JP2010050362A - マルチビーム半導体レーザ - Google Patents

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Abstract

【課題】ジャンクションダウン組立の場合に放熱性を向上させることができるマルチビーム半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０の突条部１１Ａ，１１Ｂの各々にコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを設け、パッド電極１３Ａ，１３Ｂを、突条部１１Ａ，１１Ｂおよびコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを回避して設ける。コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを、配線電極１４Ａ，１４Ｂによりパッド電極１３Ａ，１３Ｂに接続すると共に第１絶縁膜１５で覆うことにより、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂをはんだ層に直接接合することなく電気的接続を可能とする。第１絶縁膜１５の上には、金属よりなる熱伝導層１６を設けて、この熱伝導層１６とはんだ層とを接合し、ジャンクションダウン組立であっても放熱性の向上を可能とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、一つの発光素子から複数のレーザ光を放射するマルチビーム半導体レーザに関する。
マルチビーム半導体レーザでは、放熱的に有利な、ジャンクションダウン組立が望まれるが、ビーム間隔が狭い場合、電極の幅、はんだ層の幅が狭くなり、ジャンクションダウン組立が困難となる。なぜなら、ジャンクションダウン組立では、素子側にはストライプ状のコンタクト電極が設けられており、サブマウント（支持材）側にも、素子側と同様のストライプ状のはんだ層が設けられており、これらを接合させることにより電気的にコンタクトをとっている。この方法では、はんだ接合時のマウント精度により、（１）リーク、（２）放熱性の悪化、（３）不均一なはんだ接合応力がストライプにかかる、等の懸念が生じる。
（１）のリークに関しては、接合時に、はんだが隣のコンタクト電極まで広がることにより生じるものであり、狭ピッチ化、多ビーム化が進むにつれて大きな問題となってくる。（２）の放熱性の悪化に関しては、ビーム間でのはんだ接合状態の差により生じるものである。電極の幅、はんだ層の幅が狭くなるにつれて、マウント精度の許容範囲が狭くなり、少しでもマウント位置がずれると、はんだとの接合状態がビームによって違ってくるという問題がある。（３）の不均一なはんだ接合応力に関しても、マウント位置ずれにより生じる問題である。ストライプに対して位置ずれを起こしたまま、はんだが接合されると、ストライプに不均一な接合応力がかかり、偏光特性、信頼性に影響が出てしまう。
これらの問題を解決するため、例えば特許文献１には、ジャンクションアップ組立の場合、マルチビーム半導体レーザ装置の発光素子間に高抵抗分離領域を設けることにより、ボンディング時の層間絶縁膜破壊による発光素子間の短絡を防ぐようにした構造が開示されている。また、例えば特許文献２には、ジャンクションダウン組立の場合に、ストライプを覆う第１電極の上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に設けた開口部に第２電極を形成して第１電極と第２電極とを電気的に接続し、第２電極をはんだによりサブマウントに接合するようにした構造が提案されている。
特開２０００−２６９６０１号公報 特開２００６−２４６６５号公報
しかしながら、特許文献１の構造をジャンクションダウン組立に適用した場合には、はんだ層とストライプ上の電極とが接合されないので放熱性の悪化が懸念され、なお改善の余地があった。また、特許文献２では、はんだ接合応力がストライプに掛かり、偏光特性に影響を及ぼす点や、高精度のマウント位置精度が要求されるなどの問題があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ジャンクションダウン組立の場合に放熱性を向上させることができるマルチビーム半導体レーザを提供することにある。
本発明によるマルチビーム半導体レーザは、以下の（Ａ）〜（Ｆ）の構成要件を備えたものである。
（Ａ）複数の突条部が形成された半導体レーザ素子
（Ｂ）複数の突条部の各々に設けられたコンタクト電極
（Ｃ）半導体レーザ素子の複数の突条部が形成された面に、複数の突条部を回避して設けられた複数のパッド電極
（Ｄ）コンタクト電極を複数のパッド電極のうちの少なくとも一つに接続する配線電極
（Ｅ）コンタクト電極の上に形成された第１絶縁膜
（Ｆ）第１絶縁膜の上に設けられた金属よりなる熱伝導層
このマルチビーム半導体レーザでは、コンタクト電極が配線電極によりパッド電極に接続されていると共に第１絶縁膜で覆われているので、コンタクト電極は、はんだ層に直接接合されることなく、パッド電極および配線電極を介して駆動される。また、第１絶縁膜の上には、金属よりなる熱伝導層が設けられているので、半導体レーザ素子で発生した熱は、熱伝導層を介してはんだ層および支持材へと放熱される。
本発明のマルチビーム半導体レーザによれば、コンタクト電極を、配線電極によりパッド電極に接続すると共に第１絶縁膜で覆うようにしたので、コンタクト電極をはんだ層に直接接合させることなく電気的接続が可能となる。また、第１絶縁膜の上に金属よりなる熱伝導層を設けるようにしたので、この熱伝導層とはんだ層とを接合させることにより、ジャンクションダウン組立の場合に放熱性を向上させることが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（２ビームレーザ）
２．第２の実施の形態（４ビームレーザ；コンタクト電極と配線電極との間に第２絶縁膜を設ける例）
３．第３の実施の形態（４ビームレーザ；配線電極を、高抵抗化領域に形成する例）
＜１．第１の実施の形態＞
［マルチビーム半導体レーザの構成］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るマルチビーム半導体レーザの縦断面構造を表すものである。このマルチビーム半導体レーザは、例えば、プリンター用光源などとして用いられるものであり、例えば、一方の面に２本の突条部（ストライプ）１１Ａ，１１Ｂが形成されたマルチビームの半導体レーザ素子１０を有している。突条部１１Ａ，１１Ｂの長さ（共振器長）は例えば４００μｍないし５００μｍ程度である。半導体レーザ素子１０は、突条部１１Ａ，１１Ｂが形成された面を支持材（サブマウント）２０に対向させたジャンクションダウンの状態で、はんだ層３０により支持材２０に接合されている。
