層４の同一面側に、金属膜２にて構成される薄肉導体配線７と、互いに接合された金属膜２及び金属個片３にて構成され前記薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６とを形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、電源やアース等に接続されるパワー系配線と、信号系配線とを併設することができる配線基板及びその製造方法に関するものである。

近年、電子機器の高機能化、小型薄型化への要求に伴い、半導体装置等の電子部品は高集積化され、且つ配線基板に高密度に実装されるようになっている。特にパワーエレクトロニクスの分野においては、発熱量の大きい電子部品（例えば、ＬＥＤ）が高密度に実装されることとなるため、配線基板に対しては、微細パターン（ファインパターン）による高密度配線の設計が容易であることが要求される。

ところで、このような配線基板に形成される導体配線としては、制御信号等の授受を行うための信号系配線と、電子部品等へ駆動用の電力を供給するために電源やアース等に接続されるパワー系配線とがある。信号系配線を流れる電流は電流値が小さいために断面積の小さい配線にて形成することができるが、パワー系配線は流れる電流値が大きいために断面積をより大きくしなければならない。

このため、信号系配線とパワー系配線とを一つの基板に併設する場合には、パワー系配線の幅をより広く形成したり、導体配線の厚みを厚くしてパワー系配線を幅狭に形成しても大電流を導通可能としたり、或いは基板を多層化して信号系配線とパワー系配線とを別の層に形成したりすることが行われていた（特許文献１参照）。

しかし、パワー系配線の幅を広くすると導体配線の細線化に逆行し、基板面積が大型化するという問題がある。また導体配線の厚みを厚くすると、エッチングにより導体配線を形成する場合にサイドエッチ量が大きくなり、エッチング時の導体配線とレジストとの間の密着面積が小さくなってレジスト剥離が生じるなどの問題がある。また基板の多層化は基板厚みの増大を招いてしまうものである。

特開平０５−１８３２７１号公報

本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、一つの基板に信号系配線とパワー系配線とを併設すると共に細線化、小型化が可能な配線基板及びその製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明に係る配線基板の製造方法は、転写用基材１の一面にパターン状の金属膜２を形成した後、この金属膜２表面の所定位置に金属個片３を接合し、次いで前記転写用基材１の前記金属膜２及び金属個片３を設けた面に仮保持層１３を前記金属膜２及び金属個片３が埋設されるように積層して形成し、次いで転写用基材１を剥離し、前記仮保持層１３の金属膜２が露出する面に絶縁層４を積層して形成した後、仮保持層１３を除去することにより、絶縁層４の同一面側に、金属膜２にて構成される薄肉導体配線７と、互いに接合された金属膜２及び金属個片３にて構成され前記薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６とを形成することを特徴とするものである。このようにすると、絶縁層４の同一面側に、前記導体配線として、薄肉導体配線７と、前記薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６とが積層して設けられた配線基板を製造することができ、且つこの配線基板においては、薄肉導体配線７を信号系配線として形成すると共に、厚肉導体配線６を大電流を導通可能としてパワー系配線として形成することができ、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することが可能となる。

この配線基板においては、上記薄肉導体配線７の厚みを５０μｍ以下に形成すると共に、上記厚肉導体配線６の厚みを３００μｍ以上に形成することが好ましい。これにより薄肉導体配線７を十分に微細化して信号系配線として形成すると共に、厚肉導体配線６が大電流が導通可能であり且つ放熱性の高いパワー系配線として形成することが可能となり、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することが可能となる。

また、この配線基板に、電子部品１０が搭載される金属製の電子部品搭載部８を設けることも好ましく、このようにすると、発熱量の大きいＬＥＤ等の発光素子、パワーＩＣ、パワーコンデンサ等を電子部品搭載部８に搭載することで、これらの電子部品１０からの発熱を効率よく放熱することができる。

また、電子部品搭載部８として、厚肉導体配線６を兼ねるものを設けることも好ましい。この厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８は、電子部品１０が搭載されると共にこの電子部品１０と電気的に接続することができ、電子部品１０が搭載される箇所を導体配線を形成するために利用することができて、配線密度をさらに向上して配線基板の更なる小型化を達成することができるものである。

また、電子部品搭載部８にその露出面側に開口する凹所１５を設けると共にこの凹所１５の内面に電子部品１０として発光部品１０ａが搭載される配置部１７と、配置部１７に搭載された発光部品１０ａからの発光を反射する反射面１６とを形成しても良い。このような電子部品搭載部８の配置部１７に発光部品１０ａを搭載すると、発光部品１０ａからの発光が反射面１６に到達した際にその大部分が反射されることとなり、これにより発光部品１０ａの発光輝度を向上することができる。また金属は光による劣化が少ないことから、耐久性の高い反射面１６が形成される。また、発光部品１０ａとして特にＵＶ光（紫外線）を発するＬＥＤ等を用いる場合では、ＵＶ光を反射面１６にて反射させることでこのＵＶ光が絶縁層４に照射されることを防ぐことができ、絶縁層４がＵＶ光によって絶縁特性の低下等のような劣化が生じることを防ぐことができ、またこの絶縁層４を形成するために耐ＵＶ性の高い特殊な成形材料を用いるような必要もなくなるものである。

また、上記凹所１５の反射面１６には銀皮膜を設けることが好ましく、このようにすると反射面１６における光の反射率を向上し、発光部品１０ａの発光輝度をさらに向上することができる。

また、上記絶縁層４の、上記導体配線とは反対側の面に、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、及び少なくともこれらのうち１種以上のものを含む合金、並びに銅インバー銅の複層材から選ばれた金属材料にて形成されるヒートシンク材５を積層して設けても良く、これにより放熱性の向上を図ることができる。

本発明によれば、一つの基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設すると共に、これらの配線の細線化を図ることができ、これにより配線基板の小型化が可能なものである。

本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）から（ｃ）は概略の断面図である。本発明の実施の形態の一例における、図１に続く工程を示すものであり、（ａ）から（ｃ）は概略の断面図である。参考形態の一例を示すものであり、（ａ）から（ｄ）は概略の断面図である。参考形態の一例における、図３に続く工程を示すものであり、（ａ）から（ｄ）は概略の断面図である。参考形態の他例を示すものであり、（ａ）（ｂ）は概略の断面図である。参考形態に係る配線基板の例を示すものであり、（ａ）から（ｄ）は概略の断面図である。

以下、本発明をその実施をするための最良の形態に基づいて説明する。

図３，４は、参考形態に係る配線基板をフラッシュ配線基板として形成する場合の、製造工程の一例を示すものである。

図示のものでは、まず図３（ａ）に示すように、転写用基材１の一面にパターン状の金属膜２を形成する。この転写用基材１としては例えばステンレス製の板材を用いることができる。この転写用基材１には金属膜２との密着強度の調整のための表面処理を施しておくことが好ましく、例えば転写用基材１に対して、金属膜２が形成される面に、硝酸とフッ酸との混酸や、あるいは塩化第二鉄溶液、これに銅、塩酸等を含有させたもの等のエッチング液によりソフトエッチング処理を施すなどの化学研磨による粗化処理を施して転写用基材１と金属膜２との間の密着強度を調整することが好ましい。

上記表面処理による密着強度の調整は、後述する金属個片３の接合工程や絶縁層４の形成工程等の後工程において転写用基材１と金属膜２や絶縁層４との間に剥離が発生せず、また転写用基材１を絶縁層４及び金属膜２から剥離する際には容易に剥離することができる程度となるようにする。その処理の程度は、金属膜２や絶縁層４の材質、形成方法、その他の具体的な後処理の処理条件などによって異なり、適宜調整されるべきものであるが、例えばステンレス製の厚み２０〜１５０μｍの転写用基材１に対して塩化鉄溶液等により粗化処理を施すことにより、例えば厚み３５μｍのめっき被膜により金属膜２を形成する場合に、転写用基材１の表面粗度Ｒａが０．３〜１．０μｍの範囲となるようにするなどして、転写用基材１と金属膜２との間のピール強度が５０〜２００ｇ／ｍ（０．４９〜１．９６Ｎ／ｍ）の範囲となるようにすると、上記のような特性を発揮させることができる。

