JP2010053443A - プラズマ発生装置及び成膜装置並びに成膜方法及び表示素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 成膜装置は、排気系を備えた真空チャンバー内に向けて、プラズマビームを生成するホローカソードとプラズマビームに電位勾配を与える一以上の中間電極とを有するプラズマガンと、プラズマガンからプラズマビームを出力するための出口部と同軸に位置する真空チャンバーの管部の外周を包囲するように設けられプラズマビームを管部を介して真空チャンバーへ引き出す収束コイルと、管部の内部においてプラズマガンの出口部と同軸に配置され陽極の極性を有する反射電子帰還電極と、を備える。ホローカソードの電位より高い電位を有し接地された反射電子帰還電極の内周部に設けられた絶縁管が、反射電子帰還電極に対して最も近い位置に配置されている中間電極と電気的に接触している。
【選択図】 図1
Description
該プラズマガンから前記プラズマビームを出力するための出口部と同軸に位置する前記真空チャンバーの管部の外周を包囲するように設けられ、前記プラズマビームを前記管部を介して前記真空チャンバーへ引き出す収束コイルと、
前記管部の内部において、前記プラズマガンの出口部と同軸に配置され、陽極の極性を有する反射電子帰還電極と、を備え、
該プラズマビームを前記真空チャンバー内の成膜材料に照射して、該成膜材料を加熱蒸発させて、該真空チャンバー内に配置された基板上に前記成膜材料を有する薄膜を形成する成膜装置において、
前記ホローカソードの電位より高い電位を有し接地された反射電子帰還電極の内周部に設けられた絶縁管が、前記反射電子帰還電極に対して最も近い位置に配置されている前記中間電極と電気的に接触していることを特徴とする。
放電圧力:0.1Pa
Ar流量:11sccm(0.18ml/sec)
この結果、本発明の実施形態に係る真空成膜装置100が有するプラズマ発生装置に用いた絶縁管5の摩耗量(率)は、従来のプラズマ発生装置に用いた絶縁管5に比べ、約1/5に減少したことが確認された。従来の絶縁管5に発生していた摩耗量で、絶縁管5の交換が必要とすると、本発明の実施形態により、絶縁管5の交換周期が約5倍延び、ランニングコストも低減できる。
膜厚 :12000Å
放電圧力:0.1Pa
Ar流量:11sccm(0.18ml/sec)
O2流量 :400sccm(6.7ml/sec)
この結果、プラズマビームのプラズマ密度が低下し成膜材料の蒸発量が低下するという不安定性がなく、表示素子の保護膜としてMgO膜を安定して成膜することができた。
Claims (9)
- 排気系を備えた真空チャンバー内に向けて、プラズマビームを生成するホローカソードと、前記プラズマビームに電位勾配を与える一以上の中間電極とを有するプラズマガンと、
該プラズマガンから前記プラズマビームを出力するための出口部と同軸に位置する前記真空チャンバーの管部の外周を包囲するように設けられ、前記プラズマビームを前記管部を介して前記真空チャンバーへ引き出す収束コイルと、
前記管部の内部において、前記プラズマガンの出口部と同軸に配置され、陽極の極性を有する反射電子帰還電極と、を備え、
該プラズマビームを前記真空チャンバー内の成膜材料に照射して、該成膜材料を加熱蒸発させて、該真空チャンバー内に配置された基板上に前記成膜材料を有する薄膜を形成する成膜装置において、
前記ホローカソードの電位より高い電位を有し接地された反射電子帰還電極の内周部に設けられた絶縁管が、前記反射電子帰還電極に対して最も近い位置に配置されている前記中間電極と電気的に接触していることを特徴とする成膜装置。 - 前記絶縁管が、前記管部の内部で前記プラズマビームの外周を取囲むことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記絶縁管の内周部が、導電性物質で被覆されていることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成膜装置を用いて前記基板に膜を形成する成膜工程を有することを特徴とする成膜方法。
- 前記膜はMgO膜であることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 請求項4または5に記載の成膜方法を用いた成膜工程を有することを特徴とする表示素子の製造方法。
- 排気系を備えた真空チャンバー内に向けて、プラズマビームを生成するホローカソードと、前記プラズマビームに電位勾配を与える一以上の中間電極とを有するプラズマガンと、
該プラズマガンから前記プラズマビームを出力するための出口部と同軸に位置する前記真空チャンバーの管部の外周を包囲するように設けられ、前記プラズマビームを前記管部を介して前記真空チャンバーへ引き出す収束コイルと、
前記管部の内部において、該プラズマガンの出口部と同軸に配置され、陽極の極性を有する反射電子帰還電極と、を備えるプラズマ発生装置であって、
前記ホローカソードの電位より高い電位を有し、接地された反射電子帰還電極の内周部に設けられた絶縁管が、前記反射電子帰還電極に対して最も近い位置に配置されている前記中間電極と電気的に接触していることを特徴とするプラズマ発生装置。 - 前記絶縁管が、前記管部の内部で前記プラズマビームの外周を取囲むことを特徴とする請求項7に記載のプラズマ発生装置。
- 請求項7に記載のプラズマ発生装置、前記絶縁管の内周部が、導電性物質で被覆されていることを特徴とする請求項7または8に記載のプラズマ発生装置。
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