図２は、図１に示したマルチビーム半導体レーザを、突条部１１Ａ，１１Ｂが形成された面の側から見た平面構成を表したものであり、図３（Ａ）は図２のＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線、図３（Ｂ）は図２のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線に沿った断面構成をそれぞれ表したものである。
この半導体レーザ素子１０は、例えば、突条部１１Ａ，１１Ｂが形成された面に、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂと、パッド電極１３Ａ，１３Ｂとを有している。コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂは、突条部１１Ａ，１１Ｂの各々に設けられる一方、パッド電極１１３Ａ，１３Ｂは、突条部１１Ａ，１１Ｂおよびコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを回避して設けられている。コンタクト電極１２Ａとパッド電極１３Ａとは配線電極１４Ａにより接続され、コンタクト電極１２Ｂとパッド電極１３Ｂとは配線電極１４Ｂにより接続されている。また、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂの上には第１絶縁膜１５が形成され、第１絶縁膜１５の上には、金属よりなる熱伝導層１６が設けられている。これにより、このマルチビーム半導体レーザでは、ジャンクションダウン組立の場合に放熱性を向上させることができるようになっている。
コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂは、例えば、積層方向の厚さ（以下、単に「厚さ」という。）が５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層と、厚さ１００ｎｍの白金（Ｐｔ）層と、厚さ３００ｎｍの金（Ａｕ）層とを順に積層した構成を有している。
パッド電極１３Ａ，１３Ｂは、例えば、下部パッド電極１３１と、上部パッド電極１３２との積層構造を有している。下部パッド電極１３１は、例えば、厚さが５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層と、厚さ１００ｎｍの白金（Ｐｔ）層と、厚さ３００ｎｍの金（Ａｕ）層を順に積層した構成を有している。上部パッド電極１３２は、例えば、厚さ３μｍの金めっき層により構成されている。
配線電極１４Ａ，１４Ｂは、例えば、厚さが５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層と、厚さ１００ｎｍの白金（Ｐｔ）層と、厚さ３００ｎｍの金（Ａｕ）層とを順に積層した構成を有している。
第１絶縁膜１５は、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂがはんだ層３０に直接接合されないようにすることにより、突条部１１Ａ，１１Ｂにかかるはんだ接合応力を低減するためのものである。第１絶縁膜１５の厚さは、例えば１００ｎｍ程度であることが好ましい。薄いほうが放熱性を良くすることができるからである。第１絶縁膜１５は、例えば、ＡｌＮ，ＳｉＣ，ダイヤモンド，ＢＮ，ＳｉＯ2 およびＳｉＮからなる群のうちの少なくとも１種により構成されていることが好ましい。
熱伝導層１６は、例えば、下部熱伝導層１６１と、上部熱伝導層１６２との積層構造を有している。下部熱伝導層１６１は、例えば、厚さが５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層と、厚さ１００ｎｍの白金（Ｐｔ）層と、厚さ３００ｎｍの金（Ａｕ）層を順に積層した構成を有している。上部熱伝導層１６２は、例えば、厚さ３μｍの金めっき層により構成されている。
なお、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂ、パッド電極１３Ａ，１３Ｂの下部パッド電極１３１および配線電極１４Ａ，１４Ｂは、同一の積層構造を有し、後述する製造工程においても同一工程において形成される。また、パッド電極１３Ａ，１３Ｂの上部パッド電極１３２および熱伝導層１６の上部熱伝導層１６２は、同一の金めっき層であり、後述する製造工程においても同一工程において形成される。
パッド電極１３Ａ，１３Ｂおよび熱伝導層１６の上には、更に別の金属層１７（図２には図示せず、図１３参照。）が形成されていてもよい。この金属層１７は、金めっき層よりなる上部パッド電極１３２および上部熱伝導層１６２と、はんだ層３０との合金化後の組成を一定にすることにより、融点のばらつきを防止し、はんだ層３０のぬれ性を高めるためのものである。金属層１７の構成材料や積層構造は、金めっき層よりなる上部パッド電極１３２および上部熱伝導層１６２と反応しないものであれば特に限定されないが、例えば、厚さが５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層と、厚さ１００ｎｍの白金（Ｐｔ）層と、厚さ３００ｎｍの金（Ａｕ）層とが順に積層された構成とすることができる。
コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂは、突条部１１Ａ，１１Ｂに対して左右対称の幅を有することが好ましい。コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを設けることにより突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる応力を低減することができるからである。
第１絶縁膜１５および熱伝導層１６は、突条部１１Ａ，１１Ｂおよびコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂよりも広い幅で、具体的には突条部１１Ａ，１１Ｂおよびコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂの全部を覆うことができる幅で、形成されていることが好ましい。各突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる、熱伝導層１６とはんだ層３０との接合応力を、均一化すると共に低減することができるからである。
図４は、支持材２０を、はんだ層３０が形成された面の側から見た構成を表している。支持材２０は、例えばＡｌＮにより構成され、図示しないパッケージに配設されている。はんだ層３０は、支持材２０とパッド電極１３Ａ，１３Ｂとの間、および支持材２０と熱伝導層１６との間に設けられ、例えば金（Ａｕ）−スズ（Ｓｎ）はんだにより構成されている。
［半導体レーザ素子の構成例］
図５は、図１に示した半導体レーザ素子１０の一例を表したものである。半導体レーザ素子１０は、例えば、基板１１１の一面側に、ｎ型クラッド層１１２，第１ガイド層１１３，活性層１１４，第２ガイド層１１５，第１ｐ型クラッド層１１６，エッチングストップ層１１７，第２ｐ型クラッド層１１８およびｐ側コンタクト層１１９がこの順に積層された構成を有している。基板１１１は、例えば、積層方向における厚さ（以下、単に厚さという）が１１０μｍであり、ケイ素（Ｓｉ）あるいはセレン（Ｓｅ）などのｎ型不純物を添加したｎ型ＧａＡｓにより構成されている。