上記の金属膜２は銅等の適宜の金属にて形成することができ、転写用基材１へのパターン状の金属膜２の形成は、めっき法により行うことができる。この金属膜２は、所望の薄肉導体配線７と厚肉導体配線６のパターン形状に形成されるものであり、また必要に応じて電子部品１０の搭載箇所に相当する位置（電子部品搭載部８）にも金属膜２を形成するものである。金属膜２の薄肉導体配線７と厚肉導体配線６に相当する部分はファインパターンに形成することが好ましく、例えば薄肉導体配線７のライン幅は２０〜２００μｍ、厚肉導体配線６のライン幅は５００〜５０００μｍの範囲に形成し、スペース幅は２０〜１０００μｍの範囲に形成することが好ましい。またこの金属膜２の厚みは５〜３５μｍの範囲に形成することが好ましい。また、電子部品１０の搭載箇所に後述する電子部品搭載部８を形成する場合には、この電子部品１０の搭載箇所にも金属膜２を、搭載される電子部品１０の寸法に応じた所望の電子部品搭載部８の寸法に形成する。

次に、図３（ｂ）に示すように、上記金属膜２のうち、厚肉導体配線６に相当する部位に金属個片３を接合して積層配置する。金属個片３は適宜の金属によって、平面視形状が厚肉導体配線６のパターン形状と合致するように形成される。金属個片３は、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、及び少なくともこれらのうち１種以上のものを含む合金、並びに銅インバー銅の複層材（銅、各種インバー合金、銅をこの順に積層成形して得られるクラッド材）から選ばれた金属材料にて形成することができ、この場合、必要に応じて熱伝導性の向上、反射率の向上、軽量化等の目的に応じた材料を選択することができる。金属個片３の配置位置及び配置個数は、厚肉導体配線６のパターン形状に依存するものであり、必要に応じて一個又は複数個の金属個片３が配置される。また、電子部品搭載部８を形成する場合には、金属膜２における電子部品搭載部８に相当する箇所にも、電子部品搭載部８を形成するための金属個片３を接合して積層配置する。また、このような金属個片３を複数個設ける場合には、必要に応じて互いに厚みの異なる金属個片３を設けることができる。これらの金属個片３の厚みは適宜調整されるが、厚肉導体配線６を形成するための金属個片３の厚みは３００μｍ〜３ｍｍの範囲とすることが好ましく、また電子部品搭載部８を形成するための金属個片３の厚みは５００μｍ〜５ｍｍの範囲とすることが好ましい。

金属個片３を金属膜２に積層配置する手法は適宜選択できるが、好ましくは半田等の低融点金属（合金）を介して溶着する。この場合、転写用基材１を金属膜２が上面側に位置するように配置した状態で、各金属個片３を半田等の低融点金属を介して金属膜２上の所定の位置に配置し、この状態でリフロー加熱することで、複数の金属個片３を一括して金属膜２上に密着するように積層配置することができる。また、このようなリフロー処理にて金属個片３を積層配置すると、金属個片３は、その形状と合致する形状の金属膜２上に、溶融した半田の表面張力によって位置決めして配置され、この状態で半田を介して金属膜２と密着して積層されるものであり、このため金属個片３を正確に位置決めして配置することができる。

このようなリフロー処理を行う場合の処理条件は適宜設定されるが、例えば低融点金属として共晶半田を用いる場合は２２０〜２８０℃で２０〜４０秒間加熱することができる。ここで、転写用基材１として予めその表面に上記のような密着性調整のための表面処理をしたものを用いれば、リフロー処理における加熱により転写用基材１と金属膜２とが剥離することを防止することができる。

金属個片３の積層配置は、上記のような低融点金属による溶着を用いたものに限られず、適宜の手法を用いることができる。例えば金属個片３をアルミニウムにて形成する場合には、そのままでは半田実装が出来ないので、表面処理したものを使うか、半田実装以外の接合方法、例えばペースト材料、各種接着剤等により接合させることができる。

また、金属膜２と金属個片３の各接合面にそれぞれ予め金被膜を形成しておけば、いわゆる金−金接合により金属膜２に金属個片３を接合することができる。すなわち、例えば金被膜を有する金属膜２に金被膜を有する金属個片３を直接重ねた状態で、加熱処理を施したり超音波振動を加えたりすることにより、接合面同士を溶着することができるものである。金被膜を形成するにあたっては、金属膜２と金属個片３とを接合する前に、例えば金属膜２と金属個片３の各接合面の最外面に、それぞれめっき処理等により金被膜を形成しておくようにすることができる。尚、このように金被膜を形成する場合には、まずめっき法等によりニッケル被膜を形成した後に、金被膜を形成するようにしても良い。

また、必要に応じて、上記金属膜２と電気的に接続するように電子部品１１を搭載する。電子部品１１としてはチップコンデンサやチップ抵抗等のチップ部品などを用いることができ、これらの電子部品１１は、通常は薄肉導体配線７に相当する金属膜２に電気的に接続するように搭載する。この場合、例えば転写用基材１を金属膜２が上面側に位置するように配置した状態で、電子部品１１を半田等の低融点金属を介して金属膜２上の所定の位置に配置し、この状態でリフロー加熱することで、電子部品１１を搭載することができる。

上記の金属個片３の積層配置と電子部品１１の搭載とを行う場合には、この金属個片３の積層配置と電子部品１１の搭載とを半田リフロー処理により一括して行うことができる。すなわち、転写用基材１を金属膜２が上面側に位置するように配置した状態で、金属個片３と電子部品１１とを半田等の低融点金属を介して金属膜２上の所定の位置に配置し、この状態でリフロー加熱することで、金属個片３を積層配置すると同時に電子部品１１を搭載することができるものである。

次に、図３（ｃ）（ｄ）に示すように、転写用基材１の金属膜２が形成されている面に絶縁層４を積層して形成すると共に、この絶縁層４に上記金属膜２、金属個片３、及び電子部品１１を設けている場合には電子部品１１を埋設する。

上記絶縁層４は適宜の熱硬化性樹脂組成物や熱可塑性樹脂組成物等のような成形材料を用いて形成することができる。これらの組成物としては、フィラーを含有しないものを用いてもよいが、成形時の流動性の調整や形成される絶縁層４の熱伝導性の向上を図るためには無機フィラーを含有するものを用いることが好ましい。このような組成物は、配線基板の絶縁層４形成に適用可能な適宜の熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂に必要に応じて公知の無機フィラー、硬化剤、硬化促進剤、溶剤、表面処理剤、顔料などを添加することによって、調製することができる。

特に成形材料として熱硬化性樹脂組成物を用いる場合は、主成分となる熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等を用いることができ、また、難燃性を付与するため臭素化された樹脂やリン変性された樹脂を用いることもできる。なお、添加型難燃剤を使用すると絶縁層４の耐熱性や機械的強度の低下を招くおそれがあるが、耐熱性等に影響が出ない程度であれば上記難燃剤を熱硬化性樹脂に添加して使用してもよい。

また、成形材料として熱硬化性樹脂組成物を用いる場合に無機フィラーを高充填することが好ましい。このように無機フィラーを高充填することによって、絶縁層４の熱伝導性をさらに高めることができ、電子部品１０からの発熱をより効率よく放散させることができると共に、絶縁層４の熱膨張係数が金属膜２や金属個片３の熱膨張係数に近付き、配線基板の熱的な信頼性を向上させることができるものである。

上記の無機フィラーとしては、特に限定されるものではないが、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＯ₂から選ばれるものを用いるのが好ましい。これらの無機フィラーは、その他の無機フィラーよりも熱伝導性に優れている上に、粒度分布に自由度があり、高充填化するための粒度設計を容易に行うことができるからである。なお、無機フィラーの熱硬化性樹脂への分散性を向上させるため、カップリング剤や分散剤等を併用するのが好ましい。

成形材料の形態は、特に限定されるものではないが、特に図示のようにシート状の成形材料１４を用いると、薄くて均一な厚みの絶縁層４を容易に形成することができる。シート状の成形材料１４を用いる場合には、具体的には、ＰＥＴフィルム等のような基体に成形材料を塗布してＢステージ状態とすることにより得られる接着フィルム（樹脂シート）や、ガラス布等の基材に成形材料を含浸した後Ｂステージ状態とすることにより得られるプリプレグ等を用いることができる。このようなシート状の成形材料１４を用いて絶縁層４を形成する場合には、例えばエポキシ樹脂組成物等のような熱硬化性樹脂組成物にて形成した樹脂シートやプリプレグ等のシート状の成形材料１４を用い、転写用基材１の金属膜２を形成した面に前記のようなシート状の成形材料１４を一枚又は複数枚積層し、加熱加圧して成形硬化することで絶縁層４を形成することができる。このとき加熱により溶融したシート状の成形材料１４が金属膜２等の形状に沿って流動し、金属膜２等が埋設されるものである。

また、成形材料として、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂に必要に応じて公知の無機フィラー、硬化剤、硬化促進剤、溶剤、表面処理剤、顔料などを添加し、混練機等を用いてスラリー化したペースト状の樹脂組成物を用いることもできる。この場合、このペースト状の樹脂組成物を、転写用基材１の金属膜２を形成した面に印刷塗布し、必要に応じて硬化成形することで絶縁層４を形成することができる。

上記絶縁層４の厚みは、金属膜２の厚み、金属個片３の厚み、及び電子部品１０を搭載する場合はこの電子部品１０の厚みに応じて、これらの金属膜２、金属個片３、電子部品１０が絶縁層４に埋設されるように適宜調整される。このときシート状の成形材料１４を用いる場合は、シート状の成形材料１４の厚みに応じて、絶縁層４が所望の厚みになるように適宜の枚数のシート状の成形材料１４を用いて絶縁層４を形成する。また、特にこの絶縁層４の金属膜２が設けられている側とは反対側の表面と、絶縁層４に埋設されている金属個片３の金属膜２が設けられている側とは反対側の表面との間の寸法は、４０μｍ以上となるようにすることが好ましく、この厚みが４０μｍ未満であると絶縁層４に混入した気泡や金属個片３等の表面の微細な突起により絶縁不良が発生する可能性が高くなる。また、この寸法を１５０μｍ以下とすることで金属個片３にて形成される厚肉導体配線６や電子部品搭載部８からの放熱性を特に向上することができるものであり、この寸法が１５０μｍを超えると、特に電子部品搭載部８を構成する金属個片３の場合では放熱特性が低下し電子部品１０の発熱を十分に抑制することが困難となる。

上記のような絶縁層４の形成は絶縁層４内における気泡発生を抑制するために真空下又は減圧雰囲気下で行うことが好ましく、例えば１．３３ｋＰａ（１０ｔｏｒｒ）以下の圧力下で行うようにする。

また、上記絶縁層４には、図示のように、金属膜２が形成されている側とは反対側の面に、ヒートシンク材５を積層して設けることができる。ヒートシンク材５は適宜の金属材料にて形成することができるが、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、及び少なくともこれらのうち１種以上のものを含む合金、並びに銅インバー銅の複層材から選ばれた金属材料にて形成することができ、この場合、必要に応じて熱伝導性の向上、反射率の向上、軽量化等の目的に応じた材料を選択することができる。このヒートシンク材５は、例えば平板状に形成し、これを絶縁層４の金属膜２が形成されている側とは反対側の面に全面に亘って密着して積層成形することができる。また、発熱量の大きい電子部品１０が搭載される電子部品搭載部８に相当する部位にのみヒートシンク材５を設けるようにしても良い。このヒートシンク材５の厚みは適宜調整されるが、０．５〜１０ｍｍの範囲に形成することが好ましい。

また、上記のヒートシンク材５には放熱フィン１８（図６（ｄ）、図２参照）を設けることで放熱性を更に向上することも好ましい。このとき、ヒートシンク材５を構成する金属板に放熱フィン１８を接合すると共に放熱グリース等を塗って熱的に接合させても良いが、両者の間に隙間が生じることにより放熱性が低下したり、またコストが高くなったりするおそれがある。そこで、ヒートシンク材５として放熱フィン１８を一体に形成したものを用いることが好ましく、これにより高い放熱性を発揮させると共に、厚みの増大を抑制して更なる小型化を図ることができ、また放熱フィン１８のための別部品を不要とすると共に接合作業を行う手間を省くすることができて製造コストの抑制も図ることができる。

ヒートシンク材５を設ける場合には、適宜の手法を用いることができるが、例えば図３（ｃ）（ｄ）に示すように、絶縁層４を形成する際に同時にヒートシンク材５と絶縁層４とを一体に密着して積層成形することができる。例えば上記のように絶縁層４をシート状の成形材料１４にて形成する場合には、転写用基材１の金属膜２を形成した面に前記のようなシート状の成形材料１４を一枚又は複数枚積層すると共に、更に転写用基材１とは反対側にヒートシンク材５を積層して重ね、この状態で成形材料を硬化成形することにより絶縁層４を形成すると共に、この絶縁層４に対してヒートシンク材５を密着して積層成形することができる。

次に、転写用基材１を絶縁層４及び金属膜２の表面から剥離して除去することにより、図４（ａ）のような配線基板が得られる。転写用基材１の剥離は適宜の手法で行うことができるが、例えば転写用基材１を撓らせながら絶縁層４の端部から引き剥がすことにより行うことができる。

このようにして形成される配線基板は、金属膜２のみからなる薄肉導体配線７が絶縁層４の一面側に露出するように埋設して形成されており、また互いに接合された金属膜２と金属個片３とが積層してなる厚肉導体配線６が絶縁層４の前記一面側に露出するように埋設して形成されている。すなわち、薄肉導体配線７と、薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６という、厚みの異なる導体配線が、絶縁層４の同一面側に露出するように形成されるものである。また必要に応じて互いに接合された金属膜２と金属個片３とが積層してなる電子部品搭載部８も絶縁層４の前記一面側に露出するように埋設して形成されている。また、必要に応じて前記薄肉導体配線７の所定位置と電気的に接続されたチップ抵抗やチップコンデンサ等の電子部品１１が絶縁層４に埋設して設けられている。また、ヒートシンク材５を設ける場合には、絶縁層４の、薄肉導体配線７等が露出する面とは反対側の面にヒートシンク材５が積層して設けられている。

また、厚肉導体配線６については、図４（ｂ）（ｃ）に示すように金属膜２を除去することにより金属個片３のみで構成しても良い。例えば配線基板上に薄肉導体配線７を覆うようにレジスト膜１２を形成すると共に、厚肉導体配線６は露出させ、この状態でエッチング処理を施した後、前記レジスト膜１２を剥離することにより、厚肉導体配線６における金属膜２（半田等の低融点金属にて溶着している場合には更にこの低融点金属）を除去し、これにより厚肉導体配線６を金属個片３のみで構成することができる。この場合、厚肉導体配線６の表面は、絶縁層４の表面よりも除去された金属膜２の厚みの分だけ内奥側に一段下がった位置に形成されることとなり、これにより配線基板の表面には、厚肉導体配線６の形成位置に凹部９が形成されると共に、この凹部９の底面に厚肉導体配線６の表面が露出するようになる。このような凹部９を形成すると、厚肉導体配線６の両側に突出した絶縁層４によって絶縁障壁が形成され、非常に高い絶縁信頼性を得ることができる。また厚肉導体配線６において半田接続を行う場合には、厚肉導体配線６の両側に突出した絶縁層４によって半田の流出を堰き止めることができ、これによってショートサーキットを防止することができるものである。