ｎ型クラッド層１１２は、例えば、厚さが２．０μｍであり、ケイ素あるいはセレンなどのｎ型不純物を添加したｎ型Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ混晶により構成されている。
第１ガイド層１１３は、例えば、厚さが１２０ｎｍであり、Ａｌ0.3 Ｇａ0.2 Ｉｎ0.5 Ｐ混晶により構成されている。第１ガイド層１１３は、不純物を含まなくてもよいし、または、ケイ素あるいはセレンなどのｎ型不純物が添加されていてもよい。
活性層１１４は、例えば、厚さが１２ｎｍであり、ＧａＩｎＰ混晶により構成されている。活性層１１４に含まれるインジウム組成は、例えば０．２以上０．８以下であることが好ましい。更に、０．５程度であればより好ましい。基板１１１を構成するＧａＡｓと格子整合させることができるからである。
第２ガイド層１１５は、例えば、厚さが１２０ｎｍであり、Ａｌ0.3 Ｇａ0.2 Ｉｎ0.5 Ｐ混晶により構成されている。第２ガイド層１１５は、不純物を含まなくてもよいし、または、亜鉛（Ｚｎ）あるいはマグネシウム（Ｍｇ）などのｐ型不純物が添加されていてもよい。
第１ｐ型クラッド層１１６は、例えば、厚さが０．４μｍであり、亜鉛またはマグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ混晶により構成されている。エッチングストップ層１１７は、後述する製造工程において第１ｐ型クラッド層１１６の厚さのばらつきを抑制するためのものである。エッチングストップ層１１７は、例えば、厚さが１５ｎｍであり、亜鉛またはマグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型ＧａＩｎＰにより構成されている。第２ｐ型クラッド層１１８は、例えば、厚さが１．６μｍであり、亜鉛またはマグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ混晶により構成されている。ｐ側コンタクト層１１９は、例えば、厚さが０．３μｍであり、亜鉛またはマグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型ＧａＡｓにより構成されている。
このうち第２ｐ型クラッド層１１８およびｐ側コンタクト層１１９は、細い帯状（図５においては紙面に対して垂直な方向に延長された帯状）に延長され、上述した突条部１１Ａ，１１Ｂとされている。この突条部１１Ａ，１１Ｂは、活性層１１４の電流注入領域を制限するためのものであり、活性層１１４の突条部１１Ａ，１１Ｂに対応する部分が電流注入領域となっている。
ｐ側コンタクト層１１９の上には、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）または窒化ケイ素（ＳｉＮ）よりなる絶縁層１２０を間にして、上述したコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂが形成されている。一方、基板１１１の裏面には、ｎ側電極１２４が形成されている。ｎ側電極１２４は、例えば、例えばＡｕＧｅ：Ｎｉおよび金（Ａｕ）を順次積層して熱処理により合金化した構造を有しており、基板１１１と電気的に接続されている。
なお、この半導体レーザ素子１０では、例えば突条部１１Ａ，１１Ｂの長さ方向において対向する一対の側面が共振器端面となっており、この一対の共振器端面に図示しない一対の反射鏡膜がそれぞれ形成されている。これら一対の反射鏡膜のうち一方の反射鏡膜の反射率は低くなるように、他方の反射鏡膜の反射率は高くなるようにそれぞれ調整されている。これにより、活性層１１４において発生した光は一対の反射鏡膜の間を往復して増幅され、一方の反射鏡膜からレーザビームとして出射するようになっている。
［マルチビーム半導体レーザの製造方法］
このマルチビーム半導体レーザは、例えば、次のようにして製造することができる。
図６は、図２ないし図５に示したマルチビーム半導体レーザの製造方法の流れを表したものであり、図７ないし図１３は、この製造方法を工程順に表したものである。まず、例えば、ＧａＮよりなる基板１１１を用意し、この基板１１１の表面に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法により、上述した厚さおよび材料よりなるｎ型クラッド層１１２，第１ガイド層１１３，活性層１１４，第２ガイド層１１５，第１ｐ型クラッド層１１６，エッチングストップ層１１７，第２ｐ型クラッド層１１８およびｐ側コンタクト層１１９を順に成長させる。
次いで、エッチングストップ層１１７を用いたエッチングを行い、ｐ側コンタクト層１１９および第２ｐ型クラッド層１１８の一部を選択的に除去し、図５および図７に示したように、細い帯状の突条部１１Ａ，１１Ｂとする。続いて、図５に示したように、突条部１１Ａ，１１Ｂの両側に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法により、上述した材料よりなる絶縁層１２３を形成し、この絶縁層１２３に、突条部１１Ａ，１１Ｂに対応して開口部を設ける。
そののち、図８に示したように、突条部１１Ａ，１１Ｂの上に、上述した厚さおよび材料よりなるコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを形成すると共に、突条部１１Ａ，１１Ｂを回避してパッド電極１３Ａ，１３Ｂの下部パッド電極１３１を形成し、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂとパッド電極１３Ａ，１３Ｂの下部パッド電極１３１とを、配線電極１４Ａ，１４Ｂにより接続する（ステップＳ１０１）。
コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂ、パッド電極１３Ａ，１３Ｂおよび配線電極１４Ａ，１４Ｂを形成したのち、図９に示したように、全面に、上述した厚さおよび材料よりなる第１絶縁膜１５を形成する（ステップＳ１０２）。
第１絶縁膜１５を形成したのち、図１０に示したように、パッド電極１３Ａ，１３Ｂ上の第１絶縁膜１５を選択的に除去してコンタクトホール１５Ａを設ける（ステップＳ１０３）。これにより、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂの上に第１絶縁膜１５が形成される。
第１絶縁膜１５にコンタクトホール１５Ａを設けたのち、図１１に示したように、第１絶縁膜１５上に、上述した厚さおよび材料よりなる下部熱伝導層１６１を形成する（ステップＳ１０４）。
下部熱伝導層１６１を形成したのち、図１２に示したように、パッド電極１３Ａ，１３Ｂの下部パッド電極１３１と、下部熱伝導層１６１との上に、上述した厚さの金めっき層よりなる上部パッド電極１３２と、上部熱伝導層１６２とをそれぞれ形成する（ステップＳ１０５）。これにより、突条部１１Ａ，１１Ｂを回避してパッド電極１３Ａ，１３Ｂが形成されると共に、第１絶縁膜１５の上に熱伝導層１６が形成される。
上部パッド電極１３２および上部熱伝導層１６２を形成したのち、図１３に示したように、上部パッド電極１３２および上部熱伝導層１６２の上に、上述した厚さおよび材料よりなる金属層１７を形成する（ステップＳ１０６）。
金属層１７を形成したのち、基板１１１の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングして基板１１１の厚さを例えば１００μｍ程度まで薄膜化し（ステップＳ１０７）、基板１１１の裏面に、上述した材料よりなるｎ側電極１２４を形成する（ステップＳ１０８）。そののち、基板１１１を所定の大きさに整え、対向する一対の共振器端面に図示しない反射鏡膜を形成する。
続いて、上述した材料よりなる支持材２０を用意し、図４に示したように、この支持材２０の一面に、上述した材料よりなるはんだ層３０を形成する。そののち、半導体レーザ素子１０の突条部１１Ａ，１１Ｂが形成された面を支持材２０に対向させたジャンクションダウンの状態で、半導体レーザ素子１０を、はんだ層３０により支持材２０に接合する。以上により、図１に示したマルチビーム半導体レーザが完成する。
このマルチビーム半導体レーザでは、ｎ側電極１２４とコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂとの間に所定の電圧が印加されると、活性層１１４に電流が注入されて、電子−正孔再結合により発光が起こる。この光は、一対の反射鏡膜により反射され、その間を往復してレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に射出される。ここでは、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂは、配線電極１４Ａ，１４Ｂによりパッド電極１３Ａ，１３Ｂに接続されると共に第１絶縁膜１５で覆われているので、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂは、はんだ層３０に直接接合されることなく、パッド電極１３Ａ，１３Ｂおよび配線電極１４Ａ，１４Ｂを介して駆動される。また、第１絶縁膜１５の上には、金属よりなる熱伝導層１６が設けられているので、半導体レーザ素子１０で発生した熱は、熱伝導層１６を介してはんだ層３０および支持材２０へと放熱される。
更に、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂの上に第１絶縁膜１５を設けることにより、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを設けることで突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる応力や、突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる熱伝導層１６とはんだ層３０との間の接合応力が低減される。よって、偏光特性や信頼性への影響が小さくなる。
特に、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを、突条部１１Ａ，１１Ｂに対して左右対称の幅を有するようにしたので、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを設けることにより突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる応力が、更に低減される。
このように本実施の形態では、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを、配線電極１４Ａ、１４Ｂによりパッド電極１３Ａ，１３Ｂに接続すると共に第１絶縁膜１５で覆うようにしたので、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂをはんだ層３０に直接接合させることなく電気的接続が可能となる。また、第１絶縁膜１５の上に、金属よりなる熱伝導層１６を設けるようにしたので、この熱伝導層１６とはんだ層３０とを接合することにより、ジャンクションダウン組立の場合に放熱性を向上させることが可能となる。
更に、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂの上に第１絶縁膜１５を設けることにより、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを設けることで突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる応力や、各突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる熱伝導層１６とはんだ層３０との間の接合応力を低減することができる。よって、偏光特性や信頼性への影響を小さくすることが可能となる。
＜２．第２の実施の形態＞
［マルチビーム半導体レーザの構成］
図１４は、本発明の第２の実施の形態に係るマルチビーム半導体レーザの縦断面構造を表したものである。このマルチビーム半導体レーザは、半導体レーザ素子１０に４本の突条部１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄが形成されていることにおいて、第１の実施の形態と異なるものである。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図１５は、図１４に示したマルチビーム半導体レーザを、突条部１１Ａ〜１１Ｄが形成された面の側から見た平面構成を表したものであり、図１６（Ａ）は図１５のＸＶＩＡ−ＸＶＩＡ線、図１６（Ｂ）は図１５のＸＶＩＢ−ＸＶＩＢ線、図１６（Ｃ）は図１５のＸＶＩＣ−ＸＶＩＣ線に沿った断面構成をそれぞれ表したものである。
半導体レーザ素子１０および突条部１１Ａ〜１１Ｄについては、第１の実施の形態と同様に構成されている。
半導体レーザ素子１０の突条部１１Ａ〜１１Ｄが形成された面には、四つのコンタクト電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄおよび四つのパッド電極１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄが設けられている。コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄおよびパッド電極１３Ａ〜１３Ｄは、配線電極１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄによりそれぞれ接続されている。
コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄは、第１の実施の形態と同様に、突条部１１Ａ〜１１Ｄに対して左右対称の幅を有することが好ましい。コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄを設けることにより突条部１１Ａ〜１１Ｄにかかる応力を低減することができるからである。