また、金属個片３と金属膜２とで構成される電子部品搭載部８を形成する場合には、厚肉導体配線６の場合と同様にして金属膜２を除去することで、電子部品搭載部８を金属個片３のみで構成することもできる。この場合、例えば配線基板上に薄肉導体配線７を覆うようにレジスト膜１２を形成すると共に、厚肉導体配線６と電子部品搭載部８とを露出させ、この状態でエッチング処理を施すことにより厚肉導体配線６と電子部品搭載部８における金属膜２（半田等の低融点金属にて溶着している場合には更にこの低融点金属）を同時に除去した後、前記レジスト膜１２を剥離することができる。この場合、電子部品搭載部８の表面も、絶縁層４の表面よりも除去された金属膜２の厚みの分だけ内奥側に一段下がった位置に形成されることとなり、これにより配線基板の表面には、電子部品搭載部８の形成位置に凹部９が形成されると共にこの凹部９の底面に電子部品搭載部８の表面が露出することとなる。

このように形成される薄肉導体配線７、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面には、必要に応じてその一部又は全部に、めっき処理等により金被膜を形成することでワイヤボンディング性の向上等を図ることができ、またこのときまずニッケル被膜を形成した後に金被膜を形成することで、ニッケル被膜により耐食性、耐久性の向上を図ることもできる。

また、金属個片３を金属膜２に接合する前に、予め金属個片３の金属膜２との接合面にめっき法等により金被膜（あるいはニッケル被膜及び金被膜）を形成しておけば、絶縁層４形成後にめっき処理等を施すことなく、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面に金被膜（あるいはニッケル被膜及び金被膜）が形成された状態とすることもできる。また、金属個片３を金属膜２に接合する前に、予め金属膜２の金属個片３との接合面にめっき法等により金被膜（あるいはニッケル被膜及び金被膜）を設けておけば、上記のように金属膜２を除去した際に金属個片３の露出面に金被膜が残存し、これにより絶縁層４形成後にめっき処理等を施すことなく、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面に金被膜が形成された状態とすることもできる。また、上記のように金属個片３と金属膜２とを金−金接合により接合する場合には、上記のように金属膜２を除去した際に、やはり金属個片３の露出面に金被膜が残存し、これにより絶縁層４形成後にめっき処理等を施すことなく、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面に金被膜が形成された状態とすることもできる。

ここで、上記配線基板は多数個取りで形成することができ、この場合はルータ等を用いて配線基板を切断して個片化することができる。

このように形成された配線基板には、電子部品１０をバンプ接続やワイヤボンディング接続等により薄肉導体配線７や厚肉導体配線６に電気的に接続して実装することができる。このとき電子部品搭載部８を形成している場合には、パワートランジスタやＬＥＤ等のように発熱量の大きい電子部品１０については、図４（ｄ）に示すように、電子部品搭載部８の表面にダイボンディングするなどして搭載すると共に、ワイヤボンディング等にて薄肉導体配線７や厚肉導体配線６に電気的に接続して実装することができる。

ここで、電子部品搭載部８は、厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成することもできる。この場合、例えば電子部品搭載部８に搭載された電子部品１０をワイヤボンディング接続等により、この電子部品１０が搭載されている電子部品搭載部８（兼厚肉導体配線６）と電気的に接続することができる。このような電子部品搭載部８を厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成する場合は、電子部品搭載部８の露出面の最外層に金被膜を形成するなどして、この面にワイヤボンディングによりワイヤを接続することができる。

また、上記のような電子部品搭載部８には、電子部品１０として特にＬＥＤ等の光電変換素子のような発光部品１０ａを搭載する場合、図５（ａ）に示すように、座ぐり加工を施すなどしてその露出面側に開口する凹所１５を形成しても良い。この凹所１５は、その底面が電子部品１０が配置される配置部１７として形成し、この内面を反射面１６として形成することができる。反射面１６を形成する場合は、例えば凹所１５の内側面に、凹所１５の開口側ほど外側方に向かうように傾斜する反射面１６を形成することができる。このような電子部品搭載部８の配置部１７に図５（ｂ）に示すように発光部品１０ａを搭載すると、金属製の電子部品搭載部８の表面からなる反射面１６は光の反射率が非常に高いことから、発光部品１０ａからの発光が反射面１６に到達するとその大部分が反射されることとなり、これにより発光部品１０ａの発光輝度を向上することができる。また金属は光による劣化が少ないことから、耐久性の高い反射面１６が形成されるものである。また、発光部品１０ａとして特にＵＶ光（紫外線）を発するＬＥＤ等を用いる場合では、ＵＶ光を反射面１６にて反射させることでこのＵＶ光が絶縁層４の照射されることを防ぐことができ、絶縁層４がＵＶ光によって絶縁特性の低下等のような劣化が生じることを防ぐことができ、またこの絶縁層４を形成するために耐ＵＶ性の高い特殊な成形材料を用いるような必要もなくなるものである。

更に、上記凹所１５に発光部品１０ａを搭載すると共にこの凹所１５に蛍光剤を含有する封止材を充填すると、発光部品１０ａからのＵＶ光等の発光により蛍光剤を励起させて、この蛍光剤も発光させ、更なる高輝度化を達成することもでき、近年ＬＥＤ業界において検討されているＵＶ発光による高輝度化にも十分対応することができる。この場合、封止材として透明なものを用いれば、反射面１６としての機能が損なわれることなく、蛍光発光による発光輝度の更なる向上を達成することができる。

また、上記の凹所１５の内面、特に反射面１６にめっき処理により銀被膜を形成しておくと、反射面１６における光の反射量が増大し、更なる発光輝度の向上を達成することができる。

また、上記のような凹所１５を形成しない場合でも、電子部品搭載部８にＬＥＤ等の発光部品１０ａを搭載した後、この発光部品１０ａの周囲に反射鏡を取り付けることで、発光輝度の向上や絶縁層４のＵＶ光による劣化抑制を図るようにしても良い。

また、このような凹所１５を有する電子部品搭載部８に発光部品１０ａ等の電子部品１０を搭載する場合においても、この電子部品搭載部８を厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成することができる。この場合も、例えば電子部品搭載部８に搭載された電子部品１０をワイヤボンディング接続等により、この電子部品１０が搭載されている電子部品搭載部８（兼厚肉導体配線６）と電気的に接続することができる。このような凹所１５を有する電子部品搭載部８を厚肉導体配線６を兼ねる配線として形成する場合は、電子部品搭載部８の露出面のうち、凹所１５の外側方に位置する面の最外層に金被膜を形成するなどして、この面にワイヤボンディングによりワイヤを接続することができる。

上記のように形成される配線基板は、絶縁層４の同一面側に薄肉導体配線７と厚肉導体配線６とが併設されているものであり、また厚肉導体配線６は薄肉導体配線７よりも厚みが厚く形成されているために、厚肉導体配線６の面積を大きくすることなく十分な大電流を導通させることが可能となる。これにより、薄肉導体配線７を信号系配線として形成すると共に、厚肉導体配線６を大電流を導通可能としてパワー系配線として形成することができ、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することが可能となり、且つ信号系配線とパワー系配線とが併設されていても細線化が可能となって、配線基板の小型化を図ることができる。また、電子部品搭載部８に発熱量の大きい電子部品１０を搭載すると、電子部品１０からの発熱を電子部品搭載部８に速やかに伝達させることができて、放熱性を向上することができるものである。