配線電極１４Ｂは、コンタクト電極１２Ｂとパッド電極１３Ｂとを、コンタクト電極１２Ａを越えて接続しており、配線電極１４Ｂとコンタクト電極１２Ａとの間は、第２絶縁膜１８により絶縁されている。配線電極１４Ｃは、コンタクト電極１２Ｃとパッド電極１２Ｃとを、コンタクト電極１２Ｄを越えて接続しており、配線電極１４Ｃとコンタクト電極１２Ｄとの間も、第２絶縁膜１８により絶縁されている。これにより、本実施の形態では、半導体レーザ素子１０に４本の突条部１１Ａ〜１１Ｄが形成されている場合も、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄをはんだ層３０に直接接合させることなく、配線電極１４Ａ〜１４Ｄによりパッド電極１３Ａ〜１３Ｄに接続することができるようになっている。
第１絶縁膜１５、熱伝導層１６、金属層１７は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
第２絶縁膜１８は、例えば、厚さが１００ｎｍ程度であることが好ましい。薄いほうが放熱性を良くすることができるからである。また、第２絶縁膜１８は、例えば、ＡｌＮ，ＳｉＣ，ダイヤモンド，ＢＮ，ＳｉＯ2 およびＳｉＮからなる群のうちの少なくとも１種により構成されていることが好ましい。
図１７は、支持材２０を、はんだ層３０が形成された面の側から見た構成を表している。はんだ層３０は、支持材２０とパッド電極１３Ａ〜１３Ｄとの間、および支持材２０と熱伝導層１６との間に設けられている。
［マルチビーム半導体レーザの製造方法］
このマルチビーム半導体レーザは、例えば、次のようにして製造することができる。
図１８は、図１５ないし図１７に示したマルチビーム半導体レーザの製造方法の流れを表したものであり、図１９ないし図２８は、この製造方法を工程順に表したものである。まず、図１９に示したように、第１の実施の形態と同様にして、図５および図７に示した工程により、４本の突条部１１Ａ〜１１Ｄを有する半導体レーザ素子１０を形成する。
次いで、図２０に示したように、突条部１１Ａ〜１１Ｄの上に、上述した厚さおよび材料よりなるコンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄを形成すると共に、突条部１１Ａ〜１１Ｄを回避してパッド電極１３Ａ，１３Ｄの下部パッド電極１３１を形成し、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｄとパッド電極１３Ａ，１３Ｂの下部パッド電極１３１とを、配線電極１４Ａ，１４Ｄにより接続する（ステップＳ２０１）。
続いて、図２１に示したように、全面に、上述した厚さおよび材料よりなる第２絶縁膜１８を形成する（ステップＳ２０２）。
そののち、図２２に示したように、第２絶縁膜１８を選択的に除去してコンタクトホール１８Ａを設ける（ステップＳ２０３）。これにより、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｄの上の配線電極１４Ｂ，１４Ｃ形成予定位置に第２絶縁膜１８が形成される。
第２絶縁膜１８にコンタクトホール１８Ａを設けたのち、図２３に示したように、突条部１１Ａ〜１１Ｄを回避してパッド電極１３Ｂ，１３Ｃの下部パッド電極１３１を形成し、コンタクト電極１２Ｂ，１２Ｃとパッド電極１３Ｂ，１３Ｃの下部パッド電極１３１とを、配線電極１４Ｂ，１４Ｃにより接続する（ステップＳ２０４）。その際、配線電極１４Ｂ，１４Ｃを第２絶縁膜１８上に形成することにより、配線電極１４Ｂ，１４Ｃとコンタクト電極１４Ａ，１４Ｄとの間を第２絶縁膜１８で絶縁する。
続いて、図２４に示したように、全面に、上述した厚さおよび材料よりなる第１絶縁膜１５を形成する（ステップＳ２０５）。
そののち、図２５に示したように、パッド電極１３Ａ〜１３Ｄ上の第１絶縁膜１５を選択的に除去してコンタクトホール１５Ａを設ける（ステップＳ２０６）。これにより、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄの上に第１絶縁膜１５が形成される。
第１絶縁膜１５を形成したのち、図２６に示したように、第１絶縁膜１５上に、上述した厚さおよび材料よりなる下部熱伝導層１６１を形成する（ステップＳ２０７）。
下部熱伝導層１６１を形成したのち、図２７に示したように、パッド電極１３Ａ〜１３Ｄの下部パッド電極１３１と、下部熱伝導層１６１との上に、上述した厚さの金めっき層よりなる上部パッド電極１３２と、上部熱伝導層１６２とをそれぞれ形成する（ステップＳ２０８）。これにより、突条部１１Ａ〜１１Ｂを回避してパッド電極１３Ａ〜１３Ｄが形成されると共に、第１絶縁膜１５の上に熱伝導層１６が形成される。
上部パッド電極１３２および上部熱伝導層１６２を形成したのち、図２８に示したように、上部パッド電極１３２および上部熱伝導層１６２の上に、上述した厚さおよび材料よりなる金属層１７を形成する（ステップＳ２０９）。
金属層１７を形成したのち、基板１１１の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングして基板１１１の厚さを例えば１００μｍ程度まで薄膜化し（ステップＳ２１０）、基板１１１の裏面に、上述した材料よりなるｎ側電極１２４を形成する（ステップＳ２１１）。そののち、基板１１１を所定の大きさに整え、対向する一対の共振器端面に図示しない反射鏡膜を形成する。
続いて、上述した材料よりなる支持材２０を用意し、図１７に示したように、この支持材２０の一面に、上述した材料よりなるはんだ層３０を形成する。そののち、半導体レーザ素子１０の突条部１１Ａ，１１Ｂが形成された面を支持材２０に対向させたジャンクションダウンの状態で、半導体レーザ素子１０を、はんだ層３０により支持材２０に接合する。以上により、図１４に示したマルチビーム半導体レーザが完成する。
このマルチビーム半導体レーザでは、ｎ側電極１２４とコンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄとの間に所定の電圧が印加されると、第１の実施の形態と同様にしてレーザ発振が起こる。ここでは、配線電極１４Ｂ，１４Ｃとコンタクト電極１２Ａ，１２Ｄとの間は第２絶縁膜１８により絶縁されているので、半導体レーザ素子１０に４本の突条部１１Ａ〜１１Ｄが形成されている場合も、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄは、はんだ層３０に直接接合されることなく、パッド電極１３Ａ〜１３Ｄおよび配線電極１４Ａ〜１４Ｄを介して駆動される。
また、第１絶縁膜１５の上には、金属よりなる熱伝導層１６が設けられているので、半導体レーザ素子１０で発生した熱は、熱伝導層１６を介してはんだ層３０および支持材２０へと放熱される。
更に、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄの上に第１絶縁膜１５を設けることにより、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄを設けることで突条部１１Ａ〜１１Ｄにかかる応力や、突条部１１Ａ〜１１Ｄにかかる熱伝導層１６とはんだ層３０との間の接合応力が低減される。よって、偏光特性や信頼性への影響が小さくなる。
特に、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄを、突条部１１Ａ〜１１Ｄに対して左右対称の幅を有するようにしたので、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄを設けることにより突条部１１Ａ〜１１Ｄにかかる応力が、更に低減される。
このように本実施の形態では、配線電極１４Ｂ，１４Ｃとコンタクト電極１２Ａ，１２Ｄとの間を第２絶縁膜１８により絶縁するようにしたので、半導体レーザ素子１０に４本の突条部１１Ａ〜１１Ｄが形成されている場合も、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄをはんだ層３０に直接接合させることなく電気的接続が可能となる。また、第１絶縁膜１５の上に、金属よりなる熱伝導層１６を設けるようにしたので、この熱伝導層１６とはんだ層３０とを接合することにより、ジャンクションダウン組立の場合に放熱性を向上させることが可能となる。
更に、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂの上に第１絶縁膜１５を設けることにより、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを設けることで突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる応力や、各突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる熱伝導層１６とはんだ層３０との間の接合応力を低減することができる。よって、偏光特性や信頼性への影響を小さくすることが可能となる。
＜３．第３の実施の形態＞
［マルチビーム半導体レーザの構成］
図２９は、本発明の第２の実施の形態に係るマルチビーム半導体レーザを、突条部１１Ａ〜１１Ｄが形成された面の側から見た平面構成を表したものであり、図３０（Ａ）は図２９のＸＸＸＡ−ＸＸＸＡ線、図３０（Ｂ）は図２９のＸＸＸＢ−ＸＸＸＢ線、図３０（Ｃ）は図２９のＸＸＸＣ−ＸＸＸＣ線に沿った断面構成をそれぞれ表したものである。このマルチビーム半導体レーザは、配線電極１４Ｂ，１４Ｃが、半導体レーザ素子１０の高抵抗化領域１２５に形成されていることにおいて、第２の実施の形態と異なるものである。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
半導体レーザ素子１０には、イオン注入、およびｐ側コンタクト層１１９を除去することのうち少なくとも一方が行われた高抵抗化領域１２５が形成されていることを除いては、第１の実施の形態と同様に形成されている。高抵抗化領域１２５は、例えば、リア端面に設けられていることが好ましい。
突条部１１Ａ〜１１Ｄ、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄ、パッド電極１３Ａ〜１３Ｄについては、第１の実施の形態と同様に構成されている。
コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄは、第１の実施の形態と同様に、突条部１１Ａ〜１１Ｄに対して左右対称の幅を有することが好ましい。コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄを設けることにより突条部１１Ａ〜１１Ｄにかかる応力を低減することができるからである。
配線電極１４Ｂは、コンタクト電極１２Ｂとパッド電極１３Ｂとを、コンタクト電極１２Ａを越えて接続し、配線電極１４Ｃは、コンタクト電極１２Ｃとパッド電極１２Ｃとを、コンタクト電極１２Ｄを越えて接続している。配線電極１４Ｂ，１４Ｃは、半導体レーザ素子１０の高抵抗化領域１２５に設けられている。これにより、本実施の形態では、半導体レーザ素子１０に４本の突条部１１Ａ〜１１Ｄが形成されている場合も、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄをはんだ層３０に直接接合させることなく、配線電極１４Ａ〜１４Ｄによりパッド電極１３Ａ〜１３Ｄに接続することができるようになっている。また、第２絶縁膜１８は不要となり、製造工程を簡素化することも可能となる。
第１絶縁膜１５、熱伝導層１６、金属層１７は、第１の実施の形態と同様に構成されている。支持材２０およびはんだ層３０は、第２の実施の形態と同様に構成されている。
［マルチビーム半導体レーザの製造方法］
このマルチビーム半導体レーザは、例えば、次のようにして製造することができる。
図３１は、図２９および図３０に示したマルチビーム半導体レーザの製造方法の流れを表したものであり、図３２ないし図３９は、この製造方法を工程順に表したものである。まず、図３２に示したように、第１の実施の形態と同様にして、図５および図７に示した工程により、４本の突条部１１Ａ〜１１Ｄを有する半導体レーザ素子１０を形成する。その際、リア端面に、イオン注入、およびｐ側コンタクト層１１９を除去することのうち少なくとも一方を行うことにより高抵抗化領域１２５を形成する。
次いで、図３３に示したように、突条部１１Ａ〜１１Ｄの上に、上述した厚さおよび材料よりなるコンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄを形成すると共に、突条部１１Ａ〜１１Ｄを回避してパッド電極１３Ａ，１３Ｄの下部パッド電極１３１を形成し、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｄとパッド電極１３Ａ，１３Ｄの下部パッド電極１３１とを、配線電極１４Ａ，１４Ｄにより接続する（ステップＳ３０１）。
続いて、図３４に示したように、突条部１１Ａ〜１１Ｄを回避してパッド電極１３Ｂ，１３Ｃの下部パッド電極１３１を形成し、コンタクト電極１２Ｂ，１２Ｃとパッド電極１３Ｂ，１３Ｃの下部パッド電極１３１とを、配線電極１４Ｂ，１４Ｃにより接続する（ステップＳ３０２）。その際、配線電極１４Ｂ，１４Ｃを、半導体レーザ素子１０のリア端面の高抵抗化領域１２５に形成する。
そののち、図３５に示したように、全面に、上述した厚さおよび材料よりなる第１絶縁膜１５を形成する（ステップＳ３０３）。
そののち、図３６に示したように、パッド電極１３Ａ〜１３Ｄ上の第１絶縁膜１５を選択的に除去してコンタクトホール１５Ａを設ける（ステップＳ３０４）。これにより、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄの上に第１絶縁膜１５が形成される。
第１絶縁膜１５を形成したのち、図３７に示したように、第１絶縁膜１５上に、上述した厚さおよび材料よりなる下部熱伝導層１６１を形成する（ステップＳ３０５）。