このとき上記の薄肉導体配線７はその厚みが好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは５〜３５μｍの範囲となるように形成するものであり、また、厚肉導体配線６はその厚みが好ましくは３００μｍ以上、特に好ましくは３００μｍ〜３ｍｍの範囲となるように形成する。このようにすると、薄肉導体配線７を信号系配線として形成すると共にその配線の微細化（ファインパターン化）が可能となるものであり、また厚肉導体配線６は大電流が導通可能であり且つ放熱性の高いパワー系配線として形成することができると共にこのパワー系配線の面積やライン幅の増大を抑制して、配線の微細化に寄与することができるものである。

また、電子部品搭載部８を設ける場合には、その厚みは５００μｍ〜５ｍｍの範囲となるように形成することが好ましく、この場合、電子部品搭載部８に大きな熱容量を付与することができて電子部品搭載部８にダイボンディング等で直付けにより搭載された電子部品１０から発せられる熱を速やかに電子部品搭載部８に搭載すると共に、この熱を電子部品１０の搭載面とは反対側の面に向けて速やかに伝達することができて、特に優れた放熱性を発揮するようになり、またこの電子部品搭載部８が絶縁層４で覆われることで優れた絶縁性を発揮する。また電子部品搭載部８の平面視寸法は、搭載される電子部品１０の寸法に応じて適宜調整されるが、電子部品１０からの発熱は理論的には下方に向けて４５度の方向へ拡散するので、この熱が拡散する領域が電子部品搭載部８の内側に収まるような寸法に形成することが好ましい。電子部品搭載部８の平面視寸法はこれよりも更に大きくしても良いが、電子部品搭載部８の増大に比して放熱性の増大はそれほど見込まれず、また基板面積の増大により配線基板の小型化を損ねたり、コストの増大を招いたりする場合がある。

図６は、本参考形態にて作製することができる配線基板の例を示す。

図６（ａ）に示すものでは、絶縁層４に金属膜２が埋設されると共にこの金属膜２が絶縁層４の一面側で露出するようになっており、この金属膜２の所定の部位には、金属個片３が接合されると共にこの金属個片３は絶縁層４内に埋設されている。これにより、金属膜２のみからなる薄肉導体配線７が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の一面側に露出するように形成され、また金属膜２と金属個片３とが接合して構成された厚肉導体配線６が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の前記一面側に露出するように形成される。また金属膜２と金属個片３とが接合して構成された電子部品搭載部８も絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の前記一面側に露出するように形成されている。

また、図６（ｂ）に示すものでは、絶縁層４に金属膜２と金属個片３とが埋設されると共にこの金属膜２と金属個片３とが絶縁層４の一面側で露出するようになっている。これにより、金属膜２のみからなる薄肉導体配線７が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の一面側に露出するように形成され、また金属個片３のみから構成された厚肉導体配線６が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の前記一面側に露出するように形成される。また金属個片３のみから構成された電子部品搭載部８も絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の前記一面側に露出するように形成されている。また、絶縁層４には前記一面側に開口する複数の凹部９が設けられていると共に、この凹部９の底面において前記厚肉導体配線６と電子部品搭載部８とが露出するように形成されている。

また、絶縁層４には、薄肉導体配線７、厚肉導体配線６及び電子部品搭載部８が露出する面とは反対側の面に、ヒートシンク材５が積層して設けられている。

このように形成される配線基板では、電子部品搭載部８が設けられている共に、更にヒートシンク材５が設けられていることから、高い放熱性を有するものであり、特に電子部品搭載部８に発熱量の大きい電子部品１０を搭載した場合、電子部品１０から発せられた熱が速やかに電子部品搭載部８に伝達され、更にこの熱がヒートシンク材５に伝達されて放熱されることとなり、非常に高い放熱性を有することになる。また、凹部９の底面に厚肉導体配線６と電子部品搭載部８が露出することから、厚肉導体配線６と電子部品搭載部８の両側に突出した絶縁層４によって絶縁障壁が形成されて高い絶縁信頼性が得られ、また厚肉導体配線６において半田接続を行う場合には、厚肉導体配線６の両側に突出した絶縁層４によって半田の流出を堰き止めることができ、これによってショートサーキットを防止することができる。

また、図６（ｃ）に示す配線基板は、図６（ｂ）に示すタイプの配線基板に電子部品１０を実装したものであり、電子部品搭載部８には、パワートランジスタやパワーＩＣ等のような発熱量の大きい電子部品１０がダイボンディングされて搭載されており、薄肉導体配線７や厚肉導体配線６とワイヤボンディング等により接続されている。また薄肉導体配線７に対してＩＣ等の電子部品１０がバンプ接続（表面実装）により実装されている。また厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８も形成されており、パワートランジスタ等の電子部品１０を電源やアースに接続する場合などに、この電子部品１０を厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８に搭載すると共にワイヤボンディング接続等により、この電子部品搭載部８と電気的に接続することができる。

また、図６（ｄ）に示すものでは、絶縁層４に金属膜２と金属個片３とが埋設されると共にこの金属膜２と金属個片３とが絶縁層４の一面側で露出するようになっている。これにより、金属膜２のみからなる薄肉導体配線７が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の一面側に露出するように形成され、また金属個片３のみから構成された電子部品搭載部８が絶縁層４に埋設されると共に絶縁層４の前記一面側に露出するように形成される。また、この配線基板には前記一面側に開口する複数の凹部９が設けられていると共に、この凹部９の底面において前記電子部品搭載部８が露出するように形成されている。またこの電子部品搭載部８には、その露出面側に開口する凹所１５が設けられており、この凹所１５は底面が電子部品１０が配置される配置部１７として形成され、この内面が反射面１６として形成されており、前記配置部１７には電子部品１０としてＬＥＤ等の発光部品１０ａが搭載されている。また電子部品搭載部８は厚肉導体配線６を兼用するものとして形成されており、各電子部品１０は、ワイヤボンディングにより薄肉導体配線７とこの電子部品１０が搭載されている電子部品搭載部８（兼厚肉導体配線６）とに電気的に接続されている。また、この電子部品搭載部８と薄肉導体配線７との間もワイヤボンディングにより電気的に接続されている。また絶縁層４の薄肉導体配線７及び電子部品搭載部８が露出する面とは反対側の面には、放熱フィン１８を有するヒートシンク材５が積層して設けられている。

このように構成される配線基板では、電子部品搭載部８が設けられている共に、更に放熱フィン１８を有するヒートシンク材５が設けられていることから、高い放熱性を有するものであり、特に電子部品搭載部８に発熱量の大きい電子部品１０を搭載した場合、電子部品１０から発せられた熱が速やかに電子部品搭載部８に伝達され、更にこの熱がヒートシンク材５に伝達されて放熱フィン１８から放熱されることとなり、非常に高い放熱性を有することになる。また、凹部９の底面に厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８が露出することから、電子部品搭載部８の両側に突出した絶縁層４によって絶縁障壁が形成されて高い絶縁信頼性が得られ、また厚肉導体配線６を兼ねる電子部品搭載部８において半田接続を行う場合には、電子部品搭載部８の両側に突出した絶縁層４によって半田の流出を堰き止めることができ、これによってショートサーキットを防止することができる。また、電子部品搭載部８に電子部品１０として発光部品１０ａを搭載すると、金属製の電子部品搭載部８の表面からなる反射面１６は光の反射率が非常に高いことから、発光部品１０ａからの発光が反射面１６に到達するとその大部分が反射されることとなり、これにより発光部品１０ａの発光輝度を向上することができる。また金属は光による劣化が少ないことから、耐久性の高い反射面１６が形成されるものである。また、発光部品１０ａとして特にＵＶ光（紫外線）を発するＬＥＤ等を用いる場合では、ＵＶ光を反射面１６にて反射させることでこのＵＶ光が絶縁層４の照射されることを防ぐことができ、絶縁層４がＵＶ光によって絶縁特性の低下等のような劣化が生じることを防ぐことができ、またこの絶縁層４を形成するために耐ＵＶ性の高い特殊な成形材料を用いるような必要もなくなるものである。