下部熱伝導層１６１を形成したのち、図３８に示したように、パッド電極１３Ａ〜１３Ｄの下部パッド電極１３１と、下部熱伝導層１６１との上に、上述した厚さの金めっき層よりなる上部パッド電極１３２と、上部熱伝導層１６２とをそれぞれ形成する（ステップＳ３０６）。これにより、突条部１１Ａ〜１１Ｂを回避してパッド電極１３Ａ〜１３Ｄが形成されると共に、第１絶縁膜１５の上に熱伝導層１６が形成される。
上部パッド電極１３２および上部熱伝導層１６２を形成したのち、図３９に示したように、上部パッド電極１３２および上部熱伝導層１６２の上に、上述した厚さおよび材料よりなる金属層１７を形成する（ステップＳ３０７）。
金属層１７を形成したのち、基板１１１の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングして基板１１１の厚さを例えば１００μｍ程度まで薄膜化し（ステップＳ３０８）、基板１１１の裏面に、上述した材料よりなるｎ側電極１２４を形成する（ステップＳ３０９）。そののち、基板１１１を所定の大きさに整え、対向する一対の共振器端面に図示しない反射鏡膜を形成する。
続いて、上述した材料よりなる支持材２０を用意し、図１７に示したように、この支持材２０の一面に、上述した材料よりなるはんだ層３０を形成する。そののち、半導体レーザ素子１０の突条部１１Ａ，１１Ｂが形成された面を支持材２０に対向させたジャンクションダウンの状態で、半導体レーザ素子１０を、はんだ層３０により支持材２０に接合する。以上により、本実施の形態のマルチビーム半導体レーザが完成する。
このマルチビーム半導体レーザでは、ｎ側電極１２４とコンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄとの間に所定の電圧が印加されると、第１の実施の形態と同様にしてレーザ発振が起こる。ここでは、配線電極１４Ｂ，１４Ｃが、半導体レーザ素子１０の高抵抗化領域１２５に形成されているので、半導体レーザ素子１０に４本の突条部１１Ａ〜１１Ｄが形成されている場合も、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄは、はんだ層３０に直接接合されることなく、パッド電極１３Ａ〜１３Ｄおよび配線電極１４Ａ〜１４Ｄを介して駆動される。
また、第１絶縁膜１５の上には、金属よりなる熱伝導層１６が設けられているので、半導体レーザ素子１０で発生した熱は、熱伝導層１６を介してはんだ層３０および支持材２０へと放熱される。
更に、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄの上に第１絶縁膜１５を設けることにより、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄを設けることで突条部１１Ａ〜１１Ｄにかかる応力や、突条部１１Ａ〜１１Ｄにかかる熱伝導層１６とはんだ層３０との間の接合応力が低減される。よって、偏光特性や信頼性への影響が小さくなる。
特に、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄを、突条部１１Ａ〜１１Ｄに対して左右対称の幅を有するようにしたので、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄを設けることにより突条部１１Ａ〜１１Ｄにかかる応力が、更に低減される。
このように本実施の形態では、配線電極１４Ｂ，１４Ｃを、半導体レーザ素子１０の高抵抗化領域１２５に形成するようにしたので、半導体レーザ素子１０に４本の突条部１１Ａ〜１１Ｄが形成されている場合も、コンタクト電極１２Ａ〜１２Ｄをはんだ層３０に直接接合させることなく電気的接続が可能となる。また、第１絶縁膜１５の上に、金属よりなる熱伝導層１６を設けるようにしたので、この熱伝導層１６とはんだ層３０とを接合することにより、ジャンクションダウン組立の場合に放熱性を向上させることが可能となる。
更に、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂの上に第１絶縁膜１５を設けることにより、コンタクト電極１２Ａ，１２Ｂを設けることで突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる応力や、各突条部１１Ａ，１１Ｂにかかる熱伝導層１６とはんだ層３０との間の接合応力を低減することができる。よって、偏光特性や信頼性への影響を小さくすることが可能となる。
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、半導体レーザ素子１０が２本または４本の突条部１１Ａ〜１１Ｄを有する場合について説明したが、突条部の数すなわちビームの数は２本、４本などの偶数に限らず、３本または５本などの奇数であってもよい。また、突条部１１Ａ〜１１Ｄの数とパッド電極１３Ａ〜１３Ｄの数とは必ずしも同じである必要はない。例えば、突条部の数がパッド電極よりも少ない場合には、どのコンタクト電極にも接続されていないダミーのパッド電極を設けるようにしてもよい。また、パッド電極の数が突条部よりも多い場合には、一つのコンタクト電極を二つ以上のパッド電極に接続するようにしてもよい。
また、上記実施の形態では、マルチビーム半導体レーザを例として説明したが、本発明は多波長レーザにも適用可能である。
更に、上記実施の形態では、一つのコンタクト電極と一つのパッド電極とを一本の配線電極で接続する場合について説明したが、配線電極は多数でもよい。
加えて、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚さ、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚さとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、バッファ層１１２ないしｐ側コンタクト層１２２をＭＯＣＶＤ法により形成する場合について説明したが、ＭＯＶＰＥ法等の他の有機金属気相成長法により形成してもよく、あるいは、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシー）法等を用いてもよい。
更にまた、例えば、上記実施の形態では、半導体レーザ素子の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
加えてまた、本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系の赤色レーザに限らず、より高出力のものや、他の発振波長または他の材料系のものにも適用可能である。