図１，２は、本発明に係る配線基板を形成する場合の製造工程を示すものである。

図示のものでは、まず図１（ａ）に示すように、転写用基材１の一面にパターン状の金属膜２を形成する。この転写用基材１としては例えばステンレス製の板材を用いることができる。この転写用基材１には金属膜２との密着強度の調整のための表面処理を施しておくことが好ましく、例えば転写用基材１に対して、金属膜２が形成される面に、硝酸とフッ酸との混酸や、あるいは塩化第二鉄溶液、これに銅、塩酸等を含有させたもの等のエッチング液によりソフトエッチング処理を施すなどの化学研磨による粗化処理を施して転写用基材１と金属膜２との間の密着強度を調整することが好ましい。

上記表面処理による密着強度の調整は、後述する金属個片３の接合工程、仮保持層１３の形成工程、絶縁層４の形成工程等の後工程において転写用基材１と金属膜２や仮保持層１３との間に剥離が発生せず、また転写用基材１を仮保持層１３及び金属膜２から剥離する際には容易に剥離することができる程度となるようにする。その処理の程度は、金属膜２や仮保持層１３の材質、形成方法、その他の具体的な後処理の処理条件などによって異なり、適宜調整されるべきものであるが、例えばステンレス製の厚み２０〜１５０μｍの転写用基材１に対して塩化鉄溶液等により粗化処理を施すことにより、例えば厚み３５μｍのめっき被膜により金属膜２を形成する場合に、転写用基材１の表面粗度Ｒａが０．３〜１．０μｍの範囲となるようにするなどして、転写用基材１と金属膜２との間のピール強度が５０〜２００ｇ／ｍ（０．４９〜１．９６Ｎ／ｍ）の範囲となるようにすると、上記のような特性を発揮させることができる。

また、上記の金属膜２は、上記の図３，４に示す参考形態の場合と同様にして形成される。

続いて、図３，４に示す場合と同様の手法により、図１（ｂ）に示すように、金属膜２の所定箇所に厚肉導体配線６を形成するための金属個片３を積層して接合すると共に、必要に応じて金属膜２の所定箇所に電子部品搭載部８を形成するための金属個片３を積層して接合し、また更に必要に応じて金属膜２の所定箇所に電気的に接続するようにしてチップ抵抗やチップコンデンサ等の電子部品１１を実装する。

次いで、図１（ｃ）に示すように、転写用基材１の金属膜２を形成した面に仮保持層１３を積層して形成すると共に、この仮保持層１３に上記金属膜２、金属個片３、及び電子部品１１を設けている場合には電子部品１１を埋設する。この仮保持層１３は、特定の薬剤に溶解する材質や、加熱等により容易に軟化・溶融させることが可能な材質などのように、成形後に容易に除去可能な材質にて形成するものであり、例えばエッチングレジストやめっきレジストなどとして用いられるアルカリ溶解タイプの樹脂組成物や、適宜の熱可塑性材料、ろう材等を成形して形成することができる。具体的には、例えば転写用基材１の金属膜２等が設けられている側の面に、液状のアルカリ溶解タイプの樹脂組成物（例えばＮＡＺＤＡＲ社製の印刷インキ「２２９Ｂｌｕｅ」）を、金属膜２、金属個片３、及び電子部品１１を設けている場合にはこの電子部品１１が、全て埋まるようになるまで複数回に分けて塗布、硬化を繰り返すことにより、仮保持層１３を形成すると共にその表面が平滑になるようにする。このとき仮保持層１３の形成は、仮保持層１３内における気泡発生を抑制したり、或いは電子部品１１を設けている場合には電子部品１１と転写用基材１との間の空間まで仮保持相１３を充填させるようにするために真空下又は減圧雰囲気下で行うことが好ましく、例えば１．３３ｋＰａ（１０ｔｏｒｒ）以下の圧力下で行うようにする。

上記の仮保持層１３を形成するにあたっては適宜の手法を採用することができるが、例えばアルカリ溶解タイプの樹脂組成物を用いる場合には、例えばペースト状に調製されたアルカリ溶解タイプの樹脂組成物を転写用基材１の金属膜２を形成した面に印刷塗布し、必要に応じて硬化成形することで仮保持層１３を形成することができる。

次に、転写用基材１を仮保持層１３及び金属膜２の表面から剥離して除去する。転写用基材１の剥離は適宜の手法で行うことができるが、例えば転写用基材１を撓らせながら絶縁層４の端部から引き剥がすことにより行うことができる。このとき仮保持層１３の一面に金属膜２が露出するように形成される。

このように形成される仮保持層１３は、後述する絶縁層４を形成する前に、金属膜２及び金属個片３を保持してその配置位置を固定する機能を有し、これにより後工程において絶縁層４の同一面に厚みの異なる導体配線を形成することを可能とする。

次に、図２（ａ）（ｂ）に示すように、仮保持層１３の金属膜２が露出する面側に、絶縁層４を積層して形成する。上記絶縁層４は上記の場合と同様の適宜の熱硬化性樹脂組成物や熱可塑性樹脂組成物等のような成形材料を用いて形成することができ、また上記の場合と同様に接着フィルム（樹脂シート）や、プリプレグ等のシート状の成形材料１４や、ペースト状に調製されたもの等のように適宜の形態のものが用いられる。

絶縁層４を形成するにあたっては適宜の手法が用いられるが、例えばシート状の成形材料１４を用いる場合は、仮保持層１３の金属膜２が露出する面に前記のようなシート状の成形材料１４を一枚又は複数枚積層し、加熱加圧して成形硬化することで絶縁層４を形成することができる。

また、成形材料としてペースト状の樹脂組成物を用いる場合は、このペースト状の樹脂組成物を、仮保持層１３の金属膜２が露出する面に印刷塗布し、必要に応じて硬化成形することで絶縁層４を形成することができる。またこの絶縁層４の形成は絶縁層４内における気泡発生を抑制するために真空下又は減圧雰囲気下で行うことが好ましく、例えば１．３３ｋＰａ（１０ｔｏｒｒ）以下の圧力下で行うようにする。

上記絶縁層４の厚みは特に制限されるものではないが、４０〜１５０μｍの範囲とすることが好ましい。

また、上記絶縁層４には、図示のように、金属膜２が形成されている側とは反対側の面に、ヒートシンク材５を積層して設けることができる。ヒートシンク材５としては上記のものと同様のものを形成することができる。

ヒートシンク材５を設ける場合には、適宜の手法を用いることができるが、例えば絶縁層４を形成する際に同時にヒートシンク材５と絶縁層４とを一体に密着して積層成形することができる。例えば上記のように絶縁層４をシート状の成形材料１４にて形成する場合には、仮保持層１３の金属膜２が露出する面に前記のようなシート状の成形材料１４を一枚又は複数枚積層すると共に、更に仮保持層１３とは反対側にヒートシンク材５を積層して重ね、この状態で成形材料を硬化成形することにより絶縁層４を形成すると共に、この絶縁層４に対してヒートシンク材５を密着して積層成形することができる。

このヒートシンク材５は、上記図４，５に示す参考形態の場合と同様の材質にて形成することができる。またこの図２に示す例では、ヒートシンク材５として放熱フィン１８が設けられたものを用いており、これにより放熱性を更に向上することができる。