本発明の第１の実施の形態に係るマルチビーム半導体レーザの構成を表す断面図である。 図１に示したマルチビーム半導体レーザを、突条部が形成された面の側から見た構成を表す平面図である。 図３（Ａ）は図２のＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線に沿った断面図、図３（Ｂ）は図２のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線に沿った断面図である。 図１に示した支持材を、はんだ層が形成された面の側から見た構成を表す平面図である。 図１に示した半導体レーザ素子の一例を表す断面図である。 図２ないし図４に示したマルチビーム半導体レーザの製造方法の流れを表す図である。 図６に示した製造方法を工程順に表す平面図である。 図７に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図８に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図９に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図１０に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図１１に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図１２に示した工程に続く工程を表す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係るマルチビーム半導体レーザの構成を表す断面図である。 図１４に示したマルチビーム半導体レーザを、突条部が形成された面の側から見た構成を表す平面図である。 図１６（Ａ）は図１５のＸＶＩＡ−ＸＶＩＡ線に沿った断面図、図１６（Ｂ）は図１５のＸＶＩＢ−ＸＶＩＢ線に沿った断面図、図１６（Ｃ）は図１５のＸＶＩＣ−ＸＶＩＣ線に沿った断面図である。 図１４に示した支持材を、はんだ層が形成された面の側から見た構成を表す平面図である。 図１５ないし図１７に示したマルチビーム半導体レーザの製造方法の流れを表す図である。 図１８に示した製造方法を工程順に表す平面図である。 図１９に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図２０に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図２１に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図２２に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図２３に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図２４に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図２５に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図２６に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図２７に示した工程に続く工程を表す平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係るマルチビーム半導体レーザを、突条部が形成された面の側から見た構成を表す平面図である。 図３０（Ａ）は図２９のＸＸＸＡ−ＸＸＸＡ線に沿った断面図、図３０（Ｂ）は図２９のＸＸＸＢ−ＸＸＸＢ線に沿った断面図、図３０（Ｃ）は図２９のＸＸＸＣ−ＸＸＸＣ線に沿った断面図である。 図２９および図３０に示したマルチビーム半導体レーザの製造方法の流れを表す図である。 図３１に示した製造方法を工程順に表す平面図である。 図３２に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図３３に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図３４に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図３５に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図３６に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図３７に示した工程に続く工程を表す平面図である。 図３８に示した工程に続く工程を表す平面図である。
符号の説明
１０…半導体レーザ素子、１１Ａ〜１１Ｄ…突条部、１２Ａ〜１２Ｄ…コンタクト電極、１３Ａ〜１３Ｄ…パッド電極、１４Ａ〜１４Ｄ…配線電極、１５…第１絶縁膜、１６…熱伝導層、１７…金属層、１８…第２絶縁膜、１２４…ｎ側電極、１２５…高抵抗化領域。

Claims (8)

  1. 複数の突条部が形成された半導体レーザ素子と、
    前記複数の突条部の各々に設けられたコンタクト電極と、
    前記半導体レーザ素子の前記複数の突条部が形成された面に、前記複数の突条部を回避して設けられた複数のパッド電極と、
    前記コンタクト電極を前記複数のパッド電極のうちの少なくとも一つに接続する配線電極と、
    前記コンタクト電極の上に形成された第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜の上に設けられた金属よりなる熱伝導層と
    を備えたマルチビーム半導体レーザ。
  2. 前記第１絶縁膜は、ＡｌＮ，ＳｉＣ，ダイヤモンド，ＢＮ，ＳｉＯ2 およびＳｉＮからなる群のうちの少なくとも１種により構成されている
    請求項１記載のマルチビーム半導体レーザ。
  3. 前記コンタクト電極は、前記突条部に対して左右対称の幅を有する
    請求項１または２記載のマルチビーム半導体レーザ。
  4. 前記配線電極が、前記コンタクト電極と前記複数のパッド電極のうちの少なくとも一つとを、他のコンタクト電極を越えて接続しており、前記他のコンタクト電極と前記配線電極との間が第２絶縁膜により絶縁されている
    請求項１ないし３のいずれか１項に記載のマルチビーム半導体レーザ。
  5. 前記第２絶縁膜は、ＡｌＮ，ＳｉＣ，ダイヤモンド，ＢＮ，ＳｉＯ2 およびＳｉＮからなる群のうちの少なくとも１種により構成されている
    請求項４記載のマルチビーム半導体レーザ。
  6. 前記配線電極が、前記コンタクト電極と前記複数のパッド電極のうちの少なくとも一つとを、他のコンタクト電極を越えて接続しており、前記配線電極は、前記半導体レーザ素子の高抵抗化領域に形成されている
    請求項１ないし３のいずれか１項に記載のマルチビーム半導体レーザ。
  7. 前記高抵抗化領域は、イオン注入、およびｐ側コンタクト層を除去することのうち少なくとも一方が行われた領域である
    請求項６記載のマルチビーム半導体レーザ。
  8. 支持材と、
    前記支持材と前記パッド電極との間、および前記支持材と前記熱伝導層との間に設けられたはんだ層と
    を備えた請求項１ないし７のいずれか１項に記載のマルチビーム半導体レーザ。
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