次に、図２（ｃ）に示すように、仮保持層１３をその材質に応じた手法により除去する。すなわち、例えば仮保持層１３をアルカリ溶解タイプの樹脂組成物の成形体にて形成する場合には、仮保持層１３をアルカリ性溶液にて処理することにより溶解除去し、また仮保持層１３を熱可塑性材料やろう材等の成形体にて形成している場合には仮保持層１３を加熱するなどして軟化・溶融させることにより除去し、配線基板を得る。
このようにして形成される配線基板は、金属膜２のみからなる薄肉導体配線７が絶縁層４の一面側に露出するように積層して形成されており、また金属膜２と金属個片３とが積層してなる厚肉導体配線６が絶縁層４の前記一面側に露出するように積層して形成されている。すなわち、薄肉導体配線７と、薄肉導体配線７よりも厚みの厚い厚肉導体配線６という、厚みの異なる導体配線が、絶縁層４の同一面側に露出するように形成されるものである。また必要に応じて金属膜２と金属個片３とが積層してなる電子部品搭載部８も絶縁層４の前記一面側に露出するように積層して形成されている。また、必要に応じて前記薄肉導体配線７の所定位置と電気的に接続されたチップ抵抗やチップコンデンサ等の電子部品１１が絶縁層４から露出するように設けられている。また、ヒートシンク材５を設ける場合には、絶縁層４の、薄肉導体配線７等が露出する面とは反対側の面にヒートシンク材５が積層して設けられている。

また、仮保持層１３を形成する前、例えば金属膜２と金属個片３とを接合する前に、金属膜２における薄肉導体配線７の露出面となる面や、金属個片３における厚肉導体配線や電子部品搭載部８の露出面となる面に、予め金被膜を形成したり、ニッケル被膜、金被膜を順次形成したりしておけば、仮保持層１３を除去した後にめっき処理等を施すことなく、薄肉導体配線７、厚肉導体配線６、電子部品搭載部８等の露出面に金被膜が形成された状態とすることができる。このとき、例えば金属膜２と金属個片３とを接合する前に、金属膜２に金被膜（又はニッケル被膜及び金被膜）を形成すると共に、金属個片３には厚肉導体配線や電子部品搭載部８の露出面となる面と、金属膜２との接合面の最外面に金被膜（又はニッケル被膜及び金被膜）を形成しておくこともでき、この場合は、金被膜を、上記のように金属個片３と金被膜２とを金−金接合するために利用することもできる。

このように形成された配線基板には、電子部品１０をバンプ接続やワイヤボンディング接続等により薄肉導体配線７や厚肉導体配線６に電気的に接続して実装することができる。このとき電子部品搭載部８を形成している場合には、パワートランジスタやＬＥＤ等のように発熱量の大きい電子部品１０については、電子部品搭載部８の表面にダイボンディングするなどして搭載すると共に、ワイヤボンディング等にて薄肉導体配線７や厚肉導体配線６に電気的に接続して実装することができる。

また、上記のような電子部品搭載部８には、図３，４に示すものと同様に、電子部品１０として特にＬＥＤ等の光電変換素子のような発光部品１０ａを搭載する場合、座ぐり加工を施すなどしてその露出面側に開口する凹所１５を形成しても良い。このような電子部品搭載部８の配置部１７に発光部品１０ａを搭載すると、金属製の電子部品搭載部８の表面からなる反射面１６は光の反射率が非常に高いことから、発光部品１０ａからの発光が反射面１６に到達するとその大部分が反射されることとなり、これにより発光部品１０ａの発光輝度を向上することができる。また金属は光による劣化が少ないことから、耐久性の高い反射面１６が形成されるものである。また、発光部品１０ａとして特にＵＶ光（紫外線）を発するＬＥＤ等を用いる場合では、ＵＶ光を反射面１６にて反射させることでこのＵＶ光が絶縁層４の照射されることを防ぐことができ、絶縁層４がＵＶ光によって絶縁特性の低下等のような劣化が生じることを防ぐことができ、またこの絶縁層４を形成するために耐ＵＶ性の高い特殊な成形材料を用いるような必要もなくなるものである。

更に、上記図３，４に示す場合と同様に、上記凹所１５に発光部品１０ａを搭載すると共にこの凹所１５に蛍光剤を含有する封止材を充填すると、発光部品１０ａからのＵＶ光等の発光により蛍光剤を励起させて、この蛍光剤も発光させ、更なる高輝度化を達成することもでき、近年ＬＥＤ業界において検討されているＵＶ発光による高輝度化にも十分対応することができる。この場合、封止材として透明なものを用いれば、反射面１６としての機能が損なわれることなく、蛍光発光による発光輝度の更なる向上を達成することができる。

また、電子部品搭載部８を設ける場合には、その厚みは５００μｍ〜５ｍｍの範囲となるように形成することが好ましく、この場合、電子部品搭載部８に大きな熱容量を付与することができて電子部品搭載部８にダイボンディング等で直付けにより搭載された電子部品１０から発せられる熱を速やかに電子部品搭載部８に搭載すると共に、この熱を電子部品１０の搭載面とは反対側の面に向けて速やかに伝達することができて、特に優れた放熱性を発揮するようになり、またこの電子部品搭載部８が絶縁層４で覆われることで優れた絶縁性を発揮する。また電子部品搭載部８の平面視寸法は、搭載される電子部品１０の寸法に応じて適宜調整されるが、電子部品１０からの発熱は理論的には下方に向けて４５度の方向へ拡散するので、この熱が拡散する領域が電子部品搭載部８の内側に収まるような寸法に形成することが好ましい。電子部品搭載部８の平面視寸法はこれよりも更に大きくしても良いが、電子部品搭載部８の増大に比して放熱性の大きな増大は見込まれず、また基板面積の増大により配線基板の小型化を損ねたり、コストの増大を招いたりする場合がある。

本発明についての更に具体的な実施例を以下に説明する。

（参考例１）
厚み１００μｍのステンレス製の転写用基材１を、塩化第２鉄溶液に銅、塩酸等を混入させたエッチング液にて処理することで表面を粗化した後、パターンめっき処理により銅製の厚み３５μｍの金属膜２をパターン状に形成した。

次に、厚肉導体配線６と電子部品搭載部８とを形成するための銅製の厚み２ｍｍの複数の金属個片３を打ち抜き形成し、これらを金属膜２上の所定位置に半田リフロー処理により接合した。

一方、樹脂シートを次のようにして形成した。まず、エポキシ樹脂１００重量部、ジシアンジアミド（硬化剤）５重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール（硬化促進剤）０．１重量部、エポキシシランカップリング剤１０重量部、メチルエチルケトン及びジメチルフォルムアミドからなる溶剤（ＭＥＫ：ＤＭＦ＝１：２（重量比））７０重量部をあらかじめ混合して溶解させた溶液を準備した。次に、この溶液にさらに平均粒径５μｍのアルミナフィラー（無機フィラー）７００重量部を混合し、これをディスパーで撹拌することにより、固形分９３質量％、粘度３０００ｃｐｓ（ｃＰ）のスラリーとした。そしてこのスラリーをＰＥＴフィルムの上に塗布し、これを１５０℃で１０分間乾燥することによって、厚み１００μｍの接着性を有するＢステージ状態の樹脂シート（無機フィラー８５質量％含有）を作製した。

次に、厚み１ｍｍのアルミニウム板からなるヒートシンク材５を、上記転写用基材１における金属膜２及び金属個片３が設けられた面と対向させて配置すると共に、その間に２０枚の上記樹脂シートを介在させるように積層し、６．６７ｈＰａ（５ｔｏｒｒ）以下の減圧雰囲気下で、実圧０．２９ＭＰａ（３ｋｇｆ／ｃｍ²）をかけながら、１３０℃で１０分処理した後、１７５℃で６０分処理することで加熱加圧成形し、次いで転写用基材１を手で剥ぎ取った。

次に、絶縁層４の表面に露出する金属膜２を、金属個片３が接合されている部位を除いてエッチングレジストにて被覆し、金属膜２の露出する部分をエッチング処理により除去した。

これにより、金属膜２のみにて構成される薄肉導体配線７と、金属個片３のみで構成される厚肉導体配線６と、金属個片３のみで構成される電子部品搭載部８とを絶縁層４に埋設すると共にその同一面側を露出させ、また厚肉導体配線６と電子部品搭載部８の露出面は配線基板の凹部９の底部に露出するように形成され、且つ絶縁層４の他面側にヒートシンク材５が積層成形された配線基板を得た。

そして、この配線基板をルータにより切断して個片化した。

（参考例２）
厚み１００μｍのステンレス製の転写用基材１を、塩化第２鉄溶液に銅、塩酸等を混入させたエッチング液にて処理することで表面を粗化した後、パターンめっき処理により厚み０．１μｍの金被膜、厚み０．５μｍのニッケル被膜、厚み１８μｍの銅被膜を順次積層して金属膜２を形成した。

次に、厚肉導体配線６と電子部品搭載部８とを形成するための銅製の厚み２ｍｍの複数の金属個片３を打ち抜き形成し、これにめっき処理を施して厚み０．５μｍのニッケル被膜、厚み０．１μｍの金被膜を順次形成し、この金属個片３を金属膜２上の所定位置に、金−金接合により接合した。

一方、プリプレグを次のようにして形成した。まず、エポキシ樹脂１００重量部、ジシアンジアミド（硬化剤）６重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール（硬化促進剤）０．３重量部、エポキシシランカップリング剤２重量部、メチルエチルケトン及びジメチルフォルムアミドからなる溶剤（ＭＥＫ：ＤＭＦ＝１：２（重量比））７０重量部をあらかじめ混合して溶解させて樹脂ワニスを調製した。この樹脂ワニスをガラス不織布に含浸させた後、１５０℃で１０分間乾燥することによって、厚み３００μｍの接着性を有するＢステージ状態のプリプレグを作製した。

次に、厚み１ｍｍのアルミニウム板に放熱フィン１８を設けたヒートシンク材５を、上記転写用基材１における金属膜２及び金属個片３が設けられた面と対向させて配置すると共に、その間に７枚の上記樹脂シートを介在させるように積層し、６．６７ｈＰａ（５ｔｏｒｒ）以下の減圧雰囲気下で、実圧０．２９ＭＰａ（３ｋｇｆ／ｃｍ²）をかけながら、１３０℃で１０分処理した後、１７５℃で６０分処理することで加熱加圧成形し、次いで転写用基材１を手で剥ぎ取った。

これにより、金属膜２のみにて構成される薄肉導体配線７と、金属個片３のみで構成される厚肉導体配線６と、金属個片３のみで構成される電子部品搭載部８とを絶縁層４に埋設すると共にその同一面側を露出させ、また厚肉導体配線６と電子部品搭載部８の露出面は配線基板の凹部９の底部に露出するように形成され、且つ絶縁層４の他面側に放熱フィン１８を有するヒートシンク材５が積層成形された配線基板を得た。

（参考例３）
参考例１において、ヒートシンク材５としてアルミニウム製のものに代えて銅製のものを用いた以外は、参考例１と同様にして、配線基板を形成した。

この配線基板における電子部品搭載部８に座ぐり加工を施すことで、電子部品搭載部８の露出面側に平面視円形状に開口する凹所１５を形成し、この凹所１５の底面の配置部１７にＬＥＤを搭載し、ワイヤボンディング法により二つの電極のうち一方を制御系配線に接続すると共に他方をＬＥＤが搭載されている電子部品搭載部８（兼厚肉導体配線６）に接続した。

（実施例４）
厚み１００μｍのステンレス製の転写用基材１を、塩化第２鉄溶液に銅、塩酸等を混入させたエッチング液にて処理することで表面を十分に粗化した後、パターンめっき処理により銅製の厚み３５μｍのパターン状の金属膜２を、転写用基材１との間のピール強度が２００ｇ／ｃｍとなるように形成した。

次に、厚肉導体配線６と電子部品搭載部８とを形成するための銅製の厚み３００μｍの複数の金属個片３を打ち抜き形成し、これらを金属膜２上の所定位置に半田リフロー処理により接合した。

次に、一般的にエッチングレジストとして使用されているアルカリ溶解タイプの樹脂組成物（ＮＡＺＤＡＲ社製のスクリーン印刷インキ「２２９Ｂｌｕｅ」）を用い、これを転写用基材１の金属膜２が形成されている側の面に６．６７ｈＰａ（５ｔｏｒｒ）以下の減圧雰囲気下で塗布した後に１５０℃で５分間加熱乾燥する操作を繰り返すことにより、仮保持層１３を形成すると共にこの仮保持層１３の内部に金属膜２及び金属個片３を埋設した。次いで、仮保持層１３の冷却後、仮保持層１３及び金属膜２から転写用基材１を手で引き剥がした。

次に、厚み２ｍｍのアルミニウム板からなるヒートシンク材５を、上記仮保持層１３における金属膜２が露出する面と対向させて配置すると共に、その間に１枚の上記樹脂シートを介在させるように積層し、６．６７ｈＰａ（５ｔｏｒｒ）以下の減圧雰囲気下で、実圧０．２９ＭＰａ（３ｋｇｆ／ｃｍ²）をかけながら、１３０℃で１０分処理した後、１７５℃で６０分処理することで加熱加圧成形した。

次に、アルカリエッチングにより仮保持層１３を溶解除去し、これにより、金属膜２のみにて構成される薄肉導体配線７と、金属膜２及び金属個片３で構成される厚肉導体配線６と、金属膜２及び金属個片３で構成される電子部品搭載部８が絶縁層４の一面側に積層して形成されると共に、絶縁層４の他面側に放熱フィン１８を有するヒートシンク材５が積層して形成された配線基板を得た。

以上のような各参考例及び実施例により、一つの配線基板の同一面に信号系配線とパワー系配線とを併設することができ、且つ信号系配線とパワー系配線とが併設されていても細線化が可能となって、小型化された配線基板を得ることができた。また、電子部品搭載部８に発熱量の大きい電子部品１０を搭載すると、電子部品１０からの発熱を電子部品搭載部８に速やかに伝達させ、或いは更にヒートシンク材に伝達させて放熱することができ、配線基板の放熱性を向上することができた。

１転写用基材
２金属膜
３金属個片
４絶縁層
５ヒートシンク材
６厚肉導体配線
７薄肉導体配線
８電子部品搭載部
９凹部
１０電子部品
１０ａ発光部品
１３仮保持層
１５凹所
１６反射面
１７配置部

Claims

転写用基材の一面にパターン状の金属膜を形成した後、この金属膜の表面の所定位置に金属個片を接合し、次いで前記転写用基材の前記金属膜及び金属個片を設けた面に仮保持層を前記金属膜及び金属個片が埋設されるように積層して形成し、次いで転写用基材を剥離し、前記仮保持層の金属膜が露出する面に絶縁層を積層して形成した後、仮保持層を除去することにより、絶縁層の同一面側に、金属膜にて構成される薄肉導体配線と、互いに接合された金属膜及び金属個片にて構成され前記薄肉導体配線よりも厚みの厚い厚肉導体配線とを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
請求項１に記載の方法にて製造された配線基板に、電子部品を実装して成ることを特徴とする配線基板。